CN109287125A - 带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 - Google Patents

带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片(19)的制造方法，其中，对依次具备支撑片(10)、能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)及半导体晶圆(18)的层叠体的半导体晶圆(18)进行切割，接着，对保护膜形成用膜(13)照射能量射线而使其固化。本发明也涉及一种半导体装置的制造方法，其中，拾取带保护膜的半导体芯片(19)，并将半导体芯片(19)连接于衬底。

Description

带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法。
本申请基于2016年4月28日在日本提出申请的日本特愿2016-92033号而主张优先权，并将其内容援引至本文中。
背景技术
近年来，正在应用被称为所谓倒装(face down)方式的安装方法制造半导体装置。在倒装方式中，使用在电路面上具有凸块等电极的半导体芯片，所述电极与衬底接合。因此，半导体芯片的与电路面为相反侧的背面有时会露出。
有时在该露出的半导体芯片的背面形成含有有机材料的树脂膜作为保护膜，从而以带保护膜的半导体芯片的形式组入至半导体装置中。
保护膜用于防止在切割工序、封装之后在半导体芯片产生裂纹。
为了形成这样的保护膜，例如使用在支撑片上具备用于形成保护膜的保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片。在保护膜形成用复合片中，保护膜形成用膜能够通过固化而形成保护膜，并且能够利用支撑片作为切割片，能够制成将保护膜形成用膜与切割片一体化的保护膜形成用复合片。
作为这样的保护膜形成用复合片，例如当前主要利用具备热固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，所述热固化性的保护膜形成用膜通过加热而固化，由此形成保护膜。此时，例如在半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)通过热固化性的保护膜形成用膜贴附保护膜形成用复合片后，通过加热使保护膜形成用膜固化而制成保护膜，通过切割将半导体晶圆连同保护膜一起分割而制成半导体芯片。然后，将半导体芯片在贴附有该保护膜的状态下直接从支撑片分离而进行拾取。应予说明，保护膜形成用膜的固化和切割有时也以与此相反的顺序进行。
但是，热固化性的保护膜形成用膜的加热固化通常需要数小时左右的长时间，因此期望缩短固化时间。针对上述情况，正在研究将能够通过照射紫外线等能量射线而固化的保护膜形成用膜用于形成保护膜。例如公开了：形成在剥离膜上的能量射线固化型保护膜(参照专利文献1)；能够形成高硬度且对半导体芯片的密合性优异的保护膜的能量射线固化型芯片保护用膜(参照专利文献2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5144433号公报
专利文献2：日本特开2010-031183号公报
发明内容
(一)要解决的技术问题
但是，在使用了专利文献1及2中所公开的能量射线固化型芯片保护用膜的半导体芯片、半导体装置的制造中，在切割半导体晶圆时，有如下顾虑：因芯片飞溅所致的不良、因切削水向保护膜形成用膜或保护膜与支撑片之间浸入而污染保护膜的表面。
因此，本发明的目的在于提供一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的制造方法在切割半导体晶圆时，没有芯片飞溅、切削水向保护膜形成用膜或保护膜与支撑片之间浸入的顾虑，能够在半导体芯片的背面形成良好的保护膜。
(二)技术方案
为了解决上述课题，本发明提供一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，其中，对依次具备支撑片、能量射线固化性的保护膜形成用膜及半导体晶圆的层叠体的所述半导体晶圆进行切割，接着，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化。
在本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，优选所述层叠体的支撑片与所述保护膜形成用膜之间的粘合力为100mN/25mm以上。
在本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，所述层叠体可以是在将所述保护膜形成用膜贴附于所述半导体晶圆后，在所述保护膜形成用膜贴附所述支撑片而成的。
在本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法中，所述层叠体可以是将在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜侧贴附于所述半导体晶圆而成的。
本发明的半导体装置的制造方法拾取通过上述任一项所述的制造方法而得到的带保护膜的半导体芯片，并将所述半导体芯片连接于衬底。
(三)有益效果
根据本发明，提供一种带保护膜的半导体芯片的制造方法及半导体装置的制造方法，所述带保护膜的半导体芯片的制造方法在切割半导体晶圆时，没有芯片飞溅、切削水向保护膜形成用膜或保护膜与支撑片之间浸入的顾虑，能够在半导体芯片形成保护膜。
附图说明
图1为表示本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法的概略图。
图2为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的一实施方式的截面图。
图3为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的截面图。
图4为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
图5为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
图6为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
图7为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用片的实施方式的截面图。
具体实施方式
◇带保护膜的半导体芯片及半导体装置的制造方法
图1为表示本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法的概略图。
本发明的带保护膜的半导体芯片19的制造方法对依序具备支撑片10、能量射线固化性的保护膜形成用膜13及半导体晶圆18的层叠体的上述半导体晶圆18进行切割，接着，对上述保护膜形成用膜13照射能量射线而使其固化。
通过在切割后对保护膜形成用膜13照射能量射线而使其固化，从而切割时的保护膜形成用膜13相对较柔软，因此在切割半导体晶圆18时，没有切削水向保护膜形成用膜13或保护膜13’与支撑片10之间浸入的顾虑，能够在半导体芯片19的背面形成良好的保护膜13’。
在本说明书中，“切割”可举出以下情况等为例：一边使埋入有金刚石磨粒的切割刀片以高速旋转一边切削半导体晶圆；通过使用激光的激光切割法切削半导体晶圆。
上述层叠体可以是在将上述保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆后，贴附于上述支撑片而成的，此时，可以分别适当选择使用适于半导体晶圆的制品、制造的保护膜形成用膜及支撑片。
此时的本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法可以如下所示。
即，在半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)贴附保护膜形成用膜后，在保护膜形成用膜贴附支撑片而制成层叠体。接着，通过切割将半导体晶圆连同保护膜形成用膜一起分割而制成半导体芯片。接着，对已分割的保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化，制成带保护膜的半导体芯片。
上述层叠体可以是将在支撑片上具备上述保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片的上述保护膜形成用膜侧贴附于上述半导体晶圆而成的，由此，能够将贴附工序简化。
此时的本发明的带保护膜的半导体芯片的制造方法可以如下所示。
即，将保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜贴附于半导体晶圆的背面(与电极形成面为相反侧的面)。接着，通过切割将半导体晶圆连同保护膜形成用膜一起分割而制成半导体芯片。接着，对已分割的保护膜形成用膜照射能量射线，使保护膜形成用膜固化，制成带保护膜的半导体芯片。
接着，通过与现有方法同样的方法，将带保护膜的半导体芯片在贴附有该保护膜的状态下直接从支撑片分离而进行拾取，将得到的带保护膜的半导体芯片的半导体芯片倒装式连接于衬底的电路面后，制成半导体封装。然后，只要使用该半导体封装制作目标半导体装置即可。
◇保护膜形成用复合片
能够用于本发明的保护膜形成用复合片在支撑片上具备能量射线固化性的保护膜形成用膜而成。
在本说明书中，“保护膜形成用膜”是指固化前的保护膜形成用膜，“保护膜”是指使保护膜形成用膜固化而成的膜。
在本发明中，“能量射线”是指电磁波或带电粒子束中具有能量量子的射线，作为其例子，可举出紫外线、放射线、电子束等。
紫外线例如可通过使用高压水银灯、融合H灯、氙气灯、黑光灯或LED灯等作为紫外线源进行照射。电子束可照射通过电子束加速器等产生的电子束。
在本发明中，“能量射线固化性”是指通过照射能量射线而固化的性质，“非能量射线固化性”是指即使照射能量射线也不固化的性质。
上述层叠体的支撑片与上述保护膜形成用膜之间的粘合力没有特别限定，例如可以为80mN/25mm以上，也可以为100mN/25mm以上，也可以为150mN/25mm以上，也可以为200mN/25mm以上，另外，上限值没有特别限定，可以为10000mN/25mm以下，也可以为8000mN/25mm以下，也可以为7000mN/25mm以下。通过调整为上述下限值以上，在切割时硅芯片的飞散得到抑制，也能够防止切削水向保护膜形成用膜与支撑片之间浸入。通过调整为上述上限值以下，能够容易适当地调整其后通过照射能量射线使其固化而制成保护膜时的上述保护膜与上述支撑片之间的粘合力。
作为本发明的另一方面，上述层叠体的支撑片与上述保护膜形成用膜之间的粘合力为10～30000mN/25mm，优选为100～20000mN/25mm，更优选为150～10000mN/25mm，进一步优选为200～8000mN/25mm。
在本说明书中，上述支撑片与上述保护膜形成用膜之间的粘合力可通过后述的测定方法进行测定。
上述保护膜形成用膜通过照射能量射线而固化，成为保护膜。该保护膜保护半导体晶圆或半导体芯片的背面(与电极形成面为相反侧的面)。保护膜形成用膜为软质，能够容易地贴附于贴附对象物。对上述保护膜形成用膜照射能量射线而制成保护膜时，上述保护膜与上述支撑片之间的粘合力优选为50～1500mN/25mm，更优选为52～1450mN/25mm，特别优选为53～1430mN/25mm。通过使上述粘合力为上述下限值以上，在拾取带保护膜的半导体芯片时，目标外的带保护膜的半导体芯片的拾取得到抑制，能够高选择性地拾取目标带保护膜的半导体芯片。通过使上述粘合力为上述上限值以下，在拾取带保护膜的半导体芯片时，半导体芯片的破裂及缺损得到抑制。如此，通过使上述粘合力在特定的范围内，保护膜形成用复合片具有良好的拾取适应性。
在本说明书中，上述保护膜与上述支撑片之间的粘合力可通过后述的测定方法进行测定。
在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，通过使上述保护膜形成用膜为能量射线固化性，与具备热固化性的保护膜形成用膜的现有的保护膜形成用复合片的情况相比，能够通过短时间内的固化而形成保护膜。
在本发明中，能够不使用保护膜形成用复合片，而在半导体晶圆的背面贴附保护膜形成用膜后，在上述保护膜形成用膜贴附支撑片，此时的保护膜形成用膜及支撑片可适当使用上述的保护膜形成用复合片的说明中所说明的保护膜形成用膜及支撑片。
在本发明中，作为保护膜形成用复合片的使用对象的半导体晶圆或半导体芯片的厚度没有特别限定，从更显著地得到本发明的效果的方面考虑，优选为30～1000μm，更优选为100～300μm。
以下，对本发明的构成详细地进行说明。
◎支撑片
上述支撑片可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多个层构成。支撑片由多个层构成时，这些多个层的构成材料及厚度相互可相同也可以不同，只要不损害本发明的效果，则这些多个层的组合没有特别限定。
在本说明书中，并不限于支撑片的情况，“多个层相互可以相同也可以不同”是指“可以全部层相同，也可以全部层不同，还可以仅一部分层相同”，另外，“多个层相互不同”是指“各层的构成材料及厚度的至少一者相互不同”。
作为优选的支撑片，例如可举出在基材上以直接接触的方式层叠粘合剂层而成的支撑片、在基材上介由中间层层叠粘合剂层而成的支撑片、仅由基材构成的支撑片等。
以下，参照附图按照这样的支撑片的每个种类对能够用于本发明的保护膜形成用复合片的例子进行说明。为了易于理解本发明的特征，出于方便，以下的说明中使用的图有时将成为主要部分的部分放大而示出，并且各构成要素的尺寸比率等不一定与实际相同。
图2为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的一实施方式的截面图。
在此所示的保护膜形成用复合片1A是在基材11上具备粘合剂层12，在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜13而成的。支撑片10为基材11及粘合剂层12的层叠体，换言之，保护膜形成用复合片1A具有在支撑片10的一个表面10a上层叠有保护膜形成用膜13的结构。保护膜形成用复合片1A进一步在保护膜形成用膜13上具备剥离膜15。
在保护膜形成用复合片1A中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a的整个面层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的一部分即周缘部附近的区域层叠有夹具用粘接剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中未层叠夹具用粘接剂层16的面和夹具用粘接剂层16的表面16a(上表面及侧面)层叠有剥离膜15。
在保护膜形成用复合片1A中，固化后的保护膜形成用膜13(即保护膜13’)与支撑片10之间的粘合力，换言之，保护膜13’与粘合剂层12之间的粘合力优选为50～1500mN/25mm。
夹具用粘接剂层16例如可以为含有粘接剂成分的单层结构的粘接剂层，也可以为在成为芯材的片的双面层叠有含有粘接剂成分的层的多个层结构的粘接剂层。
图2所示的保护膜形成用复合片1A是在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a贴附半导体晶圆(省略图示)的背面并进一步将夹具用粘接剂层16的表面16a中的上表面贴附于环状框等夹具而使用的。
图3为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的另一实施方式的截面图。应予说明，在图3以后的图中，对于与已经说明的图中所示的要素相同的构成要素，标注与该已说明的图的情况相同的符号，省略其详细的说明。
在此所示的保护膜形成用复合片1B除不具备夹具用粘接剂层16的方面以外，与图2所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1B中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a的整个面层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的整个面层叠有剥离膜15。
图3所示的保护膜形成用复合片1B是在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域贴附半导体晶圆(省略图示)的背面并进一步将保护膜形成用膜13的周缘部附近的区域贴附于环状框等夹具而使用的。
图4为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
在此所示的保护膜形成用复合片1C除不具备粘合剂层12的方面以外，与图2所示的保护膜形成用复合片1A相同。即，在保护膜形成用复合片1C中，支撑片10仅由基材11构成。在基材11的一个表面11a(支撑片10的一个表面10a)层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的一部分即周缘部附近的区域层叠有夹具用粘接剂层16，在保护膜形成用膜13的表面13a中未层叠夹具用粘接剂层16的面和夹具用粘接剂层16的表面16a(上表面及侧面)层叠有剥离膜15。
在保护膜形成用复合片1C中，固化后的保护膜形成用膜13(即保护膜)与支撑片10之间的粘合力，换言之，保护膜与基材11之间的粘合力优选为50～1500mN/25mm。
图4所示的保护膜形成用复合片1C是与图2所示的保护膜形成用复合片1A同样地，在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a贴附半导体晶圆(省略图示)的背面并进一步将夹具用粘接剂层16的表面16a中的上表面贴附于环状框等夹具而使用的。
图5为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
在此所示的保护膜形成用复合片1D除不具备夹具用粘接剂层16的方面以外，与图4所示的保护膜形成用复合片1C相同。即，在保护膜形成用复合片1D中，在基材11的一个表面11a层叠有保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13的表面13a的整个面层叠有剥离膜15。
图5所示的保护膜形成用复合片1D是与图3所示的保护膜形成用复合片1B同样地，在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中的中央侧的一部分区域贴附半导体晶圆(省略图示)的背面并进一步将保护膜形成用膜13的周缘部附近的区域贴附于环状框等夹具而使用的。
图6为示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用复合片的又一实施方式的截面图。
在此所示的保护膜形成用复合片1E除保护膜形成用膜的形状不同的方面以外，与图3所示的保护膜形成用复合片1B相同。即，保护膜形成用复合片1E是在基材11上具备粘合剂层12，在粘合剂层12上具备保护膜形成用膜23而成的。支撑片10为基材11及粘合剂层12的层叠体，换言之，保护膜形成用复合片1E具有在支撑片10的一个表面10a上层叠有保护膜形成用膜23的结构。保护膜形成用复合片1E进一步在保护膜形成用膜23上具备剥离膜15。
在保护膜形成用复合片1E中，在基材11的一个表面11a层叠有粘合剂层12，在粘合剂层12的表面12a的一部分即中央侧的区域层叠有保护膜形成用膜23。在粘合剂层12的表面12a中未层叠保护膜形成用膜23的面和保护膜形成用膜23的表面23a(上表面及侧面)上层叠有剥离膜15。
自上方向下俯视保护膜形成用复合片1E时，保护膜形成用膜23的表面积小于粘合剂层12，例如具有圆形等形状。
在保护膜形成用复合片1E中，固化后的保护膜形成用膜23(即保护膜)与支撑片10之间的粘合力，换言之，保护膜与粘合剂层12之间的粘合力优选为50～1500mN/25mm。
图6所示的保护膜形成用复合片1E是在去除了剥离膜15的状态下，在保护膜形成用膜23的表面23a贴附半导体晶圆(省略图示)的背面并进一步将粘合剂层12的表面12a中未层叠保护膜形成用膜23的面贴附于环状框等夹具而使用的。
在图6所示的保护膜形成用复合片1E中，也可以与图2及图4所示的保护膜形成用复合片同样地在粘合剂层12的表面12a中未层叠保护膜形成用膜23的面层叠夹具用粘接剂层(省略图示)。与图2及图4所示的保护膜形成用复合片同样地，具备这样的夹具用粘接剂层的保护膜形成用复合片1E是将夹具用粘接剂层的表面贴附于环状框等夹具而使用的。
如此，能够用于本发明的保护膜形成用复合片不论支撑片及保护膜形成用膜为何种形态，均可以具备夹具用粘接剂层。但是，通常如图2及图4所示，作为具备夹具用粘接剂层的保护膜形成用复合片，优选在保护膜形成用膜上具备夹具用粘接剂层的保护膜形成用复合片。
能够用于本发明的保护膜形成用复合片并不限定于图2～图6所示的保护膜形成用复合片，在不损害本发明的效果的范围内，也可以变更或删除图2～图6所示的保护膜形成用复合片的一部分结构，或者对前文说明的保护膜形成用复合片进一步追加其它结构。
例如，在图4及图5所示的保护膜形成用复合片中，也可以在基材11与保护膜形成用膜13之间设置中间层。作为中间层，可根据目的选择任意的中间层。
在图2、图3及图6所示的保护膜形成用复合片中，也可以在基材11与粘合剂层12之间设置中间层。即，在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，支撑片也可以为依次层叠基材、中间层及粘合剂层而成的支撑片。在此，中间层与图4及图5所示的保护膜形成用复合片中可以设置的中间层相同。
在图2～图6所示的保护膜形成用复合片中，可以将上述中间层以外的层设置于任意部位。
在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，也可以在剥离膜与直接接触该剥离膜的层之间产生一部分间隙。
在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，各层的大小、形状可以根据目的任意地调节。
在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，如后所述，优选粘合剂层等支撑片中的与保护膜形成用膜直接接触的层为非能量射线固化性。通过使用这样的保护膜形成用复合片，能够更容易地拾取在背面具备保护膜的半导体芯片。
支撑片可以为透明、不透明、或者根据目的进行着色。
其中，在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，支撑片优选使能量射线透过的支撑片。
例如，在支撑片中，波长375nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使上述光的透过率为这样的范围，在透过支撑片对保护膜形成用膜照射能量射线(紫外线)时，保护膜形成用膜的固化度进一步提高。
另一方面，在支撑片中，波长375nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可以为95％。
在支撑片中，波长532nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。
通过使上述光的透过率为这样的范围，在透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光对它们进行印字时，能够更清晰地进行印字。
另一方面，在支撑片中，波长532nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可以为95％。
在支撑片中，波长1064nm的光的透过率优选为30％以上，更优选为50％以上，特别优选为70％以上。通过使上述光的透过率为这样的范围，在透过支撑片对保护膜形成用膜或保护膜照射激光对它们进行印字时，能够更清晰地进行印字。
另一方面，在支撑片中，波长1064nm的光的透过率的上限值没有特别限定，例如可以为95％。
接着，对构成支撑片的各层进一步详细地进行说明。
○基材
上述基材为片状或膜状，作为其构成材料，例如可举出各种树脂。
作为上述树脂，例如可举出低密度聚乙烯(LDPE)、直链低密度聚乙烯(LLDPE)、高密度聚乙烯(HDPE)等聚乙烯；聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、降冰片烯树脂等聚乙烯以外的聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯-降冰片烯共聚物等乙烯类共聚物(使用乙烯作为单体而得到的共聚物)；聚氯乙烯、氯乙烯共聚物等氯乙烯类树脂(使用氯乙烯作为单体而得到的树脂)；聚苯乙烯；聚环烯烃；聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚间苯二甲酸乙二醇酯、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、全部结构单元具有芳香族环式基的全芳香族聚酯等聚酯；2种以上的上述聚酯的共聚物；聚(甲基)丙烯酸酯；聚氨酯；聚氨酯丙烯酸酯；聚酰亚胺；聚酰胺；聚碳酸酯；氟树脂；聚缩醛；改性聚苯醚；聚苯硫醚；聚砜；聚醚酮等。
作为上述树脂，例如也可举出上述聚酯与其以外的树脂的混合物等聚合物合金。上述聚酯与其以外的树脂的聚合物合金优选聚酯以外的树脂的量为较少量。
作为上述树脂，例如也可举出前文例示的上述树脂中的1种或2种以上交联而成的交联树脂；使用前文例示的上述树脂中的1种或2种以上的离聚物等改性树脂。
在本说明书中，“(甲基)丙烯酸”为包含“丙烯酸”及“甲基丙烯酸”这两者的概念。对于与(甲基)丙烯酸类似的术语也同样。
构成基材的树脂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
基材可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多个层构成，在由多个层构成的情况下，这些多个层相互可以相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
基材的厚度优选为50～300μm，更优选为60～100μm。通过使基材的厚度为这样的范围，上述保护膜形成用复合片的挠性和对半导体晶圆或半导体芯片的贴附性进一步提高。
在此，“基材的厚度”是指基材整体的厚度，例如由多个层构成的基材的厚度是指构成基材的全部层的合计厚度。
在本说明书中，“厚度”是指利用接触式厚度计，测定对象物的任意5个部位，而以其平均值表示的值。
基材优选厚度精度高的基材，即不论部位如何，厚度的不均均得到抑制的基材。上述的构成材料中，作为能够用于构成这样的厚度精度高的基材的材料，例如可举出聚乙烯、聚乙烯以外的聚烯烃、聚对苯二甲酸乙二醇酯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物等。
基材除上述树脂等主要的构成材料以外，也可以含有填充材料、着色剂、抗静电剂、抗氧化剂、有机润滑剂、催化剂、软化剂(增塑剂)等公知的各种添加剂。
基材的光学特性只要满足之前说明的支撑片的光学特性即可。即，基材可以为透明、不透明、根据目的而着色，或者蒸镀有其它层。
在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，基材优选使能量射线透过的基材。
基材为了提高与设置于该基材上的粘合剂层等其它层的密合性，也可以为对表面实施了利用喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理、电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧〃紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理等的基材。
基材也可以为对表面实施了底漆处理的基材。
重叠并保存抗静电涂层、将保护膜形成用复合片时，基材也可以为具有防止基材粘接于其它片、基材粘接于吸附台的层等的基材。
这些之中，从抑制因切割时的刀片摩擦而产生基材的碎片的方面考虑，基材特别优选对表面实施了电子束照射处理的基材。
基材可以通过公知的方法制造。例如，含有树脂的基材可以通过将含有上述树脂的树脂组合物成型而制造。
○粘合剂层
上述粘合剂层为片状或膜状，含有粘合剂。
作为上述粘合剂，例如可举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等粘合性树脂，优选丙烯酸类树脂。
在本发明中，“粘合性树脂”为包含具有粘合性的树脂和具有粘接性的树脂这两者的概念，例如不仅包含树脂本身具有粘合性的树脂，也包含通过与添加剂等其它成分并用而显示粘合性的树脂、通过存在热或水等触发剂而显示粘接性的树脂等。
粘合剂层可以由1层(单层)构成，也可以由2层以上的多个层构成，在由多个层构成的情况下，这些多个层相互可以相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
粘合剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为1～60μm，特别优选为1～30μm。
在此，“粘合剂层的厚度”是指粘合剂层整体的厚度，例如，由多个层构成的粘合剂层的厚度是指构成粘合剂层的全部层的合计厚度。
粘合剂层的光学特性只要满足之前说明的支撑片的光学特性即可。即，粘合剂层可以为透明、不透明、或者根据目的进行着色。
在保护膜形成用膜具有能量射线固化性的本发明中，粘合剂层优选使能量射线透过的粘合剂层。
粘合剂层可以为使用能量射线固化性粘合剂形成的粘合剂层，也可以为使用非能量射线固化性粘合剂形成的粘合剂层。使用能量射线固化性的粘合剂形成的粘合剂层能够容易地调节固化前及固化后的物性。
<<粘合剂组合物>>
粘合剂层可以使用含有粘合剂的粘合剂组合物形成。例如，在粘合剂层的形成对象面涂敷粘合剂组合物，根据需要使其干燥，由此能够在目标部位形成粘合剂层。粘合剂层的更具体的形成方法与其它层的形成方法一起在后面详细地进行说明。粘合剂组合物中的常温下不会气化的成分彼此的含量比通常与粘合剂层的上述成分彼此的含量比相同。在本说明书中，“常温”是指未特别进行冷却或加热的温度，即平常的温度，例如可举出15～25℃的温度等。
粘合剂组合物的涂敷只要通过公知的方法进行即可，例如可举出使用以下各种涂布机的方法：气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、棒式涂布机、吻涂机等。
粘合剂组合物的干燥条件没有特别限定，粘合剂组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，优选在例如70～130℃且10秒～5分钟的条件下进行干燥。
粘合剂层为能量射线固化性时，作为含有能量射线固化性粘合剂的粘合剂组合物，即能量射线固化性的粘合剂组合物，例如可举出：含有非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)(以下，有时简称为“粘合性树脂(I-1a)”)和能量射线固化性化合物的粘合剂组合物(I-1)；含有能量射线固化性的粘合性树脂(I-2a)(以下，有时简称为“粘合性树脂(I-2a)”)的粘合剂组合物(I-2)，所述粘合性树脂(I-2a)在非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)的侧链导入不饱和基团而成；含有上述粘合性树脂(I-2a)和能量射线固化性化合物的粘合剂组合物(I-3)等。
<粘合剂组合物(I-1)>
如上所述，上述粘合剂组合物(I-1)含有非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)和能量射线固化性化合物。
[粘合性树脂(I-1a)]
上述粘合性树脂(I-1a)优选为丙烯酸类树脂。
作为上述丙烯酸类树脂，例如可举出至少具有来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元的丙烯酸类聚合物。
上述丙烯酸类树脂所具有的结构单元可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可举出构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～20的(甲基)丙烯酸烷基酯，上述烷基优选为直链状或支链状。
作为(甲基)丙烯酸烷基酯，更具体而言，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)、(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯等。
从粘合剂层的粘合力提高的方面考虑，上述丙烯酸类聚合物优选具有来自上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元。从粘合剂层的粘合力进一步提高的方面考虑，上述烷基的碳原子数优选为4～12，更优选为4～8。上述烷基的碳原子数为4以上的(甲基)丙烯酸烷基酯优选为丙烯酸烷基酯。
上述丙烯酸类聚合物优选除来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外进一步具有来自含官能团单体的结构单元。
作为上述含官能团单体，例如可举出如下单体：通过上述官能团与后述的交联剂反应而成为交联的起点，或者通过上述官能团与后述的含不饱和基团的化合物中的不饱和基团反应，由此能够在丙烯酸类聚合物的侧链导入不饱和基团。
作为含官能团单体中的上述官能团，例如可举出羟基、羧基、氨基、环氧基等。
即，作为含官能团单体，例如可举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含环氧基单体等。
作为上述含羟基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为上述含羧基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；上述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
含官能团单体优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
构成上述丙烯酸类聚合物的含官能团单体可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述丙烯酸类聚合物中，来自含官能团单体的结构单元的含量相对于结构单元的总质量，优选为1～35质量％，更优选为2～32质量％，特别优选为3～30质量％。
上述丙烯酸类聚合物除来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元及来自含官能团单体的结构单元以外，也可以进一步具有来自其它单体的结构单元。
上述其它单体只要是能够与(甲基)丙烯酸烷基酯等共聚的单体就没有特别限定。
作为上述其它单体，例如可举出苯乙烯、α-甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、甲酸乙烯酯、乙酸乙烯酯、丙烯腈、丙烯酰胺等。
构成上述丙烯酸类聚合物的上述其它单体可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
上述丙烯酸类聚合物可以作为上述的非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)使用。
另一方面，使上述丙烯酸类聚合物中的官能团与具有能量射线聚合性不饱和基团(能量射线聚合性基团)的含不饱和基团的化合物反应而成的化合物可以作为上述的能量射线固化性的粘合性树脂(I-2a)使用。
粘合剂组合物(I-1)所含有的粘合性树脂(I-1a)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-1)中，粘合性树脂(I-1a)的含量相对于上述粘合剂组合物(I-1)的总质量，优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘合剂组合物(I-1)所含有的上述能量射线固化性化合物，可举出具有能量射线聚合性不饱和基团且可通过照射能量射线而固化的单体或低聚物。
能量射线固化性化合物中，作为单体，例如可举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇(甲基)丙烯酸酯等多元(甲基)丙烯酸酯；氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯；聚酯(甲基)丙烯酸酯；聚醚(甲基)丙烯酸酯；环氧(甲基)丙烯酸酯等。
能量射线固化性化合物中，作为低聚物，例如可举出上述例示的单体聚合而成的低聚物等。
从分子量较大，不易使粘合剂层的储存弹性模量降低的方面考虑，能量射线固化性化合物优选氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物。
粘合剂组合物(I-1)所含有的上述能量射线固化性化合物可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述粘合剂组合物(I-1)中，上述能量射线固化性化合物的含量相对于上述粘合剂组合物(I-1)的总质量，优选为1～95质量％，更优选为5～90质量％，特别优选为10～85质量％。
[交联剂]
在使用除来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的上述丙烯酸类聚合物作为粘合性树脂(I-1a)的情况下，粘合剂组合物(I-1)优选进一步含有交联剂。
上述交联剂例如与上述官能团反应，将粘合性树脂(I-1a)彼此交联。
作为交联剂，例如可举出甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二亚甲基二异氰酸酯、这些二异氰酸酯的加合物等异氰酸酯类交联剂(具有异氰酸酯基的交联剂)；乙二醇缩水甘油醚等环氧类交联剂(具有缩水甘油基的交联剂)；六[1-(2-甲基)-氮丙啶基]三磷酸三嗪(hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine)等氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)；铝螯合物等金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)；异氰脲酸酯类交联剂(具有异氰脲酸骨架的交联剂)等。
从提高粘合剂的凝聚力而提高粘合剂层的粘合力的方面及容易获得等方面考虑，交联剂优选异氰酸酯类交联剂。
粘合剂组合物(I-1)所含有的交联剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述粘合剂组合物(I-1)中，交联剂的含量相对于粘合性树脂(I-1a)的含量100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘合剂组合物(I-1)也可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的粘合剂组合物(I-1)即使照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。
作为上述光聚合引发剂，例如可举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；二苯甲酮；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
作为上述光聚合引发剂，例如也可以使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
粘合剂组合物(I-1)所含有的光聚合引发剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-1)中，光聚合引发剂的含量相对于上述能量射线固化性化合物的含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其它添加剂]
粘合剂组合物(I-1)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述的任一成分的其它添加剂。
作为上述其它添加剂，例如可举出抗静电剂、抗氧化剂、软化剂(增塑剂)、填充材料(填料)、防锈剂、着色剂(颜料、染料)、增感剂、增粘剂、反应延迟剂、交联促进剂(催化剂)等公知的添加剂。
反应延迟剂例如抑制因混入到粘合剂组合物(I-1)中的催化剂的作用而导致在保存中的粘合剂组合物(I-1)中进行目标外的交联反应。作为反应延迟剂，例如可举出利用针对催化剂的螯合物形成螯合络合物的化合物，更具体而言，可举出在1分子中具有2个以上的羰基(-C(＝O)-)的化合物。
粘合剂组合物(I-1)所含有的其它添加剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-1)中，其它添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类适当选择即可。
[溶剂]
粘合剂组合物(I-1)也可以含有溶剂。粘合剂组合物(I-1)通过含有溶剂，对涂敷对象面的涂敷适应性提高。
上述溶剂优选为有机溶剂，作为上述有机溶剂，例如可举出甲基乙基酮、丙酮等酮；乙酸乙酯等酯(羧酸酯)；四氢呋喃、二噁烷等醚；环己烷、正己烷等脂肪族烃；甲苯、二甲苯等芳香族烃；1-丙醇、2-丙醇等醇等。
作为上述溶剂，例如，可以将制造粘合性树脂(I-1a)时使用的溶剂不从粘合性树脂(I-1a)中去除而直接在粘合剂组合物(I-1)中使用，也可以在制造粘合剂组合物(I-1)时另行添加与制造粘合性树脂(I-1a)时使用的溶剂相同种类或不同种类的溶剂。
粘合剂组合物(I-1)所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-1)中，溶剂的含量没有特别限定，只要适当调节即可。
<粘合剂组合物(I-2)>
如上所述，上述粘合剂组合物(I-2)含有能量射线固化性的粘合性树脂(I-2a)，所述粘合性树脂(I-2a)在非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)的侧链导入不饱和基团而成。
[粘合性树脂(I-2a)]
上述粘合性树脂(I-2a)例如通过使粘合性树脂(I-1a)中的官能团与具有能量射线聚合性不饱和基团的含不饱和基团的化合物反应而得到。
上述含不饱和基团的化合物为除上述能量射线聚合性不饱和基团以外还进一步具有通过与粘合性树脂(I-1a)中的官能团反应而能够与粘合性树脂(I-1a)键合的基团的化合物。
作为上述能量射线聚合性不饱和基团，例如可举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基(也称为次乙基)、烯丙基(也称为2-丙烯基)等，优选(甲基)丙烯酰基。
作为能够与粘合性树脂(I-1a)中的官能团键合的基团，例如可举出能够与羟基或氨基键合的异氰酸酯基及缩水甘油基、以及能够与羧基或环氧基键合的羟基及氨基等。
作为上述含不饱和基团的化合物，例如可举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
粘合剂组合物(I-2)所含有的粘合性树脂(I-2a)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-2)中，粘合性树脂(I-2a)的含量相对于上述粘合剂组合物(I-2)的总质量，优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为10～90质量％。
[交联剂]
在使用例如与粘合性树脂(I-1a)中同样的具有来自含官能团单体的结构单元的上述丙烯酸类聚合物作为粘合性树脂(I-2a)的情况下，粘合剂组合物(I-2)也可以进一步含有交联剂。
作为粘合剂组合物(I-2)中的上述交联剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的交联剂相同的交联剂。
粘合剂组合物(I-2)所含有的交联剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述粘合剂组合物(I-2)中，交联剂的含量相对于粘合性树脂(I-2a)的含量100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[光聚合引发剂]
粘合剂组合物(I-2)也可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的粘合剂组合物(I-2)即使照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。
作为粘合剂组合物(I-2)中的上述光聚合引发剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
粘合剂组合物(I-2)所含有的光聚合引发剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-2)中，光聚合引发剂的含量相对于粘合性树脂(I-2a)的含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其它添加剂]
粘合剂组合物(I-2)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述的任一成分的其它添加剂。
作为粘合剂组合物(I-2)中的上述其它添加剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的其它添加剂相同的添加剂。
粘合剂组合物(I-2)所含有的其它添加剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-2)中，其它添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类适当选择即可。
[溶剂]
出于与粘合剂组合物(I-1)的情况同样的目的，粘合剂组合物(I-2)也可以含有溶剂。
作为粘合剂组合物(I-2)中的上述溶剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
粘合剂组合物(I-2)所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-2)中，溶剂的含量没有特别限定，只要适当调节即可。
<粘合剂组合物(I-3)>
如上所述，上述粘合剂组合物(I-3)含有上述粘合性树脂(I-2a)和能量射线固化性化合物。
在粘合剂组合物(I-3)中，粘合性树脂(I-2a)的含量相对于上述粘合剂组合物(I-3)的总质量，优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[能量射线固化性化合物]
作为粘合剂组合物(I-3)所含有的上述能量射线固化性化合物，可举出具有能量射线聚合性不饱和基团且可通过照射能量射线而固化的单体及低聚物，可举出与粘合剂组合物(I-1)所含有的能量射线固化性化合物相同的能量射线固化性化合物。
粘合剂组合物(I-3)所含有的上述能量射线固化性化合物可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述粘合剂组合物(I-3)中，上述能量射线固化性化合物的含量相对于粘合性树脂(I-2a)的含量100质量份，优选为0.01～300质量份，更优选为0.03～200质量份，特别优选为0.05～100质量份。
[光聚合引发剂]
粘合剂组合物(I-3)也可以进一步含有光聚合引发剂。含有光聚合引发剂的粘合剂组合物(I-3)即使照射紫外线等较低能量的能量射线，也充分地进行固化反应。
作为粘合剂组合物(I-3)中的上述光聚合引发剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的光聚合引发剂相同的光聚合引发剂。
粘合剂组合物(I-3)所含有的光聚合引发剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-3)中，光聚合引发剂的含量相对于粘合性树脂(I-2a)及上述能量射线固化性化合物的总含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[其它添加剂]
粘合剂组合物(I-3)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述的任一成分的其它添加剂。
作为上述其它添加剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的其它添加剂相同的添加剂。
粘合剂组合物(I-3)所含有的其它添加剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-3)中，其它添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类适当选择即可。
[溶剂]
出于与粘合剂组合物(I-1)的情况同样的目的，粘合剂组合物(I-3)也可以含有溶剂。
作为粘合剂组合物(I-3)中的上述溶剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
粘合剂组合物(I-3)所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-3)中，溶剂的含量没有特别限定，只要适当调节即可。
<粘合剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘合剂组合物>
前文主要对粘合剂组合物(I-1)、粘合剂组合物(I-2)及粘合剂组合物(I-3)进行了说明，但作为它们的含有成分所说明的成分同样也可以在这3种粘合剂组合物以外的全部粘合剂组合物(在本说明书中，称为“粘合剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘合剂组合物”)中使用。
作为粘合剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘合剂组合物，除能量射线固化性的粘合剂组合物以外，也可举出非能量射线固化性的粘合剂组合物。
作为非能量射线固化性的粘合剂组合物，例如可举出含有丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯类树脂、橡胶类树脂、有机硅类树脂、环氧类树脂、聚乙烯醚、聚碳酸酯、酯类树脂等非能量射线固化性的粘合性树脂(I-1a)的粘合剂组合物(I-4)，优选含有丙烯酸类树脂的粘合剂组合物。
粘合剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘合剂组合物优选含有1种或2种以上的交联剂，其含量可以与上述的粘合剂组合物(I-1)等的情况相同。
<粘合剂组合物(I-4)>
作为粘合剂组合物(I-4)中优选的粘合剂组合物，例如可举出含有上述粘合性树脂(I-1a)和交联剂的粘合剂组合物。
[粘合性树脂(I-1a)]
作为粘合剂组合物(I-4)中的粘合性树脂(I-1a)，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的粘合性树脂(I-1a)相同的粘合性树脂。
粘合剂组合物(I-4)所含有的粘合性树脂(I-1a)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-4)中，粘合性树脂(I-1a)的含量相对于上述粘合剂组合物(I-4)的总质量，优选为5～99质量％，更优选为10～95质量％，特别优选为15～90质量％。
[交联剂]
在使用除来自(甲基)丙烯酸烷基酯的结构单元以外还进一步具有来自含官能团单体的结构单元的上述丙烯酸类聚合物作为粘合性树脂(I-1a)的情况下，粘合剂组合物(I-4)优选进一步含有交联剂。
作为粘合剂组合物(I-4)中的交联剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的交联剂相同的化合物。
粘合剂组合物(I-4)所含有的交联剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述粘合剂组合物(I-4)中，交联剂的含量相对于粘合性树脂(I-1a)的含量100质量份，优选为0.01～50质量份，更优选为0.1～20质量份，特别优选为0.3～15质量份。
[其它添加剂]
粘合剂组合物(I-4)也可以在不损害本发明的效果的范围内含有不属于上述的任一成分的其它添加剂。
作为上述其它添加剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的其它添加剂相同的添加剂。
粘合剂组合物(I-4)所含有的其它添加剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-4)中，其它添加剂的含量没有特别限定，只要根据其种类适当选择即可。
[溶剂]
出于与粘合剂组合物(I-1)的情况同样的目的，粘合剂组合物(I-4)也可以含有溶剂。
作为粘合剂组合物(I-4)中的上述溶剂，可举出与粘合剂组合物(I-1)中的溶剂相同的溶剂。
粘合剂组合物(I-4)所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在粘合剂组合物(I-4)中，溶剂的含量没有特别限定，只要适当调节即可。
在能够用于本发明的保护膜形成用复合片中，粘合剂层优选为非能量射线固化性。这是因为若粘合剂层为能量射线固化性，则有时无法抑制在通过照射能量射线使保护膜形成用膜固化时粘合剂层也同时固化。若粘合剂层与保护膜形成用膜同时固化，则有时固化后的保护膜形成用膜及粘合剂层在它们的界面以无法剥离的程度贴附。此时，难以将在背面具备固化后的保护膜形成用膜、即保护膜的半导体芯片(在本说明书中，有时称为“带保护膜的半导体芯片”)从具备固化后的粘合剂层的支撑片剥离，无法正常地拾取带保护膜的半导体芯片。通过使本发明中的支撑片中的粘合剂层为非能量射线固化性的粘合剂层，能够确实地避免这样的不良情况，能够更容易地拾取带保护膜的半导体芯片。
在此，对粘合剂层为非能量射线固化性的情况的效果进行了说明，但即使支撑片的与保护膜形成用膜直接接触的层为粘合剂层以外的层，只要该层为非能量射线固化性，则也发挥同样的效果。
<<粘合剂组合物的制备方法>>
粘合剂组合物(I-1)～(I-3)、粘合剂组合物(I-4)等粘合剂组合物(I-1)～(I-3)以外的粘合剂组合物通过掺合上述粘合剂和根据需要的上述粘合剂以外的成分等用于构成粘合剂组合物的各成分而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，也可以同时添加2种以上的成分。
在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任一掺合成分混合将该掺合成分预先稀释而使用，也可以不将溶剂以外的任一掺合成分预先稀释地将溶剂与这些掺合成分混合而使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，只要从以下公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合机进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间就没有特别限定，只要适当调节即可，温度优选为15～30℃。
◎保护膜形成用片
在本发明中，保护膜形成用膜除以上述的保护膜形成用复合片的形式使用以外，也可以以在剥离膜上设置有保护膜形成用膜的保护膜形成用片的形式贴附于上述半导体晶圆的背面后，贴附支撑片而使用。
在此能够使用的保护膜形成用膜如上述的保护膜形成用复合片的项中所说明。
图7是示意性地表示能够用于本发明的保护膜形成用片2F的一实施方式的截面图。
在此所示的保护膜形成用片2F在第1剥离膜15’上具备保护膜形成用膜13，在保护膜形成用膜13上具备第2剥离膜15”。
图7所示的保护膜形成用片2F是在去除了轻剥离侧的第2剥离膜15”的状态下，在保护膜形成用膜13的表面13a中央侧的一部分区域贴附半导体晶圆(省略图示)的背面，并进一步在去除了重剥离侧的第1剥离膜15’的状态下，在保护膜形成用膜13的与表面13a为相反侧的另一个表面13b上贴附支撑片，进而，将保护膜形成用膜13的周缘部附近的区域贴附于环状框等夹具而使用的。
在此，将剥离力小的剥离膜称为轻剥离侧的剥离膜，将剥离力大的剥离膜称为重剥离侧的剥离膜。若使剥离力存在差异，则能够防止在仅剥离轻剥离侧的剥离膜时，保护膜形成用膜从重剥离侧的剥离膜翘起的顾虑，或者保护膜形成用膜要追随两剥离膜而拉伸变形的情况。
在本发明中，将保护膜形成用膜固化而得到的保护膜与支撑片之间的粘合力优选为50～1500mN/25mm，更优选为52～1450mN/25mm，特别优选为53～1430mN/25mm。通过使上述粘合力为上述下限值以上，在拾取带保护膜的半导体芯片时，目标外的带保护膜的半导体芯片的拾取得到抑制，能够高选择性地拾取目标带保护膜的半导体芯片。通过使上述粘合力为上述上限值以下，在拾取带保护膜的半导体芯片时，半导体芯片的破裂及缺损得到抑制。如此，通过使上述粘合力在特定的范围内，保护膜形成用复合片具有良好的拾取适应性。
在本发明中，即使保护膜形成用膜固化后，只要维持支撑片及保护膜形成用膜的固化物(换言之，支撑片及保护膜)的层叠结构，则也将该层叠结构体称为“保护膜形成用复合片”。
保护膜与支撑片之间的粘合力可以通过以下的方法进行测定。
即，将宽度为25mm且长度为任意的保护膜形成用复合片通过该保护膜形成用复合片的保护膜形成用膜贴附于被粘物。
接着，照射能量射线使保护膜形成用膜固化而形成保护膜后，从贴附于被粘物的该保护膜以剥离速度300mm/min将支撑片剥离。此时的剥离采用以保护膜及支撑片的相互接触的面彼此形成180°的角度的方式将支撑片在该支撑片的长度方向(保护膜形成用复合片的长度方向)剥离的所谓180°剥离。然后，测定该180°剥离时的负载(剥离力)，将其测定值作为上述粘合力(mN/25mm)。
供于测定的保护膜形成用复合片的长度只要为能够稳定地检测粘合力的范围就没有特别限定，优选为100～300mm。在测定时，优选形成使保护膜形成用复合片贴附于被粘物的状态，使保护膜形成用复合片的贴附状态稳定化。
在本发明中，保护膜形成用膜与上述支撑片之间的粘合力没有特别限定，例如可以为80mN/25mm以上等，优选为100mN/25mm以上，更优选为150mN/25mm以上，特别优选为200mN/25mm以上。通过使上述粘合力为100mN/25mm以上，在切割时，保护膜形成用膜与支撑片的剥离得到抑制，例如，在背面具备保护膜形成用膜的半导体芯片从支撑片的飞散得到抑制。
另一方面，保护膜形成用膜与上述支撑片之间的粘合力的上限值没有特别限定，例如可以为4000mN/25mm、3500mN/25mm、3000mN/25mm等中的任一者。但是，这些只是一个例子。
作为本发明的另一方面，上述层叠体的支撑片与上述保护膜形成用膜之间的粘合力为10～30000mN/25mm，优选为100～20000mN/25mm，更优选为150～10000mN/25mm，进一步优选为200～8000mN/25mm。
保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力除不通过照射能量射线使供于测定的保护膜形成用膜固化的方面以外，可以通过与上述的保护膜与支撑片之间的粘合力相同的方法进行测定。
上述的保护膜与支撑片之间的粘合力及保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力例如可以通过调节保护膜形成用膜的含有成分的种类及量、支撑片中的设置保护膜形成用膜的层的构成材料、该层的表面状态等而适当调节。
例如，保护膜形成用膜的含有成分的种类及量可以通过后述的保护膜形成用组合物的含有成分的种类及量进行调节。并且，通过调节保护膜形成用组合物的含有成分中的例如不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的种类及含量、填充材料(d)的含量或交联剂(f)的含量，能够更容易地调节保护膜或保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力。
例如，在支撑片中的设置保护膜形成用膜的层为粘合剂层的情况下，其构成材料可以通过调节粘合剂层的含有成分的种类及量而适当调节。并且，粘合剂层的含有成分的种类及量可以通过上述的粘合剂组合物的含有成分的种类及量而进行调节。
另一方面，在支撑片中的设置保护膜形成用膜的层为基材的情况下，保护膜或保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力除通过基材的构成材料进行调节以外，也可以通过基材的表面状态进行调节。并且，基材的表面状态例如可以通过实施之前作为提高基材与其它层的密合性的处理所举出的表面处理，即，利用喷砂处理、溶剂处理等的凹凸化处理；电晕放电处理、电子束照射处理、等离子体处理、臭氧〃紫外线照射处理、火焰处理、铬酸处理、热风处理等氧化处理；底漆处理等任一处理而进行调节。
保护膜形成用膜可举出具有能量射线固化性，例如含有能量射线固化性成分(a)的膜。
能量射线固化性成分(a)优选为未固化，优选为具有粘合性，更优选为未固化且具有粘合性。
保护膜形成用膜可以仅为1层(单层)，也可以为2层以上的多个层，在为多个层的情况下，这些多个层相互可以相同也可以不同，这些多个层的组合没有特别限定。
保护膜形成用膜的厚度优选为1～100μm，更优选为5～75μm，特别优选为5～50μm。通过使保护膜形成用膜的厚度为上述下限值以上，能够形成保护能力更高的保护膜。通过使保护膜形成用膜的厚度为上述上限值以下，能够抑制厚度过厚。
在此，“保护膜形成用膜的厚度”是指保护膜形成用膜整体的厚度，例如由多个层构成的保护膜形成用膜的厚度是指构成保护膜形成用膜的全部层的合计厚度。
只要保护膜成为充分地发挥其功能的程度的固化度，则使保护膜形成用膜固化而形成保护膜时的固化条件就没有特别限定，只要根据保护膜形成用膜的种类适当选择即可。
例如，保护膜形成用膜的固化时的能量射线的照度优选为4～280mW/cm2。上述固化时的能量射线的光量优选为3～1000mJ/cm2。
<<保护膜形成用组合物>>
保护膜形成用膜可以使用含有其构成材料的保护膜形成用组合物而形成。例如，在保护膜形成用膜的形成对象面涂敷保护膜形成用组合物，根据需要使其干燥，由此能够在目标部位形成保护膜形成用膜。保护膜形成用组合物中的常温下不会气化的成分彼此的含量比通常与保护膜形成用膜的上述成分彼此的含量比相同。在此，“常温”如之前所说明。
保护膜形成用组合物的涂敷只要通过公知的方法进行即可，例如可举出使用以下各种涂布机的方法：气刀涂布机、刮片涂布机、棒涂机、凹版涂布机、辊涂机、辊刀涂布机、幕涂机、模涂机、刮刀涂布机、丝网涂布机、迈耶棒涂布机、棒式涂布机、吻涂机等。
保护膜形成用组合物的干燥条件没有特别限定，保护膜形成用组合物含有后述的溶剂时，优选进行加热干燥，此时，优选在例如70～130℃且10秒～5分钟的条件下进行干燥。
<保护膜形成用组合物(IV-1)>
作为保护膜形成用组合物，例如可举出含有上述能量射线固化性成分(a)的保护膜形成用组合物(IV-1)等。
[能量射线固化性成分(a)]
能量射线固化性成分(a)为通过照射能量射线而固化的成分，也是用于对保护膜形成用膜赋予造膜性、挠性等的成分。
作为能量射线固化性成分(a)，例如可举出具有能量射线固化性基团且重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)及具有能量射线固化性基团且分子量为100～80000的化合物(a2)。上述聚合物(a1)可以为其至少一部分通过后述的交联剂(f)进行交联的聚合物，也可以为不进行交联的聚合物。
在本说明书中，重均分子量只要没有特别说明，则是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法所测定的聚苯乙烯换算值。
(具有能量射线固化性基团且重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1))
作为具有能量射线固化性基团且重均分子量为80000～2000000的聚合物(a1)，例如可举出丙烯酸类树脂(a1-1)，所述丙烯酸类树脂(a1-1)是丙烯酸类聚合物(a11)与能量射线固化性化合物(a12)聚合而成的，所述丙烯酸类聚合物(a11)具有能够与其它化合物所具有的基团反应的官能团，所述能量射线固化性化合物(a12)具有与上述官能团反应的基团及能量射线固化性双键等能量射线固化性基团。
作为能够与其它化合物所具有的基团反应的上述官能团，例如可举出羟基、羧基、氨基、取代氨基(氨基的1个或2个氢原子被氢原子以外的基团取代而成的基团)、环氧基等。但是，从防止半导体晶圆、半导体芯片等的电路腐蚀的方面考虑，上述官能团优选为羧基以外的基团。
这些之中，上述官能团优选为羟基。
〃具有官能团的丙烯酸类聚合物(a11)
作为具有上述官能团的丙烯酸系聚合物(a11)，例如可举出具有上述官能团的丙烯酸类单体与不具有上述官能团的丙烯酸类单体进行共聚而成的聚合物，也可以为除这些单体以外还进一步使丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)进行共聚而成的聚合物。
上述丙烯酸类聚合物(a11)可以为无规共聚物，也可以为嵌段共聚物。
作为具有上述官能团的丙烯酸类单体，例如可举出含羟基单体、含羧基单体、含氨基单体、含取代氨基单体、含环氧基单体等。
作为上述含羟基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等(甲基)丙烯酸羟基烷基酯；乙烯醇、烯丙醇等非(甲基)丙烯酸类不饱和醇(不具有(甲基)丙烯酰基骨架的不饱和醇)等。
作为上述含羧基单体，例如可举出(甲基)丙烯酸、巴豆酸等烯属不饱和一元羧酸(具有烯属不饱和键的一元羧酸)；富马酸、衣康酸、马来酸、柠康酸等烯属不饱和二羧酸(具有烯属不饱和键的二羧酸)；上述烯属不饱和二羧酸的酸酐；甲基丙烯酸2-羧基乙酯等(甲基)丙烯酸羧基烷基酯等。
具有上述官能团的丙烯酸类单体优选含羟基单体、含羧基单体，更优选含羟基单体。
构成上述丙烯酸类聚合物(a11)的具有上述官能团的丙烯酸类单体可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
作为不具有上述官能团的丙烯酸类单体，例如可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆着酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。
另外，作为不具有上述官能团的丙烯酸类单体，例如也可举出(甲基)丙烯酸甲氧基甲酯、(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基甲酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯等含烷氧基烷基的(甲基)丙烯酸酯；包含(甲基)丙烯酸苯酯等(甲基)丙烯酸芳基酯等的具有芳香族基团的(甲基)丙烯酸酯；非交联性的(甲基)丙烯酰胺及其衍生物；(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N,N-二甲基氨基丙酯等非交联性的具有叔氨基的(甲基)丙烯酸酯等。
构成上述丙烯酸类聚合物(a11)的不具有上述官能团的丙烯酸类单体可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
作为上述非丙烯酸类单体，例如可举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
构成上述丙烯酸类聚合物(a11)的上述非丙烯酸类单体可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述丙烯酸类聚合物(a11)中，由具有上述官能团的丙烯酸类单体衍生的结构单元的量相对于构成该丙烯酸类聚合物(a11)的结构单元的总质量的比例(含量)优选为0.1～50质量％，更优选为1～40质量％，特别优选为3～30质量％。通过使上述比例为这样的范围，在通过上述丙烯酸类聚合物(a11)与上述能量射线固化性化合物(a12)的共聚而得到的上述丙烯酸类树脂(a1-1)中，能量射线固化性基团的含量能够将第1保护膜的固化程度容易地调节为优选的范围。
构成上述丙烯酸类树脂(a1-1)的上述丙烯酸类聚合物(a11)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在保护膜形成用组合物(IV-1)中，丙烯酸类树脂(a1-1)的含量相对于上述保护膜形成用组合物(IV-1)的总质量，优选为1～40质量％，更优选为2～30质量％，特别优选为3～20质量％。
〃能量射线固化性化合物(a12)
上述能量射线固化性化合物(a12)优选具有选自由异氰酸酯基、环氧基及羧基构成的组中的1种或2种以上作为能够与上述丙烯酸类聚合物(a11)所具有的官能团反应的基团的化合物，更优选具有异氰酸酯基作为上述基团的化合物。在上述能量射线固化性化合物(a12)例如具有异氰酸酯基作为上述基团的情况下，该异氰酸酯基容易与具有羟基作为上述官能团的丙烯酸类聚合物(a11)的该羟基反应。
上述能量射线固化性化合物(a12)优选在1分子中具有1～5个上述能量射线固化性基团，更优选具有1～3个。
作为上述能量射线固化性化合物(a12)，例如可举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、甲基丙烯酰基异氰酸酯、异氰酸烯丙酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯；
通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物；
通过二异氰酸酯化合物或多异氰酸酯化合物、多元醇化合物与(甲基)丙烯酸羟基乙酯的反应而得到的丙烯酰基单异氰酸酯化合物等。
这些之中，上述能量射线固化性化合物(a12)优选为2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
构成上述丙烯酸类树脂(a1-1)的上述能量射线固化性化合物(a12)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在上述丙烯酸类树脂(a1-1)中，来自上述能量射线固化性化合物(a12)的能量射线固化性基团的含量相对于来自上述丙烯酸类聚合物(a11)的上述官能团的含量的比例优选为20～120摩尔％，更优选为35～100摩尔％，特别优选为50～100摩尔％。通过使上述含量的比例为这样的范围，通过固化而形成的保护膜的粘接力变得更大。应予说明，在上述能量射线固化性化合物(a12)为单官能(在1分子中具有1个上述基团)化合物的情况下，上述含量的比例的上限值成为100摩尔％，但在上述能量射线固化性化合物(a12)为多官能(在1分子中具有2个以上的上述基团)化合物的情况下，有时上述含量的比例的上限值超过100摩尔％。
上述聚合物(a1)的重均分子量(Mw)优选为100000～2000000，更优选为300000～1500000。
在上述聚合物(a1)的至少一部分通过交联剂(f)进行交联的情况下，上述聚合物(a1)可以为不属于作为构成上述丙烯酸类聚合物(a11)的单体说明的上述单体的任一者，且具有与交联剂(f)反应的基团的单体进行聚合，而在与上述交联剂(f)反应的基团处进行交联而成的聚合物，也可以为在来自上述能量射线固化性化合物(a12)的与上述官能团反应的基团处进行交联而成的化合物。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的上述聚合物(a1)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
(具有能量射线固化性基团且分子量为100～80000的化合物(a2))
作为具有能量射线固化性基团且分子量为100～80000的化合物(a2)所具有的能量射线固化性基团，可举出包含能量射线固化性双键的基团，作为优选的基团，可举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基等。
上述化合物(a2)只要满足上述条件就没有特别限定，可举出具有能量射线固化性基团的低分子量化合物、具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂等。
上述化合物(a2)中，作为具有能量射线固化性基团的低分子量化合物，例如可举出多官能的单体或低聚物等，优选具有(甲基)丙烯酰基的丙烯酸酯类化合物。
作为上述丙烯酸酯类化合物，例如可举出2-羟基-3-(甲基)丙烯酰氧基丙基甲基丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙氧基化乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基]丙烷、乙氧基化双酚A二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基二乙氧基)苯基]丙烷、9,9-双[4-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]芴、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基聚丙氧基)苯基]丙烷、三环癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯(三环癸烷二羟甲基二(甲基)丙烯酸酯)、1,10-癸二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2,2-双[4-((甲基)丙烯酰氧基乙氧基)苯基]丙烷、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-羟基-1,3-二(甲基)丙烯酰氧基丙烷等双官能(甲基)丙烯酸酯；
三(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、ε-己内酯改性三-(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)异氰脲酸酯、乙氧基化甘油三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙氧基化季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇聚(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯等多官能(甲基)丙烯酸酯；
氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯低聚物等多官能(甲基)丙烯酸酯低聚物等。
上述化合物(a2)中，作为具有能量射线固化性基团的环氧树脂、具有能量射线固化性基团的酚树脂，例如可以使用“日本特开2013-194102号公报”中的段落0043等中所记载的树脂。这样的树脂也符合构成后述的热固化性成分(h)的树脂，但在本发明中视为上述化合物(a2)。
上述化合物(a2)的重均分子量优选为100～30000，更优选为300～10000。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的上述化合物(a2)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
[不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)]
在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜含有上述化合物(a2)作为上述能量射线固化性成分(a)的情况下，优选也进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
上述聚合物(b)可以为其至少一部分通过交联剂(f)进行交联的聚合物，也可以为不进行交联的聚合物。
作为不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可举出丙烯酸类聚合物、苯氧基树脂、氨基甲酸酯树脂、聚酯、橡胶类树脂、丙烯酸氨基甲酸酯树脂、聚乙烯醇(PVA)、丁醛树脂、聚酯氨基甲酸酯树脂等。
这些之中，上述聚合物(b)优选为丙烯酸类聚合物(以下，有时简称为“丙烯酸类聚合物(b-1)”)。
丙烯酸类聚合物(b-1)可以为公知的聚合物，例如可以为1种丙烯酸类单体的均聚物，也可以为2种以上的丙烯酸类单体的共聚物，还可以为1种或2种以上的丙烯酸类单体与1种或2种以上的除丙烯酸类单体以外的单体(非丙烯酸类单体)的共聚物。
作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的上述丙烯酸类单体，例如可举出(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯、含羟基的(甲基)丙烯酸酯、含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯等。在此，“取代氨基”，如之前所说明。
作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯，例如可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸月桂酯)、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯)、(甲基)丙烯酸十五烷基酯、(甲基)丙烯酸十六烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸棕榈酯)、(甲基)丙烯酸十七烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯(也称为(甲基)丙烯酸硬脂酸酯)等构成烷基酯的烷基的碳原子数为1～18的链状结构的(甲基)丙烯酸烷基酯等。
作为上述具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，例如可举出(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯等(甲基)丙烯酸环烷基酯；
(甲基)丙烯酸苄酯等(甲基)丙烯酸芳烷基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯酯等(甲基)丙烯酸环烯基酯；
(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯等(甲基)丙烯酸环烯氧基烷基酯等。
作为上述含缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯，例如可举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯等。
作为上述含羟基的(甲基)丙烯酸酯，例如可举出(甲基)丙烯酸羟基甲酯、(甲基)丙烯酸2-羟基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸3-羟基丁酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯等。
作为上述含取代氨基的(甲基)丙烯酸酯，例如可举出(甲基)丙烯酸N-甲基氨基乙酯等。
作为构成丙烯酸类聚合物(b-1)的上述非丙烯酸类单体，例如可举出乙烯、降冰片烯等烯烃；乙酸乙烯酯；苯乙烯等。
作为至少一部分通过交联剂(f)进行交联且不具有上述能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可举出上述聚合物(b)中的反应性官能团与交联剂(f)反应的聚合物。
上述反应性官能团只要根据交联剂(f)的种类等适当选择即可，没有特别限定。例如，在交联剂(f)为多异氰酸酯化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可举出羟基、羧基、氨基等，这些之中，优选与异氰酸酯基的反应性高的羟基。在交联剂(f)为环氧类化合物的情况下，作为上述反应性官能团，可举出羧基、氨基、酰胺基等，这些之中，优选与环氧基的反应性高的羧基。但是，从防止半导体晶圆、半导体芯片的电路腐蚀的方面考虑，上述反应性官能团优选为羧基以外的基团。
作为具有上述反应性官能团且不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，例如可举出至少使具有上述反应性官能团的单体进行聚合而得到的聚合物。若为丙烯酸类聚合物(b-1)的情况，则只要使用具有上述反应性官能团的单体作为对构成该丙烯酸类聚合物(b-1)的单体而言举出的上述丙烯酸类单体及非丙烯酸系单体中的任一者或两者即可。例如，作为具有羟基作为反应性官能团的上述聚合物(b)，例如可举出将含羟基的(甲基)丙烯酸酯进行聚合而得到的聚合物，除此以外，也可举出将在之前举出的上述丙烯酸类单体或非丙烯酸类单体中的1个或2个以上的氢原子被上述反应性官能团取代而成的单体进行聚合而得到的聚合物。
在具有反应性官能团的上述聚合物(b)中，由具有反应性官能团的单体衍生的结构单元的量相对于构成该聚合物(b)的结构单元的总质量的比例(含量)优选为1～25质量％，更优选为2～20质量％。通过使上述比例为这样的范围，在上述聚合物(b)中，交联程度成为更优选的范围。
从保护膜形成用组合物(IV-1)的造膜性更良好的方面考虑，不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的重均分子量(Mw)优选为10000～2000000，更优选为100000～1500000。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
作为保护膜形成用组合物(IV-1)，可举出含有上述聚合物(a1)及上述化合物(a2)中的任一者或两者的组合物。在保护膜形成用组合物(IV-1)含有上述化合物(a2)的情况下，优选也进一步含有不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，此时，也优选进一步含有上述(a1)。保护膜形成用组合物(IV-1)也可以不含有上述化合物(a2)而同时含有上述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)。
在保护膜形成用组合物(IV-1)含有上述聚合物(a1)、上述化合物(a2)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，上述化合物(a2)的含量相对于上述聚合物(a1)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，优选为10～400质量份，更优选为30～350质量份。
在保护膜形成用组合物(IV-1)中，上述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量(即保护膜形成用膜中的上述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的合计含量)相对于溶剂以外的成分的总含量的比例优选为5～90质量％，更优选为10～80质量％，特别优选为15～70质量％。通过使上述合计含量的比例为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更良好。
在保护膜形成用组合物(IV-1)含有上述能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，上述聚合物(b)的含量相对于能量射线固化性成分(a)的含量100质量份，优选为3～160质量份，更优选为6～130质量份。通过使上述聚合物(b)的上述含量为这样的范围，保护膜形成用膜的能量射线固化性变得更良好。
保护膜形成用组合物(IV-1)除能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)以外，也可以根据目的含有选自由光聚合引发剂(c)、填充材料(d)、偶联剂(e)、交联剂(f)、着色剂(g)、热固化性成分(h)及通用添加剂(z)构成的组中的1种或2种以上。例如，通过使用含有上述能量射线固化性成分(a)及热固化性成分(h)的保护膜形成用组合物(IV-1)，所形成的保护膜形成用膜对被粘物的粘接力因加热而提高，由该保护膜形成用膜形成的保护膜的强度也提高。
[光聚合引发剂(c)]
作为光聚合引发剂(c)，例如可举出苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮等苯偶姻化合物；苯乙酮、2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮、2,2-二甲氧基-1,2-二苯基乙烷-1-酮等苯乙酮化合物；苯基双(2,4,6-三甲基苯甲酰基)氧化膦、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦等酰基氧化膦化合物；苄基苯基硫醚、一硫化四甲基秋兰姆等硫化物化合物；1-羟基环己基苯基酮等α-酮醇化合物；偶氮二异丁腈等偶氮化合物；二茂钛等二茂钛化合物；噻吨酮等噻吨酮化合物；二苯甲酮、2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮、1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)等二苯甲酮化合物；过氧化物化合物；双乙酰等二酮化合物；苯偶酰；二苯偶酰；2,4-二乙基噻吨酮；1,2-二苯基甲烷；2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮；2-氯蒽醌等。
作为光聚合引发剂(c)，例如也可以使用1-氯蒽醌等醌化合物；胺等光敏剂等。
保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的光聚合引发剂(c)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用光聚合引发剂(c)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，光聚合引发剂(c)的含量相对于能量射线固化性化合物(a)的含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.03～10质量份，特别优选为0.05～5质量份。
[填充材料(d)]
通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，将保护膜形成用膜固化而得到的保护膜容易调整热膨胀系数，通过将该热膨胀系数相对于保护膜的形成对象物进行优化，使用保护膜形成用复合片得到的封装的可靠性进一步提高。通过使保护膜形成用膜含有填充材料(d)，也能够降低保护膜的吸湿率，或者提高散热性。
作为填充材料(d)，例如可举出由导热性材料构成的材料。
填充材料(d)可以为有机填充材料及无机填充材料中的任一者，优选为无机填充材料。
作为优选的无机填充材料，例如可举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、钛白、铁丹、碳化硅、氮化硼等的粉末；将这些无机填充材料球形化而成的珠粒；这些无机填充材料的表面改性品；这些无机填充材料的单晶纤维；玻璃纤维等。
这些之中，无机填充材料优选为二氧化硅或氧化铝。
填充材料(d)的平均粒径没有特别限定，优选为0.01～20μm，更优选为0.1～15μm，特别优选为0.3～10μm。通过使填充材料(d)的平均粒径为这样的范围，能够维持对保护膜的形成对象物的粘接性，并且能够抑制保护膜的光的透过率的降低。
在本说明书中，“平均粒径”只要没有特别说明，则是指通过激光衍射散射法所求出的粒度分布曲线中的累计值为50％处的粒径(D50)的值。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的填充材料(d)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用填充材料(d)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，填充材料(d)的含量(即保护膜形成用膜的填充材料(d)的含量)相对于溶剂以外的全部成分的总含量的比例优选为5～83质量％，更优选为7～78质量％。通过使填充材料(d)的含量为这样的范围，更容易调整上述的热膨胀系数。
[偶联剂(e)]
通过使用具有能够与无机化合物或有机化合物反应的官能团的偶联剂作为偶联剂(e)，能够提高保护膜形成用膜对被粘物的粘接性及密合性。通过使用偶联剂(e)，将保护膜形成用膜固化而得到的保护膜的耐水性提高而不损害耐热性。
偶联剂(e)优选为具有能够与能量射线固化性成分(a)、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)等所具有的官能团反应的官能团的化合物，更优选为硅烷偶联剂。
作为优选的上述硅烷偶联剂，例如可举出3-缩水甘油醚氧基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油醚氧基甲基二乙氧基硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-(2-氨基乙基氨基)丙基甲基二乙氧基硅烷、3-(苯基氨基)丙基三甲氧基硅烷、3-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、3-脲基丙基三乙氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基甲硅烷基丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的偶联剂(e)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用偶联剂(e)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，偶联剂(e)的含量相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，优选为0.03～20质量份，更优选为0.05～10质量份，特别优选为0.1～5质量份。通过使偶联剂(e)的上述含量为上述下限值以上，能够更显著地得到填充材料(d)在树脂中的分散性提高、保护膜形成用膜与被粘物的粘接性提高等由使用偶联剂(e)所带来的效果。通过使偶联剂(e)的上述含量为上述上限值以下，能够进一步抑制产生脱气。
[交联剂(f)]
通过使用交联剂(f)将上述的能量射线固化性成分(a)、不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)进行交联，能够调节保护膜形成用膜的初期粘接力及凝聚力。
作为交联剂(f)，例如可举出有机多异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合物类交联剂(具有金属螯合物结构的交联剂)、氮丙啶类交联剂(具有氮丙啶基的交联剂)等。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，例如可举出芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物及脂环族多异氰酸酯化合物(以下，有时将这些化合物汇总简称为“芳香族多异氰酸酯化合物等”)；上述芳香族多异氰酸酯化合物等的三聚物、异氰脲酸酯体及加合物；使上述芳香族多异氰酸酯化合物等与多元醇化合物反应而得到的末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物等。上述“加合物”是指上述芳香族多异氰酸酯化合物、脂肪族多异氰酸酯化合物或脂环族多异氰酸酯化合物与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷或蓖麻油等低分子含活性氢化合物的反应物，作为其例子，可举出如后所述的三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯加成物等。“末端异氰酸酯氨基甲酸酯预聚物”是指具有氨基甲酸酯键并且在分子末端部具有异氰酸酯基的预聚物。
作为上述有机多异氰酸酯化合物，更具体而言，例如可举出2,4-甲苯二异氰酸酯；2,6-甲苯二异氰酸酯；1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯；1,4-二甲苯二异氰酸酯；二苯基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二苯基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯；六亚甲基二异氰酸酯；异佛尔酮二异氰酸酯；二环己基甲烷-4,4’-二异氰酸酯；二环己基甲烷-2,4’-二异氰酸酯；对三羟甲基丙烷等多元醇的全部或一部分羟基加成甲苯二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯及苯二亚甲基二异氰酸酯中的任1种或2种以上而成的化合物；赖氨酸二异氰酸酯等。
作为上述有机多元亚胺化合物，例如可举出N,N’-二苯基甲烷-4,4’-双(1-氮丙啶甲酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-氮丙啶基丙酸酯、N,N’-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶甲酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
在使用有机多异氰酸酯化合物作为交联剂(f)的情况下，作为能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)，优选使用含羟基聚合物。在交联剂(f)具有异氰酸酯基，能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)具有羟基的情况下，通过交联剂(f)与能量射线固化性成分(a)或不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的反应，能够将交联结构简便地导入到保护膜形成用膜中。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的交联剂(f)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用交联剂(f)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，交联剂(f)的含量相对于能量射线固化性成分(a)及不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的总含量100质量份，优选为0.01～20质量份，更优选为0.1～10质量份，特别优选为0.5～5质量份。通过使交联剂(f)的上述含量为上述下限值以上，能够更显著地得到由使用交联剂(f)所带来的效果。通过使交联剂(f)的上述含量为上述上限值以下，能够抑制交联剂(f)的过量使用。
[着色剂(g)]
作为着色剂(g)，例如可举出无机类颜料、有机类颜料、有机类染料等公知的着色剂。
作为上述有机类颜料及有机类染料，例如可举出胺(aminium)类色素、花青类色素、部花青类色素、克酮酸(croconium)类色素、方酸菁(squalilium)类色素、甘菊蓝(azulenium)类色素、聚甲炔类色素、萘醌类色素、吡喃类色素、酞菁类色素、萘菁类色素、萘内酰亚胺(naphtholactam)类色素、偶氮类色素、缩合偶氮类色素、靛蓝类色素、紫环酮(perinone)类色素、苝类色素、二噁嗪类色素、喹吖啶酮类色素、异吲哚啉酮类色素、喹酞酮类色素、吡咯类色素、硫靛类色素、金属络合物类色素(金属络合盐染料)、二硫醇金属络合物类色素、吲哚酚类色素、三烯丙基甲烷类色素、蒽醌类色素、萘酚类色素、甲亚胺类色素、苯并咪唑酮类色素、皮蒽酮类色素及士林(threne)类色素等。
作为上述无机类颜料，例如可举出炭黑、钴类色素、铁类色素、铬类色素、钛类色素、钒类色素、锆类色素、钼类色素、钌类色素、铂类色素、ITO(氧化铟锡)类色素、ATO(氧化锑锡)类色素等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的着色剂(g)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用着色剂(g)的情况下，保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量只要根据目的适当调节即可。例如，有时通过激光照射对保护膜实施印字，通过调节保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量，调节保护膜的透光性，能够调节印字可视性。此时，在保护膜形成用组合物(IV-1)中，着色剂(g)的含量(即保护膜形成用膜的着色剂(g)的含量)相对于溶剂以外的全部成分的总含量的比例优选为0.1～10质量％，更优选为0.4～7.5质量％，特别优选为0.8～5质量％。通过使着色剂(g)的上述含量为上述下限值以上，能够更显著地得到由使用着色剂(g)所带来的效果。通过使着色剂(g)的上述含量为上述上限值以下，能够抑制着色剂(g)的过量使用。
[热固化性成分(h)]
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的热固化性成分(h)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
作为热固化性成分(h)，例如可举出环氧类热固化性树脂、热固化性聚酰亚胺、聚氨酯、不饱和聚酯、有机硅树脂等，优选环氧类热固化性树脂。
(环氧类热固化性树脂)
环氧类热固化性树脂由环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)构成。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的环氧类热固化性树脂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
〃环氧树脂(h1)
作为环氧树脂(h1)，可举出公知的环氧树脂，例如可举出多官能类环氧树脂、联苯化合物、双酚A二缩水甘油醚及其氢化物、邻甲酚酚醛清漆环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等双官能以上的环氧化合物。
作为环氧树脂(h1)，也可以使用具有不饱和烃基的环氧树脂。具有不饱和烃基的环氧树脂与不具有不饱和烃基的环氧树脂相比，与丙烯酸类树脂的相容性高。因此，通过使用具有不饱和烃基的环氧树脂，使用保护膜形成用复合片而得到的封装的可靠性提高。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可举出将多官能类环氧树脂的一部分环氧基变换为具有不饱和烃基的基团而成的化合物。这样的化合物例如通过使(甲基)丙烯酸或其衍生物与环氧基进行加成反应而得到。
作为具有不饱和烃基的环氧树脂，例如可举出在构成环氧树脂的芳香环等上直接键合有具有不饱和烃基的基团的化合物等。
不饱和烃基为具有聚合性的不饱和基团，作为其具体的例子，可举出次乙基(也称为乙烯基)、2-丙烯基(也称为烯丙基)、(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基等，优选丙烯酰基。
环氧树脂(h1)的数均分子量没有特别限定，从保护膜形成用膜的固化性以及保护膜的强度及耐热性的方面考虑，优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
在本说明书中，“数均分子量”只要没有特别说明，则是指通过凝胶渗透色谱(GPC)法所测定且以标准聚苯乙烯换算的值表示的数均分子量。
环氧树脂(h1)的环氧当量优选为100～1000g/eq，更优选为150～800g/eq。
在本说明书中，“环氧当量”是指包含1克当量的环氧基的环氧化合物的克数(g/eq)，可以依据JIS K 7236：2001的方法进行测定。
环氧树脂(h1)可以单独使用1种，也可以并用2种以上，在并用2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
〃热固化剂(h2)
热固化剂(h2)作为针对环氧树脂(h1)的固化剂发挥作用。
作为热固化剂(h2)，例如可举出在1分子中具有2个以上的能够与环氧基反应的官能团的化合物。作为上述官能团，例如可举出酚性羟基、醇性羟基、氨基、羧基、酸基被酐化而成的基团等，优选酚性羟基、氨基或酸基被酐化而成的基团，更优选为酚性羟基或氨基。
热固化剂(h2)中，作为具有酚性羟基的酚类固化剂，例如可举出多官能酚树脂、联苯二酚、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚醛树脂、芳烷基酚树脂等。
热固化剂(h2)中，作为具有氨基的胺类固化剂，例如可举出双氰胺(以下，有时简称为“DICY”)等。
热固化剂(h2)也可以具有不饱和烃基。
作为具有不饱和烃基的热固化剂(h2)，例如可举出将酚树脂的羟基的一部分用具有不饱和烃基的基团取代而成的化合物、在酚树脂的芳香环上直接键合具有不饱和烃基的基团而成的化合物等。
热固化剂(h2)中的上述不饱和烃基与上述的具有不饱和烃基的环氧树脂中的不饱和烃基相同。
在使用酚类固化剂作为热固化剂(h2)的情况下，从提高保护膜从支撑片的剥离性的方面考虑，热固化剂(h2)优选软化点或玻璃化转变温度高的酚类固化剂。
在本说明书中，“玻璃化转变温度”如下表示，即，使用差示扫描热量计，测定试样的DSC曲线，以得到的DSC曲线的拐点的温度表示。
热固化剂(h2)中，例如，多官能酚树脂、酚醛清漆型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、芳烷基酚树脂等树脂成分的数均分子量优选为300～30000，更优选为400～10000，特别优选为500～3000。
热固化剂(h2)中，例如，联苯二酚、双氰胺等非树脂成分的分子量没有特别限定，例如优选为60～500。
热固化剂(h2)可以单独使用1种，也可以并用2种以上，在并用2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用热固化性成分(h)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，热固化剂(h2)的含量相对于环氧树脂(h1)的含量100质量份，优选为0.01～20质量份。
在使用热固化性成分(h)的情况下，在保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜中，热固化性成分(h)的含量(例如，环氧树脂(h1)及热固化剂(h2)的总含量)相对于不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的含量100质量份，优选为1～500质量份。
[通用添加剂(z)]
通用添加剂(z)可以为公知的通用添加剂，可以根据目的任意地选择，没有特别限定，作为优选的通用添加剂，例如可举出增塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、吸杂剂等。
保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜所含有的通用添加剂(z)可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
在使用通用添加剂(z)的情况下，保护膜形成用组合物(IV-1)及保护膜形成用膜的通用添加剂(z)的含量没有特别限定，只要根据目的适当选择即可。
[溶剂]
保护膜形成用组合物(IV-1)优选进一步含有溶剂。含有溶剂的保护膜形成用组合物(IV-1)的操作性良好。
上述溶剂没有特别限定，作为优选的上述溶剂，例如可举出甲苯、二甲苯等烃；甲醇、乙醇、2-丙醇、异丁醇(也称为2-甲基丙烷-1-醇)、1-丁醇等醇；乙酸乙酯等酯；丙酮、甲基乙基酮等酮；四氢呋喃等醚；二甲基甲酰胺、N-甲基吡咯烷酮等酰胺(具有酰胺键的化合物)等。
保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂可以仅为1种，也可以为2种以上，在为2种以上的情况下，它们的组合及比率可以任意地选择。
从能够将保护膜形成用组合物(IV-1)中的含有成分更均匀地混合的方面考虑，保护膜形成用组合物(IV-1)所含有的溶剂优选为甲基乙基酮、甲苯或乙酸乙酯等。
本发明的一个方面中，保护膜形成用膜含有：作为能量射线固化性成分(a2)的三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为5～35质量％，更优选为10～30质量％)；作为不具有能量射线固化性基团的聚合物(b)的由来自丙烯酸丁酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的总质量为5～15质量％，更优选为7.5～12.5质量％)、来自丙烯酸甲酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的总质量为55～85质量％，更优选为60～80质量％)、来自甲基丙烯酸缩水甘油酯的结构单元(相对于丙烯酸类树脂的总质量为2～8质量％，更优选为3～7质量％)及丙烯酸-2-羟基乙酯(相对于丙烯酸类树脂的总质量为5～25质量％，更优选为10～20质量％)构成的丙烯酸类树脂(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.5～30质量％，更优选为1～25质量％)；作为光聚合引发剂(c)的2-(二甲基氨基)-1-(5-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.1～0.5质量％，更优选为0.2～0.4质量％)及1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.1～0.5质量％，更优选为0.2～0.4质量％)；作为填充剂(d)的二氧化硅填料(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为46～86质量％，更优选为56～76质量％)；作为偶联剂(e)的3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.1～0.7质量％，更优选为0.3～0.5质量％)；以及作为着色剂(g)的包含酞菁类蓝色色素、异吲哚啉酮类黄色色素及蒽醌类红色色素以及苯乙烯丙烯酸树脂的颜料(含量：相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量为0.5～3.5质量％，更优选为1.0～3.0质量％)(其中，各成分的含量的和相对于保护膜形成用组合物(IV-1)的固体成分的总质量不超过100质量％)。
<<保护膜形成用组合物的制备方法>>
保护膜形成用组合物(IV-1)等保护膜形成用组合物通过将用于构成其的各成分进行掺合而得到。
掺合各成分时的添加顺序没有特别限定，可以同时添加2种以上的成分。
在使用溶剂的情况下，可以通过将溶剂与溶剂以外的任一掺合成分混合将该掺合成分预先稀释而使用，也可以通过不将溶剂以外的任一种掺合成分预先稀释地将溶剂与这些掺合成分混合而使用。
掺合时混合各成分的方法没有特别限定，只要从以下公知的方法中适当选择即可：使搅拌子或搅拌叶片等旋转而进行混合的方法；使用混合机进行混合的方法；施加超声波进行混合的方法等。
只要各掺合成分不劣化，则添加及混合各成分时的温度以及时间就没有特别限定，只要适当调节即可，温度优选为15～30℃。
作为与能够用于本发明的保护膜形成用复合片同样地贴附于半导体晶圆或半导体芯片中的与电路面为相反侧的背面、且于支撑片上具备显示粘接性的层的复合片，有切割芯片接合片(dicing die bonding sheet)。
但是，切割芯片接合片所具备的粘接剂层在与半导体芯片一起从支撑片拾取后，作为将该半导体芯片安装于衬底、引线框架或其它半导体芯片等时的粘接剂发挥作用。另一方面，能够用于本发明的保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜在与半导体芯片一起从支撑片拾取的方面与上述粘接剂层相同，但最终通过固化而成为保护膜，具有保护所贴附的半导体芯片的背面这样的功能。如此，本发明中的保护膜形成用膜的用途与切割芯片接合片中的粘接剂层不同，当然所要求的性能也不同。反映该用途的差异，通常，若与切割芯片接合片中的粘接剂层进行比较，则保护膜形成用膜存在较硬，难以拾取的趋势。因此，通常难以将切割芯片接合片中的粘接剂层直接转用作保护膜形成用复合片中的保护膜形成用膜。对能够用于本发明的保护膜形成用复合片而言，作为具备能量射线固化性的保护膜形成用膜的保护膜形成用复合片，可适当选择使用带保护膜的半导体芯片的拾取适应性优异的保护膜形成用复合片。
◇保护膜形成用复合片的制造方法
能够用于本发明的保护膜形成用复合片可以通过将上述各层以成为对应的位置关系的方式依次层叠而制造。各层的形成方法如之前所说明。
例如，制造支撑片时，在基材上层叠粘合剂层的情况下，只要在基材上涂敷上述的粘合剂组合物并根据需要使其干燥即可。
另一方面，例如，在已层叠在基材上的粘合剂层上进一步层叠保护膜形成用膜的情况下，可以在粘合剂层上涂敷保护膜形成用组合物而直接形成保护膜形成用膜。保护膜形成用膜以外的层也可以使用用于形成该层的组合物，通过同样的方法在粘合剂层上层叠该层。如此，在使用任一组合物形成连续的2层的层叠结构的情况下，可以在由上述组合物形成的层上进一步涂敷组合物而新形成层。
其中，优选使用上述组合物在另一剥离膜上预先形成这些2层中的后层叠的层，将该已形成的层的与和上述剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面与已形成的剩余的层的露出面贴合，由此形成连续的2层的层叠结构。此时，上述组合物优选涂敷于剥离膜的剥离处理面。形成层叠结构后，只要根据需要去除剥离膜即可。
例如，在制造在基材上层叠粘合剂层，在上述粘合剂层上层叠保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片(支撑片为基材及粘合剂层的层叠物的保护膜形成用复合片)的情况下，在基材上涂敷粘合剂组合物，根据需要使其干燥，由此在基材上预先层叠粘合剂层，另行在剥离膜上涂敷保护膜形成用组合物，根据需要使其干燥，由此在剥离膜上预先形成保护膜形成用膜。然后，将该保护膜形成用膜的露出面与已层叠在基材上的粘合剂层的露出面贴合，将保护膜形成用膜层叠于粘合剂层上，由此得到保护膜形成用复合片。
在基材上层叠粘合剂层的情况下，如上所述，也可以代替在基材上涂敷粘合剂组合物的方法，在剥离膜上涂敷粘合剂组合物，根据需要使其干燥，由此在剥离膜上预先形成粘合剂层，将该层的露出面与基材的一个表面贴合，由此在基材上层叠粘合剂层。
在任一方法中，均只要在形成目标层叠结构后的任意时机去除剥离膜即可。
如此，构成保护膜形成用复合片的基材以外的层均可以通过预先形成在剥离膜上，并贴合于目标层的表面的方法进行层叠，因此，只要根据需要适当选择采用这样的工序的层来制造保护膜形成用复合片即可。
保护膜形成用复合片通常以在与其支撑片为相反侧的最表层(例如，保护膜形成用膜)的表面贴合有剥离膜的状态进行保管。因此，在该剥离膜(优选为其剥离处理面)上涂敷保护膜形成用组合物等用于形成构成最表层的层的组合物，根据需要使其干燥，由此在剥离膜上预先形成构成最表层的层，在该层的与和剥离膜接触的一侧为相反侧的露出面上利用上述任一方法层叠剩余的各层，保持不去除剥离膜而贴合的状态，由此也可得到保护膜形成用复合片。
实施例
以下，通过具体的实施例对本发明更详细地进行说明。但是，本发明并不受以下所示的实施例任何限定。
以下示出保护膜形成用组合物的制备中使用的成分。
〃能量射线固化性成分
(a2)-1：三环癸烷二羟甲基二丙烯酸酯(日本化药公司制造的“KAYARAD R-684”，双官能紫外线固化性化合物，分子量304)。
〃不具有能量射线固化性基团的聚合物
(b)-1：将丙烯酸丁酯(以下，简称为“BA”)(10质量份)、丙烯酸甲酯(以下，简称为“MA”)(70质量份)、甲基丙烯酸缩水甘油酯(以下，简称为“GMA”)(5质量份)及丙烯酸2-羟基乙酯(以下，简称为“HEA”)(15质量份)进行共聚而成的丙烯酸类树脂(重均分子量300000，玻璃化转变温度-1℃)
〃光聚合引发剂
(c)-1：2-(二甲基氨基)-1-(4-吗啉苯基)-2-苄基-1-丁酮(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)369”)
(c)-2：1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲酰基)-9H-咔唑-3-基]乙酮1-(O-乙酰肟)(BASF公司制造的“Irgacure(注册商标)OXE02”)
〃填充材料
(d)-1：二氧化硅填料(熔融石英填料，平均粒径8μm)
〃偶联剂
(e)-1：3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业公司制造的“KBM-503”，硅烷偶联剂)
〃着色剂
(g)-1：将酞菁类蓝色色素(Pigment Blue 15：3)32质量份、异吲哚啉酮类黄色色素(Pigment Yellow 139)18质量份及蒽醌类红色色素(Pigment Red 177)50质量份混合，以使上述3种色素的合计量/苯乙烯丙烯酸树脂量＝1/3(质量比)的方式进行颜料化而得到的颜料
[实施例1]
<保护膜形成用复合片的制造>
(保护膜形成用组合物(IV-1)的制备)
以使能量射线固化性成分(a2)-1、聚合物(b)-1、光聚合引发剂(c)-1、光聚合引发剂(c)-2、填充材料(d)-1、偶联剂(e)-1及着色剂(g)-1的含量(固体成分量，质量份)成为表1所示的值的方式溶解或分散于甲基乙基酮中，在23℃进行搅拌，由此制备固体成分浓度为50质量％的保护膜形成用组合物(IV-1)。
(粘合剂组合物(I-2)的制备)
制备固体成分浓度为30质量％的紫外线固化性的粘合剂组合物(I-2)，该粘合剂组合物(I-2)含有丙烯酸类聚合物(100质量份，固体成分)、六亚甲基二异氰酸酯类交联剂(Nippon Polyurethane公司制造的“Coronate HL”，9质量份)及低聚[2-羟基-2-甲基-1-(4-(1-甲基乙烯基)苯基)丙酮](DKSH公司制造的“KIP-150”，3质量份)，并进一步含有作为溶剂的甲基乙基酮。上述丙烯酸类聚合物是使丙烯酸2-乙基己酯(以下，简称为“2EHA”)(70mol％)及HEA(30mol％)共聚而成的丙烯酸类聚合物与2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(以下，简称为“MOI”)(相对于上述丙烯酸类聚合物中的来自HEA的羟基的总摩尔数，2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯中的异氰酸酯基的总摩尔数成为0.8倍的量)反应而得到的，其在侧链具有甲基丙烯酰氧基，重均分子量为600000。
(支撑片的制造)
在将聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面通过硅酮处理进行了剥离处理的剥离膜(琳得科公司制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的上述剥离处理面涂敷上述得到的粘合剂组合物(I-3)，在120℃加热干燥2分钟，由此形成厚度10μm的非能量射线固化性的粘合剂层。
接着，在该粘合剂层的露出面贴合作为基材的聚丙烯类膜(厚度80μm)，由此得到在上述基材的一个表面上具备上述粘合剂层的支撑片(10)-7。
(保护膜形成用复合片的制造)
利用刮刀涂布机在将聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面通过硅酮处理进行了剥离处理的剥离膜(琳得科公司制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的上述剥离处理面涂敷上述得到的保护膜形成用组合物(IV-1)，在100℃干燥2分钟，由此制作厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-1。
接着，从上述得到的支撑片(10)-7的粘合剂层去除剥离膜，在该粘合剂层的露出面贴合上述得到的保护膜形成用膜(13)-1的露出面，制作保护膜形成用复合片，该保护膜形成用复合片是基材、粘合剂层、保护膜形成用膜(13)-1及剥离膜在它们的厚度方向依次层叠而成的。将得到的保护膜形成用复合片的结构示于表2。
<保护膜形成用复合片的评价>
(保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力)
将上述得到的保护膜形成用复合片裁切成25mm×140mm的大小，从保护膜形成用复合片去除剥离膜，使保护膜形成用膜(13)-1的一个表面露出，作为固化前试验片。另一方面，准备在SUS制的支撑板(70mm×150mm)的表面贴合有双面粘合胶带的试验片。然后，使用层压机(Fuji公司制造的“LAMIPACKER LPD3214”)，将固化前试验片的保护膜形成用膜(13)-1的露出面贴附于支撑板上的上述双面粘合胶带，由此介由双面粘合带在支撑板贴附固化前试验片。
接着，使用精密万能试验机(岛津制作所制造的“Autograph AG-IS”)，在剥离角度180°、测定温度23℃、拉伸速度300mm/min的条件下进行将支撑片(10)-7(固化前的粘合剂层与基材的层叠物)从保护膜形成用膜(13)-1剥离的拉伸试验，测定此时的负载(剥离力)，作为保护膜形成用膜(13)-1与支撑片(10)-7之间的粘合力。应予说明，作为上述负载的测定值，采用在对支撑片(10)-7进行长度100mm的剥离时的测定值中将剥离最初的10mm时和剥离最后的长度10mm时的各自的测定值从有效值中排除后的测定值。将结果示于表2。
(保护膜与支撑片之间的粘合力)
通过与测定上述的固化前试验片的粘合力时相同的方法制作固化前试验片，介由双面粘合带在SUS制的支撑板贴附该固化前试验片。
接着，使用紫外线照射装置(琳得科公司制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下对固化前试验片照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，得到固化后试验片。
接着，通过与上述的固化前试验片的情况相同的方法对该固化后试验片测定使保护膜形成用膜(13)-1固化而成的保护膜与支撑片(10)-7之间的粘合力。将结果示于表2。
(切割评价)
将上述得到的保护膜形成用复合片通过其保护膜形成用膜(13)-1贴附于6英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面并进一步将该片固定于环状框。
接着，使用切割刀片，将硅晶圆连同保护膜形成用膜(13)-1一起切割而单片化，得到2mm×2mm的硅芯片。此时，目视确认有无硅芯片从支撑片飞散，将完全没有硅芯片的飞散的情况判定为“○”，将即使存在少许硅芯片的飞散的情况也判定为“×”，对切割适应性进行评价。将结果示于表2。表2中的“芯片的飞散的抑制”一栏的记载为相应的结果。
在切割时，也没有切削水向保护膜与支撑片之间浸入。
(拾取评价)
接着，使用紫外线照射装置(琳得科公司制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下从支撑片(10)-7侧对保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，作为保护膜。
接着，使用芯片接合机(die bonder)(Canon Machinery公司制造的“BESTEM-D02”)拾取20个带保护膜的硅芯片。此时，使用数码显微镜(Keyence公司制造，VHX-100，倍率：100倍)对切割后的硅芯片的切断面进行观察。在确认到20μm以上的宽度或深度的破裂、缺损的情况下，作为产生碎屑的情况判定为不良(×)，在未确认到这样的缺损的情况下判定为良好(○)。将结果示于表2。表2中的“芯片的破裂、缺损的抑制”一栏的记载为相应的结果。
<保护膜形成用片的制造及评价>
[实施例2]
利用刮刀涂布机在将聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面通过硅酮处理进行了剥离处理的第1剥离膜(琳得科公司制造的“SP-PET382150”，厚度38μm)的上述剥离处理面涂敷上述得到的保护膜形成用组合物(IV-1)，在100℃干燥2分钟，由此制作厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-1。
接着，在得到的保护膜形成用膜(13)-1的露出面贴合将聚对苯二甲酸乙二醇酯制膜的单面通过硅酮处理进行了剥离处理的第2剥离膜(琳得科公司制造的“SP-PET381031”，厚度38μm)的剥离面，得到由第1剥离膜(图7中的第1剥离膜15’：25μm)和第2剥离膜15”构成的保护膜形成用片。
将上述得到的保护膜形成用片的第2剥离膜剥离后，在6英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面贴附上述得到的保护膜形成用膜(13)-1，得到由6英寸硅晶圆、保护膜形成用膜(13)-1和第1剥离膜构成的层叠体。
从上述得到的层叠体去除第1剥离膜，另外，从与实施例1同样地得到的支撑片(10)-7的粘合剂层去除剥离膜，在支撑片(10)-7的粘合剂层的露出面贴附保护膜形成用膜(13)-1及第1剥离膜并利用该保护膜形成用膜(13)-1贴附，进一步将该片固定于环状框，静置30分钟。
接着，使用切割刀片，将硅晶圆连同保护膜形成用膜(13)-1一起切割而单片化，得到2mm×2mm的硅芯片。此时，目视确认有无硅芯片从支撑片飞散，将完全没有硅芯片的飞散的情况判定为“○”，将即使存在少许硅芯片的飞散的情况也判定为“×”，对切割适应性进行评价。将结果示于表2。表2中的“芯片的飞散的抑制”一栏的记载为相应的结果。
[实施例3]
<保护膜形成用复合片的制造>
(保护膜形成用组合物(IV-1)的制备)
如表1所示，使聚合物(b)-1的含量(掺合量)为2质量份来代替22质量份，使填充材料(d)-1的含量(配合量)为76质量份来代替56质量份，除该方面以外，通过与实施例1相同的方法制备保护膜形成用组合物(IV-1)。
(保护膜形成用复合片的制造)
使用上述得到的保护膜形成用组合物(IV-1)，除该方面以外，通过与实施例1相同的方法制作厚度25μm的能量射线固化性的保护膜形成用膜(13)-2。
使用该保护膜形成用膜(13)-2代替保护膜形成用膜(13)-1，除该方面以外，通过与实施例1相同的方法制造保护膜形成用复合片。
将得到的保护膜形成用复合片的结构示于表2。
<保护膜形成用复合片的制造及评价>
使用上述得到的保护膜形成用复合片，通过与实施例1相同的方法进行切割评价及拾取评价。将结果示于表2。
[实施例4]
<保护膜形成用复合片的制造及评价>
对与制造支撑片(10)-7时使用的基材相同的基材(聚丙烯类膜，厚度80μm)的表面实施电晕放电处理。如表2所示，使用仅由该进行了表面处理的基材构成的支撑片(10)-8代替支撑片(10)-7，除该方面以外，通过与实施例1相同的方法制造及评价保护膜形成用复合片。将结果示于表2。应予说明，在本实施例中，在相当于支撑片(10)-2的上述基材的电晕放电处理面设置有保护膜形成用膜(13)-1。
使用上述得到的保护膜形成用复合片，通过与实施例1相同的方法进行切割评价及拾取评价。将结果示于表2。
[比较例1]
<保护膜形成用复合片的制造及评价>
将通过与实施例1相同的方法得到的保护膜形成用复合片利用其保护膜形成用膜(13)-1贴附于6英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面并进一步将该片固定于环状框，静置30分钟。
接着，使用紫外线照射装置(琳得科公司制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下从支撑片(10)-7侧对保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，作为保护膜。
接着，使用切割刀片，将硅晶圆连同保护膜形成用膜(13)-1一起切割而单片化，得到2mm×2mm的硅芯片。此时，目视确认有无硅芯片从支撑片飞散，将完全没有硅芯片的飞散的情况判定为“○”，将即使存在少许硅芯片的飞散的情况也判定为“×”，对切割适应性进行评价。将结果示于表2。表2中的“芯片的飞散的抑制”一栏的记载为相应的结果。
切割时有切削水向保护膜与支撑片之间的浸入。
[比较例2]
<保护膜形成用片的制造及评价>
通过与实施例2相同的方法制作由6英寸硅晶圆、保护膜形成用膜(13)-1和第1剥离膜构成的层叠体。
从得到的层叠体去除第1剥离膜，另外，从与实施例1同样地得到的支撑片(10)-7的粘合剂层去除剥离膜，在支撑片(10)-7的粘合剂层的露出面贴附保护膜形成用膜(13)-1及第1剥离膜，利用该保护膜形成用膜(13)-1贴附，进一步将该片固定于环状框，静置30分钟。
接着，使用紫外线照射装置(琳得科公司制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下从支撑片(10)-7侧对保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，作为保护膜。
接着，使用切割刀片，将硅晶圆连同保护膜形成用膜(13)-1一起切割而单片化，得到2mm×2mm的硅芯片。此时，目视确认有无硅芯片从支撑片飞散，将完全没有硅芯片的飞散的情况判定为“○”，将即使存在少许硅芯片的飞散的情况也判定为“×”，对切割适应性进行评价。将结果示于表2。表2中的“芯片的飞散的抑制”一栏的记载为相应的结果。
切割时有切削水向保护膜与支撑片之间的浸入。
[比较例3]
<保护膜形成用复合片的制造及评价>
通过与实施例3相同的方法制造保护膜形成用复合片。将得到的保护膜形成用复合片的结构示于表2。
将上述得到的保护膜形成用复合片利用其保护膜形成用膜(13)-2贴附于6英寸硅晶圆(厚度100μm)的#2000研磨面，进一步将该片固定于环状框，静置30分钟。
接着，使用紫外线照射装置(琳得科公司制造的“RAD2000m/8”)，在照度195mW/cm2、光量170mJ/cm2的条件下从支撑片(10)-7侧对保护膜形成用膜(13)-1照射紫外线，由此使保护膜形成用膜(13)-1固化，作为保护膜。
接着，使用切割刀片，将硅晶圆连同保护膜形成用膜(13)-1一起切割而单片化，得到2mm×2mm的硅芯片。此时，目视确认有无硅芯片从支撑片飞散，将完全没有硅芯片的飞散的情况判定为“○”，将即使存在少许硅芯片的飞散的情况也判定为“×”，对切割适应性进行评价。将结果示于表2。表2中的“芯片的飞散的抑制”一栏的记载为相应的结果。
切割时有切削水向保护膜与支撑片之间的浸入。
[表1]
[表2]
根据实施例1～4的结果明确可知，在切割半导体晶圆，接着对保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化的情况下，切割时硅芯片的飞散得到抑制，切割适应性也优异，也能够防止切削水向保护膜形成用膜与支撑片之间浸入。推测在实施例1～4中，由于切割半导体晶圆时的保护膜形成用膜与支撑片之间的粘合力处于250～6900mN/25mm的较高的粘合力的范围内，由此能够抑制切割时硅芯片的飞散，也能够防止切削水向保护膜形成用膜与支撑片之间浸入。
与此相对，在比较例1～3中，对保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化后，切割半导体晶圆。此时，保护膜与支撑片之间的粘合力处于55～70mN/25mm的范围，上述粘合力小，推测无法防止切削水向保护膜与支撑片之间浸入。
工业实用性
本发明能够用于制造半导体装置。
附图标记说明
1A、1B、1C、1D、1E：保护膜形成用复合片；
2F：保护膜形成用片；
10：支撑片；
10a：支撑片的表面；
11：基材；
11a：基材的表面；
12：粘合剂层；
12a：粘合剂层的表面；
13、23：保护膜形成用膜；
13’、23’：保护膜；
13a、23a：保护膜形成用膜的表面(一个面)；
13b：保护膜形成用膜的表面(另一个面)；
15：剥离膜；
15’：第1剥离膜；
15”：第2剥离膜；
16：夹具用粘接剂层；
16a：夹具用粘接剂层的表面；
17：环状框；
18：半导体晶圆；
19：半导体芯片；
20：切割刀片；
21：能量射线照射装置。

Claims (5)

1.一种带保护膜的半导体芯片的制造方法，其中，对依次具备支撑片、能量射线固化性的保护膜形成用膜及半导体晶圆的层叠体的所述半导体晶圆进行切割，接着，对所述保护膜形成用膜照射能量射线而使其固化。
2.根据权利要求1所述的带保护膜的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述层叠体的支撑片与所述保护膜形成用膜之间的粘合力为80mN/25mm以上。
3.根据权利要求1或2所述的带保护膜的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述层叠体是在将所述保护膜形成用膜贴附于所述半导体晶圆后，在所述保护膜形成用膜贴附支撑片而成的。
4.根据权利要求1或2所述的带保护膜的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述层叠体是将在支撑片上具备所述保护膜形成用膜而成的保护膜形成用复合片的所述保护膜形成用膜侧贴附于所述半导体晶圆而成的。
5.一种半导体装置的制造方法，其中，拾取通过权利要求1～4中任一项所述的制造方法而得到的带保护膜的半导体芯片，并将所述半导体芯片连接于衬底。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210129260A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Disco Corporation Wafer processing method

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111466015B (zh) * 2018-03-23 2023-08-29 琳得科株式会社 固晶膜、切割固晶片及半导体芯片的制造方法
JP7237655B2 (ja) * 2019-03-01 2023-03-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2024008691A (ja) * 2022-07-08 2024-01-19 日東電工株式会社 保護シート

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218192A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2012207179A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Lintec Corp 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
WO2014155756A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 リンテック株式会社 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5144433B1 (zh) 1970-02-02 1976-11-29
JP3544362B2 (ja) * 2001-03-21 2004-07-21 リンテック株式会社 半導体チップの製造方法
JP4364508B2 (ja) * 2002-12-27 2009-11-18 リンテック株式会社 チップ裏面用保護膜形成用シートおよび保護膜付きチップの製造方法
JP4762959B2 (ja) 2007-09-03 2011-08-31 リンテック株式会社 半導体チップおよび半導体装置
JP2010031183A (ja) 2008-07-30 2010-02-12 Furukawa Electric Co Ltd:The エネルギー線硬化型チップ保護用フィルム
US10030174B2 (en) * 2013-03-27 2018-07-24 Lintec Corporation Composite sheet for forming protective film
US20160176169A1 (en) * 2013-08-01 2016-06-23 Lintec Corporation Protective Film Formation-Use Composite Sheet
JP6391329B2 (ja) 2014-07-03 2018-09-19 リンテック株式会社 保護膜形成用複合シート

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218192A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Mitsui Chemicals Inc 半導体ウェハ表面保護用粘着フィルム及び該粘着フィルムを用いる半導体ウェハの保護方法
JP2012207179A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Lintec Corp 保護膜形成用フィルム、保護膜形成用シートおよび半導体チップの製造方法
WO2014155756A1 (ja) * 2013-03-26 2014-10-02 リンテック株式会社 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210129260A1 (en) * 2019-11-06 2021-05-06 Disco Corporation Wafer processing method
US11712747B2 (en) * 2019-11-06 2023-08-01 Disco Corporation Wafer processing method

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Publication number Publication date
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