CN101223631A - 气体处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及气体处理装置。成膜装置(100)包括：收容晶片的腔室(1)；配置在腔室(1)内，载置晶片的载置台；设置在与载置台上相对的位置，向腔室(1)内喷出处理气体的喷头(4)；和对腔室(1)内进行排气的排气机构。喷头(4)包括：形成有大量用于喷出处理气体的气体喷出孔(45a、45b)的中央部(46)；位于中央部(46)的外周侧且不存在气体喷出孔(45a、45b)的外周部(47)，成膜装置(100)还包括从外周部(47)的全周向大气侧散热喷头(4)的热的散热机构。

Description

气体处理装置
技术领域
本发明涉及使用处理气体进行被处理基板的气体处理的气体处理装置。
背景技术
近年来，基于LSI的高集成化、高速化的要求，构成LSI的半导体元件的设计规则日益微细化，与此同时，在CMOS器件中，要求栅极绝缘膜的SiO2电容换算膜厚的EOT(Equivalent Oxide Thickness：等效氧化层厚度)为1.5nm程度以下的值。作为不增加栅极漏电流而实现这样的薄绝缘膜的材料，高介电常数材料即所谓High-k材料被人们所关注。
在使用高介电常数材料作为栅极绝缘膜的情况下，必须与硅基板无相互扩散，热力学稳定，从该观点出发，铪、锆或镧类元素的氧化物或其金属硅酸盐被视为有希望。
而且，硅酸铪(HfSiOx)、硅酸锆(ZrSiOx)等金属硅酸盐膜的CMOS逻辑器件的评价在有力地推进，由于它的高载流子移动度，被作为下一代的栅极绝缘膜的候补而寄予很大期待。
作为以微细的厚度且优良的精度形成由这种高介电常数材料构成的绝缘膜的方法，已知利用气化的有机金属化合物的热分解进行薄膜的形成的MOCVD技术。
以MOCVD技术为首，一般CVD技术是在载置于载置台的被加热的半导体晶片上，从相对的喷头供给原料气体，通过原料气体的热分解、还原反应等，在半导体晶片上进行薄膜形成，通常为了进行气体的均匀供给，喷头采用如下结构：在内部设置与半导体晶片直径相同程度大小的扁平的气体扩散空间，在喷头的相对表面上分散配置大量与该气体扩散空间连通的气体喷出孔(例如专利文献1)。
但是，如上所述在喷头内设置有扁平的气体扩散空间的情况下，因为该空间妨碍向背面侧的传递(散热)，被来自加热半导体晶片的载置台的辐射热所加热，在反复的成膜中导致喷头的温度上升。
特别是在MOCVD中，由于利用原料气体的热分解，当喷头的温度上升，其温度超过该原料气体的热分解温度时，在喷头内部、喷头面前的配管内等发生不希望的热分解反应，向半导体晶片供给的原料气体的浓度下降，或者由于原料气体的分解生成物附着在喷头的表面，喷头的反射率下降而使得半导体晶片的温度下降，结果成为成膜不良的原因。
而且，当如上所述喷头的温度随时间上升时，成为膜质、膜组成产生大的偏差的原因，而且，上述分解生成物从喷头的表面剥离，成为异物飞落于半导体晶片上，也成为成膜不良的原因。
专利文献1：日本特开平8-291385号公报
发明内容
本发明的目的在于提供一种气体处理装置，其能够有效抑制喷头等的气体喷出机构的温度上升，并减少由气体喷出机构的温度上升引起的处理不良、不均匀。
根据本发明的第一观点，提供一种气体处理装置，其包括：收容被处理基板的处理容器；配置在上述处理容器内，载置被处理基板的载置台；设置在与上述载置台上相对的位置，向上述处理容器内喷出处理气体的气体喷出机构；对上述处理容器内进行排气的排气机构；和向大气侧散发上述气体喷出机构的热的散热机构。上述气体喷出机构包括：形成有大量用于喷出上述处理气体的气体喷出孔的中央部；和位于上述中央部的外周侧且不存在上述气体喷出孔的外周部。上述散热机构从上述外周部的大致全周向大气侧散发上述气体喷出机构的热。
根据本发明的第二观点，提供一种气体处理装置，其包括：收容被处理基板的处理容器；配置在上述处理容器内，载置被处理基板的载置台；设置在与上述载置台上相对的位置，向上述处理容器内喷出处理气体的气体喷出机构；对上述处理容器内进行排气的排气机构；和向大气侧散发上述气体喷出机构的热的散热机构。上述气体喷出机构包括：形成有用于导入上述处理气体的气体导入孔的气体导入部；形成有大量用于向上述载置台喷出上述处理气体的气体喷出孔的气体喷出部；和设置在上述气体导入部和上述气体喷出部之间的使上述处理气体扩散的气体扩散部。上述气体喷出部包括：形成有大量用于喷出上述处理气体的气体喷出孔的中央部；和位于上述中央部的外周侧且不存在上述气体喷出孔的外周部。上述散热机构从上述外周部的大致全周向大气侧散发上述气体喷出机构的热。
在上述本发明的第一或第二观点中，上述散热机构能够采用具有散热部件的结构，该散热部件以环状且与大气相接的方式设置在上述外周部的大致全周，对上述气体喷出机构的热进行传热，并向大气侧散热。在这种情况下，上述散热机构能够采用下述结构：进一步包括对上述外周部与上述散热部件的热传递进行调整的环状的传热调整部件，上述散热部件以隔着上述传热调整部件与上述外周部的大致全周相接的方式设置。此外，上述散热机构能够采用包括冷却机构的结构，该冷却机构设置在上述散热部件上，从上述外周部对上述气体喷出机构进行冷却，而且，上述冷却机构能够采用具有流通冷却介质的环状的冷媒流路或/和热电半导体元件的结构。而且，上述散热机构能够采用进一步包括进行加热以调整上述气体喷出机构的温度的加热机构的结构。
根据本发明的第三观点，提供一种气体处理装置，其包括：收容被处理基板的处理容器；配置在上述处理容器内，载置被处理基板的载置台；设置在与上述载置台上相对的位置，向上述处理容器内唢出处理气体的气体喷出机构；和对上述处理容器内进行排气的排气机构。上述气体喷出机构包括：形成有用于导入上述处理气体的气体导入孔的气体导入部；形成有大量用于向上述载置台喷出上述处理气体的气体喷出孔的气体喷出部；和设置在上述气体导入部与上述气体喷出部之间的使上述处理气体扩散的气体扩散部。上述气体喷出部包括：形成有大量用于喷出上述处理气体的气体喷出孔的中央部；和位于上述中央部的外周侧且不存在上述气体喷出孔的外周部。上述外周部呈环状，在其上侧的大致全周形成有散热面。上述气体处理装置还包括：散热部件，其按照与上述散热面对应的方式，沿上述外周部的大致全周以环状且与大气相接的方式设置，对上述气体喷出机构的热进行传热并向大气侧散热；传热调整部件，其在上述散热面与上述散热部件之间，以遍及全周并与它们接触的方式设置，通过调整它们的接触面积，调整从上述外周部向上述散热部件的热传递；设置在上述散热部件上，通过该散热部件对上述气体唢出机构进行冷却的冷却机构；和设置在上述散热部件上，加热该散热部件以调整上述气体喷出机构的温度的加热机构。
在上述本发明的第三观点中，上述冷却机构能够采用具有流通流却介质的环状的冷媒流路的结构。此外，上述冷却机构能够采用具有热电半导体元件的结构。
在上述本发明的第一到第三的观点的任一项中，能够采用在上述中央部的与上述载置台上相对的而上，可装卸地设置有具有上述气体喷出孔的覆盖部件的结构。在这种情况下，优选在上述覆盖部件的表而实施防蚀铝加工。
此外，气体处理装置可以是进行MOCVD的装置。而且，能够使用包括铪类原料的气体作为处理气体。
根据本发明，因为从气体喷出机构的不存在气体喷出孔的外周部的大致全周，通过散热机构(或散热部件)向处理容器外的大气侧散热气体喷出机构的热，能够极为有效地对气体喷出机构的热进行散热，能够有效地抑制气体喷出机构的温度上升。
其结果是，在通过从气体喷出机构供给至载置台上的被处理基板的处理气体的热分解反应在被处理基板上进行成膜的成膜处理的情况下，能够将气体喷出机构的温度维持在原料气体的热分解温度以下，能够避免由于气体喷出机构的过热，导致原料气体在到达被处理基板之前在该气体喷出机构的内部或连接配管内就已热分解等问题，能够抑制原料气体的浓度的降低和偏差，或因分解生成物的附着引起的气体喷出机构的反射率的变化等导致的薄膜形成速度的降低(所需时间的增大)、膜厚、膜质的偏差的产生，而且能够抑制分解生成物从气体喷出机构剥离并飞落在被处理基板上引起的成膜缺陷的产生等。
附图说明
图1是表示本发明的气体处理装置的一个实施方式的成膜装置的截面图。
图2是表示构成成膜装置的腔室和喷头的主要部分的截面图。
图3是表示腔室和喷头的主要部分的切口立体图。
图4是表示构成成膜装置的散热部件的变更例的图。
图5是表示在使用成膜装置进行多块晶片连续成膜的情况下的喷头的温度和硅酸铪膜的膜厚的图。
图6是表示使用成膜装置，向腔室内供给膜厚1.5μm的量的成膜气体的情况，以及供给膜厚6μm的量的成膜气体的情况下的晶片的温度与载置台的温度的相关关系的图。
图7是表示使用成膜装置，向腔室内供给膜厚1.5μm的量的成膜气体的情况，以及供给膜厚6μm的量的成膜气体的情况下的喷头的温度与载置台的温度的相关关系的图。
具体实施方式
以下参照附图具体说明本发明的实施方式。
图1是表示本发明的气体处理装置的一个实施方式的成膜装置的截而图，图2是表示构成成膜装置的腔室和喷头的主要部分的截面图，图3是表示腔室和喷头的主要部分的切口立体图。
该成膜装置100具有气密构成的作为处理容器的大致圆筒状的腔室1，其中用于水平支承作为被处理体的Si基板(晶片)W的载置台2，以通过设置于其中央下部的圆筒状的支承部件20支承的状态加以配置。该载置台2由AlN等陶瓷构成。此外，在载置台2中埋入有加热器21，该加热器21与加热器电源22连接。另一方面，在载置台2的上面附近设置有热电偶23，热电偶23的信号被传送至控制器24。然后，控制器24根据热电偶23的信号向加热器电源22发送指令，控制加热器21的加热，将晶片W控制为规定的温度。
在腔室1的内壁、载置台2和支承部件20的外周，设置有用于防止附着物堆积的石英衬底3。石英衬底3与腔室1的壁部之间流过吹扫气体(保护气体)，防止附着物向壁部堆积、以及由此引起的污染。
腔室1的上面开口，以从此处向腔室1内突出的方式设置有喷头4。喷头4用于将从后述的气体供给机构7供给的成膜用的气体向腔室1内喷出，从上侧开始依次具有气体导入板(气体导入部40)、气体扩散板(气体扩散部)43、气体喷出板(气体喷出部41)。
在气体导入板40中设置有：导入作为金属原料气体的四叔丁氧基铪(HTB：Hafnium tetra-tertiary butoxide)和作为硅原料气体的四乙氧基甲硅烷(TEOS：Tetraethoxysilane)的第一导入孔42a；和导入作为氧化剂的O2气体的第二导入孔42b。气体扩散板43构成为在上侧和下侧分别具有大致水平扩展的气体扩散空间44a、44b。第一导入孔42a连接上侧的第一气体扩散空间44a，第二导入孔42b连接下侧的第二气体扩散空间44b。气体喷出板41包括：中央部46，其大致等间隔地分别形成有大量连接于第一气体扩散空间44a的第一气体喷出孔45a和连接于第二气体扩散空间44b的第二气体喷出孔45b；和设置在该中央部46的外周侧，不存在气体喷出孔45a、45b的环状的外周部47。而且，由外周部47覆盖气体扩散板43的侧面。通过这样的结构，喷头4成为不将HTB和TEOS与O2混合，分别独立地从第一气体喷出孔45a和第二气体喷出孔45b喷出的后混合型。
在喷头4的中央部46的底面，即与载置台2的上面相对的面，通过未图示的螺栓等可装卸地设置有覆盖部件48，其形成有大量第一气体喷出孔45a和第二气体喷出孔45b。覆盖部件48在表面实施特殊的防蚀铝加工，预先将反射率抑制得较低。由此防止由于分解生成物或反应生成物等的附着引起的喷头4表面的反射率的大幅降低。
构成喷头4的外周部47设置得比气体导入板40和气体扩散板43更靠外侧，以与气体扩散板43的侧面密合的方式从中央部46向上方延伸，其上端部凸缘状向外侧突出。喷头4通过由未图示的螺栓等将外周部47固定在设置于腔室1的开口端部上的盖(lid)10上而保持于腔室1内。在外周部47的上侧或上端，大致全周形成有散热面，以与该散热面对应的方式，在外周部47的大致全周设置有用于对喷头4的热进行散热的环状的散热部件50。散热部件50以热传导性优异的材质形成，在其内部具有流通冷却水等冷却介质的环状冷媒流路51。环状冷媒流路51通过供给冷却介质的供水管52和排出冷却介质的排水管53，与未图示的冷媒源连接，由此构成为冷却介质循环地在环状冷媒流路51内流通，冷却散热部件50，进一步提高喷头4的散热效率。此外，在喷头4上设置有热电偶54，在散热部件50上设置有通过加热来调整被冷却介质冷却的散热部件50的温度，即喷头4的温度的加热器55。
通过这样的结构，热电偶54的检测信号被输入至温度控制器56，温度控制器56基于该检测信号，向设置在冷媒源的冷媒源输出单元57和连接于加热器55的加热器电源输出单元58输出控制信号，对环状冷媒流路51内流通的冷媒的温度和加热器55的加热温度进行调整，能够对喷头4的温度进行反馈控制。
在外周部47和散热部件50之间，设置有调整它们的热传递的环状的传热调整部件59，散热部件50以隔着传热调整部件59与外周部47的散热面大致全周相接的方式设置。通过适当设定传热调整部件59的宽度等，调整外周部47与散热部件50的接触面积，能够进行喷头4由散热部件50的散热效率的调整，即喷头4的温度调整。
环状冷媒流路51、供水管52、排水管53、热电偶54、温度控制器56、冷媒源和冷媒源输出单元57构成冷却机构，热电偶54、加热器55、温度控制器56和加热器电源输出单元58构成加热机构。此外，散热部件50、传热调整部件59、冷却机构和加热机构构成散热机构。
其中，在以环状冷媒流路51的冷却中散热部件的散热效果不充分的情况下，可以如图4所示，在散热部件50上设置热电半导体元件60。即使在这种情况下也能够在散热部件50内设置环状冷媒流路51。
在腔室1的底壁12上设置有向下方突出的排气室13。排气室13的侧面连接有排气管14，该排气管14上连接有排气装置15。而且，通过使该排气装置15动作能够将腔室1内减压至规定的真空度。即，排气室13、排气管14和排气装置15构成用于对腔室1内进行排气的排气机构。
在腔室1的侧壁设置有用于在其与晶片搬送室(未图示)间进行晶片W的搬入搬出的搬入搬出口16，和开关该搬入搬出口16的闸阀17。
气体供给机构7包括：存储作为铪原料的液体的HTB的HTB罐(tank)70；供给作为HTB的载气的N2气体的N2气体供给源71；存储作为硅原料的液体的TEOS的TEOS罐82；供给作为TEOS的载气的N2气体的N2气体供给源83；和供给作为氧化剂的O2气体的O2气体供给源72。
在HTB罐70中导入He气体等压送气体，HTB罐70内的液体状的HTB通过配管73和液体质量流量控制器81导入气化单元74。在气化单元74被气化的HTB通过从N2气体供给源71通过配管75和质量流量控制器78导入气化单元74的N2气体在配管76中搬送，并导入喷头4的第一导入孔42a。其中，配管76和喷头4上设置有将气化后的HTB加热至不会冷凝程度的温度的未图示的加热器。
TEOS罐82被加热至内部的液体状的TEOS的一部分蒸发的程度，在TEOS罐82内蒸发形成的TEOS蒸气通过从N2气体供给源83通过配管85导入配管84的N2气体，通过高温质量流量控制器86在配管87中搬送，汇流至配管76并导入喷头4的第一导入孔42a。TEOS由于活性度比较低，即使在配管76与HTB汇流也不产生反应，倒是抑制HTB的分解。其中，配管87上设置有将气化的TEOS加热至不会液化的程度的温度的未图示的加热器。
来自O2气体供给源72的O2气体在配管77中搬送，导入唢头4的第二导入孔42b。
其中，搬送气体的配管75、77上分别设置有夹着质量流量控制器78的两个阀79。此外，在配管84、85上也分别设置有阀79，而且，在配管76、77、87的喷头4附近也分别设置有阀79。
成膜装置100的各结构部为与处理控制器90连接并被其控制的结构。在处理控制器90上连接有由键盘、显示器等构成的用户接口91，键盘用于工序管理者管理成膜装置100而进行指令的输入操作等，显示器将成膜装置100的运行状况可视化显示。
此外，在处理控制器90上连接有存储部92，该存储部92中存储有用于通过处理控制器90的控制实现在成膜装置100中执行的各种处理的控制程序、用于根据处理条件使等离子体蚀刻装置的各结构部执行处理的程序即方案(recipe)。方案可以存储在硬盘或半导体存储器中，也能够以收容在CD-ROM、DVD等可移动性的存储介质的状态设置于存储部92的规定位置。而且，还可以从其他的装置，例如通过专用线路适宜地传送方案。
而且，根据需要，通过来自用户接口91的指示等从存储部92调出任意的方案，并使处理控制器90执行，由此能够在处理控制器90的控制下，进行在成膜装置100中的所希望的处理。
在这样构成的成膜装置100中，首先对腔室1内进行排气使压力为400Pa左右，通过加热器21加热晶片W至规定的温度。在该状态下，使来自HTB罐70的HTB在气化单元74被气化并供给至第一导入孔42a，并且从TEOS罐82将气化的TEOS供给至第一导入孔42a，将来自O2气体供给源72的O2气体供给至第二导入孔42b，将HTB与TEOS和O2分别从第一气体喷出孔45a和第二气体喷出孔45b喷出，开始成膜。此时，HTB通过配管76和喷头4内的未图示的加热器加热，防止其冷凝，TEOS通过配管87和喷头4内的未图示的加热器加热，防止其液化。
然后，在加热至成膜温度的晶片W上产生HTB、TEOS和O2气体的反应，在晶片W上成膜硅酸铪(HfSiOx)膜。
这样成膜规定膜厚的硅酸铪膜后，调整腔室1内的压力，打开闸阀17，从搬入搬出口16搬出晶片W，结束一块晶片的热处理。
构成喷头4的外周部47，因为不存在气体喷出孔45a、45b等空隙，隔着散热部件50与大气侧连接，所以在成膜中，喷头4特别是气体喷出板41的热通过散热部件50从外周部47的散热面向腔室1外的大气侧有效地散热。因此，能够抑制喷头4的温度上升，维持于不足HTB的自我分解温度。此外，因为冷却介质在环状冷媒流路51内流通，冷却散热部件50，所以能够进一步提高喷头4由散热部件50的散热效率。
在由于长期的连续使用等，在设置于喷头4的覆盖部件48上堆积有氧化物等反应生成物时，卸下覆盖部件48进行清洁，之后再次安装，或者也可以安装新的覆盖部件。在成膜装置中，通常难以完全防止反应生物向喷头的附着，特别在如本实施方式这样，在成膜气体中使用HTB等铪类原料的情况下，在腔室内没有有效的清洁单元，但是通过在中央部46的与载置台2上相对的面上可装卸地设置覆盖部件48，能够进行卸下该覆盖部件48后的清扫或更换，因而能够容易地除去附着在中央部46的氧化物等反应生成物，能够提高装置的维护性。
图5是表示使用成膜装置100进行多块晶片W的连续成膜的情况(载置台2的加热温度500℃，腔室1内的压力30Pa左右，硅酸铪膜的基准膜厚2mm)下的喷头4的温度和硅酸铪膜的膜厚的图。
如图5所示，可确认即使对600块晶片W进行连续成膜，在成膜装置100中喷头4的温度和施于晶片W的硅酸铪膜的膜厚也基本稳定，不产生变动。这可认为是因为喷头4通过散热机构或散热部件50散热，抑制从喷头4唢出的之前的成膜气体的热分解反应。而且，也可认为是因为通过覆盖部件48抑制氧化物等向喷头4的附着。
图6是表示使用成膜装置100，向腔室1内供给膜厚1.5μm(相当于晶片750块)的量的成膜气体的情况，以及供给膜厚6μm(相当于晶片3000块)的量的成膜气体的情况(腔室1内的压力30Pa左右，实际在晶片W上不进行成膜)下的晶片W的温度与载置台2的温度的相关关系的图，图7是表示在与图6相同的情况下的喷头4的温度与载置台2的温度的相关关系的图。
如图6所示，能够确认在供给膜厚1.5μm的量的成膜气体的情况下，以及在供给膜厚6μm的量的成膜气体的情况下，晶片W和载置台2的温度上升的举动大致相等，并且晶片W的温度和载置台2的温度也大致相等。此外，如图7所示，能够确认在供给膜厚1.5μm的量的成膜气体的情况下，以及供给膜厚6μm的量的成膜气体的情况下，喷头4和载置台2的温度上升的举动大致相等，并且抑制喷头4的温度上升。即，可认为通过使用本发明的成膜装置100，至少如果是晶片3000块左右的成膜，能够将喷头4的温度上升抑制得较低，并且能够防止晶片W的温度降低，抑制因喷头4和晶片W的温度变化的不同引起的膜质等的偏差。
由上述可知，在本实施方式中，因为能够仅将晶片W加热至成膜温度，所以能够设定较低的喷头4的温度，较高的晶片W的温度，仅使晶片W上产生规定的反应。
而且，本发明并不现定于上述实施方式，能够有各种变形。例如，在上述实施方式中使用HTB作为成膜原料，但不限于此，也可以使用其他的烃氧基铪(hafnium alcoxide)原料，例如也可以使用四异丙氧基铪(hafnium tetra isopropoxide)、四正丁氧基铪(hafnium tetra normalbutoxide)。此外，在上述实施方式中表示的是形成硅酸铪膜的情况，但也能够应用于形成其它金属的硅酸盐的情况，在这种情况下也可以使用包含该金属的烃氧基金属原料。例如也能够应用于进行硅酸锆成膜的情况，在这种情况下能够使用四叔丁氧基锆(ZTB：zirconiumtetra-tertiary butoxide)。此外，在上述实施方式中使用TEOS作为硅原料，但也可以是乙硅烷、甲硅烷等硅氢化物。此外，在上述实施方式中以半导体晶片的处理为例进行了说明，但并不限定于此，也能够应用于对液晶显示装置用玻璃基板等其他基板进行的处理。
产业上的可利用性
根据本发明，由于能够抑制喷头的温度上升，所以能够有效地防止原料气体的分解引起的浓度降低和由分解生成物的附着引起的喷头的反射率下降等，由此能够防止晶片的加热温度下降，使成膜的均匀性和再现性提高，从而本发明能够广泛应用于在处理容器内，从相对载置于载置台上的被加热的基板设置的喷头供给处理气体，进行所希望的成膜处理的成膜装置。

Claims (29)

1.一种气体处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台上相对的位置，向所述处理容器内喷出处理气体的气体喷出机构；
对所述处理容器内进行排气的排气机构；和
向大气侧散发所述气体喷出机构的热的散热机构，其中
所述气体喷出机构包括：
形成行大量用于喷出所述处理气体的气体喷出孔的中央部；和位于所述中央部的外周侧且不存在所述气体喷出孔的外周部，
所述散热机构从所述外周部的大致全周向大气侧散发所述气体喷出机构的热。
2.如权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构包括散热部件，该散热部件以环状且与大气相接的方式设置在所述外周部的大致全周，对所述气体喷出机构的热进行传热，并向大气侧散热。
3.如权利要求2所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构还包括对所述外周部与所述散热部件的热传递进行调整的环状的传热调整部件，
所述散热部件以隔着所述传热调整部件与所述外周部的大致全周相接的方式设置。
4.如权利要求2所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构包括设置在所述散热部件上，从所述外周部对所述气体喷出机构进行冷却的冷却机构。
5.如权利要求4所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括流通冷却介质的环状的冷媒流路。
6.如权利要求4所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括热电半导体元件。
7.如权利要求4所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构还包括进行加热以调整所述气体喷出机构的温度的加热机构。
8.如权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述中央部的与所述载置台上相对的而上，可装卸地设置有具行所述气体喷出孔的覆盖部件。
9.如权利要求8所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述覆盖部件的表而实施防蚀铝加工。
10.如权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于：
进行MOCVD。
11.如权利要求1所述的气体处理装置，其特征在于：
所述处理气体包括铪类原料构成。
12.一种气体处理装置，其特征在于，包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台上相对的位置，向所述处理容器内喷出处理气体的气体喷出机构；
对所述处理容器内进行排气的排气机构；和
向大气侧散发所述气体喷出机构的热的散热机构，其中
所述气体喷出机构包括：
形成有用于导入所述处理气体的气体导入孔的气体导入部；
形成有大量用于向所述载置台喷出所述处理气体的气体喷出孔的气体喷出部；和
设置在所述气体导入部和所述气体喷出部之间的使所述处理气体扩散的气体扩散部，
所述气体喷出部包括：
形成有大量用于喷出所述处理气体的气体喷出孔的中央部；和
位于所述中央部的外周侧且不存在所述气体喷出孔的外周部，
所述散热机构从所述外周部的大致全周向大气侧散发所述气体喷出机构的热。
13.如权利要求12所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构包括具有散热部件，该散热部件以环状且与大气相接的方式设置在所述外周部的大致全周，对所述气体喷出机构的热进行传热，并向大气侧散热。
14.如权利要求13所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构还包括对所述外周部与所述散热部件的热传递进行调整的环状的传热调整部件，
所述散热部件以隔着所述传热调整部件与所述外周部的大致全周相接的方式设置。
15.如权利要求13所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构包括设置在所述散热部件上，从所述外周部对所述气体喷出机构进行冷却的冷却机构。
16.如权利要求15所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括流通冷却介质的环状的冷媒流路。
17.如权利要求15所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括热电半导体元件。
18.如权利要求15所述的气体处理装置，其特征在于：
所述散热机构包括进行加热以调整所述气体喷出机构的温度的加热机构。
19.如权利要求12所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述中央部的与所述载置台上相对的面上，可装卸地设置有具有所述气体喷出孔的覆盖部件。
20.如权利要求19所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述覆盖部件的表面实施防蚀铝加工。
21.如权利要求12所述的气体处理装置，具特征在于：
进行MOCVD。
22.如权利要求12所述的气体处理装置，其特征在于：
所述处理气体包括铪类原料构成。
23.一种气体处理装置，其包括：
收容被处理基板的处理容器；
配置在所述处理容器内，载置被处理基板的载置台；
设置在与所述载置台上相对的位置，向所述处理容器内喷出处理气体的气体喷出机构；和
对所述处理容器内进行排气的排气机构，其中，
所述气体喷出机构包括：
形成有用于导入所述处理气体的气体导入孔的气体导入部；
形成有大量用于向所述载置台喷出所述处理气体的气体喷出孔的气体喷出部；和
设置在所述气体导入部与所述气体喷出部之间的使所述处理气体扩散的气体扩散部，
所述气体喷出部包括：
形成有大量用于喷出所述处理气体的气体喷出孔的中央部；和
位于所述中央部的外周侧且不存在所述气体喷出孔的外周部，
所述外周部呈环状，在其上侧的大致全周形成有散热面，
所述气体处理装置的特征在于，还包括：
散热部件，其按照与所述散热面对应的方式，沿所述外周部的大致全周以环状且与大气相接的方式设置，对所述气体喷出机构的热进行传热并向大气侧散热；
传热调整部件，其在所述散热面与所述散热部件之间，以遍及全周并与它们接触的方式设置，通过调整它们的接触面积，调整从所述外周部向所述散热部件的热传递；
冷却机构，其设置在所述散热部件上，通过该散热部件对所述气体喷出机构进行冷却；和
加热机构，其设置在所述散热部件上，加热该散热部件以调整所述气体喷出机构的温度。
24.如权利要求23所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括流通冷却介质的环状的冷媒流路。
25.如权利要求23所述的气体处理装置，其特征在于：
所述冷却机构包括热电半导体元件。
26.如权利要求23所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述中央部的与所述载置台上相对的面上，可装卸地设置有具有所述气体喷出孔的覆盖部件。
27.如权利要求26所述的气体处理装置，其特征在于：
在所述覆盖部件的表面实施防蚀铝加工。
28.如权利要求23所述的气体处理装置，其特征在于：
进行MOCVD。
29.如权利要求23所述的气体处理装置，其特征在于：
所述处理气体包括铪类原料构成。
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