CN109336195B - 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109336195B CN109336195B CN201811433895.2A CN201811433895A CN109336195B CN 109336195 B CN109336195 B CN 109336195B CN 201811433895 A CN201811433895 A CN 201811433895A CN 109336195 B CN109336195 B CN 109336195B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plastochondria
- net
- electrochomeric films
- ordered structure
- polystyrene microsphere
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims abstract description 148
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims abstract description 148
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 46
- 239000002659 electrodeposit Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 140
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 claims description 100
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 55
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 55
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 53
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 34
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N iron(2+);iron(3+);octadecacyanide Chemical compound [Fe+2].[Fe+2].[Fe+2].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].[Fe+3].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-].N#[C-] DCYOBGZUOMKFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229960003351 prussian blue Drugs 0.000 claims description 23
- 239000013225 prussian blue Substances 0.000 claims description 23
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 claims description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 12
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical group C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011806 microball Substances 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 3
- 241001062009 Indigofera Species 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 10
- 230000008859 change Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 6
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 31
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 22
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 18
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 13
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 13
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 10
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 10
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 10
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 7
- LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L nickel sulfate Chemical compound [Ni+2].[O-]S([O-])(=O)=O LGQLOGILCSXPEA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 7
- 229910000363 nickel(II) sulfate Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 6
