CN109328401A - 光转换封装 - Google Patents

光转换封装 Download PDF

Info

Publication number
CN109328401A
CN109328401A CN201780038789.1A CN201780038789A CN109328401A CN 109328401 A CN109328401 A CN 109328401A CN 201780038789 A CN201780038789 A CN 201780038789A CN 109328401 A CN109328401 A CN 109328401A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
conversion block
substrate
connectors
light conversion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201780038789.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109328401B (zh
Inventor
G.帕滕特
C.克莱吉嫩
A.夫多文
R.梅森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds Holding BV
Original Assignee
Lumileds Holding BV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Lumileds Holding BV filed Critical Lumileds Holding BV
Publication of CN109328401A publication Critical patent/CN109328401A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109328401B publication Critical patent/CN109328401B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
    • F21V9/30—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source
    • F21V9/32—Elements containing photoluminescent material distinct from or spaced from the light source characterised by the arrangement of the photoluminescent material
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/16—Laser light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S41/00—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps
    • F21S41/10—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source
    • F21S41/14—Illuminating devices specially adapted for vehicle exteriors, e.g. headlamps characterised by the light source characterised by the type of light source
    • F21S41/176—Light sources where the light is generated by photoluminescent material spaced from a primary light generating element
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
    • F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
    • F21V13/08—Combinations of only two kinds of elements the elements being filters or photoluminescent elements and reflectors
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V29/00—Protecting lighting devices from thermal damage; Cooling or heating arrangements specially adapted for lighting devices or systems
    • F21V29/50—Cooling arrangements
    • F21V29/70—Cooling arrangements characterised by passive heat-dissipating elements, e.g. heat-sinks
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21V7/00—Reflectors for light sources
    • F21V7/04—Optical design
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/055—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means where light is absorbed and re-emitted at a different wavelength by the optical element directly associated or integrated with the PV cell, e.g. by using luminescent material, fluorescent concentrators or up-conversion arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/644—Heat extraction or cooling elements in intimate contact or integrated with parts of the device other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/30—Semiconductor lasers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

一种用于半导体光源的光转换封装，包括光转换块、衬底、以及互连器。该光转换块被定位以从半导体光源接收入射光并且用于将入射光转换为具有不同光谱分布的光。互连器将光转换块附接到衬底并且限制光转换块和衬底之间的热阻，使得衬底可以高效地吸取来自光转换块的热。互连器和衬底一起仍然可以提供高反射率。

Description

光转换封装
背景技术
投影系统、聚光照明、剧院和建筑照明、汽车灯、以及许多其他照明系统需要明亮的光源并且当光源是紧凑的时可以受益。例如，如果提供高光通量的光源是较小的，则照明系统可以能够利用较小且不那么昂贵的光学元件来使用该光源。具有紧凑形状因子的光源还可以在灯的设计和款式方面允许更大的自由。
半导体光源（诸如发光二极管（LED）和激光二极管）可以提供紧凑的能量高效的照明，并且已经开发了使用半导体光源来产生相对高的光通量的灯。作为示例，当前的LED技术可以使用发蓝色的LED管芯和磷光体来产生白光。在操作中，来自LED的蓝色辐射激发磷光体，导致磷光体将激发能量的一部分重新发射为在宽光谱内散布的较长波长的光。来自磷光体的转换后的发光连同来自LED的未转换的蓝光一起可以为光提供整体的白色光谱。利用此LED技术可以实现的明亮度具有限制。当前的LED芯片具有大约1 mm2或更小的尺寸并且可以典型地提供大约200 Lm的最大光通量，并且利用高功率LED技术，可以使用那些LED芯片实现大约100至200 MCd/m2的亮度水平。由于LED芯片的可获得的尺寸和亮度、伴随的磷光体的尺寸、以及可能在磷光体的小区域中生成的热的量，利用LED在小的形状因子中实现更高的亮度水平（例如，大于大约500 MCd/m2）可能是不切实际的。
附图说明
图1示出了依照采用反射光转换封装的实现方式的半导体灯。
图2A示出了光转换封装的实现方式，该光转换封装使用胶层作为互连器，以将光转换块固定在衬底上并且最小化光转换块和衬底之间的热阻。
图2B示出了具有互连器的光转换单元的实现方式，该互连器包括延伸到光转换块的侧面上的反射胶层。
图3A示出了包括具有反射金属层的光转换块的光转换封装的实现方式，该反射金属层允许将所述块焊接到导热衬底。
图3B示出了包括具有反射金属层的光转换块的光转换封装的实现方式，该反射金属层在所述块的底表面和侧表面上。
图3C示出了包括具有反射层（诸如低折射率层或布拉格镜）的光转换块的光转换封装的实现方式，该反射层在光转换块和导热衬底之间。
图3D示出了包括具有下面的光学腔和光通道的光转换块的光转换封装的实现方式，该光通道穿过转换块和光学腔的表面上的反射层。
图4A和4B示出了光转换封装的实现方式，所述光转换封装采用将光转换块附接到反射衬底的、作为互连器的机械安装件并且应用压力以控制所述块和所述衬底之间的热阻。
在不同的附图中使用相同的附图标记指示相似或相同的项。
具体实施方式
高亮度照明系统采用互连器以将光转换块（例如，磷光体）附接到导热衬底并且控制或最小化光转换块和衬底之间的热阻，同时保持高反射率。高亮度照明系统可以采用一个或多个远程半导体光源（例如，一个或多个激光芯片），以用于对于小的光转换块（例如，具有小于大约0.5 mm2的面积的光转换块）的高功率泵浦。由于小尺寸和高功率泵浦，光转换块可以产生高亮度（例如，大于大约500 MCd/m2）。例如，可以使用小的光转换块（磷光体）来实现高明亮度白光源，该小的光转换块暴露于来自高功率（蓝色）激光二极管的光。本文公开的互连器可以提供低热阻（例如，小于10 K mm2/W），以传导和去除由于将泵浦光转换为较长的波长而在光转换块中生成的热（斯托克斯位移损失）。因此，互连器可以控制或最大化对于导热衬底的热导率并且可以这样做而对于从衬底反射的光没有显著的不利影响。例如，对于来自光转换块的入射光和转换后的光而言，互连器可以提供大于85%、大于90%、或者甚至大于97%的反射率。
图1示意性地图示了生成白光的照明系统100的示例。例如，照明系统100可以是用于照射环境的灯并且特别地可以是汽车前灯。照明系统100包括反射衬底120上的光转换块110。衬底120可以包括导热衬底或热沉130，可以被安装在导热衬底或热沉130上或被附接到导热衬底或热沉130、或者可以是导热衬底或热沉130的一区。具有下面进一步描述的若干可替换的实现方式的互连器，将光转换块110附接到反射衬底120和热沉130并且提供低热阻，使得热沉130可以吸收在光转换块110中和在光转换块110附近生成的热并且将该热吸取（sink）到周围环境中。
可以远离并且不被直接附接到光转换块110的光源140产生作为光束的光142，该光束可以被准直或被聚焦在转换块110上并且具有在相对短的波长（例如，蓝光）附近达到峰值的光谱分布。光源140的远程定位允许转换块110小于光源140并且允许使用多个光源以利用高强度入射光对小的转换块110进行泵浦。远程定位还可以防止光源140中的热能对光转换块110加热。光源140可以包括激光系统，特别是半导体光源（诸如激光二极管）、或者其他光源（其产生作为一个或多个准直光束或聚焦光束的光142，准直光束或聚焦光束被定向以高效地耦合到转换块110中并且对转换块110进行泵浦）。光源140可以被安装在热沉130或任何结构（未示出）上，该结构定位光源140以将光定向到转换块110上。为了产生明亮的白光，光源140利用高强度光对光转换块110进行泵浦，在一些实现方式中，可以使用一个或多个激光二极管或其他光束源来提供该高强度光。此外，在一些实现方式中，光源140可以包括光纤或其他光学系统以聚焦光、集中光、或者以其他方式将光定向到小的光转换块110（例如，具有小于大约0.5 mm2的面积的光转换块）中。
光转换块110通过将入射光142中的至少一些转换为具有较长波长的光144来转换或更改入射光142的光谱分布。特别地，来自光源140的入射光142的光子可以在表面或内部光转换块110处被反射、散射、或吸收。当光转换块110吸收入射光的光子时，光转换块110的固态结构获得能量并且可以进入激发态。该激发态可以随后衰减并且通过发射光子来释放所吸收能量的全部或一部分。当发射的光子具有比吸收的光子更少的能量时，发射的光子具有比吸收的光子的波长更长的波长。吸收的光子和发射的光子之间的能量差异通常被称为斯托克斯位移，并且未被发射的光子采取的吸收能量可以变成光转换块110的原子结构中的热能或动能。在图1中，可以转换产生于光转换块110的一些光144以包括更长的波长，并且转换后的光144通常具有比入射光142中发现的更宽的光谱分布。来自转换块110的一些光146可以是未转换的并且具有与入射光142相同的光谱分布。转换后的光144和未转换的光146的组合可以为系统100提供呈现白色的发射的光谱分布。
