CN109301042B - 一种垂直结构led芯片及其制作方法 - Google Patents
一种垂直结构led芯片及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109301042B CN109301042B CN201811131735.2A CN201811131735A CN109301042B CN 109301042 B CN109301042 B CN 109301042B CN 201811131735 A CN201811131735 A CN 201811131735A CN 109301042 B CN109301042 B CN 109301042B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- laser
- bonding
- led chip
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 40
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000003795 desorption Methods 0.000 claims abstract description 24
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims abstract description 21
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 6
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 claims description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 169
- 230000008569 process Effects 0.000 description 13
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000000489 vacuum metal deposition Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 150000002259 gallium compounds Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0075—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds comprising nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：在蓝宝石衬底上形成激光剥离缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括脱附层、激光吸收层和应力缓冲层；在激光剥离缓冲层上形成生长缓冲层和外延层；在外延层上依次形成电流扩展层、反射层和第一键合层；在第二衬底上形成第二键合层；将第一键合层和第二键合层进行键合、共晶，形成共晶层；激光剥离蓝宝石衬底。本发明改善了蓝宝石衬底激光剥离效果，提高垂直结构LED芯片的生产良率。相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片。
Description
技术领域
本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种垂直结构LED芯片及其制作方法。
背景技术
LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，倒装LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。
LED的结构主要包括正装结构、倒装结构与垂直结构，正装结构正面出光，电极会阻挡出光，而倒装结构背面出光，出光量较大，但是这两种结构都具有电流拥挤效应以及蓝宝石衬底散热问题，从而影响了LED器件的效率及寿命，而垂直结构可以克服这些问题，具有散热快，电流扩散均匀，发光效率高，出光面积大等优点。但是，垂直结构的制作工艺复杂，P电极需要经过制作电流扩散层、反射镜层、键合与剥离过程，剥离后还需要制作N电极。制作垂直结构LED芯片的三种衬底中，碳化硅与硅衬底各自存在技术以及成本的问题，难以得到广泛应用，而蓝宝石衬底是市场的主流技术路线，已得到广泛应用。但是，用蓝宝石衬底制作垂直结构LED芯片，激光剥离蓝宝石衬底是一项极其关键的工艺，从宏观角度来说激光剥离会产生高温与气体冲击，损伤外延材料而且剥离后会导致产品良率低，造成制作成本高，产品寿命短，发光效率低。一般的蓝宝石衬底外延材料在激光剥离时，由于激光光源的能量不均匀性及在和激光冲击产生高温与气体，使得外延分离层表面产生裂缝与变得粗糙，同时对其它膜层造成冲击，导致剥离效果差，增加了制作N电极难度，最后导致芯片亮度低、漏电等影响良率的问题，因此激光剥离工艺成了垂直结构LED芯片生产中的瓶颈。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种垂直结构LED芯片的制作方法，改善激光剥离效果，提高芯片的生产良率。
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种垂直结构LED芯片，亮度高。
为了解决上述问题，本发明提供了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括：
在蓝宝石衬底上形成激光剥离缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括脱附层、激光吸收层和应力缓冲层，所述脱附层由低熔点物质制成，所述低熔点物质为Al、AlN、Mg或GaN中的一种或几种，所述脱附层设置在蓝宝石衬底上，所述激光吸收层由GaN和/或AlN制成，并设置在脱附层上，所述应力缓冲层由AlGaN和/或AlN制成，并设置在激光吸收层上；
在激光剥离缓冲层上形成生长缓冲层和外延层；
在外延层上依次形成电流扩展层、反射层和第一键合层；
在第二衬底上形成第二键合层；
将第一键合层和第二键合层进行键合、共晶，形成共晶层；
激光剥离蓝宝石衬底；
制作电极。
作为上述方案的改进，所述共晶层为AuSn多相合金层，其厚度为200-1000nm。
作为上述方案的改进，所述共晶层的制作方法包括：将第一键合层与第二键合层对齐贴合，采用真空热压键合技术对第一键合层和第二键合层金属高温高压键合、共晶，其中，温度为200-300摄氏度，压力为300-2000kg/m2。
作为上述方案的改进，第一键合层和第二键合层均由金、锡、镍、铟和镓中的一种或几种金属制成，其中，第一键合层和第二键合层的厚度均为1-20000nm。
作为上述方案的改进，采用紫外激光剥离蓝宝石衬底，紫外激光的波长为193nm和/或248nm。
作为上述方案的改进，紫外激光照射蓝宝石衬底的时间为1-109μs。
作为上述方案的改进，所述脱附层的厚度为1-100nm，所述激光吸收层的厚度为1-200nm。
作为上述方案的改进，所述应力缓冲层的厚度为1-200nm。
作为上述方案的改进，所述生长缓冲层的厚度为10-100nm。
相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片，由上述所述的垂直结构LED芯片的制作方法制作所得。
实施本发明，具有如下有益效果：
本发明的制作方法在外延层制作利于激光剥离的激光剥离缓冲层，通过脱附层、激光吸收层、应力缓冲层的叠加作用，一方面使GaN和蓝宝石衬底可以更好的分离，降低激光剥离时所需要的能量，提高工艺窗口，另一方面可以缓冲掉激光剥离过程带来的表面冲击，减少了GaN材料在激光剥离过程中所受到的物理性损伤，从根本上提高激光剥离良率。
其次，本发只需调整外延层的结构，无需增加额外的设备，减少生产成本。
再次，本发明调整垂直结构LED芯片后期制作的电流扩展层、反射层与键合层，调节键合工艺以适配激光剥离技术，提高了激光剥离的表面良率，使得激光打到蓝宝石衬底表面时，减缓了冲击，保持内部结构的完整性，从而提高芯片的生产良率。
再次，本发明改善了蓝宝石衬底激光剥离效果，提高垂直结构LED芯片的生产良率。
最终，本发明解决了垂直结构LED芯片激光剥离蓝宝石衬底的生产工艺瓶颈，实现了量产化，提高了经济效益。
附图说明
图1是本发明垂直结构LED芯片的制作流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明作进一步地详细描述。
参见图1，图1是本发明的一种垂直结构LED芯片的制作流程图，本发明提供了一种垂直结构LED芯片的制作方法，包括以下步骤：
S101、在蓝宝石衬底上形成激光剥离缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括脱附层、激光吸收层和应力缓冲层。
本发明的激光剥离缓冲层包括设于蓝宝石上的脱附层、设置在脱附层上的激光吸收层以及设置在激光吸收层上的应力缓冲层。
在激光剥离蓝宝石衬底时，脱附层吸收激光的能量发生熔化，与激光吸收层分离，最终粘附在蓝宝石衬底上。本发明的脱附层由低熔点物质制成。具体的，所述低熔点物质为由Al、AlN、Mg和GaN中的一种或几种制成。在本发明的其他实施例中，所述低熔点物质还可以为其他金属或合金。
所述脱附层的厚度为1-100nm。当脱附层的厚度大于100nm时，剥离的激光无法穿透，并且瞬间无法吸收足够的能量致使自身熔化。
优选的，脱附层的厚度为10-80nm。
更优的，脱附层的厚度为20-50nm。
本发明的激光吸收层由GaN和/或AlN制成。激光吸收层用于吸收激光能量，从而在局部产生瞬间的高温，使其接触激光的表面分解，同时使脱附层熔化，从而实现蓝宝石与GaN的激光剥离，使蓝宝石衬底与外延层彻底脱离。需要说明的是，部分激光吸收层分解成氮气与镓或镓的化合物材料，部分激光吸收层残留在生长缓冲层上。
优选的，激光吸收层的厚度为1-200nm。优选的，激光吸收层的厚度为10-150nm。更优的，激光吸收层的厚度为50-100nm。
本发明的应力缓冲层由AlGaN和/或AlN制成，用于缓解激光剥离反应带来的应力冲击，同时为后面的缓冲层匹配晶格位错作铺垫。其中，在激光剥离的过程中，瞬间产生的气体相当于一个微米级别的炸弹，应力缓冲层可以缓解气体的冲击力，从而保持激光剥离芯片的完整性。优选的，应力缓冲层的厚度为1-200nm。优选的，应力缓冲层的厚度为20-150nm。更优的，应力缓冲层的厚度为50-80nm。
S102、在激光剥离缓冲层上形成生长缓冲层和外延层。
采用金属有机化学气相沉积法，在应力缓冲层上形成生长缓冲层和外延层。
本发明的生长缓冲层由GaN、AlGaN、AlN和InGaN中的一种或几种制成，其为单层或多层结构。本发明的生长缓冲层用于解决蓝宝石衬底与GaN晶格失配和热失配的问题，为后续外延层生长提供形核点，改善晶体生长质量，同时承接激光剥离缓冲层。
优选的，生长缓冲层的厚度为1-100nm。优选的，生长缓冲层的厚度为10-80nm。更优的，应力缓冲层的厚度为30-60nm。
本发明的外延层包括设于生长缓冲层上的N型GaN层、设于N型GaN层上的量子阱层、以及设于量子阱层上的P型GaN层。
S103、在外延层上依次形成电流扩展层、反射层和第一键合层。
采用化学气相沉积、磁控溅射、真空金属沉积技术在外延层上依次制作电流扩展层、反射层和第一键合层。
具体的，通过磁控溅射生长氧化铟锡并通过退火形成良好的透明电流扩展层。优选的，电流扩展层的厚度为1-150nm。
此外，采用真空金属沉积技术在电流扩展层上沉积金属，形成反射层。反射层由银、金、铂、镍、铝和钛中的一种或几种金属制成，结构为单层或多层堆叠。
进一步地，采用真空金属沉积技术在反射层上沉积金属，形成第一键合层。第一键合层由金、锡、镍、铟和镓中的一种或几种金属制成。优选的，第一键合层的厚度为1-20000nm。更优的，所述第一键合层的厚度为100-15000nm。
S104、在第二衬底上形成第二键合层。
本发明的第二衬底为导电硅衬底，其中，第二衬底层尺寸与外延层的尺寸相同。
具体的，采用真空金属沉积技术在第二衬底上沉积金属，形成第二键合层。第二键合层由金、锡、镍、铟和镓中的一种或几种金属制成。优选的，第二键合层的厚度为1-20000nm。更优的，所述第二键合层的厚度为100-15000nm。
S105、将第一键合层和第二键合层进行键合、共晶，形成共晶层。
采用真空热压键合技术，将第一键合层与第二键合层对齐贴合，采用真空热压键合技术对第一键合层和第二键合层金属高温高压键合、共晶，其中，温度为200-300摄氏度，压力为300-2000kg/m2。
具体的，通过调节共晶升温与降温速率，将第一键合层和第二键合层键合形成共晶层。
优选的，本发明的共晶层为AuSn多相合金层，其厚度为200-1000nm。本发明共晶层的厚度可使键合后的外延层形成适合激光剥离的翘曲度。当共晶层的厚度小于200nm时，激光剥离衬底时，键合不牢靠，第一键合层和第二键合层容易产生脱离；当共晶层的厚度大于1000nm，共晶层的厚度太厚，影响芯片的出光效率。
S106、激光剥离蓝宝石衬底。
将紫外激光照射在蓝宝石衬底的表面，使得蓝宝石衬底表面从外延层剥离脱落。优选的，紫外激光的波长为193nm或248nm。或者，同时采用波长为193nm和248nm的紫外激光对蓝宝石衬底进行照射。
具体的，波长为193nm的紫光会被AlN吸收，波长为248nm的紫光会被GaN吸收，为了保证激光的照射时间，使与蓝宝石衬底表面接触的激光剥离缓冲层均匀吸收能量并分解，将蓝宝石脱落，本发明采用上述保持的紫外光对蓝宝石衬底进行照射。
优选的，紫外激光的照射时间为1-109μs，紫外激光的光能量密度为1-800mJ/cm2。当紫外激光的照射时间小于109μs时，蓝宝石衬底还留在外延层上；当照射时间大于109μs时，外延层容易发生翘曲，且破坏外延层的结构，影响芯片的光电性能。
本发明的制作方法在外延层制作利于激光剥离的激光剥离缓冲层，通过脱附层、激光吸收层、应力缓冲层的叠加作用，一方面使GaN和蓝宝石衬底可以更好的分离，降低激光剥离时所需要的能量，提高工艺窗口，另一方面可以缓冲掉激光剥离过程带来的表面冲击，减少了GaN材料在激光剥离过程中所受到的物理性损伤，从根本上提高激光剥离良率。
S107、制作电极。
将剥离蓝宝石衬底的外延层通过后期的清洗、刻蚀与沉积工艺制作表面电极。
其次，本发只需调整外延层的结构，无需增加额外的设备，减少生产成本。
再次，本发明调整垂直结构LED芯片后期制作的电流扩展层、反射层与键合层，调节键合工艺以适配激光剥离技术，提高了激光剥离的表面良率，使得激光打到蓝宝石衬底表面时，减缓了冲击，保持内部结构的完整性，从而提高芯片的生产良率。
再次，本发明改善了蓝宝石衬底激光剥离效果，提高垂直结构LED芯片的生产良率。
最终，本发明解决了垂直结构LED芯片激光剥离蓝宝石衬底的生产工艺瓶颈，实现了量产化，提高了经济效益。
相应地，本发明还提供了一种垂直结构LED芯片，由上述所述的垂直结构LED芯片的制作方法制作所得。
以上所揭露的仅为本发明一种较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
Claims (10)
1.一种垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：
在蓝宝石衬底上形成激光剥离缓冲层，所述激光剥离缓冲层包括脱附层、激光吸收层和应力缓冲层，所述脱附层由低熔点物质制成，所述低熔点物质为Al、AlN、Mg或GaN中的一种或几种，所述脱附层设置在蓝宝石衬底上，所述激光吸收层由GaN和/或AlN制成，并设置在脱附层上，所述应力缓冲层由AlGaN和/或AlN制成，并设置在激光吸收层上；
在激光剥离缓冲层上形成生长缓冲层和外延层；
在外延层上依次形成电流扩展层、反射层和第一键合层；
在第二衬底上形成第二键合层；
将第一键合层和第二键合层进行键合、共晶，形成共晶层；
激光剥离蓝宝石衬底；
制作电极。
2.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述共晶层为AuSn多相合金层，其厚度为200-1000nm。
3.如权利要求2所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述共晶层的制作方法包括：将第一键合层与第二键合层对齐贴合，采用真空热压键合技术对第一键合层和第二键合层金属高温高压键合、共晶，其中，温度为200-300摄氏度，压力为300-2000kg/m2。
4.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，第一键合层和第二键合层均由金、锡、镍、铟和镓中的一种或几种金属制成，其中，第一键合层和第二键合层的厚度均为1-20000nm。
5.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，采用紫外激光剥离蓝宝石衬底，紫外激光的波长为193nm和/或248nm。
6.如权利要求5所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，紫外激光照射蓝宝石衬底的时间为1-109μs。
7.如权利要求6所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述脱附层的厚度为1-100nm，所述激光吸收层的厚度为1-200nm。
8.如权利要求7所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述应力缓冲层的厚度为1-200nm。
9.如权利要求1所述的垂直结构LED芯片的制作方法，其特征在于，所述生长缓冲层的厚度为10-100nm。
10.一种垂直结构LED芯片，其特征在于，由权利要求1-9所述的垂直结构LED芯片的制作方法制作所得。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811131735.2A CN109301042B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811131735.2A CN109301042B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109301042A CN109301042A (zh) | 2019-02-01 |
| CN109301042B true CN109301042B (zh) | 2023-10-31 |
Family
ID=65164691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811131735.2A Active CN109301042B (zh) | 2018-09-27 | 2018-09-27 | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109301042B (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110364601A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-22 | 佛山市国星半导体技术有限公司 | 一种垂直led芯片外延结构及其制备方法和垂直led芯片 |
| CN110993736A (zh) * | 2019-12-09 | 2020-04-10 | 广东省半导体产业技术研究院 | 一种垂直结构光电器件及其制备方法 |
| CN113690263B (zh) * | 2020-05-18 | 2024-02-06 | 成都辰显光电有限公司 | 显示基板及显示基板的制备方法 |
| CN112582506B (zh) * | 2020-12-09 | 2021-10-08 | 苏州芯聚半导体有限公司 | 发光二极管衬底的剥离方法及发光二极管阵列 |
| CN113764551B (zh) * | 2021-09-07 | 2023-01-03 | 东莞市中麒光电技术有限公司 | 一种led芯片转移方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101005110A (zh) * | 2007-01-12 | 2007-07-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法 |
-
2018
- 2018-09-27 CN CN201811131735.2A patent/CN109301042B/zh active Active
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101005110A (zh) * | 2007-01-12 | 2007-07-25 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 采用金属键合工艺实现氮化镓发光二极管垂直结构的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109301042A (zh) | 2019-02-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109301042B (zh) | 一种垂直结构led芯片及其制作方法 | |
| KR101438818B1 (ko) | 발광다이오드 소자 | |
| TWI455345B (zh) | 具有垂直結構之發光二極體及其製造方法 | |
| KR101470020B1 (ko) | 샌드위치 구조의 웨이퍼 결합 및 포톤 빔을 이용한 단결정 반도체 박막 전이 | |
| US20050242365A1 (en) | Vertical structure semiconductor devices | |
| KR20110042249A (ko) | 수직 구조 화합물 반도체 디바이스의 제조 방법 | |
| WO2010050451A1 (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| US7524737B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor chip with a nitride compound semiconductor material | |
| CN110120448B (zh) | 一种基于金属掩膜衬底的氮化物led制作方法 | |
| JP2015088532A (ja) | 窒化物半導体素子の製造方法 | |
| CN208781881U (zh) | 一种用于制作垂直结构led芯片的复合衬底 | |
| JP2006278554A (ja) | ＡｌＧａＮ系深紫外発光素子およびその製造方法 | |
| CN101174557A (zh) | 氮化物基半导体装置的制造方法 | |
| KR101428066B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
| US20080142812A1 (en) | LED and method for marking the same | |
| JPWO2013154181A1 (ja) | チップオンボード型のパッケージ基板を有する発光装置の製造方法 | |
| KR101480551B1 (ko) | 수직구조 그룹 3족 질화물계 반도체 발광다이오드 소자 및이의 제조 방법 | |
| JP2010226023A (ja) | 窒化物系化合物半導体層を支持基板上に有する基板生産物を製造する方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2008053372A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| TWI241729B (en) | Semiconductor light emitting device and the method for manufacturing the same | |
| TW200537710A (en) | Semiconductor element with enhanced brightness and method for manufacturing the same | |
| WO2024026907A1 (zh) | 一种氮化物led的制备与无损界面分离方法 | |
| JP2011187631A (ja) | 半導体発光素子の製造方法及び半導体発光素子 | |
| JP2012129440A (ja) | 半導体発光素子の製造方法及び半導体積層構造 | |
| JP2014041964A (ja) | 窒化物半導体発光素子の製造方法および窒化物半導体発光素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |