CN108022949B - 有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示装置，具有提高的图像质量。所述有机发光显示装置包括：位于基板上的像素阵列层，所述像素阵列层包括多个像素，每个像素包括有机发光器件；覆盖所述像素阵列层的封装层；和位于所述封装层上的触摸感测层，所述触摸感测层包括多个第一触摸电极和多个第二触摸电极。所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极的每一个可包括：位于所述封装层的上表面上的透明导电层；和位于所述透明导电层上的至少三层网状金属层。

Description

有机发光显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年10月28日提交的韩国专利申请No.10-2016-0141602的权益，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种包括触摸传感器的有机发光显示装置。
背景技术
触摸屏是能够通过利用用户的手指或物体选择显示在显示装置的屏幕上的指令来输入用户命令的输入装置。就是说，触摸屏将直接接触人手指或物体的触摸位置转换为电信号，并且将在触摸位置处选择的指令识别为输入信号。触摸屏可取代与显示装置连接以进行操作的像键盘和鼠标装置这样的分离输入装置，因而触摸屏的使用范围逐渐扩展。
一般来说，触摸屏通过粘合剂贴附在诸如液晶显示面板或有机发光显示面板之类的显示面板的前表面上。其上贴附有触摸屏的显示装置通过使用偏振器阻挡外部光的进入，用来防止图像质量由于从外部入射的光而劣化。
然而，在相关技术的显示装置中，因为外部光被偏振器反射，所以屏幕在户外看起来像镜子一样，由于这个原因，图像可视性在户外降低，导致图像质量的劣化。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置。
本发明的一个方面旨在提供一种具有提高的图像质量的有机发光显示装置。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点和特征，这些优点和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，提供了一种有机发光显示装置，包括：位于基板上的像素阵列层，所述像素阵列层包括多个像素，每个像素包括有机发光器件；覆盖所述像素阵列层的封装层；和位于所述封装层上的触摸感测层，所述触摸感测层包括多个第一触摸电极和多个第二触摸电极。所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极的每一个可包括：位于所述封装层的上表面上的透明导电层；和位于所述透明导电层上的至少三层网状金属层。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
被包括用来给本发明提供进一步理解并且并入本申请构成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。
在附图中：
图1是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的透视图；
图2是沿图1的线I-I截取的剖面图，其是图解根据本发明实施方式的基板、像素阵列层和封装层的剖面图；
图3是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的触摸感测层的平面图；
图4是图3的放大图，其是图解根据本发明实施方式的触摸电极层的平面图；
图5是沿图4的线II-II截取的剖面图，其是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的触摸感测层的剖面图；
图6是显示根据本发明实施方式的第二桥接部和网状金属层的相消干涉的示图；以及
图7是显示相对于波长来说，据本发明实施方式的反射层的外部光反射率的图表。
具体实施方式
现在将详细参考本发明的示例性实施方式进行描述，附图中图解了这些实施方式的一些例子。尽可能地将在整个附图中使用相同的参考标记表示相同或相似的部分。
本申请中描述的术语应当如下理解。
术语“第一”和“第二”是用来彼此区分要素，这些要素不受这些术语限制。还将进一步理解到，当在此使用术语“包括”、“具有”和/或“包含”时，其指明存在所描述的特征、整体、步骤、操作、要素和/或组件，但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、要素、组件和/或它们的组合。术语“至少一个”应当理解为包括一个或多个相关所列项目中的任意和所有的组合。例如，“第一项目、第二项目和第三项目中的至少一个”的含义表示选自第一项目、第二项目和第三项目中的两个或更多个项目的所有项目的组合、以及第一项目、第二项目或第三项目。术语“在……上”应解释为包括一个要素形成在另一个要素的顶部上的情形以及在这些要素之间设置第三要素的情形。
下文中，将参照附图详细描述根据本发明的有机发光显示装置的示例性实施方式。在本申请中，在给每幅图中的要素添加参考标记时，应当注意，尽可能地针对要素使用已在其他图中表示相似要素的相似参考标记。在下面的描述中，当确定对相关已知功能或构造的详细描述会不必要地使本发明的重点模糊不清时，将省略该详细描述。
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。
图1是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的透视图。
参照图1，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可包括基板100、像素阵列层200、封装层300和触摸感测层400。
基板100(基础基板)可包括塑料材料、玻璃材料等。根据一实施方式的基板100可包括柔性塑料材料，例如可包括不透明或有色聚酰亚胺(PI)。可通过将在设置于相对较厚载体基板上的释放层的上表面上涂布成具有某一厚度的聚酰亚胺树脂固化来制造根据一实施方式的基板100。在此，可通过激光释放工艺释放所述释放层而从基板100分离载体基板。
此外，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括相对于垂直轴方向(或基板100的厚度方向)来说接合至基板100的底部的背板。背板可将基板100保持在平面状态。根据一实施方式的背板可包括塑料材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。背板可层压在从载体基板分离的基板100的底部上，由此将基板100保持在平面状态。
像素阵列层200可包括设置在基板100上以显示图像的多个像素。
多个像素可分别设置在由多条栅极线、多条数据线和多条像素驱动电源线限定的多个像素区域中。多个像素的每一个可以是与实际发光的最小单元对应的区域，其可定义为子像素。至少三个相邻的像素可构成用于显示色彩的一个单位像素。例如，一个单位像素可包括彼此相邻的红色像素、绿色像素和蓝色像素，并且可进一步包括用于提高亮度的白色像素。
根据一实施方式的每个像素可包括像素电路。像素电路可设置在相应像素中限定的电路区域中并且可连接至与之相邻的栅极线、数据线和像素驱动电源线。像素电路可基于通过像素驱动电源线提供的像素驱动电力，根据数据信号控制流入有机发光器件的电流，其中数据信号是响应于通过栅极线提供的扫描脉冲而通过数据线提供的。根据一实施方式的像素电路可包括开关薄膜晶体管(TFT)、驱动TFT和电容器。
开关TFT和驱动TFT各自可包括栅极绝缘层、有源层、栅极电极、源极电极和漏极电极。在此，开关TFT和驱动TFT各自可以是非晶硅(a-Si)TFT、多晶硅(poly-Si)TFT、氧化物TFT、有机TFT等。
开关TFT可包括：连接至栅极线的栅极电极、连接至数据线的第一电极、以及连接至驱动TFT的栅极电极的第二电极。在此，根据电流的方向，开关TFT的第一电极和第二电极的每一个可以是源极电极或漏极电极。开关TFT可通过经由栅极线提供的扫描脉冲导通，并且可将通过数据线提供的数据信号提供至驱动TFT。
驱动TFT可通过经由开关TFT提供的电压和/或电容器的电压导通并且可控制从像素驱动电源线流到有机发光器件的电流的量。为此，根据一实施方式的驱动TFT可包括：连接至开关TFT的第二电极的栅极电极、连接至像素驱动电源线的源极电极、以及连接至有机发光器件的漏极电极。驱动TFT可基于通过开关TFT提供的数据信号控制从像素驱动电源线流到有机发光器件的数据电流，由此使得有机发光器件发射具有与数据信号成比例的亮度的光。
电容器可设置在驱动TFT的栅极电极与源极电极之间的交叠区域中。电容器可存储与提供至栅极电极的数据信号对应的电压并且可利用存储的电压导通驱动TFT。
此外，根据本发明实施方式的有机发光显示装置可进一步包括设置在基板100的非显示区域中的扫描驱动电路。扫描驱动电路可根据输入的栅极控制信号产生扫描脉冲并且可将扫描脉冲提供至栅极线。根据一实施方式的扫描驱动电路可与像素的TFT一起设置在位于基板100上的非显示区域中的能够将扫描脉冲提供至栅极线的任意非显示区域中。
封装层300可形成为覆盖像素阵列层200，用于防止水分渗透到每个像素，以保护易受外部水分或氧气影响的有机发光器件。就是说，封装层300可设置在基板100上以覆盖下述的第二电极。根据一实施方式的封装层300可由无机材料层或有机材料层形成，或者可形成为无机材料层和有机材料层交替层叠的多层结构。
触摸感测层400可直接设置在有机发光显示面板的封装层300上，用来感测用户触摸的位置。就是说，触摸感测层400不是分开制造并且不是通过分开的光学粘合剂间接地接合至封装层300的上表面，而是触摸感测层400可直接形成在封装层300上。
图2是沿图1的线I-I截取的剖面图，其是图解根据本发明实施方式的基板、像素阵列层和封装层的剖面图。
参照图2，根据本发明一实施方式的像素阵列层200可包括栅极绝缘层210、TFT220、层间电介质230、钝化层240、平坦化层250、有机发光器件260和堤部270。
TFT 220可包括有源层221、栅极电极222、源极电极223和漏极电极224。
有源层221可设置在基板100上。有源层221可由基于硅的半导体材料或基于氧化物的半导体材料形成。用于阻挡外部光入射到有源层221上的遮光层以及用于保护TFT 220和有机发光器件260免受水分影响的缓冲层可附加地设置在有源层221下方。
栅极绝缘层210可形成在有源层221上。栅极绝缘层210可由无机层，例如硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其多层形成。
栅极电极222可设置在栅极绝缘层210上。栅极线可形成在栅极绝缘层210上。栅极电极222和栅极线各自可由包括钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)的其中之一或其合金的单层或多层形成。
层间电介质230可形成在栅极电极222上。层间电介质230可由无机层，例如SiOx、SiNx或其多层形成。
源极电极223和漏极电极224可设置在层间电介质230上。数据线可设置在层间电介质230上。源极电极223可通过穿过栅极绝缘层210和层间电介质230的接触孔CT1接触有源层221。漏极电极224可通过穿过栅极绝缘层210和层间电介质230的另一接触孔CT1接触有源层221。源极电极223、漏极电极224和数据线各自可由包括Mo、Al、Cr、Au、Ti、Ni、Nd和Cu的其中之一或其合金的单层或多层形成。
在图2中，TFT 220被图解为具有其中栅极电极222设置在有源层221上方的顶栅型，但不限于此。在其他实施方式中，TFT 220可形成为其中栅极电极222设置在有源层221下方的底栅型或其中栅极电极222设置在有源层221的上方和下方的双栅型。
钝化层240可设置在源极电极223、漏极电极224和数据线上。钝化层240可将TFT220绝缘。钝化层240可由无机层，例如SiOx、SiNx或其多层形成。
平坦化层250可形成在钝化层240上。平坦化层250可将由TFT 220导致的钝化层240上的台阶高度平坦化。平坦化层250可由诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂等之类的有机层形成。
有机发光器件260和堤部270可设置在平坦化层250上。
有机发光器件260可包括第一电极261、有机发光层262和第二电极263。第一电极261可以是阳极电极，第二电极263可以是阴极电极。
第一电极261可设置在平坦化层250上。第一电极261可通过穿过钝化层240和平坦化层250的接触孔CT2连接至TFT 220的漏极电极224。第一电极261可由反射率较高的导电材料，比如Al和Ti的层叠结构(Ti/Al/Ti)、Al和氧化铟锡(ITO)的层叠结构(ITO/Al/ITO)、APC合金、APC合金和ITO的层叠结构(ITO/APC/ITO)等形成。APC合金可以是Ag、钯(Pd)和Cu的合金。
堤部270可设置在平坦化层250上以与第一电极261交叠。堤部270可设置在接触孔CT2中的第一电极261上。像素的发光区域可定义为其中第一电极261、有机发光层262和第二电极263按顺序层叠以发射某种光的区域。在这种情形中，第一电极261、有机发光层262和第二电极263可按顺序层叠在未设置堤部270的区域中。因此，堤部270可划分发光区域并可限定发光区域。
有机发光层262可设置在第一电极261上。有机发光层262可以是发射白色光的白色发光层。在这种情形中，有机发光层262可形成为两个或更多个叠层的串联结构。每个叠层可包括空穴传输层、至少一个发光层、以及电子传输层。可以以沉积工艺或溶液工艺形成有机发光层262，并且在以沉积工艺形成的情形中，可以以蒸镀工艺形成有机发光层262。
第二电极263可设置在有机发光层262上。第二电极263可设置在堤部270上。第二电极263可由诸如能够透射光的氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明导电材料(或TCO)、或者诸如Mg，Ag或Mg和Ag的合金之类的半透射导电材料形成。覆盖层(cappinglayer)可设置在第二电极263上。可通过诸如溅射工艺之类的物理气相沉积(PVD)工艺形成第二电极263。
封装层300可设置在第二电极263上。封装层300防止氧气或水分渗透到有机发光层262和第二电极263中。为此，封装层300可包括至少一个无机层和至少一个有机层。可通过诸如溅射工艺之类的物理气相沉积(PVD)工艺形成封装层300。
根据一实施方式的封装层300可包括第一无机层301、有机层302和第二无机层303。在这种情形中，第一无机层301可设置在第二电极263上以覆盖第二电极263。有机层302可设置在第一无机层301上，以覆盖第一无机层301。为了防止粒子经由第一无机层301渗透到有机发光层262和第二电极263中，有机层302可考虑到防止粒子的渗透而形成为具有足够的厚度。第二无机层303可设置在有机层302上以覆盖有机层302。
第一无机层301可设置为最接近有机发光器件260，第一无机层301可由能够以低温沉积的无机绝缘材料，比如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等形成。在这种情形中，因为有机发光层262具有易受高温影响的特性，所以可通过使用低温气氛，例如100℃或更低的低温工艺形成第一无机层301。因此，在本实施方式中，当形成第一无机层301时防止了有机发光层262被施加至处理室的高温气氛损坏。
有机层302可设置在基板100上，以覆盖第一无机层301的整个上表面。有机层302可缓解由于有机发光显示装置的弯曲导致的层之间的应力。根据一实施方式的有机层302可包括有机材料，比如苯并环丁烯(BCB)、压克力(acryl)、聚酰亚胺、碳氧化硅(SiOC)等。
第二无机层303可设置在基板100上，以覆盖有机层302的整个上表面以及第一无机层301的每个侧表面。第二无机层303可首先防止水分或氧气从有机发光显示装置的外部渗透到有机层302和第一无机层301中。根据一实施方式的第二无机层303可由能够以低温沉积的无机绝缘材料，比如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)、氮氧化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)等形成。
基板100、像素阵列层200和封装层300可构成有机发光显示面板。
图3是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的触摸感测层的平面图。
参照图3，根据本发明实施方式的触摸感测层400可包括设置在封装层300上的触摸驱动线TD和触摸感测线TS。
触摸驱动线TD可包括多个第一触摸电极TE1和将多个第一触摸电极TE1电连接的第一桥接部450。
多个第一触摸电极TE1可沿第一方向布置并且可彼此分隔开某一间隔。多个第一触摸电极TE1的每一个可具有矩形形状、八角形形状、圆形形状、菱形形状等，并且多个第一触摸电极TE1的每一个可通过第一桥接部450电连接至相邻的第一触摸电极TE1。
第一桥接部450可不用单独的接触孔而电连接至第一触摸电极TE1。
触摸感测线TS可包括多个第二触摸电极TE2和将多个第二触摸电极TE2电连接的第二桥接部410。
多个第二触摸电极TE2可沿与第一方向垂直的第二方向布置并且可彼此分隔开某一间隔。多个第二触摸电极TE2的每一个可具有矩形形状、八角形形状、圆形形状、菱形形状等，并且多个第二触摸电极TE2的每一个可通过第二桥接部410电连接至相邻的第二触摸电极TE2。
第二桥接部410可通过接触孔CT3电连接至第二触摸电极TE2。
如上所述，触摸感测线TS可与触摸驱动线TD交叉并且在触摸感测线TS与触摸驱动线TD之间具有触摸绝缘层420(见图5)，因而可在触摸感测线TS和触摸驱动线TD的交叉部分中提供具有互电容的互电容器。因此，互电容器可通过经由触摸驱动线TD提供的触摸驱动脉冲被充入电荷，并且可将充入的电荷放电至触摸感测线TS，由此充当触摸传感器。
根据本发明实施方式的触摸驱动线TD和触摸感测线TS的每一条可通过布线110和触摸焊盘120连接至触摸驱动器(未示出)。
因此，布线110可通过触摸焊盘120将由触摸驱动器产生的触摸驱动脉冲传输至触摸驱动线TD，并且可将通过触摸感测线TS提供的触摸信号传输至触摸焊盘120。布线110可设置在触摸焊盘120与第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2的每一个之间，并且可不用单独的接触孔电连接至第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2的每一个。
连接至第一触摸电极TE1的布线110可延伸至一侧并且可连接至触摸焊盘120。连接至第二触摸电极TE2的布线110可延伸至一侧并且可连接至触摸焊盘120。布线110的布置不限于图3的结构，其可根据显示装置的设计进行各种修改。
布线110可通过使用耐腐蚀性和耐酸性较强且导电率优良的第一导电层，比如Al、Ti、Cu、Mo等形成为单层或多层结构。例如，布线110可形成为像Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo那样堆叠多个层的三层结构，或者可形成为包括耐腐蚀性和耐酸性较强的诸如ITO或IZO之类的透明导电层以及导电率优良的诸如Ti/Al/Ti或Mo/Al/Mo之类的不透明导电层的多层结构。
触摸焊盘120可包括焊盘电极121和设置在焊盘电极121上以覆盖焊盘电极121的焊盘覆盖电极122。
焊盘电极121可从布线110延伸而成，因而可由与布线110相同的材料形成。焊盘覆盖电极122可设置成覆盖被绝缘层暴露的焊盘电极121。焊盘覆盖电极122可被触摸阻挡膜(touch barrier film)暴露，因而可利用安装于其上的触摸驱动器连接至信号传输膜。在此，触摸阻挡膜可形成为覆盖触摸感测线TS和触摸驱动线TD，由此防止有机发光器件260以及触摸感测线TS和触摸驱动线TD被外部水分等损坏。触摸阻挡膜可形成为无机绝缘层涂布在有机绝缘膜上的结构。圆偏振器或诸如OLED透射率可控膜(OTF)之类的光学膜可设置在触摸阻挡膜上。
图4是图3的放大图，其是图解根据本发明实施方式的触摸电极层的平面图。图5是沿图4的线II-II截取的剖面图，其是图解根据本发明实施方式的有机发光显示装置的触摸感测层的剖面图。图6是显示根据本发明实施方式的第二桥接部和网状金属层(mesh metallayer)的相消干涉的示图。
参照图4和5，根据本发明实施方式的有机发光显示装置的触摸感测层400可包括第二桥接部410、触摸绝缘层420、多个透明导电层430和435、网状金属层440和第一桥接部450。
第二桥接部410可以是将相邻的第二触摸电极TE2电连接的桥接电极。第二桥接部410可设置在与第二触摸电极TE2不同的层上并且可将通过第一桥接部450彼此分离的两个相邻第二触摸电极TE2电连接。在这种情形中，第一桥接部450和第二桥接部410可通过触摸绝缘层420彼此电断开。
第二桥接部410可通过接触孔CT3电连接至第二触摸电极TE2。更详细地说，第二桥接部410可通过穿过触摸绝缘层420的接触孔CT3电连接至透明导电层430。第二桥接部410可设置成与堤部270交叠，由此防止开口率受到第二桥接部410影响。
第二桥接部410可直接设置在封装层300的上表面上并且可包括至少三个金属层。根据本发明一实施方式的第二桥接部410可包括反射层411、光路改变层412和半透射层413。
反射层411可直接设置在封装层300的上表面上。根据一实施方式的反射层411可包括MoTi或Mo。因为MoTi粘结力较高，所以MoTi防止反射层411从封装层300剥离，并且MoTi反射率较低。
光路改变层412可设置在反射层411上。根据一实施方式的光路改变层412可包括ITO或IZO，并且可包括SiO2、SiNx、Al2O3等。
参照图6，光路改变层412可设置在反射层411与半透射层413之间，以实现基于光路差异的相消干涉。更详细地说，入射到半透射层413上的外部光EL中的一些光可被光路改变层412反射为第一反射光RL1，并且未被光路改变层412反射的穿过光路改变层412的外部光中的其他光可经由光路改变层412被反射层411反射为第二反射光RL2。然而，第一反射光RL1和第二反射光RL2通过相消干涉而消散。为此，可为了通过由相位差导致的相消干涉消散第一反射光RL1和第二反射光RL2，设置光路改变层412的厚度。
因此，在根据本发明一实施方式的第二桥接部410中，在入射的外部光EL中通过光路改变层412发生相消干涉，由于这个原因，降低了反射率。因此，根据本发明实施方式的有机发光显示装置在没有相关技术的偏振器的情况下防止了图像可视性在户外场所降低，由此提高了图像质量。
半透射层413可设置在光路改变层412上。根据一实施方式的半透射层413可包括MoTi或Mo。根据本发明一实施方式的半透射层413可由与反射层411相同的材料形成。在这种情形中，半透射层413的厚度可设为比反射层411的厚度薄，因而半透射层413可半透射入射到其上的外部光。
当反射层411具有
Figure GDA0003166258490000111
或更大的厚度时，第二桥接部410具有入射到其上的外部光的10％或更小的反射率。下面的表1显示了通过进行试验获得的结果值，用来检查针对入射到第二桥接部410上的外部光来说，反射层411的基于厚度的反射率差异。
[表1]
Figure GDA0003166258490000121
参照表1，在第二桥接部410中，当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000122
时，反射率为15.342％；当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000123
时，反射率为11.094％，由此第二桥接部410具有10％或更大的反射率。然而，当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000124
时，反射率为9.732％；当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000125
时，反射率为8.687％；当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000126
时，反射率为8.935％。因此，当反射层411的厚度为
Figure GDA0003166258490000127
或更大时，第二桥接部410具有10％或更小的反射率。然而，因为封装层300的第二无机层303可能被蚀刻和损坏，所以第二桥接部410的总沉积厚度可等于或小于
Figure GDA0003166258490000128
且大于或等于
Figure GDA0003166258490000129
触摸绝缘层420可设置在封装层300上，以覆盖第二桥接部410。触摸绝缘层420可由有机材料或无机材料形成。当触摸绝缘层420由有机材料形成时，可通过在封装层300上涂布有机材料的涂布工艺和以100℃或更低的温度固化所涂布的有机材料的固化工艺设置触摸绝缘层420。当触摸绝缘层420由无机材料形成时，触摸绝缘层420可由通过交替执行两次或更多次的低温化学沉积工艺和清洗工艺沉积在封装层300上的无机材料形成。随后，可通过光刻工艺和蚀刻工艺将触摸绝缘层420图案化，因而可形成接触孔CT3。
第一桥接部450、第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可直接设置在触摸绝缘层420的上表面上。第一桥接部450可与第二桥接部410交叠。第一桥接部450、第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2的每一个可包括透明导电层430和435以及网状金属层440。
透明导电层430和435可设置在触摸绝缘层420上。透明导电层430可通过穿过触摸绝缘层420的接触孔CT3电连接至第二桥接部410。
根据一实施方式的透明导电层430和435各自可包括非晶透明导电材料，例如非晶ITO。例如，为了防止或最小化由于形成透明导电层430和435的工艺温度导致的对像素阵列层200的损坏，可通过使用100℃或更低的工艺温度的低温沉积工艺由非晶透明导电材料形成透明导电层430和435。就是说，在透明导电层430和435由结晶透明导电材料形成的情形中，像素阵列层200被为了确保低电阻值而执行的高温热处理工艺损坏。因此，在本发明实施方式中，可通过低温金属沉积工艺由非晶透明导电材料形成透明导电层430和435。
网状金属层440可设置在透明导电层430和435上。网状金属层440可包括至少三个金属层。
根据本发明一实施方式的网状金属层440可包括反射层441、光路改变层442和半透射层443。
反射层441可设置在透明导电层430上。根据一实施方式的反射层441可包括MoTi或Mo。MoTi粘结力较高且反射率较低。
光路改变层442可设置在反射层441上。根据一实施方式的光路改变层442可包括ITO或IZO，并且可包括SiO2、SiNx、Al2O3等。光路改变层442可设置在反射层441与半透射层443之间，以实现基于光路差异的相消干涉。因此，在根据本发明一实施方式的网状金属层440中，在入射的外部光中通过光路改变层442发生相消干涉，由于这个原因，降低了反射率。因此，根据本发明实施方式的有机发光显示装置在没有相关技术的偏振器的情况下防止了图像可视性在户外场所降低，由此提高了图像质量。
半透射层443可设置在光路改变层442上。根据一实施方式的半透射层443可包括MoTi或Mo。根据本发明一实施方式的半透射层443可由与反射层441相同的材料形成。在这种情形中，半透射层443的厚度可设为比反射层441的厚度薄，因而半透射层443可半透射入射到其上的外部光。
网状金属层440、第一桥接部450、以及包括网状金属层440的多个第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2在厚度为
Figure GDA0003166258490000131
或更大的情形中可相对于入射到其上的外部光来说具有大约10％的反射率。因此，通过使用低反射金属层堆叠结构，根据本发明实施方式的有机发光显示装置在没有偏振器的情况下防止了外部光的反射，由此降低了制造成本，防止了由偏振器导致的亮度的损耗，并且提高了图像质量。
在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，触摸绝缘层420以及第一触摸电极TE1和第二触摸电极TE2可直接设置在封装层300的上表面上。因此，与触摸屏通过粘合剂贴附至有机发光显示装置的相关技术的有机发光显示装置相比，根据本发明的实施方式粘合剂工艺不是必需的，因而简化了制造工艺并降低了制造成本。
图7是显示相对于波长来说，根据本发明实施方式的反射层的外部光反射率的图表。
图7显示了当反射层411/441包括MoTi并且具有
Figure GDA0003166258490000141
的厚度时，基于波长的反射率(％)。参照图7，在蓝色、绿色和红色波长范围(大约430nm到680nm)内反射层411/441的反射率(％)为10％或更小。
如上所述，因为由于光路改变层而在入射的外部光中发生相消干涉，所以根据本发明实施方式的第二桥接部、包括网状金属层的第一桥接部、以及多个第一和第二触摸的每一个的外部光反射率降低。
在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，因为应用了低反射金属层层叠的结构，所以在没有偏振器的情况下防止了外部光的反射，由此降低了成本，防止了亮度被偏振器降低，并且提高了图像质量。
此外，在根据本发明实施方式的有机发光显示装置中，第一触摸电极和第二触摸电极可直接设置在封装层上。因此，与触摸屏通过粘合剂贴附至有机发光显示装置的相关技术的有机发光显示装置相比，在本发明的实施方式中，不需要贴附工艺，因而简化了制造工艺并降低了成本。
在不背离本发明的精神或范围的情况下，能够在本发明中进行各种修改和变化，这对于所属领域技术人员来说将是显而易见的。因而，本发明旨在覆盖落入所附权利要求书范围及其等同范围内的对本发明的修改和变化。

Claims (12)

1.一种有机发光显示装置，包括：
位于基板上的像素阵列层，所述像素阵列层包括多个像素，每个像素包括有机发光器件；
覆盖所述像素阵列层的封装层；和
位于所述封装层上的触摸感测层，所述触摸感测层包括多个第一触摸电极和多个第二触摸电极，
其中所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极的每一个包括：
位于所述封装层的上表面上的透明导电层；和
网状金属层，所述网状金属层位于所述透明导电层上，所述网状金属层包括如下至少三层网状金属层，
位于所述透明导电层上的反射层，作为所述至少三层网状金属层中的第一金属层；
位于所述反射层上的光路改变层，作为所述至少三层网状金属层中的第二金属层；以及
位于所述光路改变层上的半透射层，作为所述至少三层网状金属层中的第三金属层。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极的每一个具有入射到其上的外部光的10％或更小的反射率。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述半透射层比所述反射层薄。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中所述反射层的材料与所述半透射层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述反射层是MoTi或Mo。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述光路改变层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
7.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，还包括：连接相邻的第二触摸电极的桥接部，
其中所述桥接部直接设置在所述封装层的上表面上并且包括至少三层金属层。
8.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，还包括：设置在所述封装层上以覆盖所述桥接部的触摸绝缘层，
其中所述多个第一触摸电极和所述多个第二触摸电极直接设置在所述触摸绝缘层的上表面上。
9.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述桥接部具有
Figure FDA0003166258480000021
Figure FDA0003166258480000022
或更大以及
Figure FDA0003166258480000023
或更小的厚度。
10.根据权利要求7所述的有机发光显示装置，其中所述半透射层比所述反射层薄。
11.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中所述桥接部通过穿过所述触摸绝缘层的接触孔电连接至所述透明导电层。
12.根据权利要求8所述的有机发光显示装置，其中所述触摸绝缘层直接设置在所述封装层的上表面上。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101974086B1 (ko) * 2016-09-30 2019-05-02 삼성디스플레이 주식회사 표시모듈
US10318080B2 (en) * 2017-01-19 2019-06-11 Hannstouch Solution Incorporated Touch panel
KR102354514B1 (ko) * 2017-05-11 2022-01-21 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108089760B (zh) * 2018-01-02 2022-03-04 武汉天马微电子有限公司 一种触控显示面板及触控显示装置
CN108958536A (zh) * 2018-03-28 2018-12-07 京东方科技集团股份有限公司 触控与显示驱动器集成模组及其制造方法、电子设备
KR102537758B1 (ko) * 2018-06-27 2023-05-31 엘지디스플레이 주식회사 광학식 이미지 센서 내장형 표시장치
KR102654289B1 (ko) * 2018-10-05 2024-04-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
US11061499B2 (en) * 2018-12-12 2021-07-13 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
KR20210086142A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 터치 디스플레이 장치
CN112925437B (zh) * 2021-01-28 2024-03-22 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661949A (zh) * 2008-08-26 2010-03-03 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20110193799A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof
CN103412697A (zh) * 2013-07-23 2013-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及其制作方法、显示装置
CN104345964A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 三星显示有限公司 触摸屏面板、平板显示设备及其制造方法
US20150130745A1 (en) * 2013-11-11 2015-05-14 Samsung Display Co. Ltd. Touch panel and display device including the same

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102603895B1 (ko) * 2014-10-17 2023-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
KR102262470B1 (ko) * 2014-11-28 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 제조 방법
KR102374644B1 (ko) * 2015-03-24 2022-03-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102427696B1 (ko) * 2015-10-22 2022-08-01 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101661949A (zh) * 2008-08-26 2010-03-03 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
US20110193799A1 (en) * 2010-02-11 2011-08-11 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof
CN103412697A (zh) * 2013-07-23 2013-11-27 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及其制作方法、显示装置
CN104345964A (zh) * 2013-07-25 2015-02-11 三星显示有限公司 触摸屏面板、平板显示设备及其制造方法
US20150130745A1 (en) * 2013-11-11 2015-05-14 Samsung Display Co. Ltd. Touch panel and display device including the same

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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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GR01 Patent grant
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