CN109273340A - 一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板 - Google Patents

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Abstract

一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,设置在内腔的外表面,包括热板主体;所述的热板主体上配合设置有热板盖板,铠装加热管设置在热板盖板与热板主体之间并通过连接件与热板主体相连接固定,所述的热板盖板的外侧还设置有装饰盖板,热板主体、热板盖板及装饰盖板上相对应的位置均设置有孔a,孔b,孔c;热电偶依次穿过装饰盖板、热板盖板及热板主体,设置在孔a与孔b之间;本发明结构简单,在发给客户端前进行烘烤,不会占用生产时间,可以显著降低ICP刻蚀机腔体的出气率,有效去除吸附各种气体,组装后无需再现场烘烤就可以获得较高的极限真空,大大提高生产效率;避免释放气体而降低真空度,稳定性好,使用寿命长。

Description

一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板
技术领域
本发明涉及刻蚀机的领域,尤其涉及一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板。
背景技术
刻蚀是半导体制造工艺、微电子IC 制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的工艺步骤,是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。ICP刻蚀技术结构简单、性价比高、装置的环比更大、装置更小且操作简单,具有速率高,选择比高且大面积均匀性好,可以进行高质量的小尺寸线条的刻蚀,并获得较好的刻蚀形貌,是目前广泛采用的一种刻蚀技术。现有为了提高IC P刻蚀机腔体使用寿命,内腔都进行喷砂及阳极氧化处理,然而表面粗糙度增加会吸附一些气体杂质,在客户端组装后使用时,一加温就会释放气体,造成真空度下降,为了保持真空度就需要进行长时间的加温烘烤,由于组装后腔体上有不耐高温的部件,只能进行低温烘烤,烘烤时间较长,严重降低了生产效率。
发明内容
本发明目的是提供一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,结构简单, 在发给客户端前进行烘烤,不会占用生产时间,大大提高了生产效率;解决了以上技术问题。
为了实现上述技术目的,达到上述的技术要求,本发明所采用的技术方案是:一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,设置在内腔的外表面,包括热板主体;所述的热板主体上配合设置有热板盖板,铠装加热管设置在热板盖板与热板主体之间并通过连接件与热板主体相连接固定,所述的热板盖板的外侧还设置有装饰盖板,热板主体、热板盖板及装饰盖板上相对应的位置均设置有孔a,孔b,孔c;热电偶依次穿过装饰盖板、热板盖板及热板主体,设置在孔a与孔b之间。
优选的:所述的铠装加热管两端设置为迂回形,中部设置为对称的凹凸形。
优选的:所述的铠装加热管的弯折处圆滑过渡。
优选的:所述的热板盖板表面设置有若干个连接孔a,热板盖板与热板主体之间通过螺钉相连接固定。
优选的:所述的装饰盖板设置有若干个连接孔b,并通过螺钉将装饰盖板与热板盖板相连接固定。
优选的,所述的连接孔a的位置与连接孔b的位置交错开。
本发明的有益效果;一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,与传统结构相比:热板盖板与热板主体相配合形成腔室,铠装加热管设置在腔室内并与所述的热板主体相连接固定,热板盖板的外侧还设置有装饰盖板,热电偶依次穿过装饰盖板及热板盖板;本发明结构简单, 在发给客户端前进行烘烤,不会占用生产时间,可以显著降低ICP刻蚀机腔体的出气率,有效去除吸附各种气体,组装后无需再现场烘烤就可以获得较高的极限真空,大大提高生产效率;避免释放气体而降低真空度,稳定性好,使用寿命长。
附图说明
图1为本发明ICP刻蚀机腔体烘烤组装示意图;
图2为安装有铠装加热管的热板主体结构示意图;
图3为本发明中加热盖板结构示意图;
图4为本发明中装饰盖板结构示意图;
在图中:1.热板主体;2.铠装加热管;3.加热盖板;4.热电偶;5.装饰盖板;6.腔体7.密封板;8.孔a;9.孔b;10.孔c;11.连接孔a;12.连接孔b。
具体实施方式
为了使本发明的发明目的、技术方案及其有益技术效果更加清晰,以下结合附图和具体实施方式,对本发明进行进一步详细说明;
在附图中:一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:设置在内腔6的外表面,包括热板主体1;所述的热板主体1上配合设置有热板盖板3,铠装加热管2设置在热板盖板3与热板主体1之间并通过连接件与热板主体1相连接固定,所述的热板盖板3的外侧还设置有装饰盖板5,热板主体1、热板盖板3及装饰盖板5上相对应的位置均设置有孔a8,孔b9,孔c10;热板盖板3表面设置有若干个连接孔a11,装饰盖板5设置有若干个连接孔b12;热电偶4依次穿过装饰盖板5、热板盖板3及热板主体1,设置在孔a8与孔b9之间。
所述的铠装加热管2两端设置为迂回形,中部设置为对称的凹凸形;所述的铠装加热管2的弯折处圆滑过渡;所述的热板盖板3与热板主体1之间通过螺钉相连接固定;所述的装饰盖板5与热板盖板3之间通过螺钉相连接固定;所述的连接孔a11与连接孔b12的位置交错开。
本发明的具体实施:ICP刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板的烘烤操作步骤如下:步骤一,将易弯曲的铠装铠装加热管2安装到除气热板主体1上;步骤二,安装热板盖板3及带警示标志的装饰盖板5;步骤三,安装热电偶4,热电偶依次穿过装饰盖板5、热板盖板3;步骤四,将ICP刻蚀机腔体6用密封板7组装好,并连接到抽真空设备上;步骤五,将组装好的真空烘烤除气热板通过螺丝固定到好的ICP刻蚀机腔体上;步骤六,将真空烘烤除气热板通电,以每分钟5度的升温速度,升温至150度,在抽真空状态下进行24小时高温烘烤;步骤七,拆除热板,将零件外壁清洗,抽真空包装零件,发往客户端。
上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的描述,而并非对实施方式的限定,对于所属领域的技术人员来说,在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举,而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (6)

1.一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:设置在内腔(6)的外表面,包括热板主体(1);所述的热板主体(1)上配合设置有热板盖板(3),铠装加热管(2)设置在热板盖板(3)与热板主体(1)之间并通过连接件与热板主体(1)相连接固定,所述的热板盖板(3)的外侧还设置有装饰盖板(5),热板主体(1)、热板盖板(3)及装饰盖板(5)上相对应的位置均设置有孔a(8),孔b(9),孔c(10);热板盖板(3)表面设置有若干个连接孔a(11),装饰盖板(5)设置有若干个连接孔b(12);热电偶(4)依次穿过装饰盖板(5)、热板盖板(3)及热板主体(1),设置在孔a(8)与孔b(9)之间。
2.根据权利要求1所述的一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:所述的铠装加热管(2)两端设置为迂回形,中间段设置为对称的凹凸形。
3.根据权利要求2所述的一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:所述的铠装加热管(2)的弯折处圆滑过渡。
4.根据权利要求1所述的一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:所述的热板盖板(3)与热板主体(1)之间通过螺钉相连接固定。
5.根据权利要求1所述的一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:所述的装饰盖板(5)与热板盖板(3)之间通过螺钉相连接固定。
6.根据权利要求1所述的一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板,其特征在于:所述的连接孔a(11)与连接孔b(12)的位置交错开。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342691B1 (en) * 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
US20030098300A1 (en) * 2001-11-23 2003-05-29 Jusung Engineering Co., Ltd. Molding heater for heating semiconductor wafer and fabrication method thereof
US20150158720A1 (en) * 2011-06-27 2015-06-11 Invensense, Inc. Integrated heater for gettering or outgassing activation
CN106048546A (zh) * 2016-06-30 2016-10-26 肇庆市科润真空设备有限公司 紧凑型柔性基材磁控溅射镀膜设备及方法
KR20170118287A (ko) * 2016-04-14 2017-10-25 한국에너지기술연구원 탄소 소재를 이용한 고온용 베이크 유닛
CN207503924U (zh) * 2017-10-14 2018-06-15 靖江先锋半导体科技有限公司 一种金属加热基座除气设备
CN208722841U (zh) * 2018-10-15 2019-04-09 靖江先锋半导体科技有限公司 一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6342691B1 (en) * 1999-11-12 2002-01-29 Mattson Technology, Inc. Apparatus and method for thermal processing of semiconductor substrates
US20030098300A1 (en) * 2001-11-23 2003-05-29 Jusung Engineering Co., Ltd. Molding heater for heating semiconductor wafer and fabrication method thereof
US20150158720A1 (en) * 2011-06-27 2015-06-11 Invensense, Inc. Integrated heater for gettering or outgassing activation
KR20170118287A (ko) * 2016-04-14 2017-10-25 한국에너지기술연구원 탄소 소재를 이용한 고온용 베이크 유닛
CN106048546A (zh) * 2016-06-30 2016-10-26 肇庆市科润真空设备有限公司 紧凑型柔性基材磁控溅射镀膜设备及方法
CN207503924U (zh) * 2017-10-14 2018-06-15 靖江先锋半导体科技有限公司 一种金属加热基座除气设备
CN208722841U (zh) * 2018-10-15 2019-04-09 靖江先锋半导体科技有限公司 一种刻蚀机腔体的内腔真空烘烤除气热板

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