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 5
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229920006389 polyphenyl polymer Polymers 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 3
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 2
- 238000002484 cyclic voltammetry Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000028327 secretion Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000001367 artery Anatomy 0.000 description 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000003458 metachromatic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002438 mitochondrial effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000002000 scavenging effect Effects 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004984 smart glass Substances 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000003462 vein Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G53/00—Compounds of nickel
- C01G53/04—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01C—AMMONIA; CYANOGEN; COMPOUNDS THEREOF
- C01C3/00—Cyanogen; Compounds thereof
- C01C3/08—Simple or complex cyanides of metals
- C01C3/12—Simple or complex iron cyanides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G41/00—Compounds of tungsten
- C01G41/02—Oxides; Hydroxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
Abstract
本发明公开了一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，以聚苯乙烯模板作为工作电极，在电沉积液中电化学沉积后去除聚苯乙烯模板获得具有网粒体有序结构的电致变色薄膜。所述的制备方法无需焙烧，具有操作简便、高效节能、产品可控等优点。本发明还公开了一种根据所述的制备方法制备得到的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜，与致密的电致变色薄膜相比，具有更大的比表面积，对反射光具有角度不依赖性，提高了着色效率，扩大了变色范围，缩短了变色过程中的响应时间。
Description
技术领域
本发明涉及电致变色薄膜领域，具体涉及一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法。
背景技术
电致变色是指在电压的外界调控下，材料颜色或透过率发生稳定可逆的变化的过程。国内外学者围绕电致变色薄膜及其应用进行了深入广泛的研究。
目前，电致变色材料被认为是最有应用前景的智能材料之一，在智能窗、汽车防眩后视镜等领域已得到了初步使用，并且有巨大的潜在应用价值。
电致变色材料的变色原理为在低电压的推动下，将电解液中的离子注入到电致变色材料中，使其发生氧化还原反应从而产生变色现象。常见的无机阳极电致变色材料有氧化镍、普鲁士蓝等，常见的无机阴极电致变色材料有三氧化钨等。但传统的致密的电致变色材料普遍存在着色效率低、离子注入时间长、调制范围窄等缺陷。
电致变色材料的变色反应一般最先发生在材料表面，因此通过对材料结构的调控来增大材料和电解液在变色过程中的接触面积可以缩短离子扩散路径，有利于离子在材料中的快速嵌入和脱出，从而可以有效提升材料电致变色性能。
公开号为CN 104962969 B的专利说明书公开了一种三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法，步骤依次为清洗玻璃基片、制备聚苯乙烯模板、恒电位沉积薄膜和退火。此发明技术方案采用氯化镍和硫代硫酸钠的混合溶液作为电解液，恒电位沉积得到NiS薄膜，因此后续需要300～500℃下退火才可得到3D中空多孔的电致变色氧化镍薄膜。此外，该发明制备的聚苯乙烯模板为聚苯乙烯微球一次性多层直接堆叠，聚苯乙烯微球的堆叠方式无规律不规则。
公开号为CN 106242310 A的专利说明书公开了一种直接在FTO导电玻璃上生长普鲁士蓝薄膜的方法，具体为一种水热法。此发明制备得到的普鲁士蓝薄膜的厚度为200～300nm，表面微观结构为球形或立方体形，具有良好的电致变色效应。
公开号为CN 105060733 A的专利说明书公开了一种非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜及其制备方法，包括：在导电基底的导电面上涂上溶有白钨酸的过氧化氢溶液，然后固定在反应釜中；将钨源和硫酸铵的水溶液加入上述反应釜中水热反应得到三氧化钨纳米线阵列薄膜；将钨源和双氧水溶于水作为电沉积液，三氧化钨纳米线阵列薄膜作为工作电极，恒电压沉积得到非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜。此发明制备得到的非晶态/晶态三氧化钨核壳结构电致变色薄膜具有纳米线阵列形貌，光谱调节范围大，着色效率高，响应速度快。