许多因素可以影响光转换块110的转换效率，但是最重要的因素中的一个是温度。利用小磷光体体积的高功率激发，系统100的反射衬底120或其他部分的有限反射率可能导致高吸收，连同斯托克斯位移损失一起将入射光142能量的极大部分转换成热。如果该热未被从块110有效地提取，则可以导致热淬灭并且极大地限制光转换块110的光转换效率。（热淬灭的特征可以是磷光体中的原子态的非辐射跃迁，随着增加的磷光体温度，这可以开始影响（dominate）辐射跃迁。）热淬灭的实际结果可能是光转换块110的光转换效率的进一步损失和逐渐过热。换句话说，由于斯托克斯位移损失并且由于包含光转换块的转换器封装的非理想的反射率，小的光转换块（磷光体）的高密度激光激发可以导致高热生成。对于具有大约500 MCd/m2的亮度的白光转换系统而言，典型的功率密度可以达到10至50 W/mm2的量级，这倾向于诱导限制光转换材料的光学性能的高温，导致由于热淬灭所致的效率下降。如本文公开的，使用互连器的封装通过控制和降低磷光体的热阻（并且因此提高冷却），即使对于在大约500 MCd/m2以上的明亮度而言，也可以产生高光学效率，同时保持高光学反射率（并且因此降低吸收）。
互连器结构和工艺可以特别地最小化光转换块和导热衬底之间的接口的热阻，同时保持光波长转换和光反射的高光学效率。下文公开了可替换的互连器结构和工艺，所述结构和工艺可以采用光转换块到衬底的粘附、焊接、或机械夹紧。
图2A示出了反射光转换器封装200A的示例实现方式，在该反射光转换器封装200A中互连器210包括将光转换块110附接到衬底220的一层胶。一般地，光转换封装200A可以连同激光器/半导体照明设备（诸如光源140）一起被集成，并且衬底220可以包括诸如图1中图示的反射衬底120和热沉130。
光转换块110由能够转换或更改入射光的波长或光谱分布的材料制成，并且对于有效的热提取而言，光转换块110中的材料可以具有高热导率。例如，光转换块110可以是陶瓷磷光体，并且在一个特定的实现方式中，光转换块110是由飞利浦Lumileds开发的LumiramicTM。光转换块110可以特别是Ce（III）掺杂的钇钆铝石榴石（Y,GdAG：Ce）的多晶陶瓷板。光转换块110更一般地可以包含当被蓝色或其他短波长光照射时产生白光（例如，具有在大约2700和大约7000 K之间（取决于具体实现方式）的相关色温（CCT）的光）的材料。可以根据互连器210的热阻、制成块110的材料的热导率、转换或入射的发光功率的量、以及包含光转换块110的灯或其他设备的最大允许的温度来选择光转换块110的厚度。在一示例性实现方式中，光转换块110具有大约0.5 mm乘0.5 mm或更小的面积并且具有在大约30和150微米之间的厚度。
互连器210可以具有高热导率并且可以是光学和热机械稳定的以及在针对封装200A中的光通量和温度的操作范围内可以是光学透明的。在一种实现方式中，互连器210是一层基于硅树脂的胶。硅树脂胶在高达200ºC通常是稳定的，该200ºC一般地与高光通量应用中的光转换块110的温度范围兼容。硅树脂胶可以是甲基硅树脂胶或甲基/苯基硅树脂胶。一般地，在硅树脂配方（silicone formulation）中用苯基基团取代甲基基团提高了互连器210的折射率并且增强了互连器210的耐高温性。适合于互连器210的市售的胶的示例是由信越化学株式会社（ Shin-etsu Chemical Company，Ltd.）制作的KJR 9224。用于互连器210的特定实现方式的具体硅树脂胶的选择可以基于对于硅树脂胶的期望的折射率、透明度以及热稳定性。一般地，可以通过更改使硅树脂分子终止的基团来调整硅树脂的折射率。对于小于大约1.4至1.43（取决于光的波长）的折射率而言，可以使用甲基硅树脂。透明度和热稳定性一般地需要从若干硅树脂制造商市售的光学级的硅树脂。互连器210的热导率和厚度决定了互连器210的热性能，因为每面积的热阻与层210的厚度成比例。层210可以被制作尽可能地薄同时仍然提供光互连器210到衬底220的足够的黏附。大约1至2微米或更小的胶层厚度，对于从磷光体110到衬底120中的热提取可以是有效的。
在一示例性实现方式中，互连器210是一微米厚的硅树脂胶层，其提供大约0.2 W/mm2·K的热导率。对于0.3 mm x 0.3 mm的光转换块110而言，这导致对于反射衬底120的大约5 K mm2 /W的热阻，这允许在大约85ºC的周围温度下1 W的热功率的耗散，同时保持光转换块110的温度在淬灭极限以下。
光转换块110和衬底220应当具有允许与薄的（例如，1至2 μm）粘合剂或胶黏附的表面磨光（finish）。光转换块110或衬底220的相邻表面的粗糙度可以抑制黏附并且对互连器210的厚度的变化做出贡献。为了对于大约1微米的胶层厚度的可靠控制，块110和衬底220的相邻表面应当具有高度平滑的表面，例如，表面粗糙度远小于1微米。光转换块110和衬底220的表面可以被抛光以在光转换块110被粘附到衬底220之前实现具有亚微米范围幅度的表面粗糙度。
衬底220可以在光转换块110下面和周围具有导热的、高度反射的表面区域，并且包括诸如图1的热沉130的热沉，在该热沉上形成或附接一个或多个反射区（诸如图1的衬底120）。对于反射表面而言，可以使用诸如从ALANOD® GmbH & Co.KG市售的铝基反射材料（Miro或Miro银类型）。反射表面磨光可以提供镜面反射或漫反射。然而，来自衬底120的漫反射可以被期望在产生于光转换块110的光的角度空间中增强颜色混合。
图2B示出了光转换封装200B的实现方式，该光转换封装200B可以包括上面关于图2A描述的特征但是采用可替换的互连器230。互连器230不同于互连器210之处在于互连器230包括被引入到用于将光转换块110附接到衬底220的胶层中（例如，硅树脂胶中）的颗粒240。例如，将金属氧化物颗粒（例如，直径大约为400 nm或更小的氧化铝（Al2O3）或二氧化钛（TiO2）颗粒）添加到硅树脂胶可以增加热导率并且因此相对于一层纯硅树脂胶增强互连器230的热性能。另外，可以具有高折射率的颗粒240当被混合在低折射率胶（诸如硅树脂胶）中时可以有效地散射和反射光（尤其对于高颗粒密度而言）。取决于颗粒浓度和层厚度，这种类型的散射胶的反射率对于可见光谱范围内的光而言可以达到大约97%至98%，并且该胶层的反射率是除了来自衬底220的反射之外的反射率。因此，互连器230可以增加光转换封装200B的反射率并且可以改善从光转换封装200B辐射的转换后的光和未转换的光的混合。作为结果，光转换封装200B可以实现更高的光学效率和改良的光束属性（诸如，产生于光转换封装200B的光的更好的角度和空间颜色均匀性）。
互连器230还不同于互连器210之处在于互连器230除了在光转换块110和衬底220之间之外还涂敷光转换块110的侧面。特别地，互连器230可以覆盖转换块110的侧面的全部并且使转换块110的顶表面完全地未覆盖。侧涂层增加了互连器230和光转换块110的接触的面积，这可以进一步降低块110和衬底220之间的热阻。侧涂层还可以改善光学效率，因为利用散射/反射材料覆盖光转换块110的侧面帮助重复利用可能要不然在不期望的方向上（例如，从光转换块110的侧面）发射的光。由于互连器230在期望的方向上定向更多的光，因此，可以增加光转换封装200B的有效的总明亮度。
焊接可以提供光转换块和衬底（热沉）之间的低热阻互连器的可替换的实现方式。图3A示出了光转换封装300A的示例，该光转换封装300A包括具有在光转换块110和衬底320之间的焊料区315的互连器310A。焊接方案可以进一步使用形成在光转换块110的底部上的金属层（或者金属层的叠层）330和形成在衬底320上的顶部上的金属层（或者金属层的叠层）325。可以针对反射率和针对分别对于光转换块110和衬底320的黏附以及对于焊料层315的黏附来选择金属层330和325的组分。一般地，金属是极好的热导体并且互连器310A的总厚度可以是大约4至60 μm。例如，焊料层315可以是大约2至50 μm，金属层330可以是大约1至5 μm，以及金属层325可以是大约1至2 μm，以提供显著小于大约10 K mm2/W的热阻。
包括金属层315、325以及330的互连器310A一般是反射的并且对于可见光是不透明的。因此，互连器310A可以反射在光转换块110中转换的或通过光转换块110透射的光中的一些。为了提高互连器310A的反射率，金属层330可以包括高度反射的金属（诸如直接沉积在光转换块110上的铝或银）。由于在图3A的实现方式中反射在层330处发生，所以反射率在焊料层315、金属层325、或者衬底320的表面处可以是不必需的。然而，衬底320可以是反射的和导热的或基本上与衬底220相同，衬底220可以是如上面描述的那样反射的和导热的。
图3B图示了光转换封装300B，其中光转换块110上的金属层332跨光转换块110的底部延伸并沿光转换块110的侧面向上延伸。使互连器310B也在光转换层110的侧面上增加了与块110接触的面积，这可以降低光转换块110和衬底320之间的热阻。在转换层110的侧面上的金属层332还可以反射可能在光转换块110的侧面之外损失的光并且可以将所反射的光定向到对于光出射封装300B而言更合乎期望的方向。
诸如铝和银的金属具有高反射系数并且被广泛用于光学镜，但是在一些实现方式中，单独依靠来自直接沉积在光转换块110上的金属（例如，层330或332）的反射可能导致光的极大吸收和转换效率的对应损失。特别地，光转换块110中的磷光体材料可以具有遍布（spread throughout）光转换块110的体积的大量的光散射中心。作为结果，在块110中的光射出光转换封装300A或300B之前，该光可以经历多个散射事件和来自转换块110的表面的多次反射。金属层330或332的有效反射率随着来自金属层330或332的反射的次数而几何级数地减少，并且即使对于高度反射的银而言，光在射出之前经历的、来自光转换块110的底部或侧面的反射的平均次数也可以使金属层330或332的有效反射率下降至大约85%或更低。多次反射的效果可以类似地导致铝层的有效反射率在65%或更小的量级。因此，对于封装300A或300B的某些实现方式而言，块中的光转换材料110上的直接金属沉积可以导致低有效反射率并且因此低转换效率。
与光转换块110接触的层可以可替换地是高度反射的，使得即使在多次反射之后吸收损失也是低的。通过在金属层334和转换块110之间反射层340的添加，图3C中示出的光转换封装300C和互连器310C在光转换块110的底部和侧面处实现了高反射率。反射层340可以例如是低折射率材料（诸如二氧化硅（SiO2））的包层，该包层可以在100至300 nm厚的量级。当光转换块110由具有高折射率的材料（例如，Ce：YAG陶瓷）制成时，块110的高折射率材料中的光传播到与层340的低折射率材料的界面可以在一系列入射角处经历全内反射。利用全内反射，对于在逃逸锥（escape cone）之外的角度下在光学界面上入射的光而言，可以在块110中实现100%反射率，并且在与层340的界面处未被反射的光仍然可以从金属层334被反射。因此，全内反射可以提高在光转换块110的底部和侧面处的反射率并且因此提高光转换块110的光学性能。反射层340可以是薄的（例如，小于大约300 nm厚），使得包括层340的互连器310C不会使光转换块110和导热衬底320之间的热阻显著增加。
当反射层340是由较低和较高折射率材料的交替层形成的介电叠层或布拉格镜时，可以可替换地实现高光学性能。例如，较低折射率材料（诸如，二氧化硅（SiO2）或氧化铝（Al2O3））的层可以与较高折射率材料（诸如，五氧化二铌（Nb2O5）、五氧化二钽（Ta2O5）或二氧化钛（TiO2））的层交替。在介电镜叠层的情况下，金属层334可以是反射的以反射可能穿过反射层340的光并且可以进一步用作反射层340和焊料叠层315之间的界面。一些常用的反射界面金属包括银（Ag）、铝（Al）、以及镍金（Ni-Au），所述反射界面金属也适合于与诸如层315中的锡金（Sn-Au）焊料的焊料一起使用。当反射层340是布拉格镜时，由于多层光学结构中的光干涉，可以设计层340以针对宽波段和广角度范围提供超高反射率。
使用更高数量的介电层和材料之间的更高折射率差异可以允许布拉格镜实现更高的反射率和用于反射的更宽的入射角范围。然而，增加层340中的层的数量（并且因此增加层340的总厚度）可能对于互连器310C的热导率具有负面影响。例如，考虑到封装中的多次反射，包含SiO2和Ta2O5的42层交替层的反射层340可以实现大约88%的有效封装反射率和大约0.1 W/mm2K的传热系数，而具有六层的反射层340提供大约82%的有效封装反射率和大约1.5 W/mm2K的传热系数。更一般地，可以通过为布拉格镜选择合适的特性（例如，选择具有合适的折射率和热导率的材料并且选择层厚度和叠层中的层的数量）来在封装中实现具体的应用要求（诸如层340的光学参数和热参数）。
图3D示出了依照包括光学腔350的实现方式的包括互连器310D的封装结构300D。光学腔350可以是与光转换块110相邻（例如，在光转换块110下面）的一层或一块透明材料。特别地，光学腔350可以包含非转换透明材料，而光转换块110包含转换材料（例如，磷光体）。可以是如上面描述的低折射率包层或布拉格镜的反射层340可以围绕光转换块110的所有侧面并且在光学腔350的侧壁和底部上。泵浦灯（例如，来自一个或多个光源140）可以通过光通道355（例如，在腔350的侧壁中的一个或多个处穿过互连器310D或特别地穿过层334和340的开口或波导）被耦合到腔350中。被泵浦到腔350中的光可以在腔350与反射层340的界面处反射并且与转换块110交互。如上面指出的，转换块110可以将泵浦光中的一些的波长转换成具有较长波长的光，并且转换后的光和未转换的光中的部分可以从转换块110的顶表面射出或可以通过转换块110的底表面重新进入腔350。因此，腔350可以为将泵浦光应用于转换块110和为混合转换后的光和未转换的光而提供高效的路径。
可以是如上面描述的一层磷光体或陶瓷磷光体的光转换块110可以与腔350相邻地（例如，在腔350之上）被形成或定位。因此，腔350可以由具有高热导率的材料制成以实现从光转换块110通过光学腔350到衬底320的良好的热传递。在一种实现方式中，腔350是一块具有限定厚度（例如，500微米厚或更薄）的蓝宝石。另外，为了实现高效的光混合和颜色混合，腔350可以包括散射中心。例如，腔350可以包括多晶氧化铝（PCA）。例如，使用包括如上面描述的镜层的沉积的工艺，可以在组合的转换块110和腔350的底部和侧壁上形成反射层340和金属层334。对于热导率而言，在光学腔350下面的金属层336可以充当黏附层，该黏附层允许包括转换块110和腔350的组装件被焊接到导热衬底320上的黏附金属层或叠层325上。可替换地，例如，使用诸如上面描述的硅树脂胶或诸如下面描述的机械安装系统，可以将转换块110和腔350与反射层340的组合粘附到热沉结构，以提供与衬底或其他热沉结构的高热导率接触。
通过避免在光转换块和导热衬底之间使用任何介于其间的材料，用于光转换块的互连器可以可替换地提供光转换块和导热衬底之间的低热阻。例如，图4A示出了光转换封装400A，其使用机械夹具410来将光转换块110安装在衬底220上并且应用足够的压力以产生转换块110和衬底220之间的低热阻。夹具410可以特别地采用安装件412，其利用足够的力将光学元件410压在光转换块110的顶表面上，以获得光转换块110和导热衬底220之间的直接热接触。衬底220是导热的并且可以是高度反射的，以使光转换块110保持在提供高光学效率的操作温度下。在一种实现方式中，安装件412采用可调整的、基于弹簧的夹具，该夹具应用可以被调整的夹紧力以实现低热阻，例如，根据需要，通过增加弹簧力来降低热阻。典型地，可能需要大于大约20 MPa的夹紧压力以在高亮度照明系统中的LumiramicTM光转换块110和衬底220的反射表面之间获得足够高的界面热导率（例如，大于大约0.1 W/mm2·K）。
根据光学元件414的选择，可以以不同的方式实现夹具410的机构。一般地，在封装结构中使用的特定机械机构可以取决于光被耦合出光转换块110处的光学界面。一示例可以是复合抛物面聚光器（CPC）被夹紧到磷光体的结构。当磷光体在热沉和光学元件之间被夹紧时，材料的尺寸、导热属性、以及夹紧力是影响散热的主要因素。
图4A图示了其中光学元件414是由诸如蓝宝石或玻璃的透明材料制成的平坦窗口的示例。可替换地，光学元件可以是使一个表面成形以接合（engage）光转换块110并且使另一表面成形以实现期望的光学功能的任何光学结构。例如，图4B图示了封装结构400B的示例，其中光学元件414是具有与光转换块110的平坦表面相邻的平坦侧面的圆顶或平凸透镜。更一般地，光学元件414的底表面可以被成形以用于与转换块110的热接触。图4B中的光学元件414的顶表面是半球形的，使得在图4B的实现方式中光学元件414倾向于聚焦、准直、降低发散或以其他方式帮助提取来自光转换块110的光。除了元件形状之外，可以在光学元件414的顶表面上提供光学涂层以用于光学功能，诸如校正光源的发射角度内的可能的颜色变化。另外，光学元件414的外表面可以包括被图案化的微结构以帮助提取从光转换块110发射的更多的光和对出射光144和146提供初步的光束整形功能。
夹具410除了创建从转换块110的底表面到衬底220的热路径之外，还提供从块110的顶表面到衬底220的附加的热提取通道，以对光转换块110进行冷却，这可以将热吸取到周围的环境。为了增强热提取的这个通道，光学元件414可以由具有相对高的热导率的光学材料（例如，蓝宝石或氟化钙（CaF2）或提供高热导率（例如，在大约10 W/m K或更大之上）的其他材料）制成。如上面提到的，光学元件414的底表面可以被成形以提供光学元件144和光转换块110之间的热机械接触。
尽管已经公开了特定的实现方式，但是这些实现方式仅是示例而不应当被当作限制。公开的实现方式的特征的各种适配和组合在以下权利要求的范围内。

Claims (25)

1.一种照明系统，包括：
光源，其产生光束；
光转换块，其被定位以从所述光源接收作为入射光的光束，所述光转换块将所述入射光的一部分转换为转换后的光，所述转换后的光具有不同于所述入射光的光谱分布的光谱分布；
衬底；以及
互连器，其将所述光转换块附接到所述衬底；其中：
所述互连器最小化所述光转换块和所述衬底之间的热阻；并且
所述互连器和所述衬底一起提供大于85%的反射率以用于将所述入射光和所述转换后的光反射远离所述照明系统。
2.如权利要求1所述的光转换系统，其中所述反射率大于90%。
3.如权利要求1所述的光转换系统，其中所述反射率大于97%。
4. 如权利要求1至3中的任一项所述的系统，其中，所述热阻小于10 K mm2/W。
5.如权利要求1至4中的任一项所述的系统，其中所述互连器包括所述光转换块和所述反射表面之间的胶层。
6.如权利要求5所述的系统，其中所述胶层小于2微米厚。
7.如权利要求5或6所述的系统，其中所述胶层包括硅树脂胶。
8.如权利要求7所述的系统，其中所述硅树脂胶包含具有小于大约1.43的折射率的甲基硅树脂。
9.如权利要求7或8所述的系统，其中所述胶层进一步包括颗粒，所述颗粒具有高于所述硅树脂胶的折射率的折射率。
10.如权利要求5至9中的任一项所述的系统，其中所述胶层进一步包括金属氧化物颗粒。
11.如权利要求1至4中的任一项所述的系统，进一步包括所述光转换块和所述衬底之间的反射层。
12.如权利要求11所述的系统，其中所述反射层包括所述光转换块上的层并且具有低于所述光转换块的折射率的折射率。
13.如权利要求11所述的系统，其中所述反射层包括布拉格镜。
14.如权利要求11至13中的任一项所述的系统，进一步包括与所述光转换块相邻的光学腔，其中所述反射层在所述光转换块和所述光学腔的表面上延伸。
15.如权利要求14所述的系统，进一步包括光通道，所述光通道穿过所述反射层并且将来自所述半导体光源的所述入射光定向到所述光学腔中。
16.如权利要求14或15所述的系统，其中所述光学腔包括蓝宝石或氟化钙。
17.如权利要求14至16中的任一项所述的系统，其中所述光学腔包含散射中心。
18.如权利要求1至4或11至17中的任一项所述的系统，其中所述互连器包括在所述光转换块和所述衬底之间的焊料层。
19.如任一前述权利要求所述的系统，其中所述互连器的一部分在所述光转换块的侧面上和在所述光转换块与所述衬底之间延伸。
20.如权利要求1至4中的任一项所述的系统，其中所述互连器包括夹具，所述夹具将所述光转换块压到所述衬底上。
21. 如权利要求20所述的系统，其中所述夹具包括：
光学元件，其与所述光转换块接触；以及
安装件，其将所述光学元件压在光转换块上。
22. 如权利要求21所述的系统，其中所述光学元件由蓝宝石、氟化钙、或具有大于大约10 W/m K的热导率的材料制成。
23.如权利要求21所述的系统，其中所述光学元件具有圆顶形状。
24.如任一前述权利要求所述的系统，其中所述光源包括激光器。
25.如任一前述权利要求所述的系统，其中所述照明系统是灯或汽车前灯。
CN201780038789.1A 2016-06-22 2017-06-14 光转换封装 Active CN109328401B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP16175613.5 2016-06-22
EP16175613 2016-06-22
PCT/EP2017/064577 WO2017220411A1 (en) 2016-06-22 2017-06-14 Light conversion package

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109328401A true CN109328401A (zh) 2019-02-12
CN109328401B CN109328401B (zh) 2022-12-27

Family

ID=56148298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201780038789.1A Active CN109328401B (zh) 2016-06-22 2017-06-14 光转换封装

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11480316B2 (zh)
EP (1) EP3475988B1 (zh)
JP (1) JP7114489B2 (zh)
CN (1) CN109328401B (zh)
WO (1) WO2017220411A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112133812A (zh) * 2020-09-15 2020-12-25 湖州市汉新科技有限公司 高热导荧光薄膜、制备方法及在led或激光照明的应用

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109328401B (zh) * 2016-06-22 2022-12-27 亮锐控股有限公司 光转换封装
DE102017101729A1 (de) * 2017-01-30 2018-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
KR101984102B1 (ko) * 2017-11-03 2019-05-30 엘지전자 주식회사 형광체 모듈
DE102017220918A1 (de) * 2017-11-23 2019-05-23 Osram Gmbh Umwandlung von Primärlicht in Sekundärlicht mittels eines Wellenlängenkonverters
EP3816682B1 (en) * 2018-06-18 2023-03-01 NGK Spark Plug Co., Ltd. Optical wavelength conversion member, optical wavelength conversion device, and light emitting device
DE112019006812T5 (de) * 2019-02-04 2021-10-21 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Wellenlängenumwandlungselement und projektor
DE102019121511A1 (de) * 2019-08-09 2021-02-11 Schott Ag Lichtkonversions- und Beleuchtungseinrichtung
US11828457B2 (en) 2019-10-22 2023-11-28 Signify Holding B.V. Heat management and deficiency for high intensity laser pumped light source
JP2023002851A (ja) * 2019-11-12 2023-01-11 シャープ株式会社 波長変換素子、蛍光ホイール、光源装置、車両用前照灯具及び投影装置
JP7472558B2 (ja) 2020-03-12 2024-04-23 セイコーエプソン株式会社 波長変換素子、光源装置、プロジェクター、および波長変換素子の製造方法
WO2023006671A1 (en) 2021-07-29 2023-02-02 Signify Holding B.V. A laser lighting device
DE102022123051A1 (de) 2022-09-09 2024-03-14 Schott Ag Beleuchtungseinrichtung und Lichtkonversionseinheit

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885275A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 卡西欧计算机株式会社 光源装置及投影仪
JP2015060789A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置およびその製造方法
CN105045022A (zh) * 2014-04-25 2015-11-11 台达电子工业股份有限公司 光源系统及其波长转换装置
WO2016034482A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
CN105474050A (zh) * 2013-08-12 2016-04-06 肖特股份有限公司 具有金属焊接连接的转换器散热元件复合装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5479328A (en) * 1994-01-05 1995-12-26 Interstate Electronics Corporation High-brightness, high-efficacy backlight
DE102008012316B4 (de) * 2007-09-28 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterlichtquelle mit einer Primärstrahlungsquelle und einem Lumineszenzkonversionselement
US7825425B2 (en) * 2008-05-01 2010-11-02 Bridgelux Inc. LED structure to increase brightness
EP2357679B1 (en) * 2008-11-14 2018-08-29 Samsung Electronics Co., Ltd. Vertical/horizontal light-emitting diode for semiconductor
JP2010219264A (ja) 2009-03-17 2010-09-30 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
KR100977163B1 (ko) * 2009-03-23 2010-08-20 덕산하이메탈(주) 솔더 접착제와 그 제조 방법 및 이를 포함하는 전자 장치
EP2501992B1 (en) * 2009-11-19 2017-01-11 Philips Lighting Holding B.V. Primary light converter for converting primary light into secondary light
JP2011129376A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Sharp Corp 発光装置、照明装置、車両用ヘッドランプおよびプロジェクタ
WO2012014360A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 株式会社小糸製作所 発光モジュール
US8833975B2 (en) * 2010-09-07 2014-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device, illuminating device, vehicle headlamp, and method for producing light-emitting device
JP5285688B2 (ja) 2010-12-28 2013-09-11 シャープ株式会社 発光装置、照明装置および車両用前照灯
JP2012185403A (ja) 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Epson Corp 発光素子とその製造方法、光源装置、およびプロジェクター
JP2012190628A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Stanley Electric Co Ltd 光源装置および照明装置
US8513806B2 (en) * 2011-06-30 2013-08-20 Rohm Co., Ltd. Laminated high melting point soldering layer formed by TLP bonding and fabrication method for the same, and semiconductor device
US9147813B2 (en) * 2011-09-09 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. High thermal conductivity and low degradation die attach with dual adhesive
WO2014065051A1 (ja) 2012-10-26 2014-05-01 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置
JP2014137973A (ja) * 2013-01-18 2014-07-28 Stanley Electric Co Ltd 光源装置
JP2015050124A (ja) 2013-09-03 2015-03-16 スタンレー電気株式会社 発光装置
KR101430673B1 (ko) 2013-11-05 2014-08-19 주식회사 케이이씨 반도체 디바이스 및 이의 다이 본딩 구조
US20160327244A1 (en) * 2013-12-25 2016-11-10 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting device
EP2955573B8 (en) 2014-04-25 2019-03-20 Delta Electronics, Inc. Illumination system and wavelength-converting device thereof
DE102014116537B4 (de) * 2014-11-12 2024-05-29 Infineon Technologies Ag Funktionales Hautpflaster sowie System zum Überwachen eines Körpergesundheitsparameters
JP6371201B2 (ja) 2014-11-18 2018-08-08 スタンレー電気株式会社 発光モジュール及びそれを用いた発光装置
US9726348B2 (en) * 2015-03-05 2017-08-08 Christie Digital Systems Usa, Inc. Wavelength conversion material array
KR101847932B1 (ko) * 2015-04-23 2018-04-11 엘지전자 주식회사 발광모듈
CN109328401B (zh) * 2016-06-22 2022-12-27 亮锐控股有限公司 光转换封装

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103885275A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 卡西欧计算机株式会社 光源装置及投影仪
CN105474050A (zh) * 2013-08-12 2016-04-06 肖特股份有限公司 具有金属焊接连接的转换器散热元件复合装置
JP2015060789A (ja) * 2013-09-20 2015-03-30 ウシオ電機株式会社 蛍光光源装置およびその製造方法
CN105045022A (zh) * 2014-04-25 2015-11-11 台达电子工业股份有限公司 光源系统及其波长转换装置
WO2016034482A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Koninklijke Philips N.V. A light emitting device
CN106796973A (zh) * 2014-09-02 2017-05-31 皇家飞利浦有限公司 发光设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112133812A (zh) * 2020-09-15 2020-12-25 湖州市汉新科技有限公司 高热导荧光薄膜、制备方法及在led或激光照明的应用

Also Published As

Publication number Publication date
JP7114489B2 (ja) 2022-08-08
CN109328401B (zh) 2022-12-27
US20190219248A1 (en) 2019-07-18
EP3475988A1 (en) 2019-05-01
EP3475988B1 (en) 2022-08-10
WO2017220411A1 (en) 2017-12-28
JP2019525389A (ja) 2019-09-05
US11480316B2 (en) 2022-10-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109328401A (zh) 光转换封装
EP3047527B1 (en) A light emitting device
JP5526232B2 (ja) モールドされた反射側壁コーティングを備える発光ダイオード
US7663152B2 (en) Illumination device including wavelength converting element side holding heat sink
US8003998B2 (en) Light-emitting diode arrangement
JP6302762B2 (ja) 発光装置および照明装置
US11830857B2 (en) Light-emitting device array with individual cells
RU2452059C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным отражающим конвертером
US20110068354A1 (en) High power LED lighting device using high extraction efficiency photon guiding structure
US20170015901A1 (en) Ceramic Phosphor Target
JP2008530793A (ja) 無機発光ダイオードを有する発光装置
RU2475887C1 (ru) Светодиодный источник белого света с удаленным отражательным многослойным фотолюминесцентным конвертером
CN102142502B (zh) Led封装结构
WO2017040433A1 (en) Laser-activated remote phosphor target and system
EP3221637B1 (en) A light emitting device
US8937324B2 (en) Light-emitting device array with individual cells
US20240234387A9 (en) Light-emitting device array with individual cells

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant