CN109312459B - 原子层生长装置及原子层生长方法 - Google Patents

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Abstract

一种原子层生长装置，具有：成膜容器(11)，其进行成膜处理；能够上下移动的载物台(14)，其设置在成膜容器(11)内，并保持基板(100)；载物台停止器(17)，其使载物台(14)的上升停止，并通过与载物台(14)的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间(S)和进行基板(100)的搬送的搬送空间；周边部载物台防附着材料(15)，其覆盖载物台(14)的周边部；载物台停止器防附着材料(24)，其设置在载物台停止器(17)上。

Description

原子层生长装置及原子层生长方法
技术领域
本发明涉及一种例如在基板上形成薄膜的原子层生长装置及原子层生长方法。
背景技术
原子层生长技术是将构成所形成的薄膜的元素的气体交替地供给至基板上，在基板上以原子层为单位而形成薄膜的技术，其作为均匀的形成薄膜的技术而广为人知。另外，与CVD(Chemical-Vapor-Deposition，化学气相沉积)法相比，原子层生长方法的高低差的覆盖性及膜厚控制性优异。
若通过原子层生长方法来反复的进行薄膜的形成，则成膜容器的内壁也会附着薄膜。而若附着在成膜容器的内壁上的薄膜的厚度变厚，则堆积的薄膜会剥离，而其中的一部分成为颗粒(Particle)。因此，必须将附着在成膜容器的内壁上的薄膜定期的去除。
例如日本特开2006-351655号公报(专利文献1)中披露了一种处理方法及气相生长装置，使用防附着板，并且用非晶质膜将堆积在腔室的内壁上的堆积物覆盖住。
另外，例如日本特开2009-62579号公报(专利文献2)中披露了在成膜容器内插入防附着板来延长湿蚀刻的周期的内容。
另外，例如日本特开2012-52221号公报(专利文献3)中披露了设置防附着板并供给非活性气体来控制附着膜的内容。
另外，例如日本特开2001-316797号公报(专利文献4)中披露了如下内容：在成膜装置中，将防附着构件安装在基板载体上，防止膜附着在基板载体的表面上。
另外，例如日本特开2014-133927号公报(专利文献5)中披露了如下内容：在等离子体处理装置中，在处理室内设置防附着板，防止绝缘物附着在基板上以外的部分。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2006-351655号公报
专利文献2：日本特开2009-62579号公报
专利文献3：日本特开2012-52221号公报
专利文献4：日本特开2001-316797号公报
专利文献5：日本特开2014-133927号公报
发明内容
发明要解决的问题
在利用原子层生长方法进行的成膜中，因为所使用的原料气体(例如TMA：Tri-Methyl-Aluminum，三甲基铝)容易扩散，因此容易侵入到成膜容器内的微细间隙中而形成膜。例如，在成膜室及搬送室由载物台停止器(Stage Stopper)与载物台(Stage)来划分的原子层生长装置中，在上述划分部分产生间隙，而容易成为颗粒产生部位。也就是说，侵入到这样的微细间隙中的原料气体成为膜及粉，而成为颗粒的主因。
特别是，在与大型的玻璃基板对应的大面积型式的原子层生长装置中，基板越大则载物台也越大，而载物台越大则载物台的平整度也随之越下降。其结果是，在上述划分部分的间隙增大，颗粒的产生更加显著。
其他的问题与新的特征能够从本说明书的记载及所附附图来明确。
用于解决问题的手段
一实施方式的原子层生长装置，具有：成膜容器，其对基板进行成膜处理；载物台，其能够上下移动且设置在上述成膜容器内，并保持上述基板；载物台停止器，其使上述载物台的上升停止，并且通过与上述载物台的接触而划分出进行上述成膜处理的成膜空间与进行上述基板的搬送的搬送空间。而且，还具有：第一载物台防附着材料，其将上述载物台的周边部覆盖住；载物台停止器防附着材料，其设置在上述载物台停止器上。
另外，一实施方式的原子层生长方法，具有：(a)将基板装载在载物台上的工序；(b)在上述(a)工序之后，从设置于上述成膜容器的气体导入部导入原料气体至上述成膜容器内，并使上述原料气体吸附在上述基板上的工序；(c)在上述(b)工序之后，从上述气体导入部将清除气体导入上述成膜容器内，将上述原料气体排出至上述成膜容器外。而且还具有：(d)在上述(c)工序之后，从上述气体导入部将反应气体导入上述成膜容器内，并将上述反应气体供给至上述基板上，在上述基板的表面形成所期望的薄膜的工序；(e)在上述(d)工序之后，从上述气体导入部将清除气体导入上述成膜容器内，将上述反应气体排出至上述成膜容器外；在上述(b)～(e)工序的期间使非活性气体在上述成膜容器内流动。
发明的效果
根据上述一实施方式，能够抑制成膜容器内的颗粒的产生，能够提高形成在基板上的薄膜的品质。
附图说明
图1是示出实施方式的原子层生长装置的构造的一个例子的概略构成图。
图2是示出图1所示的原子层生长装置中的非活性气体供给路径的一个例子的主要部分放大剖视图。
图3是示出在图1所示的原子层生长装置中的气体导入侧开口部剖切后的构造的一个例子的主要部分放大剖视图。
图4是示出图3所示的气体导入侧开口部附近的构造的一个例子的局部放大剖视图。
图5是示出图1所示的原子层生长装置中的成膜容器的一部分、载物台停止器及载物台停止器防附着材料的关系的一个例子的放大立体图。
图6是示出图1所示的原子层生长装置中的成膜容器、载物台及载物台停止器防附着材料的位置关系的一个例子的放大俯视图。
图7是示出实施方式的原子层生长方法的一个例子的流程图。
图8中的(a)～(d)是示出按照图7所示流程而形成薄膜的顺序的一个例子的基板剖视图。
具体实施方式
＜原子层生长装置的构成＞
参照图1，说明本实施方式的原子层生长装置10的构成。
图1是示出本实施方式的原子层生长装置的构造的一个例子的概略构成图。
本实施方式的原子层生长装置10是对基板100交替地供给原料气体和反应气体，在基板100上以原子层为单位而形成薄膜。此时，为了提高反应活性，能够对基板100进行加热。在本实施方式中，作为原料气体的一个例子，使用TMA(Tri-Methyl-Aluminum)，在成膜处理时，为了提高反应活性，使等离子体产生。在本实施方式中，为了产生等离子体，使用平行平板电极，但不限于此种方式。
在原子层生长装置10中设置的成膜容器(也称为腔室)11是在内部对基板100进行成膜处理的容器，且具有喷射器21、排气法兰31、平板电极12、成为对向电极且保持基板100的载物台14、高频电源18。
平板电极12是被配置成与载物台14相对向，隔着成膜空间S而设置在基板100的上方，由在平板电极12的侧方配置的绝缘支撑体41支撑着。绝缘支撑体41由顶板支撑部47支撑着。在保持绝缘支撑体41的顶板支撑部47的周边部具有覆盖顶板支撑部47及绝缘支撑体41的上部绝缘防附着材料43。
另外，平板电极12的向着载物台14的方向露出的面的端部相当于平板电极12的端部，在平板电极12的露出的下表面侧设置有导电性的板状的平板电极防附着材料13。
载物台14保持基板100，且具有加热器，能够将基板100的温度调整至所期望的温度。例如，在原子层生长处理的情况下，将基板100加热至50～200℃。而成膜容器11在进行成膜处理时维持为真空状态。通过高频电源18将规定的频率的高频电流供给至平板电极12，从而在平板电极12与载物台14之间产生等离子体。
另外，载物台14具有可上下移动的机构，在进行成膜处理时，在上升至最高的位置处进行处理。也可以在载物台14上具有导电性的基座(Susceptor)。这种情况下，将基板100保持在基座上，通过高频电源18将规定的频率的高频电流供给至平板电极12，从而在平板电极12与基座之间产生等离子体。
接着，针对导入原料气体、反应气体、清除气体的气体导入部20进行说明。气体导入部20按照处理过程将原料气体、反应气体、清除气体供给至成膜容器11内。另外，喷射器21安装在成膜容器11的气体导入侧开口部25，喷射器防附着材料22从成膜容器11的内侧插入到气体导入侧开口部25中，且以围绕着气体导入侧开口部25的方式被安装。
接着，针对排气部30进行说明。排气部30按照处理过程将原料气体、反应气体、清除气体从成膜容器11排出。排气法兰31安装在成膜容器11的气体排气侧开口部33，排气防附着材料32从成膜容器11的内侧插入到气体排气侧开口部33中，且以围绕着气体排气侧开口部33的方式被安装。而被导入至成膜容器11中的气体按照处理过程，从气体导入部20向着排气部30产生气体的流动。下面将沿着该气体的流动方向的方向作为侧方进行说明。
接着，使用图2～图4，针对载物台14及载物台14的周边的详细构造进行说明。
图2是示出图1所示的原子层生长装置中的非活性气体供给路径的一个例子的主要部分放大剖视图，图3是示出在图1所示的原子层生长装置的气体导入侧开口部剖切后的构造的一个例子的主要部分放大剖视图，图4是示出图3所示的气体导入侧开口部附近的构造的一个例子的局部放大剖视图。另外，图2也是在从与气体流动方向平行的喷射器21的保持面来看的情况下的载物台停止器17的周边的放大图。
载物台停止器17是以与成膜容器11的四个侧壁的内壁11A相接的方式设置的构件，而且，其使载物台14的上升停止，并且通过与载物台14的接触而在成膜容器11内划分、形成进行成膜处理的成膜空间S与进行基板100的搬送的图1所示的搬送空间T。
如图2所示，载物台14具有：作为载物台14的周边部的载物台周边部14A，其是高度比保持基板100的保持面低的部分，并且内接于载物台停止器17；载物台基板保持部14B，其用于保持基板100。在载物台周边部14A的上表面具有周边部载物台防附着材料(第一载物台防附着材料)15，并且在载物台基板保持部14B的侧方部具有侧部载物台防附着材料(第二载物台防附着材料)16。
即，周边部载物台防附着材料15将载物台14的载物台周边部14A覆盖住，另一方面，侧部载物台防附着材料16将载物台14的载物台基板保持部14B的侧部覆盖住。
另外，在载物台停止器17之上，设置有载物台停止器防附着材料24以覆盖载物台停止器17。载物台停止器防附着材料24包括有：载物台停止器防附着材料外周部(第一载物台停止器防附着材料)24A，其将载物台停止器17上方的成膜容器11的侧方(侧壁)的内壁11A覆盖住；载物台停止器防附着材料中部(第二载物台停止器防附着材料)24B，其将载物台停止器17的上表面覆盖住；载物台停止器防附着材料内周部(第三载物台停止器防附着材料)24C，其将载物台停止器17的位于基板侧的侧方面(侧部)覆盖住。
在本实施方式中，针对载物台停止器防附着材料24中，载物台停止器防附着材料外周部24A、载物台停止器防附着材料中部24B及载物台停止器防附着材料内周部24C是一体形成的情况进行说明。但是，载物台停止器防附着材料外周部24A、载物台停止器防附着材料中部24B及载物台停止器防附着材料内周部24C并非一定要一体形成，也可以各自分别形成，并且彼此相接合而形成。
另外，针对载物台停止器防附着材料24中的载物台停止器防附着材料外周部24A，若进一步以另外的表现来说明其构成，则载物台停止器防附着材料外周部24A是沿着俯视构成为四边形的成膜容器11的四个侧壁的内壁11A的每一个来配置。也就是说，载物台停止器防附着材料外周部24A包括有沿着成膜容器11的各个内壁11A而配置的四个板状构件G(参照图2)。四个板状构件G是相邻的板状构件G之间分别相接触。优选四个板状构件G分别在相邻的板状构件G之间不具有空间。由此，能够抑制由原子层生长装置10在基板100上形成薄膜时使用的原料气体或反应气体进入板状构件G之间的间隙而在此间隙中形成薄膜。
由此，优选四个板状构件G也是一体成形，使得相邻的板状构件G之间不具有空间。
另外，在载物台14中，覆盖载物台的侧部的侧部载物台防附着材料(第二载物台防附着材料)16是设置在载物台14与载物台停止器防附着材料内周部24C之间的位置。
根据以上所述，在本实施方式的原子层生长装置10中，载物台14及载物台14的周围(周边部)由侧部载物台防附着材料16、周边部载物台防附着材料15及载物台停止器17所覆盖，而且沿着载物台停止器17的上表面及成膜容器11的四个侧壁的内壁11A来配置载物台停止器防附着材料24。
在此，针对本实施方式要解决的问题的详细内容进行说明。
在使用了原子层生长方法的成膜处理中，在各个的工序中，暂时等待气体的扩散而导入接着的反应剂的气体。此时，因为所使用的原料气体(例如TMA)容易扩散，所以原料气体也容易侵入到成膜容器内的微细间隙中而形成膜。例如，原料气体或反应气体侵入到在成膜容器内设置的载物台14或其周围的构件上所形成的微细间隙中，在该微细间隙中形成薄膜。而该薄膜成为颗粒的主要原因，产生使得形成在基板100上的薄膜的特性变差这样的问题。特别是，在与大型的玻璃基板对应的大面积型式的原子层生长装置中，被处理的基板100越大则载物台14也越大，而载物台14越大则载物台的平整度14也越下降。由此，载物台14与载物台停止器17的接触所形成的划分部分处的间隙也增大，颗粒的产生更加显著。
另外，成膜装置之中，例如在CVD装置中，通过干蚀刻来去除腔室内的多余的膜。即，不必将腔室拆开，而是通过使清洗气体(例如NF3等)流动来形成等离子体，从而去除多余的膜。
但是，在原子层生长装置中使用的氧化铝膜(Al2O3)若要实施干蚀刻，则变为高温处理(例如800℃)，因此成本增加。
另外，利用等离子体而形成绝缘膜的原子层生长装置中，因为通过膜的堆积而使被划分的部分绝缘化，所以在载物台14与载物台停止器17之间流动的高频电流的量每当重叠成膜就发生变化，产生成膜再现性下降的问题。另外，因为流到载物台14的高频电流集中，所以载物台停止器17的附近若存在间隙或凹凸，则在该部分容易产生电弧(Arcing)。由此，需要尽力降低成为电弧源的防附着板的接缝或螺丝。
另外，由于若原子层生长装置变大，则因此而增加防附着板的枚数，因此也产生维护保养所需时间也增加这样的问题。由于暴露于原料气体以及反应气体的载物台停止器的面为平板电极面、基板侧的侧方面及载物台面(载物台14的保持面)这三个面，因此若对各个的面覆盖防附着板，则防附着板的数量变得很庞大。
另外，成膜容器11的维护保养是打开成膜容器11的顶板42，从成膜容器11的上方将手伸进成膜空间S而进行作业，但是载物台停止器17的侧方面(侧面)及载物台面因为维护保养时难以到达防附着板，故作业性显著变差。
因此，在原子层生长装置中，该载物台停止器17附近的防附着板要求为如下的构造：抑制在防附着板的表面以外的部分附着膜，并且防附着板的装卸容易。
在本实施方式的原子层生长装置10中，载物台14及载物台14的周围(周边部)由侧部载物台防附着材料16、周边部载物台防附着材料15及载物台停止器17所覆盖。而且，载物台停止器17的上表面由载物台停止器防附着材料24所覆盖。而载物台停止器防附着材料24沿着成膜容器11的四个侧壁的内壁11A配置。
另外，本实施方式的原子层生长装置10在成膜容器11的内壁11A与载物台停止器防附着材料24之间具有可供给非活性气体的间隙。
而且，在载物台停止器17形成有上部非活性气体供给口(第一非活性气体供给口)63，该上部非活性气体供给口(第一非活性气体供给口)63向由载物台停止器防附着材料外周部24A与成膜容器11之间的间隙形成的上部非活性气体供给路径(第一非活性气体供给路径)64A供给非活性气体。另外，在载物台停止器17形成有下部非活性气体供给口(第二非活性气体供给口)66，该下部非活性气体供给口(第二非活性气体供给口)66向由载物台停止器防附着材料内周部24C与载物台停止器17之间的间隙、以及周边部载物台防附着材料15与载物台停止器防附着材料内周部24C之间的间隙形成的下部非活性气体供给路径(第二非活性气体供给路径)67供给非活性气体。
在成膜容器11形成有非活性气体供给路径62A，该非活性气体供给路径62A向上部非活性气体供给口63及下部非活性气体供给口66供给非活性气体，同样地，在载物台停止器17形成有非活性气体供给路径62B，该非活性气体供给路径62B向上部非活性气体供给口63及下部非活性气体供给口66供给非活性气体，并且与非活性气体供给路径62A相连通。另外，在成膜容器11形成有向非活性气体供给路径62A供给非活性气体的非活性气体供给部61。
另外，在载物台停止器17形成有中部非活性气体供给口(第三非活性气体供给口)69，该中部非活性气体供给口(第三非活性气体供给口)69对由载物台停止器防附着材料中部24B与载物台停止器17的上表面之间的间隙形成的中部非活性气体供给路径(第三非活性气体供给路径)70供给非活性气体。
另外，载物台停止器17可以与成膜容器11一体形成，或者也可以通过螺丝等将载物台停止器17固定于成膜容器11。
另外，上部非活性气体供给口63如后述的图5所示，在载物台停止器17的上表面的周围，沿着整周形成有多个，或者在整周上连续形成。同样地，下部非活性气体供给口66也是沿着载物台停止器17的位于基板侧的侧面的整周形成有多个，或者在整周上连续形成。同样地，中部非活性气体供给口69也是沿着载物台停止器17的上表面的整周形成有多个，或者在整周上连续形成。
在此，如图2所示，经由上部非活性气体供给路径64A而供给的非活性气体从上部非活性气体排出口65，通过由载物台停止器防附着材料外周部24A与上部绝缘防附着材料43的侧方面(侧面)之间的间隙形成的上部非活性气体供给路径64B，而供给至成膜空间S。
接着，针对成膜容器11内的各部分的尺寸的一个例子进行说明。
构成上部非活性气体供给路径64A的载物台停止器防附着材料外周部24A与成膜容器11之间的间隙的大小(距离a)在0.1mm以上且30mm以下是适宜的。通过使距离a较小，能够抑制原料气体及反应气体进入上部非活性气体供给路径64A的内侧，能够抑制在成膜容器11及载物台停止器17附着膜。
但是，在距离a过小的情况下，由于加工精度，存在成膜容器11与载物台停止器防附着材料24发生干涉的可能性。特别是在与大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，在不进行载物台停止器防附着材料24的分切的情况下，此现象变得显著。因此，例如在与370mm×470mm尺寸的玻璃基板对应的原子层生长装置10中，需要具有适当的值，在本实施方式中距离a为3mm。
另外，载物台停止器防附着材料外周部24A的上表面与载物台停止器防附着材料中部24B的上表面在垂直方向上的距离(距离b)的大小在10mm以上是适宜的。通过使距离b较大，能够抑制原料气体及反应气体进入上部非活性气体供给路径64A的内侧，能够抑制在成膜容器11及载物台停止器17附着膜。在距离b小的情况下，原料气体及反应气体进入上部非活性气体供给路径64A的内侧，产生附着膜。因此，需要具有适当的值，在本实施方式中距离b为100mm。
另外，构成上部非活性气体供给路径64B的载物台停止器防附着材料外周部24A与上部绝缘防附着材料43的侧方面(侧部)之间的间隙的大小(距离f)在1mm以上且50mm以下是适宜的。通过使距离f较小，能够抑制原料气体及反应气体进入上部非活性气体供给路径64B的内侧，能够抑制在成膜容器11及载物台停止器17附着膜。但是，在距离f过小的情况下，由于加工精度，存在载物台停止器防附着材料外周部24A与上部绝缘防附着材料43发生干涉的可能性。特别是在与大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，在不进行载物台停止器防附着材料24的分切的情况下，此现象变得显著。因此，例如在与370mm×470mm尺寸的大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，需要具有适当的值，在本实施方式中距离f为3mm。
另外，上部绝缘防附着材料43的侧方部的下表面与上表面之间的距离的大小(距离g)在1mm以上且300mm以下是适宜的。通过使距离g较大，能够抑制原料气体及反应气体进入上部非活性气体供给路径64B的内侧，能够抑制在成膜容器11及载物台停止器17附着膜。在本实施方式中距离g为50mm。
另外，从下部非活性气体供给路径67供给的非活性气体是从下部非活性气体排出口68供给至成膜空间S。
此时，构成下部非活性气体供给路径67的载物台停止器防附着材料内周部24C与载物台停止器17之间的间隙的大小(距离c)在0.1mm以上且30mm以下是适宜的。通过使距离c较小，能够抑制原料气体及反应气体进入下部非活性气体供给路径67的内侧，能够抑制在载物台停止器17附着膜。但是，在距离c过小的情况下，由于加工精度，存在载物台停止器防附着材料内周部24C与载物台停止器17发生干涉的可能性。特别是在与大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，在不进行载物台停止器防附着材料24的分切的情况下，此现象变得显著。因此，例如在与370mm×470mm尺寸的大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，需要具有适当的值，在本实施方式中距离c为3mm。
另外，构成下部非活性气体供给路径67的载物台停止器防附着材料内周部24C与周边部载物台防附着材料15之间的间隙的大小(距离d)在0.1mm以上且30mm以下是适宜的。通过使距离d较小，能够抑制原料气体及反应气体进入下部非活性气体供给路径67的内侧，能够抑制在载物台停止器17附着膜。但是，在距离d过小的情况下，由于加工精度，存在载物台停止器防附着材料内周部24C与周边部载物台防附着材料15发生干涉的可能性。特别是在与大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，在不进行载物台停止器防附着材料24的分切的情况下，此现象变得显著。因此，例如在与370mm×470mm尺寸的大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，需要具有适当的值，在本实施方式中距离d为3mm。
另外，构成下部非活性气体供给路径67的载物台停止器防附着材料内周部24C的壁厚(距离h)在1mm以上且100mm以下是适宜的。通过使距离h较大，能够抑制原料气体及反应气体进入下部非活性气体供给路径67的内侧，能够抑制在载物台停止器17附着膜。然而，在距离h过大的情况下，载物台停止器防附着材料中部24B的重量增加，维护保养性下降。因此，需要具有适当的值，在本实施方式中距离h为20mm。
另外，虽然构成中部非活性气体供给路径70的载物台停止器防附着材料中部24B与载物台停止器17的上表面是内接的，但是也可以特意使载物台停止器防附着材料中部24B的下表面为粗糙面(例如Ra(算数平均粗糙度)＝1～6μm)。通过此粗糙面形状能够确保气体流通的中部非活性气体供给路径70。也就是说，因为将载物台停止器防附着材料中部24B与载物台停止器17固定的固定螺丝54的螺丝孔56(参照后述的图5)成为中部非活性气体排出口71，所以非活性气体的一部分经由上述螺丝孔56而供给至成膜空间S。由此，能够减轻在固定螺丝54附着膜的情况。
另外，固定螺丝54与载物台停止器防附着材料外周部24A的位于成膜空间侧的端面之间的水平最短距离(距离e)在0.1mm以上且50mm以下是适宜的。因为螺丝部容易成为电弧源或颗粒来源，故优选距离e远离成膜空间S。然而，在距离e小的情况下，螺丝固定的作业性变得困难，维护保养性下降。因此，需要具有适当的值，在本实施方式中距离e为20mm。
另外，中部非活性气体供给口69与固定螺丝54之间的水平最短距离(距离i)在100mm以下是适宜的，在本实施方式中为10mm。通过使距离i较小，能够将非活性气体优先供给至固定螺丝54的上述螺丝孔56，能够抑制在中部非活性气体排出口71的内面附着膜。
另外，在载物台停止器17形成有与上部非活性气体供给口63、下部非活性气体供给口66、中部非活性气体供给口69连通的非活性气体供给路径62B，非活性气体供给路径62B的终端与在成膜容器11设置的非活性气体供给路径62A连通。非活性气体供给路径62A、非活性气体供给路径62B是在成膜容器11及载物台停止器17设置贯通孔，通过例如使O型圈挟持在两者的供给路径之间，能够供给非活性气体。非活性气体供给路径62A的另一端侧与在成膜容器11设置的非活性气体供给部61连接。
图3是从与气体流动方向平行的成膜容器11的侧面来看的情况下的载物台停止器17及喷射器21周边的放大图。在层流流动(Laminar Flow)的原子层生长装置10中，因为在成膜容器11的侧方面(侧壁)具有气体导入部20及图1所示的排气部30，所以在成膜容器11的导入部侧及排气部侧，需要在载物台停止器防附着材料外周部24A设置开口部(防附着材料开口部51)。
在此，针对在成膜容器11的外壁设置的喷射器21及排气法兰31进行说明。
在气体导入侧设置的喷射器21如图3及图4所示，具有开口部(第一开口部)21A，且以使成膜容器11的气体导入侧开口部25与开口部21A的位置相对应的方式来配置喷射器21。另外，作为喷射器21的防附着材料的喷射器防附着材料22以相比于喷射器21而位于成膜容器11的内侧的方式插入并安装到气体导入侧开口部25中。
另一方面，如图1所示，设置在气体排气侧的排气法兰31具有开口部(第二开口部)31A，且以使成膜容器11的气体排气侧开口部33与开口部31A的位置相对应的方式来配置排气法兰31。另外，作为排气法兰31的防附着材料的排气防附着材料32以相比于排气法兰31而位于成膜容器11的内侧的方式插入并安装到气体排气侧开口部33中。
喷射器防附着材料22及排气防附着材料32分别在成膜容器11的内侧具有比气体导入侧开口部25及气体排气侧开口部33大的法兰(如图3所示的喷射器防附着材料法兰22A及图1所示的排气防附着材料法兰32A)。
另外，如图3所示，载物台停止器防附着材料外周部24A在一个部位或多个部位具有可插入、安装喷射器防附着材料22及排气防附着材料32的防附着材料开口部51，喷射器防附着材料22及排气防附着材料32各自所具有的上述法兰比防附着材料开口部51大。
也就是说，喷射器防附着材料22的防附着材料开口部27具有与气体导入侧开口部25相同的大小，可将喷射器防附着材料22从成膜容器11侧插入并安装。
而喷射器防附着材料22在成膜容器11侧，具有大小超过气体导入侧开口部25与防附着材料开口部27的喷射器防附着材料法兰22A。
另外，优选防附着材料开口部51具有凹陷部51A，该凹陷部51A具有比图4所示的喷射器防附着材料法兰22A的外径大0.1mm以上的大小，且具有比喷射器防附着材料法兰22A的壁厚大0.1mm以上的大小，该凹陷部51A能够容纳喷射器防附着材料法兰22A。该凹陷部51A是法兰落入的部分，由此，无限制地抑制由载物台停止器防附着材料外周部24A及喷射器防附着材料法兰22A所造成的凹凸，其结果是，能够维持原料气体及反应气体的均匀供给。
在此，如图4所示，载物台停止器防附着材料外周部24A与喷射器防附着材料22之间的间隙构成供给非活性气体用的气体导入部非活性气体供给口72。另外，载物台停止器防附着材料外周部24A与喷射器防附着材料22及喷射器防附着材料法兰22A之间的间隙构成气体导入部非活性气体供给路径73。而且，载物台停止器防附着材料外周部24A与喷射器防附着材料法兰22A之间的间隙构成气体导入部非活性气体排出口74。
另外，如图4所示的载物台停止器防附着材料外周部24A与喷射器防附着材料22之间的间隙的大小(距离j)以及载物台停止器防附着材料外周部24A与喷射器防附着材料法兰22A之间的间隙的大小(距离k、距离l)在0.1mm以上且10mm以下是适宜的。通过使距离j、距离k及距离l较小，能够抑制原料气体及反应气体进入气体导入部非活性气体供给路径73的内侧，能够抑制在成膜容器11及载物台停止器17附着膜。然而，在本实施方式中，因为上部非活性气体供给路径64A的流路宽度为3mm，所以在距离j、距离k及距离l过小的情况下，非活性气体对气体导入部非活性气体供给路径73的气体供给量下降。因此，需要具有适当的值，在本实施方式中距离j、距离k及距离l为1mm。
另外，在喷射器防附着材料法兰22A的内面与载物台停止器防附着材料外周部24A的内壁面分别形成螺丝孔，并在相互之间配置固定螺丝55，一边在相互的内面之间确保间隙，一边将喷射器防附着材料22配置在防附着材料开口部51。喷射器防附着材料法兰22A与载物台停止器防附着材料外周部24A的内壁之间的距离例如通过在螺丝部分利用1mm的垫片(shim)而能够调整。
另外，针对图1所示的排气部30，可以说是与气体导入部20相同。气体导入侧开口部25也可以设置多个，例如，若是在两个部位具有气体导入侧开口部25且在两个部位具有气体排气侧开口部33的原子层生长装置10，则在四个部位具有图4所示的防附着材料开口部51。
接着，针对载物台14、载物台停止器防附着材料24及成膜容器11的位置关系、载物台停止器防附着材料24的各供给口进行说明。图5是示出图1所示的原子层生长装置中的成膜容器的一部分、载物台停止器及载物台停止器防附着材料的关系的一个例子的放大立体图，图6是示出图1所示的原子层生长装置中的成膜容器、载物台及载物台停止器防附着材料的位置关系的一个例子的放大俯视图。
如图5所示，载物台停止器防附着材料24在上部侧及下部侧形成有开口，如图2及图3所示，在上部侧的开口附近配置有平板电极12。另一方面，在下部侧的开口附近配置有载物台14。如图6所示，以俯视视角来看，载物台停止器防附着材料24以包围着载物台14的方式被配置的同时，沿着成膜容器11的侧壁的内壁11A配置。而且，在成膜容器11的气体导入侧开口部25配置喷射器防附着材料22，另一方面，在气体排气侧开口部33配置排气防附着材料32。
如图5所示，优选从上部非活性气体供给口63、下部非活性气体供给口66及中部非活性气体供给口69供给的非活性气体从各自的整周喷淋供给。优选各供给口的喷淋孔径在1～3mm直径的范围内，为1mm左右也可以。优选喷淋孔的间距是10～200mm间距，在本实施方式中为100mm。另外，也可以在载物台停止器17设置贯通孔来形成喷淋，也可以单独形成喷淋板并安装于载物台停止器17。在图5所示的构造中，虽然在一个部位设置非活性气体供给部61，但优选在多个部位设置非活性气体供给部61。
另外，虽然期望不要将载物台停止器17分切，但在处理边长在1m前后的基板的大面积型式的原子层生长装置10中，也可以构成为分切构造。这种情况下，例如在与730mm×920mm的大面积玻璃基板对应的原子层生长装置10中，可以将载物台停止器17二分切(分切成两部分)或四分切(分切成四部分)，但进行分切时，优选并不是针对各个载物台停止器防附着材料外周部24A、载物台停止器防附着材料中部24B及载物台停止器防附着材料内周部24C进行分切，而是以图5的切断面(二分切或四分切)进行分切。由此，能够将分切所产生的截面积保留在最小限度，其结果是，能够抑制原料气体及反应气体进入切断面。另外，也能够抑制维护保养性的下降。
另外，优选在载物台停止器防附着材料外周部24A设置有插入吊环用的内螺纹攻丝孔57。在对载物台停止器防附着材料24不进行分切时，或者是进行了分切时，例如在载物台停止器防附着材料24由不锈钢等形成的情况下，都是重量变大而使得手工作业困难。此时，因为存在载物台停止器防附着材料24必须利用桥式起重机的可能性，所以将吊环插入到内螺纹攻丝孔57中，利用桥式起重机通过吊环进行吊挂，从而能够搬送载物台停止器防附着材料24。
根据本实施方式的原子层生长装置10，能够抑制在通过与载物台14的接触而划分出成膜空间S与搬送空间T的载物台停止器17的附近产生附着膜或粉。
也就是说，通过对载物台14设置侧部载物台防附着材料16和周边部载物台防附着材料15，在载物台周边部14A的一部分之上配置载物台停止器17，并且在载物台停止器17上设置载物台停止器防附着材料24，从而能够利用防附着材料将在载物台14及载物台停止器17的附近的各构件或构件之间形成的间隙覆盖住。
由此，能够降低在上述间隙形成薄膜或者附着粉的情况。特别是，虽然原子层生长装置10所使用的TMA等原料气体由于扩散性强而容易侵入成膜容器11内的间隙，但因为通过侧部载物台防附着材料16、周边部载物台防附着材料15及载物台停止器防附着材料24等防附着材料将间隙覆盖住，所以能够防止原料气体侵入间隙。其结果是，能够抑制由薄膜或粉等构成的颗粒的产生。
因此，能够抑制成膜容器11内的颗粒的产生，能够提高在基板100上形成的薄膜的品质。
另外，因为能够容易地进行载物台停止器防附着材料24的装卸，所以能够提高成膜容器11及各防附着材料的维护保养作业性。
另外，作为载物台停止器防附着材料24，使载物台停止器防附着材料外周部24A、载物台停止器防附着材料中部24B及载物台停止器防附着材料内周部24C一体形成，从而与将载物台停止器防附着材料24分切而形成的情况相比较，因为载物台停止器防附着材料24本身并未形成间隙，所以能够进一步降低颗粒的产生。
然而，载物台停止器防附着材料24也可以形成为可分切的形式。即，在处理边长在1m前后的基板的大面积型式的原子层生长装置10中，载物台停止器防附着材料24也可以为可分切的构造。在此情况下，如上所述，优选并不针对各个载物台停止器防附着材料外周部24A、载物台停止器防附着材料中部24B及载物台停止器防附着材料内周部24C进行分切，而是按照图5的切断面(二分切或四分切)进行分切。如此一来，通过使得载物台停止器防附着材料24并不是一体形成而是以可分切的方式形成，从而能够更容易的对成膜容器11进行装卸。
另外，通过在载物台停止器17形成非活性气体供给路径62B，从而在成膜处理时，能够使非活性气体分别在载物台停止器防附着材料24与周边部载物台防附着材料15之间的间隙、载物台停止器防附着材料24与成膜容器11之间的间隙、载物台停止器17与载物台停止器防附着材料24之间的间隙中流动。
由此，能够阻止原料气体侵入到由各构件形成的上述各间隙中，能够抑制在载物台14、载物台停止器17及上述各间隙中附着膜。其结果是，能够降低成膜容器11的维护保养频率，能够提高原子层生长装置10的运转率。
＜原子层生长方法＞
接着，针对使用原子层生长装置10形成薄膜的处理顺序(原子层生长方法)进行说明。
图7是示出实施方式的原子层生长方法的一个例子的流程图，图8中的(a)～(d)是示出按照图7所示流程形成薄膜的顺序的一个例子的基板剖视图。
首先，在设置于图1所示的成膜容器11内的载物台14上装载基板100。
接着，原料气体供给部将原料气体供给至成膜容器11的内部(如图7所示的步骤s1)。具体而言，将原料气体供给至图1所示的成膜容器11的气体导入部20(步骤s1)。原料气体例如是TMA，且被供给至成膜容器11的内部。原料气体例如在0.1秒间供给至成膜容器11的内部。如图8中的(a)所示，通过步骤s1，将原料气体110供给至成膜容器11的内部，且使原料气体110吸附在基板100上，形成吸附层102。
另外，在步骤s1中，也从图2所示的非活性气体供给部61将氮气等非活性气体F供给至图1所示的成膜容器11的内部。在本实施方式中，不仅在步骤s1，也包含后述的步骤s2～s4，常态化的将非活性气体F供给至成膜容器11内。由此，因为将非活性气体F供给至载物台停止器17的周围、成膜容器11的内壁11A以及载物台周边部14A等载物台14的周围，所以能够阻止原料气体110侵入到由各构件形成的间隙中。其结果是，能够抑制在上述间隙或成膜容器11内壁11A附着膜。
接着，停止原料气体110的供给，从气体导入部20供给清除气体(图7所示的步骤s2)。清除气体供给至成膜容器11的内部。原料气体110是从成膜容器11的排气部30排出至成膜容器11的外部。
上述清除气体例如在0.1秒间供给至成膜容器11的内部。而排气部30将成膜容器11的内部的原料气体110或清除气体112排出。排气部30例如在2秒间将成膜容器11的内部的原料气体110或清除气体112排出。如图8中的(b)所示，通过步骤s2，供给清除气体112至成膜容器11的内部，将未吸附在基板100上的原料气体110从成膜容器11中清除。此时，也从非活性气体供给部61供给非活性气体F。
接着，将反应气体供给至成膜容器11的内部(图7所示的步骤s3)。具体而言，通过气体导入部20来供给反应气体(步骤s3)。反应气体通过气体导入部20的通路，被供给至成膜容器11的内部。反应气体例如在1秒间供给至成膜容器11的内部。如图8中的(c)所示，通过步骤s3，将反应气体114供给至成膜容器11的内部，在基板100的表面形成所期望的薄膜层104。另外，作为薄膜层104的一个例子，其是有机EL的保护膜。另外，即使在步骤s3中，也从非活性气体供给部61供给非活性气体F。
接着，停止反应气体的供给，将清除气体供给至气体导入部20(图7所示的步骤s4)。清除气体112是被供给至成膜容器11的内部。清除气体112是从排气部30排出至成膜容器11的外部。清除气体例如在0.1秒间供给至成膜容器11的内部。排气部30将成膜容器11内部的反应气体114或清除气体112排出至成膜容器11外。如图8中的(d)所示，通过步骤s4，将清除气体112供给至成膜容器11的内部，将反应气体114从成膜容器11清除。此时，也从非活性气体供给部61供给非活性气体F。
通过以上所说明的步骤s1～s4，在基板100上形成一原子层的薄膜层104。以下，通过将步骤s1～s4重复规定次数，从而能够形成所期望的膜厚的薄膜层104。
如以上所述，在本实施方式的原子层生长装置10中，在此成膜处理中(上述步骤s1～s4之间)，从非活性气体供给部61供给非活性气体F至成膜容器11内。
具体而言，通过在使图2所示的载物台14的上升停止的载物台停止器17形成的非活性气体供给路径62B，将非活性气体F导入到成膜容器11内，并将非活性气体F供给至载物台14的侧部周边。
详细而言，通过从非活性气体供给路径62B分支的上部非活性气体供给路径(第一非活性气体供给路径)64A，向在载物台停止器17上配置的载物台停止器防附着材料24与成膜容器11的侧壁的内壁11A之间的间隙I供给非活性气体F。另外，通过由载物台停止器防附着材料内周部24C与载物台停止器17之间的间隙、及周边部载物台防附着材料15与载物台停止器防附着材料内周部24C之间的间隙形成的下部非活性气体供给路径(第二非活性气体供给路径)67，来供给非活性气体F至载物台14的侧部周边。而且，通过由载物台停止器防附着材料中部24B与载物台停止器17的上表面之间的间隙形成的中部非活性气体供给路径(第三非活性气体供给路径)70，来供给非活性气体F至载物台停止器防附着材料中部24B与载物台停止器17之间的间隙。
通过以上所述，在本实施方式的原子层生长方法中，在成膜处理期间，能够使非活性气体F分别在载物台停止器防附着材料24与周边部载物台防附着材料15之间的间隙、载物台停止器防附着材料24与成膜容器11之间的间隙、以及载物台停止器17与载物台停止器防附着材料24之间的间隙中持续流动。
由此，在成膜处理期间，能够常态化的使成膜容器11内维持一定的压力。当成膜容器11内的压力变动时容易产生颗粒而使在基板100上形成的薄膜的品质变差，但是在本实施方式的原子层生长方法中，因为在成膜处理期间使非活性气体F持续流动，所以能够将成膜容器11内的压力维持为一定而能够降低颗粒的产生。
其结果是，能够提高在基板100上形成的薄膜的品质。
另外，通过使非活性气体F在上述各个的间隙中流动，能够阻止原料气体110及反应气体114侵入到上述各个的间隙中，而能够抑制在载物台停止器17或各间隙中附着膜。
在此，使用本实施方式所示的原子层生长装置10，针对在370mm×470mm的大面积玻璃基板上形成AlON薄膜进行评价并针对其结果进行说明。原子层生长装置10的各种数值如以下所示。
距离a：3mm、距离b：100mm、距离c：3mm、距离d：3mm、距离e：20mm、距离f：3mm、距离g：50mm、距离h：20mm、距离i：10mm、距离j：1mm、距离k：1mm、距离l：1mm、喷淋孔径：1mm、喷淋孔间距：100mm、非活性气体流量：2000sccm。
另外，使用TMA作为液体原料(原料气体、Al来源)，使用氧等离子体及氮等离子体作为反应气体。按照图7所示的顺序进行成膜。成膜容器11内的压力为100Pa，从上部非活性气体供给路径64A、64B及下部非活性气体供给路径67供给作为非活性气体F的氮气2000sccm，并在成膜顺序中，常态化的供给非活性气体F。
实施成膜处理而使成膜容器11的内部的膜厚为20μm后，并未在载物台停止器17上观察到附着膜及粉的产生。载物台停止器防附着材料24通过使用非分切构造的结构，使得重量较重，但因为通过桥式起重机的一次的作业就能够容易地装卸，所以能够显著地提高维护保养性。
以上，针对本发明人所完成的发明，根据实施方式进行了具体说明，但本发明并不限于到此为止记载的实施方式，毫无疑问，在不脱离本发明的宗旨的范围内能够进行各种变化。
例如，在上述实施方式中所说明的原子层生长装置10也可使用等离子体进行成膜处理，也可不使用等离子体进行成膜处理。
另外，在上述实施方式中，针对在基板100上形成的薄膜的一个例子是有机EL的保护膜的情况进行了说明，但上述薄膜也可以例如为MOSFET(Metal Oxide SemiconductorField Effect Transistor：金属氧化物半导体场效晶体管)的栅极绝缘膜等。
附图标记的说明
10 原子层生长装置
11 成膜容器
14 载物台
14A 载物台周边部
14B 载物台基板保持部
15 周边部载物台防附着材料(第一载物台防附着材料)
16 侧部载物台防附着材料(第二载物台防附着材料)
17 载物台停止器
20 气体导入部
21 喷射器
22 喷射器防附着材料
24 载物台停止器防附着材料
24A 载物台停止器防附着材料外周部(第一载物台停止器防附着材料)
24B 载物台停止器防附着材料中部(第二载物台停止器防附着材料)
24C 载物台停止器防附着材料内周部(第三载物台停止器防附着材料)
61 非活性气体供给部
63 上部非活性气体供给口(第一非活性气体供给口)
64A 上部非活性气体供给路径(第一非活性气体供给路径)
64B 上部非活性气体供给路径(第一非活性气体供给路径)
66 下部非活性气体供给口(第二非活性气体供给口)
67 下部非活性气体供给路径(第二非活性气体供给路径)
69 中部非活性气体供给口(第三非活性气体供给口)
70 中部非活性气体供给路径(第三非活性气体供给路径)
100 基板
110 原料气体
112 清除气体
114 反应气体

Claims (19)

1.一种原子层生长装置，其特征在于，具有：
成膜容器，其对基板进行成膜处理；
载物台，其能够上下移动且设置在所述成膜容器内，并保持所述基板；
载物台停止器，其使所述载物台的上升停止，并通过与所述载物台的接触而划分出进行所述成膜处理的成膜空间和进行所述基板的搬送的搬送空间；
第一载物台防附着材料，其覆盖所述载物台的周边部；
载物台停止器防附着材料，其设置在所述载物台停止器上；
所述载物台停止器防附着材料覆盖所述载物台停止器的位于基板侧的侧面，且所述载物台停止器防附着材料具有向所述第一载物台防附着材料延伸的部分。
2.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述载物台停止器防附着材料具有：
第一载物台停止器防附着材料，其覆盖位于所述载物台停止器的上方的所述成膜容器的侧壁的内面；
第二载物台停止器防附着材料，其覆盖所述载物台停止器的上表面；
第三载物台停止器防附着材料，其覆盖所述载物台停止器的位于基板侧的侧面。
3.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述第一、第二及第三载物台停止器防附着材料一体形成。
4.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，设置有第二载物台防附着材料，该第二载物台防附着材料位于所述载物台与所述第三载物台停止器防附着材料之间，并且覆盖所述载物台的侧部。
5.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，所述载物台停止器防附着材料具有第一载物台停止器防附着材料，该第一载物台停止器防附着材料沿着以俯视视角来看成为四边形的所述成膜容器的四个内壁配置，所述第一载物台停止器防附着材料包括有沿着各个的所述内壁配置的四个板状构件，所述四个板状构件是相邻的所述板状构件之间分别接触。
6.根据权利要求5所述的原子层生长装置，其特征在于，构成所述第一载物台停止器防附着材料的所述四个板状构件分别是在相邻的所述板状构件之间不具有空间。
7.根据权利要求5所述的原子层生长装置，其特征在于，在所述成膜空间的所述内壁与所述载物台停止器防附着材料之间具有能够供给非活性气体的间隙。
8.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述载物台停止器具有：
第一非活性气体供给口，其供给非活性气体至第一非活性气体供给路径，且所述第一非活性气体供给路径是由所述第一载物台停止器防附着材料与所述成膜容器之间的间隙所形成的；
第二非活性气体供给口，其供给所述非活性气体至第二非活性气体供给路径，且所述第二非活性气体供给路径是由所述第三载物台停止器防附着材料与所述载物台停止器之间的间隙、以及所述第三载物台停止器防附着材料与所述第一载物台防附着材料之间的间隙所形成的；
在所述载物台停止器及所述成膜容器具有将所述非活性气体供给至所述第一非活性气体供给口及所述第二非活性气体供给口的非活性气体供给路径，
在所述成膜容器具有将所述非活性气体供给至所述非活性气体供给路径的非活性气体供给部。
9.根据权利要求2所述的原子层生长装置，其特征在于，所述载物台停止器具有第三非活性气体供给口，该第三非活性气体供给口将非活性气体供给至第三非活性气体供给路径，该第三非活性气体供给路径是由所述第二载物台停止器防附着材料与所述载物台停止器的上表面之间的间隙所形成的。
10.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，所述第一非活性气体供给口在所述载物台停止器的上表面的周围，沿着整周形成有多个，或者在整周上连续形成。
11.根据权利要求8所述的原子层生长装置，其特征在于，所述第二非活性气体供给口沿着所述载物台停止器的位于基板侧的侧面的整周形成有多个，或者在整周上连续形成。
12.根据权利要求9所述的原子层生长装置，其特征在于，所述第三非活性气体供给口沿着所述载物台停止器的上表面的整周形成有多个，或者在整周上连续形成。
13.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，具有：
喷射器，其具有第一开口部，且使得所述成膜容器的气体导入侧开口部与所述第一开口部的位置相对应而设置在所述成膜容器的外壁上；
喷射器防附着材料，其以相比于所述喷射器而位于所述成膜容器的内侧的方式插入并安装到所述气体导入侧开口部；
排气法兰，其具有第二开口部，且使得所述成膜容器的气体排气侧开口部与所述第二开口部的位置相对应而设置在所述成膜容器的外壁上；
排气防附着材料，其以相比于所述排气法兰而位于所述成膜容器的内侧的方式插入并安装到所述气体排气侧开口部；
所述喷射器防附着材料及所述排气防附着材料分别在所述成膜容器的内侧具有比所述气体导入侧开口部及所述气体排气侧开口部大的法兰。
14.根据权利要求13所述的原子层生长装置，其特征在于，所述第一载物台停止器防附着材料在一个部位或多个部位具有能够插入并安装所述喷射器防附着材料及所述排气防附着材料的防附着材料开口部，
所述法兰比所述防附着材料开口部大。
15.根据权利要求1所述的原子层生长装置，其特征在于，具有与所述载物台相对向而设置的平板电极，
具有在所述平板电极的侧方支撑所述平板电极的绝缘支撑体，
在保持所述绝缘支撑体的顶板支撑部的周边部具有将所述顶板支撑部及所述绝缘支撑体覆盖的绝缘防附着材料。
16.一种原子层生长方法，其特征在于，具有：
(a)将基板装载在设置于成膜容器内的载物台上的工序；
(b)在所述(a)工序之后，从在所述成膜容器设置的气体导入部导入原料气体至所述成膜容器内，并使所述原料气体吸附在所述基板上的工序；
(c)在所述(b)工序之后，从所述气体导入部将清除气体导入所述成膜容器内，将所述原料气体排出至所述成膜容器外的工序；
(d)在所述(c)工序之后，从所述气体导入部将反应气体导入所述成膜容器内，并将所述反应气体供给至所述基板上，在所述基板的表面上形成所期望的薄膜的工序；
(e)在所述(d)工序之后，从所述气体导入部将清除气体导入所述成膜容器内，将所述反应气体排出至所述成膜容器外的工序；
在所述(b)～(e)工序的期间使非活性气体沿着覆盖所述载物台的侧部及周边部的载物台防附着材料在所述成膜容器内流动。
17.根据权利要求16所述的原子层生长方法，其特征在于，经由从形成于所述载物台停止器的非活性气体供给路径分支的第一非活性气体供给路径，将所述非活性气体供给至载物台停止器防附着材料与所述成膜容器的内壁之间的间隙中，其中，所述载物台停止器防附着材料是配置在使所述载物台的上升停止的载物台停止器上。
18.根据权利要求17所述的原子层生长方法，其特征在于，经由所述非活性气体供给路径中的第二非活性气体供给路径将所述非活性气体供给至所述载物台的侧部。
19.根据权利要求18所述的原子层生长方法，其特征在于，经由从所述非活性气体供给路径分支的第三非活性气体供给路径将所述非活性气体供给至载物台停止器防附着材料与所述载物台停止器之间的间隙中。
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