网粒体是蝗虫分泌的一种中空的微米尺度颗粒，颗粒的壳层上有紧密排布的凹坑结构。生物学家发现，蝗虫会不停地把分泌的网粒体往身体上涂抹，这是因为网粒体的结构对反射光具有角度不依赖性，可以防止蝗虫被天敌发现。这种对反射光的角度不依赖性可以作为反射型电致变色器件的重要特点。
发明内容
针对本领域现有的电致变色材料变色时间长、调制范围窄、着色效率低等技术问题，本发明提供了一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法。
一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，包括：
(1)制备模板：在干净的硅片上铺展第一层聚苯乙烯微球，加热后进行表面镀金，得到镀金模板；在镀金模板上再铺展第二层聚苯乙烯微球，加热得到聚苯乙烯模板，所述的第一层聚苯乙烯微球粒径大于第二层聚苯乙烯微球粒径；
(2)电化学沉积薄膜：用步骤(1)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，电化学沉积得到带有聚苯乙烯模板的电致变色薄膜；
(3)去除模板：将步骤(2)得到的带有聚苯乙烯模板的电致变色薄膜浸没在有机溶剂中，去除聚苯乙烯模板后取出干燥即得到具有网粒体有序结构的电致变色薄膜。
步骤(1)中，所述的聚苯乙烯模板的具体制备过程包括：
a.在两块干净的载玻片上分别铺展聚苯乙烯微球，其中，载玻片1上的聚苯乙烯微球粒径大于载玻片2上的聚苯乙烯微球粒径；
b.在水中将载玻片1上的聚苯乙烯微球转移到干净的硅片上，加热得到铺展有第一层聚苯乙烯微球的硅片；
c.在铺展有第一层聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，得到镀金模板；
d.在水中将载玻片2上的聚苯乙烯微球转移到镀金模板上，加热得到铺展有第一层聚苯乙烯微球和第二层聚苯乙烯微球的聚苯乙烯模板。
所述的聚苯乙烯模板的第一层聚苯乙烯微球粒径大于第二层聚苯乙烯微球粒径，目的是使第二层聚苯乙烯微球能直接组装在镀金模板上。
优选地，第一层聚苯乙烯微球粒径与第二层聚苯乙烯微球粒径之比为(2～10):1。
第一层聚苯乙烯微球粒径与第二层聚苯乙烯微球粒径之比过大会导致第二层的聚苯乙烯微球掉入第一层的聚苯乙烯微球之间的空隙中，得到的电致变色薄膜为非网粒体有序结构。第一层聚苯乙烯微球粒径与第二层聚苯乙烯微球粒径之比过小会导致聚苯乙烯微球容易形成多层堆叠，不利于电致变色薄膜形成网粒体有序结构。
优选地，第一层聚苯乙烯微球粒径为1～2μm，第二层聚苯乙烯微球粒径为200～500nm。
第二层聚苯乙烯微球粒径过大，网粒体有序结构的比表面积会减小；第二层聚苯乙烯微球粒径过小，形成的网粒体有序结构的通道过小，不利于电解质离子的扩散。
第二层聚苯乙烯微球尺寸小于第一层聚苯乙烯微球尺寸的双层聚苯乙烯微球模板对于电致变色薄膜形成网粒体有序结起到了决定性作用。
所述的干净的载玻片和硅片通过清洗、干燥得到，包括：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗，吹干后用等离子体清洗机清洗，得到干净的载玻片和硅片。
所述的超声清洗时间为20～40min。
所述的等离子体清洗机清洗时间为1～10min。
所述的聚苯乙烯微球转移的方法可采用如下方式：将铺展有聚苯乙烯微球的载玻片放到水面上，载玻片会沉入水中，载玻片上铺展的聚苯乙烯微球会浮在水面，用干净的硅片或镀金模板便可捞起聚苯乙烯微球，从而实现聚苯乙烯微球在硅片或镀金模板表面的单层自组装。
所述的加热的作用是干燥并将聚苯乙烯微球固定在硅片或镀金模板上。
优选地，加热温度为90～120℃，加热时间为1～5min。
所述的镀金是为步骤(2)而进行的前处理，因为硅片不导电，无法直接在硅片上电化学沉积。
镀金的厚度为30～100nm，可采用热蒸镀的方式镀金。
步骤(2)中，所述的电化学沉积的电沉积液的组成和电化学沉积的方式可根据待制备的电致变色薄膜的材料确定。
所述的电沉积液由可溶性金属盐、导电盐以及pH调节剂等组成，只需满足电化学沉积能够得到待制备的电致变色薄膜的要求即可。
所述的电化学沉积的沉积时间对电致变色薄膜网粒体结构的形成具有重要影响。沉积时间过短会导致形成的网粒体有序结构不完整，沉积时间过长会导致沉积的电致变色薄膜覆盖掉第二层聚苯乙烯微球而无法得到网粒体有序结构。合适的沉积时间可根据待制备的电致变色薄膜的材料通过有限次实验确定。
I.制备氧化镍电致变色薄膜
所述的电沉积液可采用硫酸镍和硫酸铵的氨水溶液。
所述的电沉积液中硫酸镍浓度为0.05～0.1M，硫酸铵浓度为0.05～0.1M。
所述的氨水可采用市售常规浓度的氨水，作用是使电化学沉积过程中电沉积液始终为碱性环境。
所述的电化学沉积可采用恒电流沉积、恒电压沉积或脉冲电沉积。
优选地，所述的电化学沉积采用脉冲电沉积。这是因为相比于恒电流沉积或恒电压沉积，脉冲电沉积可以有效减小电极附近区域极化，从而使氧化镍电致变色薄膜沉积更加细致。
所述的脉冲电沉积的脉冲电流为30～50μA/cm2，占空比为40％～60％，脉冲频率为1200～1600Hz，沉积时间为5～15min。沉积时间过短会导致形成的网粒体有序结构不完整，沉积时间过长会导致沉积的氧化镍电致变色薄膜覆盖掉第二层聚苯乙烯微球而无法得到网粒体有序结构。优选地，沉积时间为5～10min。
II.制备普鲁士蓝电致变色薄膜
所述的电沉积液可采用FeCl3、K3[Fe(CN)]6和KCl的水溶液。
所述的电沉积液中FeCl3浓度为0.01～0.02M，K3[Fe(CN)]6浓度为0.01～0.02M，KCl浓度为0.04～0.05M。
由于恒电流沉积下普鲁士蓝薄膜就可以沉积得非常细致，且恒电流沉积操作简便，因此所述的电化学沉积采用恒电流沉积，沉积时间为300～1500s，电流为-30～-80μA/cm2。优选地，所述的恒电流沉积的沉积时间为300～900s。
沉积时间过短会导致形成的网粒体有序结构不完整，沉积时间过长会导致沉积的普鲁士蓝电致变色薄膜覆盖掉第二层聚苯乙烯微球而无法得到网粒体有序结构。
III.制备三氧化钨电致变色薄膜
所述的电沉积液可采用钨酸钠、过氧化氢和盐酸的水溶液。
所述的电沉积液中钨酸钠浓度为0.01～0.02M，过氧化氢浓度为0.02～0.05M，HCl浓度为0.01～0.03M。
所述的盐酸的作用是调节电沉积液的pH，使电化学沉积过程中电沉积液的pH始终为1～2。
所述的电化学沉积可采用恒电流沉积、恒电压沉积或脉冲电沉积。
优选地，所述的电化学沉积采用脉冲电沉积。这是因为相比于恒电流沉积或恒电压沉积，脉冲电沉积可以有效减小电极附近区域极化，从而使薄膜沉积更加细致。
所述的脉冲电沉积的脉冲电压为-0.3～-1V，占空比为1:(10～20)，沉积时间为200～1500s。沉积时间过短会导致形成的网粒体有序结构不完整，沉积时间过长会导致沉积的三氧化钨电致变色薄膜覆盖掉第二层聚苯乙烯微球而无法得到网粒体有序结构。优选地，沉积时间为500～1000s。
电化学沉积薄膜过程的反应机理如下：
2WO4 2-+4H2O2→W2O11 2-+2OH-+3H2O
4W2O11 2-+(8+4x)H++4xe-→8WO3+(4+2x)H2O+(8-x)O2
H2O2在反应中起到氧化剂和络合剂的作用。
由此可见，步骤(2)的电化学沉积法对电致变色材料具有普适性。本领域技术人员可根据不同的电致变色材料选择合适的电沉积液和电化学沉积方式，实现电化学沉积薄膜。
步骤(3)中，所述的有机溶剂可采用二氯甲烷或甲苯中的一种或多种，作用是去除聚苯乙烯微球模板，浸没时间为3～10min。
本发明提供的一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，无需焙烧，具有操作简便、高效节能、产品可控等优点。
与致密的电致变色薄膜相比，本发明提供的一种根据所述制备方法制备得到的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜，包括以下优点：
(1)具有网粒体有序结构的电致变色薄膜具有更大的比表面积，可使电致变色过程中的氧化还原反应进行得更加充分，提高了着色效率，扩大了变色范围。
(2)具有网粒体有序结构的电致变色薄膜可为电解质离子增加有序的离子扩散通道，缩短离子扩散路径，有利于离子的快速嵌入和脱出，大大缩短变色过程中的响应时间。
(3)具有网粒体有序结构的电致变色薄膜因具有网粒体有序结构而对反射光具有角度不依赖性。
附图说明
图1为实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的表面SEM照片；
图2为实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的断面SEM照片；
图3为实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的电致变色光调制性能图；
图4为实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的离子注入和抽出时间图；
图5为实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜和对比例1制备得到的致密的氧化镍薄膜的循环伏安特性曲线对比图；
图6为实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的表面SEM照片；
图7为实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的断面SEM照片；
图8为实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的电致变色光调制性能图；
图9为实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的离子注入和抽出时间图；
图10为实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜和对比例2制备得到的致密的普鲁士蓝薄膜的循环伏安特性曲线对比图；
图11为实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨薄膜的表面SEM照片；
图12为实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨薄膜的断面SEM照片；
图13为实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨薄膜的电致变色光调制性能图；
图14为实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨薄膜的离子注入和抽出时间图；
图15为实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨薄膜和对比例3制备得到的致密的三氧化钨薄膜的循环伏安特性曲线对比图；
图16为对比例5制备得到的3D中空多孔结构的三氧化钨薄膜的表面SEM照片；
图17为对比例5制备得到的3D中空多孔结构的三氧化钨薄膜的断面SEM照片。
具体实施方式
下面结合附图及具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。下列实施例中未注明具体条件的实验方法，通常按照常规条件，或按照制造厂商所建议的条件。
实施例1
(1)清洗基板：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的载玻片和硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液1和悬浮液2分别滴到两块步骤(1)的干净的载玻片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的载玻片1和载玻片2；悬浮液1中的聚苯乙烯微球粒径为2μm，悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为500nm；
b.将载玻片1平放到水面上，用步骤(1)的干净的硅片捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；
c.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
d.将载玻片2平放到水面上，用镀金模板捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将硫酸镍和硫酸铵溶于氨水配成电沉积液，电沉积液中硫酸镍浓度为0.05M，硫酸铵浓度为0.06M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积10min得到带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜；脉冲电沉积的脉冲电流为40μA/cm2，占空比为40％，脉冲频率为1500Hz；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜在二氯甲烷中浸没3min，去除聚苯乙烯模板后，取出干燥得到网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜。
如图1、2所示，制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜呈现整齐的网粒体有序结构，薄膜表面均匀。
如图3所示，制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜在660nm波长光波段的反射率调制幅度为16.65％。
离子注入和抽出时间一般以最大电流变化90％时的注入和抽出响应时间计算。如图4所示，制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的离子注入和抽出时间分别为1.2s和1.1s。
实施例2
(1)清洗基板：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的载玻片和硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液1和悬浮液2分别滴到两块步骤(1)的干净的载玻片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的载玻片1和载玻片2；悬浮液1中的聚苯乙烯微球粒径为2μm，悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为500nm；
b.将载玻片1平放到水面上，用步骤(1)的干净的硅片捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；
c.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
d.将载玻片2平放到水面上，用镀金模板捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将FeCl3、K3[Fe(CN)]6和KCl溶于水配成电沉积液，电沉积液中FeCl3浓度为0.01M，K3[Fe(CN)]6浓度为0.01M，KCl浓度为0.05M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，恒电流沉积600s得到带有聚苯乙烯模板的普鲁士蓝薄膜；恒电流沉积的电流为-50μA/cm2；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的普鲁士蓝薄膜在二氯甲烷中浸没3min，取出干燥得到网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜。
如图6、7所示，制备得到的普鲁士蓝电致变色薄膜呈现整齐的网粒体有序结构，薄膜表面均匀。
如图8所示，制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜在660nm波长光波段的反射率调制幅度为17.94％。
离子注入和抽出时间一般以最大电流变化90％时的注入和抽出响应时间计算。如图9所示，制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的离子注入和抽出时间分别为1.8s和2.2s。
实施例3
(1)清洗基板：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的载玻片和硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液1和悬浮液2分别滴到两块步骤(1)的干净的载玻片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的载玻片1和载玻片2；悬浮液1中的聚苯乙烯微球粒径为2μm，悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为500nm；
b.将载玻片1平放到水面上，用步骤(1)的干净的硅片捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；
c.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
d.将载玻片2平放到水面上，用镀金模板捞起聚苯乙烯微球，110℃加热1min，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将钨酸钠、过氧化氢和盐酸溶于水配成电沉积液，电沉积液中钨酸钠浓度为0.0125M，过氧化氢浓度为0.025M，HCl浓度为0.02M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积500s得到带有聚苯乙烯模板的三氧化钨薄膜；脉冲电沉积的脉冲电压为-0.7V，占空比为1:12；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的三氧化钨薄膜在二氯甲烷中浸没3min，去除聚苯乙烯模板后，取出干燥得到网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜。
如图11、12所示，制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜呈现整齐的网粒体有序结构，薄膜表面均匀。
如图13所示，制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜在660nm波长光波段的反射率调制幅度为18.79％。
离子注入和抽出时间一般以最大电流变化90％时的注入和抽出响应时间计算。如图14所示，制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜的离子注入和抽出时间分别为0.25s和0.55s。
实施例4
(1)清洗基板：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗40min，吹干后用等离子体清洗机清洗1min，得到干净的载玻片和硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液1和悬浮液2分别滴到两块步骤(1)的干净的载玻片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的载玻片1和载玻片2；悬浮液1中的聚苯乙烯微球粒径为2μm，悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为200nm；
b.将载玻片1平放到水面上，用步骤(1)的干净的硅片捞起聚苯乙烯微球，100℃加热3min，得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；
c.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为30nm，得到镀金模板；
d.将载玻片2平放到水面上，用镀金模板捞起聚苯乙烯微球，100℃加热5min，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将硫酸镍和硫酸铵溶于氨水配成电沉积液，电沉积液中硫酸镍浓度为0.1M，硫酸铵浓度为0.1M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积5min得到带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜；脉冲电沉积的脉冲电流为50μA/cm2，占空比为50％，脉冲频率为1200Hz；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜在甲苯中浸没7min，去除聚苯乙烯模板后，取出干燥得到网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜。
实施例5
(1)清洗基板：将载玻片和硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗20min，吹干后用等离子体清洗机清洗10min，得到干净的载玻片和硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液1和悬浮液2分别滴到两块步骤(1)的干净的载玻片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的载玻片1和载玻片2；悬浮液1中的聚苯乙烯微球粒径为1μm，悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为500nm；
b.将载玻片1平放到水面上，用步骤(1)的干净的硅片捞起聚苯乙烯微球，90℃加热5min，得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；
c.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为100nm，得到镀金模板；
d.将载玻片2平放到水面上，用镀金模板捞起聚苯乙烯微球，120℃加热2min，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将硫酸镍和硫酸铵溶于氨水配成电沉积液，电沉积液中硫酸镍浓度为0.08M，硫酸铵浓度为0.05M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积15min得到带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜；脉冲电沉积的脉冲电流为30μA/cm2，占空比为60％，脉冲频率为1600Hz；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜在二氯甲烷中浸没10min，去除聚苯乙烯模板后，取出干燥得到网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜。
对比例1
(1)清洗基板：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的硅片；
(2)制备模板：用热蒸镀的方式在硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
(3)电化学沉积薄膜：将硫酸镍和硫酸铵溶于氨水配成电沉积液，电沉积液中硫酸镍浓度为0.05M，硫酸铵浓度为0.06M；用步骤(2)得到的镀金模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积10min，取出干燥得到致密的氧化镍薄膜；脉冲电沉积的脉冲电流为40μA/cm2，占空比为40％，脉冲频率为1500Hz。
如图5所示，实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜的循环伏安曲线的包围面积和峰值电流均大于对比例1制备得到的致密的氧化镍薄膜。
因此，实施例1制备得到的具有网粒体有序结构的氧化镍电致变色薄膜具有比对比例1制备得到的致密的氧化镍薄膜更优异的电化学活性。
对比例2
(1)清洗基板：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的硅片；
(2)制备模板：用热蒸镀的方式在硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
(3)电化学沉积薄膜：将FeCl3、K3[Fe(CN)]6和KCl溶于水配成电沉积液，电沉积液中FeCl3浓度为0.01M，K3[Fe(CN)]6浓度为0.01M，KCl浓度为0.05M；用步骤(2)得到的镀金模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，恒电流沉积600s，取出干燥得到致密的普鲁士蓝薄膜；恒电流沉积的电流为-50μA/cm2。
如图10所示，实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜的循环伏安曲线的包围面积和峰值电流均大于对比例2制备得到的致密的普鲁士蓝薄膜。
因此，实施例2制备得到的具有网粒体有序结构的普鲁士蓝电致变色薄膜具有比对比例2制备得到的致密的普鲁士蓝薄膜更优异的电化学活性。
对比例3
(1)清洗基板：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的硅片；
(2)制备模板：用热蒸镀的方式在硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到镀金模板；
(3)电化学沉积薄膜：将钨酸钠、过氧化氢和盐酸溶于水配成电沉积液，电沉积液中钨酸钠浓度为0.0125M，过氧化氢浓度为0.025M，HCl浓度为0.02M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积500s得到带有聚苯乙烯模板的三氧化钨薄膜；脉冲电沉积的脉冲电压为-0.7V，占空比为1:12；
如图15所示，实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜的循环伏安曲线的包围面积和峰值电流均大于对比例1制备得到的致密的三氧化钨薄膜。
因此，实施例3制备得到的具有网粒体有序结构的三氧化钨电致变色薄膜具有比对比例3制备得到的致密的三氧化钨薄膜更优异的电化学活性。
对比例4
(1)清洗基板：将硅片依次用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗30min，吹干后用等离子体清洗机清洗3min，得到干净的硅片；
(2)制备模板：
a.将含有聚苯乙烯微球的悬浮液滴到步骤(1)干净的硅片上展平，晾干得到铺展有聚苯乙烯微球的硅片；悬浮液中的聚苯乙烯微球粒径为2μm；
b.用热蒸镀的方式在铺展有聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，镀金厚度为60nm，得到聚苯乙烯模板；
(3)电化学沉积薄膜：将硫酸镍和硫酸铵溶于氨水配成电沉积液，电沉积液中硫酸镍浓度为0.05M，硫酸铵浓度为0.06M；用步骤(2)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，脉冲电沉积10min得到带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜；脉冲电沉积的脉冲电流为40μA/cm2，占空比为40％，脉冲频率为1500Hz；
(4)去除模板：将步骤(3)得到的带有聚苯乙烯模板的氧化镍薄膜在二氯甲烷中浸没3min，取出干燥得到3D中空多孔氧化镍电致变色薄膜，非网粒体有序结构。
对比例5
与实施例3相比，区别仅在于脉冲电沉积的沉积时间为30min，三氧化钨沉积过多，覆盖了第二层聚苯乙烯微球，得到的三氧化钨薄膜为3D中空多孔结构，非网粒体有序结构，如图16、图17所示。
对比例6
与实施例1相比，区别仅在于悬浮液2中的聚苯乙烯微球粒径为50nm，第二层的聚苯乙烯微球掉入第一层的聚苯乙烯微球之间的空隙中，得到的氧化镍电致变色薄膜为3D中空多孔结构，非网粒体有序结构。
此外应理解，在阅读了本发明的上述描述内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。
Claims (8)
1.一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，包括：
(1)制备模板：在干净的硅片上铺展第一层聚苯乙烯微球，加热后进行表面镀金，得到镀金模板；在镀金模板上再铺展第二层聚苯乙烯微球，加热得到聚苯乙烯模板，所述的第一层聚苯乙烯微球粒径与第二层聚苯乙烯微球粒径之比为2～10:1；
(2)电化学沉积薄膜：用步骤(1)得到的聚苯乙烯模板作为工作电极，Ag/AgCl作为参比电极，铂片作为对电极，在电沉积液中进行电化学沉积得到带有聚苯乙烯模板的电致变色薄膜；
电致变色薄膜为氧化镍电致变色薄膜、普鲁士蓝电致变色薄膜或三氧化钨电致变色薄膜；当电致变色薄膜为氧化镍电致变色薄膜时，沉积时间为5～15min；当电致变色薄膜为普鲁士蓝电致变色薄膜时，沉积时间为300～1500s；当电致变色薄膜为三氧化钨电致变色薄膜时，沉积时间为200～1500s；
(3)去除模板：将步骤(2)得到的带有聚苯乙烯模板的电致变色薄膜浸没在有机溶剂中，去除聚苯乙烯模板后取出干燥即得到具有网粒体有序结构的电致变色薄膜。
2.根据权利要求1所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的聚苯乙烯模板的具体制备过程包括：
a.在两块干净的载玻片上分别铺展聚苯乙烯微球，其中，载玻片1上的聚苯乙烯微球粒径大于载玻片2上的聚苯乙烯微球粒径；
b.在水中将载玻片1上的聚苯乙烯微球转移到干净的硅片上，加热得到铺展有第一层聚苯乙烯微球的硅片；
c.在铺展有第一层聚苯乙烯微球的硅片表面镀金，得到镀金模板；
d.在水中将载玻片2上的聚苯乙烯微球转移到镀金模板上，加热得到铺展有第一层聚苯乙烯微球和第二层聚苯乙烯微球的聚苯乙烯模板。
3.根据权利要求1或2所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的第一层聚苯乙烯微球粒径为1～2μm。
4.根据权利要求1或2所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的第二层聚苯乙烯微球粒径为200～500nm。
5.根据权利要求1所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的镀金的厚度为30～100nm。
6.根据权利要求1所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的电化学沉积为脉冲电沉积。
7.根据权利要求1所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，所述的有机溶剂为二氯甲烷或甲苯中的一种或多种。
8.根据权利要求1～7任一权利要求所述的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜的制备方法制备得到的具有网粒体有序结构的电致变色薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811433895.2A CN109336195B (zh) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811433895.2A CN109336195B (zh) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109336195A CN109336195A (zh) | 2019-02-15 |
| CN109336195B true CN109336195B (zh) | 2019-10-18 |
Family
ID=65318812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811433895.2A Active CN109336195B (zh) | 2018-11-28 | 2018-11-28 | 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109336195B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115259685A (zh) * | 2022-09-05 | 2022-11-01 | 南京航空航天大学 | 一种可独立调控可见光与近红外的多孔氧化钨薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101246911B (zh) * | 2008-03-10 | 2010-06-09 | 北京航空航天大学 | 一种金属微网格透明电极及其制备方法 |
| CN101891141A (zh) * | 2009-05-24 | 2010-11-24 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 二维双周期有序结构阵列及其制备方法 |
| CN101775660B (zh) * | 2010-03-29 | 2012-05-02 | 哈尔滨工业大学 | 电沉积制备三维硅光子晶体的方法 |
| CN104962969B (zh) * | 2015-07-10 | 2018-01-30 | 哈尔滨工业大学 | 一种三维电致变色氧化镍薄膜的制备方法 |
-
2018
- 2018-11-28 CN CN201811433895.2A patent/CN109336195B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109336195A (zh) | 2019-02-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109437241A (zh) | 一种普鲁士蓝/三氧化钨电致变色薄膜及其制备方法 | |
| Yang et al. | Controllable morphology and conductivity of electrodeposited Cu2O thin film: effect of surfactants | |
| CN107611190A (zh) | 一种耐弯折钙钛矿太阳能电池及制备方法 | |
| CN107033892B (zh) | 一种聚噻吩/三氧化钨纳米棒电致变色材料及其制备方法 | |
| CN106498372B (zh) | 光沉积制备Bi/BiVO4复合光电阳极材料的方法 | |
| CN105762168B (zh) | 一种钙钛矿太阳能电池与超级电容器集成件及其制备方法 | |
| CN109240014A (zh) | 一种基于氧化钨的柔性电致变色膜及其制备方法和应用 | |
| Manzano et al. | Recent progress in the electrochemical deposition of ZnO nanowires: synthesis approaches and applications | |
| CN108545961A (zh) | 一种氧化镍纳米管的制备方法 | |
| CN106145693A (zh) | 一种多孔wo3电致变色薄膜的制备方法 | |
| CN109336195B (zh) | 一种具有网粒体有序结构的电致变色薄膜及其制备方法 | |
| CN114721197B (zh) | 一种高性能碳氮化合物/多金属氧酸盐复合材料电致变色器件 | |
| CN106591914B (zh) | 一种电沉积法制备的铜铟硒硫薄膜太阳能电池吸收层 | |
| CN110400703A (zh) | 一种柔性透明超级电容器的制备方法 | |
| CN107039187B (zh) | 一种异位吸附硒化银量子点敏化太阳能电池的制备方法 | |
| CN110061140A (zh) | 一种层状NiO基碳电极钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN108274014A (zh) | 一种具有多重分枝状的纳米合金及其制备方法 | |
| CN103811186B (zh) | 量子点敏化太阳电池金属硫化物对电极的制备方法 | |
| CN109473550A (zh) | 一种大面积钙钛矿太阳能电池及其制备方法 | |
| CN112934233A (zh) | 复合光催化剂及其制备方法和应用 | |
| CN104086087A (zh) | 一种自晶种生长的鸟巢状水合氧化钨纳米结构电致变色薄膜的制备方法 | |
| CN109518162A (zh) | 一种仿生网粒体结构薄膜材料的制备方法 | |
| CN108389936A (zh) | 一种太阳能电池上tco导电材料的表面处理方法 | |
| Atourki et al. | Pulse electrodepositin of ZnO for thin absorber solar cells | |
| Shahizuan et al. | Influence of pH solution on the electrodeposition of tungsten oxide (WO3) films onto indium tin oxide (ITO)-glass substrate |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |