CN109326213B - 有机发光显示装置 - Google Patents

有机发光显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109326213B
CN109326213B CN201810812542.7A CN201810812542A CN109326213B CN 109326213 B CN109326213 B CN 109326213B CN 201810812542 A CN201810812542 A CN 201810812542A CN 109326213 B CN109326213 B CN 109326213B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light emitting
substrate
display device
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810812542.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109326213A (zh
Inventor
金恩雅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN109326213A publication Critical patent/CN109326213A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109326213B publication Critical patent/CN109326213B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8423—Metallic sealing arrangements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/301—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements flexible foldable or roll-able electronic displays, e.g. thin LCD, OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Abstract

公开了一种有机发光显示装置，其从弯折区域去除无机膜并且使路由线路的裂纹最小化以使得能够实现极度弯折。该有机发光显示装置包括：具有显示区域和弯折区域的基板；设置在基板的显示区域上的显示部；布置在基板的弯折区域上并连接至显示部的路由线路；以及设置在基板的弯折区域上的有机层，其覆盖路由线路，其中，基板的弯折区域仅具有路由线路和有机层。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年7月31日提交的韩国专利申请第10-2017-0097342号的权益，其通过引用并入本文以用于所有目的，如同在本文中完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及有机发光显示装置。
背景技术
最近，随着信息时代的进步，对于用于显示图像的显示装置的需求已经以各种形式增加。在显示装置中，有机发光显示装置是自发光装置，并且具有宽视角、优异的对比度和快速响应速度的优点。因此，有机发光显示装置作为下一代显示装置受到了很多关注。近来，已经推出了更小尺寸的有机发光显示装置。特别地，柔性有机发光显示装置具有许多优点：易于携带并且可以应用于各种形状的装置。
由于柔性有机发光显示装置包括可以使基板折叠的弯折区域并且可以通过使基板在弯折区域折叠来减小边框尺寸，柔性有机发光显示装置可以被实现为具有窄边框的有机发光显示装置。
然而，随着弯折程度增加以具有更窄的边框，出现了以下问题：包括在弯折区域中的无机膜由于易受应力影响而可能破裂，以及由于弯折区域的路由线路(routing line)中产生的裂纹而发生断裂。
发明内容
因此，本发明涉及有机发光显示装置，其基本上消除了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或更多个问题。
本发明的优点是提供一种有机发光显示装置，其从弯折区域去除无机膜并且使路由线路的裂纹最小化以使得能够极度弯折。
本发明的另外的优点和特征将在下面的描述中部分地阐述，并且对于本领域普通技术人员而言在查看以下内容时这些优点和特征将部分地变得明显，或这些优点和特征可以从本发明的实践中获知。本发明的目的和其他优点可以通过在书面说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其它优点，并根据本发明的目的，如在本文中具体化和广泛描述的，提供了一种有机发光显示装置，其包括：具有显示区域和弯折区域的基板；设置在基板的显示区域上的显示部；布置在基板的弯折区域上并连接至显示部的路由线路；以及设置在基板的弯折区域上的有机层，其覆盖路由线路，其中，基板的弯折区域仅具有路由线路和有机层。
应该理解，本发明的上述一般描述和下面的详细描述两者都是示例性和说明性的，并且旨在提供对所要求保护的本发明的进一步说明。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，并且附图被并入本申请中且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的(一个或更多个)实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的平面图；
图2是示出折叠的图1的有机发光显示装置的横截面图；
图3是示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的、沿着图1的线I-I'截取的横截面图；
图4是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中图3所示的有机发光显示装置中的弯折区域的结构被放大；
图5是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中基板的结构与图3所示的有机发光显示装置不同；以及
图6是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中在图4所示的有机发光显示装置中附加地设置有下部膜。
具体实施方式
本发明的优点和特征及其实现方法将通过下面参照附图描述的实施方式来阐明。然而，本发明可以以不同的形式实施，并且不应被理解为受限于本文所阐述的方面。相反，提供这些实施方式使得本公开是全面的和完整的，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。此外，本发明仅由权利要求的范围限定。
在用于描述本发明的实施方式的附图中公开的形状、尺寸、比例、角度和数目仅仅是示例，并且因此，本发明不限于示出的细节。相似的附图标记在整个本说明书中指代相似的元件。在下面的描述中，当相关已知功能或配置的详细描述被确定为不必要地模糊本发明的重点时，将省略其详细描述。
在使用本说明书中描述的“包含”、“具有”和“包括”的情况下，可以添加另外的部分，除非使用“仅……”。单数形式的术语可以包括复数形式，除非被相反地引用。
在解释元素时，虽然没有明确的描述，但该元素被解释为包括误差范围。
在描述位置关系时，例如，当位置关系被描述为“在……上”、“在……上方”、“在……下”和“在……旁边”时，一个或更多个部分可以被布置在两个其他部分之间，除非使用“正好”或“直接”。
在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“在……之后”、“随后”、“接下来”和“在……之前”时，可以包括不连续的情况，除非使用“正好”或“直接”。
应当理解，虽然本文可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件区分开。例如，在不脱离本发明的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。
“第一横轴方向”、“第二横轴方向”和“纵轴方向”不应该仅由相互垂直关系的几何关系来解释，而是在本发明的元件可以在功能上发挥作用的范围内可以具有较宽的方向性。
术语“至少一个”应被理解为包括相关所列项中的一个或更多个的任何和所有组合。例如，“第一项、第二项和第三项中的至少一个”的含义表示从第一项、第二项和第三项中的两个或更多个得到的所有项的组合以及第一项、第二项或第三项。
如本领域技术人员可以充分理解的，本发明的各个实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以彼此进行各种交互操作并在技术上驱动。本发明的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。
在下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。在整个附图中，将尽可能地使用相同的附图标记来指代相同或相似的部分。
图1是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的平面图，并且图2是示出折叠的图1的有机发光显示装置的横截面图。
参照图1和图2，根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置包括基板100、显示部AP、驱动器300和电路板400。
基板100是薄膜晶体管阵列基板，并且可以由玻璃或塑料材料制成。根据一个实施方式的基板100包括显示区域AA和非显示区域IA。
显示区域AA设置在基板100的除了边缘部分之外的部分处。显示区域AA可以被定义为布置有用于显示图像的显示部AP的区域。
非显示区域IA被设置在除了基板100中设置的显示区域AA以外的部分处，并且可以被定义为基板100的围绕显示区域AA的边缘部分。非显示区域IA位于显示区域AA的外周，并且与显示区域AA不同，在非显示区域IA上不显示图像。非显示区域IA包括与驱动器300连接的弯折区域BA。
弯折区域BA是布置在非显示区域IA中的区域，并且是布置有用于将驱动器300和显示部AP连接的路由线路210的区域。弯折区域BA是被设置以使非显示区域IA的一部分在一个方向上折叠的区域，并且用于减小根据本发明的有机发光显示装置的边框。根据一个实施方式，在弯折区域BA中布置有用于便于弯折的元件，并且稍后将描述其详细结构。
显示部AP设置在基板100的显示区域AA上。根据一个实施方式的显示部AP通过路由线路210与驱动器300连接，并且通过接收从显示驱动系统提供的图像数据来显示图像。稍后将描述显示部AP的详细结构。
驱动器300连接至设置在基板100的非显示区域IA中的焊盘部，并且将与从显示驱动系统提供的图像数据相对应的图像显示在显示区域AA上。根据一个实施方式的驱动器300包括驱动电路，并且可以是膜上芯片结构。例如，驱动器300包括柔性膜、布置在柔性膜上的驱动IC302以及布置在柔性膜的一个边缘处的多个驱动端子。
电路板400与驱动器300电连接。根据一个实施方式的电路板400用于在驱动器300的元件之间传送信号和电力。电路板400可以是具有柔性的印刷电路板。
再次参照图2，基板100的弯折区域BA可以在一个方向上折叠。详细地，可以在与形成在基板100上的显示部AP的边缘间隔开一定距离处布置弯折线BL。弯折线BL可以是用于使基板100折叠的线。由于弯折线BL被布置成邻接显示部AP的边缘，所以有机发光显示装置的边框可以被最小化。
图3是示出了根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的、沿图1的线I-I'截取的横截面图，并且图4是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中图3所示的有机发光显示装置中的弯折区域的结构被放大。
参照图3和图4，根据一个实施方式的有机发光显示装置包括基板100、显示部AP、路由线路210和有机层OL。
基板100是薄膜晶体管阵列基板，并且可以由玻璃或塑料材料制成。根据一个实施方式的基板100包括显示区域AA和弯折区域BA。基板100可以形成为在显示区域AA和弯折区域BA上具有相同的厚度。
显示部AP设置在基板100的显示区域AA上。根据一个实施方式的显示部AP包括缓冲层105、薄膜晶体管120、第一平坦化层130a、第一堤状层(bank layer)140a、第一间隔件150a、第一电极E1、发光层EL、第二电极E2和封装层160。
缓冲层105设置在基板100的显示区域AA上。根据一个实施方式的缓冲层105用于防止水渗透到显示部AP中。缓冲层105可以由例如二氧化硅(SiO2)、硅氮化物(SiNx)或SiO2和SiNx的多层的无机绝缘材料制成，但不限于此。
薄膜晶体管120设置在缓冲层105上。薄膜晶体管120控制从驱动器300流向发光层EL的电流量。为此，薄膜晶体管120包括栅极电极、漏极电极和源极电极。薄膜晶体管120可以通过控制从驱动器300流向发光层EL的数据电流而使得形成在发光层EL中的发光二极管能够以与从数据线提供的数据信号成比例的亮度发光。
根据一个实施方式的薄膜晶体管120可以包括用于覆盖栅极电极的栅极绝缘层110。栅极绝缘层110可以包括由无机材料制成的单层或多层，并且可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)等制成。
第一平坦化层130a设置在基板100的显示区域AA中以覆盖薄膜晶体管120。第一平坦化层130a在薄膜晶体管120上提供平坦化表面，同时保护薄膜晶体管120。根据一个实施方式的第一平坦化层130a可以由诸如苯并环丁烯和光亚克力(photo acryl)的有机材料制成，但是为了方便处理，可以优选地由光亚克力材料制成。
第一堤状层140a设置在第一平坦化层130a上以覆盖第一电极E1和薄膜晶体管120的边缘部分，由此限定开口区域，该开口区域形成发光区域。根据一个实施方式的第一堤状层140a可以包括诸如苯并环丁二烯、亚克力和聚酰亚胺的有机材料。另外，第一堤状层140a可以由包含黑色颜料的光致抗蚀剂材料形成。在这种情况下，第一堤状层140a用作遮光构件(或黑矩阵)。
第一间隔件150a设置在第一堤状层140a的边缘部分处。设置第一间隔件150a以防止在发光层EL的沉积处理期间由于掩模与第一电极E1之间的接触而发生暗点缺陷。掩模具有可以与第一电极E1接触的下垂部分(sagging part)。根据一个实施方式的第一间隔件150a可以设置在第一堤状层140a上以使得掩模能够与第一电极E1间隔开。因此，由于掩模和第一电极E1彼此不接触，因此可以防止发生暗点缺陷。
第一电极E1是阳极电极，并且以图案形状设置在第一平坦化层130a上。根据一个实施方式的第一电极E1通过设置在第一平坦化层130a中的接触孔与薄膜晶体管的源极电极电连接，以接收从薄膜晶体管输出的数据电流。第一电极E1可以由具有高反射率的金属材料制成，并且例如可以包括但不限于诸如Au、Ag、Al、Mo和Mg或其合金的材料。
发光层EL设置在由第一堤状层140a限定的开口区域的第一电极E1上。根据一个实施方式的发光层EL可以包括空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。在这种情况下，可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的一个或两个或更多个。另外，发光层EL还可以包括用于控制注入到有机发光层中的电子和/或空穴的至少一个功能层。
第二电极E2设置在基板100上以覆盖发光层EL和第一堤状层140a，并且通常与发光层EL连接。根据流向发光层EL的电流的方向，第二电极E2可以被定义为阴极电极或公共电极。第二电极E2接收从驱动器300提供的阴极电力供应。在这种情况下，阴极电力供应可以是接地电压或具有预定电平的直流电压。
根据一个实施方式的第二电极E2可以由具有高透光率的透明金属材料制成。例如，第二电极E2可以包括作为透明导电材料(例如，TCO(透明导电氧化物))的ITO(铟锡氧化物)、IZO(铟锌氧化物)、IZTO(铟锌锡氧化物)、ICO(铟铯氧化物)或IWO(铟钨氧化物)。选择性地，在该实施方式中，为了使当形成第二电极E2时由于处理温度引起的发光层EL的损坏最小化，第二电极E2可以通过具有低于100℃的处理温度的低温金属沉积处理由非晶透明导电材料形成。就是说，如果第二电极E2由晶体透明导电材料形成，则会出现以下问题：由于对第二电极E2进行高温热处理过程以获得低电阻值而损坏发光层EL。因此，第二电极E2优选地通过低压金属沉积处理由非晶透明导电材料形成。
封装层160设置在发光层EL上，以通过防止水渗透到发光层EL中来保护易受外部水或氧影响的发光层EL。即，封装层160设置在基板100上以覆盖第二电极E2。根据一个实施方式的封装层160可以由无机层或有机层形成，或者可以由其中无机层和有机层交替沉积的多层结构形成。
路由线路210设置在基板100的弯折区域BA上。根据一个实施方式的路由线路210用于将驱动器300与显示部AP电连接，并且可以由金属线形成。
根据一个实施方式的路由线路210可以由线性金属线形成，以由于有机发光显示装置的UHD设计而具有精细图案。由于路由线路210应该在有限的空间内向显示部AP传送数据信号，所以线宽和线间隔可以形成为在2μm至4μm的范围内。
根据一个实施方式的路由线路210包括第一金属层212、第二金属层214和第三金属层216。
第一金属层212设置在路由线路210的与基板100直接接触的最下部。根据一个实施方式的第一金属层212可以由具有高强度(solidity)的金属(例如，Ti)形成，并且因此可以保护路由线路210免受外部冲击。
第二金属层214设置在第一金属层212上。根据一个实施方式的第二金属层214可以由具有良好延展性(malleability)和柔韧性(ductility)的金属(例如，Al)形成。第二金属层214形成为具有比第一金属层212和第三金属层216更厚的厚度。注意，图4没有按比例绘制层212、214和216的厚度。在优选实施方式中，层214将可测量得比层212或216更厚。由于层214比层212更具延展性和柔韧性，层214可以制作得更厚，在某些情况下，层214的厚度大于层212的厚度的两倍。基板100也可以比层212、214、216中的每一个更厚，并且在一些情况下，比所有这些层的组合210更厚，参见例如图2和图3，其中，图2和图3被绘制成具有不同的相对比例。
第三金属层216设置在第二金属层214上。根据一个实施方式的第三金属层216可以由与第一金属层212的材料相同的材料形成，以保护路由线路210免受外部冲击，并且优选地形成为与第一金属层212的厚度相同的厚度。
有机层OL设置在基板100的弯折区域BA上以覆盖路由线路210。根据一个实施方式的有机层OL仅由有机材料形成，该有机材料可以在基板100的显示区域AA的沉积处理期间被沉积。有机层OL包括第二平坦化层130b、第二堤状层140b、第二间隔件150b和微涂层(micro-coating layer)230。
第二平坦化层130b设置在有机层OL的最下部处以覆盖路由线路210。第二平坦化层130b在路由线路210上提供平坦化表面，同时保护路由线路210。根据一个实施方式的第二平坦化层130b由与第一平坦化层130a的材料相同的有机材料制成，并且在用于形成第一平坦化层130a的沉积处理期间被图案化并且因此与第一平坦化层130a一起形成。
第二堤状层140b设置在第二平坦化层130b上。根据一个实施方式的第二堤状层140b由与第一堤状层140a的材料相同的有机材料制成，并且在用于形成第一堤状层140a的沉积处理期间被图案化并因此与第一堤状层140a一起形成。
第二间隔件150b设置在第二堤状层140b上。根据一个实施方式的第二间隔件150b由与第一间隔件150a的材料相同的有机材料制成，并且在用于形成第一间隔件150a的沉积处理期间被图案化并且因此与第一间隔件150a一起形成。
微涂层230设置在基板100的弯折区域BA的整个表面上以覆盖第二间隔件150b。根据一个实施方式的微涂层230可以由光硬化树脂制成，并且可以涂覆在根据本发明的有机发光显示装置的目标区域上。在这方面，微涂层230可以涂覆在弯折区域BA的整个表面上。
根据一个实施方式的微涂层230可以以预定厚度涂覆，以控制在根据该实施方式的有机发光显示装置中的基板100的弯折区域BA上形成的部分的中性面(neutral plane)NP。更详细地，有机发光显示装置的弯折区域BA中的中性面NP可以通过微涂层230被控制为布置在路由线路210中。
基板100在基板100弯折时基于随机面在一侧拉伸并在另一侧收缩。此时，中性面NP是指在中央形成的没有弹性的面。下文中，中性面NP是指在根据本实施方式的有机发光显示装置中的基板100的弯折区域BA上形成的部分的中性面NP。在根据一个实施方式的有机发光显示装置中，可以在弯折区域BA上形成有机层OL以控制中性面NP。例如，当微涂层230被较厚地涂覆时，中性面NP朝向基板的上部上升，并且于是可以被布置在路由线路210中。由于第二间隔件150b形成在弯折区域BA上，中性面NP借助于第二间隔件150b的厚度而上升，由此中性面NP可以布置在更易受应力影响的区域中，甚至布置在路由线路210中。
如果中性面NP布置在路由线路210中，则由于路由线路210可以经受最小范围内的弯折应力，应力可以被最小化，并且甚至在极度弯折的情况下也不会产生裂纹，由此有机发光显示装置可以具有更窄的边框。
以此方式，路由线路210和有机层OL仅形成在基板100的弯折区域BA上，并且在其上不形成无机膜。由于无机膜易于受到应力影响而增加弯折程度，所以无机膜易于破裂，因此难以使有机发光显示装置具有更窄的边框。另一方面，由于根据本发明的有机发光显示装置具有其中完全从弯折区域去除无机膜的结构，所以本发明的有机发光显示装置可以具有更窄的边框，因为甚至在极度弯折的情况下也不会产生裂纹。
图5是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中基板的结构与图3所示的有机发光显示装置不同。
参照图5，根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置包括凹部220，该凹部220布置在基板100的弯折区域BA上并从基板100凹入地形成。在下文中，将省略对与图3的元件重复的元件的重复描述，并将基于凹部220给出描述。
凹部220凹入地设置在弯折区域BA中，以相对于形成在显示区域AA中的基板的上表面具有一定深度D。此时，凹部220可以形成为具有被设置为使得中性面NP可以布置在路由线路210中的深度。例如，凹部220可以被设置为相对于形成在显示区域AA中的基板100的上表面具有2μm的深度。凹部220可以具有但不限于凹槽或杯形状。
根据一个实施方式的凹部包括底表面，该底表面相对于形成在显示区域AA中的基板100的上表面具有深度D。路由线路210设置在凹部220的底表面上，并且被形成为与凹部220的底表面直接接触。
根据一个实施方式的凹部220可以将中性面NP布置在路由线路210中。路由线路210可能在弯折期间产生裂纹并且可能导致破裂，由此难以使有机发光显示装置具有更窄的边框。如果中性面NP布置在路由线路210中，则由于路由线路210可以受到最小范围内的弯折应力，应力可以被最小化，并且甚至在极度弯折的情况下也不会产生裂纹，由此有机发光显示装置可以具有更窄的边框。
中性面NP可以通过凹部220而如图4所示的那样布置在第二金属层214中。第二金属层214由具有高延展性的材料形成，并且用于向显示部AP传送数据信号。如果在第二金属层214中产生裂纹，则可能导致破裂，由此对于极度弯折优选的是，中性面NP布置在第二金属层214中。
图6是示出根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置的横截面图，其中在图5所示的有机发光显示装置中附加地设置有下部膜。
参照图6，根据本发明的一个实施方式的有机发光显示装置包括设置在凹部220上的下部膜205。在下文中，将省略与图3和图5中的元件重复的元件的重复描述，并且将基于下部膜205给出描述。
下部膜205插入在凹部220的底表面与路由线路210之间。设置下部膜205以促进由塑料或玻璃材料制成的基板100与由金属材料制成的路由线路210之间的粘合。下部膜可以由诸如苯并环丁烯和光亚克力的有机材料制成，但为了方便处理，可以优选由光亚克力材料制成。就是说，由于下部膜205插入在基板100和路由线路210之间，所以基板100不与路由线路210直接耦接，而是通过形成在基板100上的下部膜205与路由线路210耦接，由此可以增强耦接力。
如上所述，根据本发明的有机发光显示装置的优点在于，其针对应力进行优化以使得弯折区域能够极度弯折。
对于本领域技术人员来说明显的是，在不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求及其等同物的范围内的本发明的修改和变化。因此，上述实施方式在所有方面都被认为是说明性的而非限制性的。本发明的范围应该通过对所附权利要求的合理解释来确定，并且落入本发明的等同范围内的所有改变都包括在本发明的范围内。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
基板，其具有显示区域和弯折区域；
显示部，其设置在所述基板的显示区域上；
路由线路，其布置在所述基板的所述弯折区域上并且连接至所述显示部；以及
有机层，其设置在所述基板的弯折区域上，覆盖所述路由线路，
其中，所述基板的弯折区域仅具有所述路由线路和所述有机层，以及
其中，所述有机层包括：
第二平坦化层，其覆盖所述路由线路；
第二堤状层，其设置在所述第二平坦化层上；以及
微涂层，其设置在所述第二堤状层上，覆盖形成在所述弯折区域中的基板的整个表面。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述显示部包括：
缓冲层，其设置在所述基板上；
薄膜晶体管，其设置在所述缓冲层上，控制至发光层的数据电流；
第一平坦化层，其覆盖所述薄膜晶体管；
第一堤状层，其设置在所述第一平坦化层上，限定发光区域；
所述发光层，其设置在所述发光区域中且在所述第一平坦化层上，并且连接至所述薄膜晶体管；以及
封装层，其覆盖所述发光层。
3.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，还包括设置在所述第一堤状层上的第一间隔件，在沉积处理期间将掩模与所述基板间隔开。
4.根据权利要求2所述的有机发光显示装置，其中，所述有机层还包括设置在所述第二堤状层上的第二间隔件，以及其中，所述微涂层覆盖所述第二间隔件。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述弯折区域中的基板厚度小于所述显示区域中的基板厚度。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括凹部，所述凹部布置在所述弯折区域中并且从所述基板凹入地形成，其中，所述路由线路与所述凹部的底表面直接接触。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：凹部，所述凹部布置在所述弯折区域中并且从所述基板凹入地形成；以及形成在所述凹部的底表面与所述路由线路之间的下部膜，其中，所述下部膜由有机材料制成。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述弯折区域具有位于所述路由线路中的中性面。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述路由线路包括：
在所述基板上的第一金属层；
在所述第一金属层上的第二金属层；以及
在所述第二金属层上的第三金属层，
其中，所述弯折区域的中性面位于所述第二金属层中。
10.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第一金属层由具有高强度的金属形成。
11.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第三金属层由与所述第一金属层的材料相同的材料形成。
12.根据权利要求9所述的有机发光显示装置，其中，所述第二金属层由具有良好延展性和柔韧性的金属形成。
CN201810812542.7A 2017-07-31 2018-07-23 有机发光显示装置 Active CN109326213B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0097342 2017-07-31
KR1020170097342A KR102340729B1 (ko) 2017-07-31 2017-07-31 유기 발광 표시 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109326213A CN109326213A (zh) 2019-02-12
CN109326213B true CN109326213B (zh) 2020-09-25

Family

ID=65038986

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810812542.7A Active CN109326213B (zh) 2017-07-31 2018-07-23 有机发光显示装置

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10541293B2 (zh)
JP (1) JP6692391B2 (zh)
KR (1) KR102340729B1 (zh)
CN (1) CN109326213B (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110137213A (zh) 2018-02-09 2019-08-16 京东方科技集团股份有限公司 像素排列结构及其显示方法、显示基板
KR102370639B1 (ko) * 2017-08-31 2022-03-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
US10490758B2 (en) * 2017-10-30 2019-11-26 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Flexible OLED display panel and manufacturing method thereof
KR102452529B1 (ko) * 2017-12-12 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
US11853515B2 (en) * 2018-12-19 2023-12-26 Apple Inc. Ultra-thin touch sensors
CN110197845B (zh) * 2019-06-20 2021-06-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN110600528A (zh) * 2019-10-08 2019-12-20 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置
US11244994B2 (en) * 2019-10-23 2022-02-08 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel
KR20210049326A (ko) * 2019-10-25 2021-05-06 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치
CN111106259B (zh) * 2019-12-04 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可弯折有机发光二极管显示面板及有机发光二极管显示屏
KR20210102562A (ko) 2020-02-11 2021-08-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210126841A (ko) * 2020-04-10 2021-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN112419946B (zh) * 2020-11-09 2022-06-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 检测电路、显示面板及检测方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104900153A (zh) * 2014-03-07 2015-09-09 乐金显示有限公司 可折叠显示装置
CN105789255A (zh) * 2015-01-12 2016-07-20 苹果公司 具有弯曲衬底的柔性显示面板
CN105789252A (zh) * 2015-01-09 2016-07-20 苹果公司 具有弯曲基板的有机发光二极管显示器
CN106205394A (zh) * 2016-09-05 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及制作方法
CN106486520A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 三星显示有限公司 柔性显示器及其制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080308932A1 (en) * 2007-06-12 2008-12-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor package structures
JP2011154798A (ja) * 2010-01-26 2011-08-11 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置及び電子機器
KR102097150B1 (ko) 2013-02-01 2020-04-03 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 기판, 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
TWI790673B (zh) 2013-03-07 2023-01-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 電子裝置
KR20150136246A (ko) 2014-05-27 2015-12-07 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9425418B2 (en) * 2014-09-30 2016-08-23 Lg Display Co., Ltd. Flexible display device with bend stress reduction member and manufacturing method for the same
KR102288350B1 (ko) * 2014-10-21 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102320382B1 (ko) 2015-01-28 2021-11-02 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102363261B1 (ko) 2015-04-16 2022-02-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 그 제조방법
KR102394723B1 (ko) * 2015-09-30 2022-05-09 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102577239B1 (ko) 2015-12-16 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
US9716248B2 (en) * 2015-12-18 2017-07-25 Apple Inc. Organic light-emitting diode displays with reduced border area
JP6412036B2 (ja) 2015-12-21 2018-10-24 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN205376529U (zh) * 2015-12-30 2016-07-06 苹果公司 显示器
JP6575400B2 (ja) 2016-03-02 2019-09-18 富士通株式会社 指先位置推定装置、操作判定装置、指先位置推定システム、指先位置推定プログラム及び指先位置推定方法
KR102651056B1 (ko) * 2016-08-18 2024-03-26 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR20180033375A (ko) * 2016-09-23 2018-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104900153A (zh) * 2014-03-07 2015-09-09 乐金显示有限公司 可折叠显示装置
CN105789252A (zh) * 2015-01-09 2016-07-20 苹果公司 具有弯曲基板的有机发光二极管显示器
CN105789255A (zh) * 2015-01-12 2016-07-20 苹果公司 具有弯曲衬底的柔性显示面板
CN106486520A (zh) * 2015-08-24 2017-03-08 三星显示有限公司 柔性显示器及其制造方法
CN106205394A (zh) * 2016-09-05 2016-12-07 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板、显示装置及制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR102340729B1 (ko) 2021-12-16
US20200119118A1 (en) 2020-04-16
US10756153B2 (en) 2020-08-25
JP6692391B2 (ja) 2020-05-13
US10541293B2 (en) 2020-01-21
JP2019029359A (ja) 2019-02-21
US20190035869A1 (en) 2019-01-31
CN109326213A (zh) 2019-02-12
KR20190013172A (ko) 2019-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109326213B (zh) 有机发光显示装置
US10749140B2 (en) Organic light-emitting display device
US11251252B2 (en) Organic light emitting display apparatus
US10763313B2 (en) Display device
CN109860229B (zh) 有机发光显示装置
CN108258014B (zh) 有机发光显示装置以及形成发光显示装置的方法
CN109725764B (zh) 具有触摸传感器的显示装置
CN108022949B (zh) 有机发光显示装置
CN109585494B (zh) 有机发光显示设备
KR102569727B1 (ko) 표시장치
KR102538361B1 (ko) 유기발광 표시장치
CN113035908A (zh) 有机发光显示装置
CN113097250A (zh) 有机发光显示装置
KR20200048797A (ko) 전계발광 표시장치
KR102637116B1 (ko) 유기발광 표시장치
US20230209874A1 (en) Top emission type electroluminescence display having micro-cavity structure
KR20210064937A (ko) 유기발광 표시장치
KR20210069310A (ko) 표시장치
CN116322200A (zh) 透明显示装置
CN114628465A (zh) 有机发光显示设备
KR20210068708A (ko) 플렉서블 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant