CN109267089A - 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法 - Google Patents

一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109267089A
CN109267089A CN201811156337.6A CN201811156337A CN109267089A CN 109267089 A CN109267089 A CN 109267089A CN 201811156337 A CN201811156337 A CN 201811156337A CN 109267089 A CN109267089 A CN 109267089A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reaction
nanoforest
self
concentration
nickel
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811156337.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109267089B (zh
Inventor
黄剑锋
刘倩倩
冯亮亮
曹丽云
杨丹
张晓�
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shaanxi University of Science and Technology
Original Assignee
Shaanxi University of Science and Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shaanxi University of Science and Technology filed Critical Shaanxi University of Science and Technology
Priority to CN201811156337.6A priority Critical patent/CN109267089B/zh
Publication of CN109267089A publication Critical patent/CN109267089A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109267089B publication Critical patent/CN109267089B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B1/00Electrolytic production of inorganic compounds or non-metals
    • C25B1/01Products
    • C25B1/02Hydrogen or oxygen
    • C25B1/04Hydrogen or oxygen by electrolysis of water
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/02Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form
    • C25B11/03Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by shape or form perforated or foraminous
    • C25B11/031Porous electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25BELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES FOR THE PRODUCTION OF COMPOUNDS OR NON-METALS; APPARATUS THEREFOR
    • C25B11/00Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for
    • C25B11/04Electrodes; Manufacture thereof not otherwise provided for characterised by the material
    • C25B11/051Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier
    • C25B11/073Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material
    • C25B11/075Electrodes formed of electrocatalysts on a substrate or carrier characterised by the electrocatalyst material consisting of a single catalytic element or catalytic compound
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/30Hydrogen technology
    • Y02E60/36Hydrogen production from non-carbon containing sources, e.g. by water electrolysis

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Inert Electrodes (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极,包括泡沫镍基底、及生长在泡沫镍基底表面的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2包覆层。该自支撑电极的制备方法为:将清洁的泡沫镍浸泡在含有氯化镍、氯化钒、氟化铵、及尿素的前驱体溶液中,进行第一次水热反应;将反应后的泡沫镍浸泡在硫代乙酰胺的水溶液中,120~160℃进行第二次水热反应,反应时间15~24h,得到纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极。本发明的电极材料无需使用粘结剂,生成的电极材料在1M KOH溶液中同时具有OER和HER良好的催化活性。

Description

一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法
技术领域
本发明属电催化剂技术领域,具体涉及一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法。
背景技术
随着社会经济的发展,传统化石能源的过度使用,加剧了环境污染及全球气候变暖,迫使人们寻求一种新型可替代能源迫在眉睫。电催化裂解水可将由太阳能、风能和水能等转化而来的电能转化为氢能,因此电解水技术被认为是产生氢气和氧气的有效途径之一。但是,在实际电解水的过程中需要克服较大的能垒,导致能源利用率低。目前,IrO2、RuO2和Pt分别被认为是最有效的水分解OER和HER催化剂,但昂贵的价格和较少的储量严重影响了该类材料的广泛应用。因此开发高活性、地壳储量丰富的非贵金属催化剂引起了人们的巨大关注。
近年来,出现了较多高活性的非贵金属基催化剂,例如,高效的水裂解产氢催化剂NiCo2S4(Ma L, Hu Y, Chen R, et al. Self-assembled ultrathin NiCo2S4 nanoflakesgrown on Ni foam as high-performance flexible electrodes for hydrogenevolution reaction in alkaline solution[J]. Nano Energy, 2016, 24:139-147.);及高效的水裂解产氧催化剂NiFe-OH@Ni3S2/NF(Zou X, Liu Y, Li G D, et al.Ultrafast Formation of Amorphous Bimetallic Hydroxide Films on 3D ConductiveSulfide Nanoarrays for Large-Current-Density Oxygen EvolutionElectrocatalysis.[J]. Advanced Materials, 2017, 29(22).)。虽然它们在酸性或碱性环境下能够表现出优异的HER或OER性能,但它们的产氢端与产氧端不匹配,在同一电解液中不能同时进行。因此,合成在相同工作条件下既能产氢又能产氧的双电催化剂仍是一个巨大挑战。
发明内容
本发明的目的是提供一种简便、绿色、高效的方法,让金属硫化物在导电泡沫镍表面上生成三维纳米森林阵列结构,反应过程中,无需使用粘结剂,生成的电极材料在1M KOH溶液中同时具有OER和HER良好的催化活性。
(1)将泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5~20min、然后转移至2~4mol/L的盐酸中进行超声清洗5~20min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗2~3次,再在25~35℃下真空干燥10~14h;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为(0.05~0.2)mol/L的六水合氯化镍,浓度为(0.0125~0.1)mol/L的氯化钒,浓度为(0.01~0.1)mol/L的氟化铵和浓度为(0.125~0.35)mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20~40min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中,然后在90~150℃下反应6~15h,其中反应填充比应该控制在20~80%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的泡沫镍取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在25~35℃下,真空干燥3~5h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到20~40ml的去离子水中,此时TAA的浓度为(2~4)mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到120~160℃下反应15~24h,其中反应填充比应该控制在20~80%。
有益的效果:
(1)本发明提供了一种简便、绿色、高效的方法制备出在1M KOH溶液中同时具有OER和HER良好的催化活性的电极材料的制备方法。该方法步骤简单,反应时间短,对环境友好,可重复性强。
(2)本发明提出的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极,在导电泡沫镍上生长纳米森林阵列结构,催化活性组分直接与导电基体相连接,有利于提高导电率和电子传递效率。
附图说明
图1为本发明实施例5制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的X-射线衍射(XRD)图谱;
图2为本发明实施例5制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的扫描电镜(SEM)照片;
图3为本发明实施例5制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的OER性能图;
图4为本发明实施例5制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的HER性能图。
具体实施方式
下面结合附图以及具体实施例对本发明做进一步详细描述:
实施例1:
(1)将导电基体浸入丙酮溶液中超声清洗10min、然后转移至2mol/L的盐酸中进行超声清洗10min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次,再在35℃下真空干燥10h;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.05mol/L的氯化镍,浓度为0.0125mol/L的氯化钒,浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.125)mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的导电基体转入高温高压水热釜中,然后在100℃下反应18h,其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的导电基体取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在35℃下,真空干燥3h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到20ml的去离子水中,此时TAA的浓度为2mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到120℃下反应20h,其中反应填充比应该控制在40%。
实施例2:
(1)将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗10min、然后转移至2mol/L的盐酸中进行超声清洗10min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次,再在35℃下真空干燥10h;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的氯化镍,浓度为0.04mol/L的氯化钒,浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的导电基体转入高温高压水热釜中,然后在120℃下反应14h,其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的导电基体取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在35℃下,真空干燥3h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到30ml的去离子水中,此时TAA的浓度为2mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到140℃下反应18h,其中反应填充比应该控制在60%。
实施例3:
(1)将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次,在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的氯化镍,浓度为0.05mol/L的氯化钒,浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中,然后在140℃下反应10h,其中反应填充比应该控制在30%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的导电基体取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在35℃下,真空干燥3h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到30ml的去离子水中,此时TAA的浓度为3mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到120℃下反应15h,其中反应填充比应该控制在60%。
实施例4:
(1)将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次,在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.1167mol/L的氯化镍,浓度为0.067mol/L的氯化钒,浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.2167mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中,然后在150℃下反应15h,其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的导电基体取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在35℃下,真空干燥3h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到40ml的去离子水中,此时TAA的浓度为4mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到160℃下反应15h,其中反应填充比应该控制在80%。
实施例5:
(1)将1cm x 5cm的泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5min、再将泡沫镍浸入到2mol/L的盐酸中进行超声清洗5min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗3次,在30℃下真空干燥10后得到处理后的泡沫镍;
(2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.1mol/L的氯化镍,浓度为0.025mol/L的氯化钒,浓度为0.05mol/L的氟化铵和浓度为0.25mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20min得到澄清溶液A。将澄清溶液A和步骤(1)处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中,然后在150℃下反应10h,其中反应填充比应该控制在40%。水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的导电基体取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在35℃下,真空干燥3h.
(3)称取适量的硫代乙酰胺(TAA)加入到25ml的去离子水中,此时TAA的浓度为2mol/l,然后将步骤(2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到120℃下反应20h,其中反应填充比应该控制在50%。
图1为本实施例制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的X-射线衍射(XRD)图谱。XRD图谱显示在21°、31°、37°、49°和55°出现了Ni3S2的特征峰,无V物相的衍射峰,说明该物质为V掺杂的Ni3S2
图2为本实施例制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的扫描电镜(SEM)照片。SEM照片显示,本发明制备的生长在泡沫镍基底表面的V掺杂的Ni3S2包覆层具有纳米森林状形貌特征。
图3为本实施例制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的OER性能图。OER性能测试结果显示该电极材料具有优异的电催化产氧性能,在电流密度为100 mA/cm2时,其过电势为380 mV。图4为本实施例制备的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的HER性能图。HER性能测试结果显示该电极材料具有优异的电催化产氢性能,在电流密度为100mA/cm2时,其过电势为320 mV。

Claims (6)

1.一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极,其特征在于,包括泡沫镍基底、及生长在泡沫镍基底表面的纳米森林状的V掺杂的Ni3S2包覆层。
2.一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
将清洁的泡沫镍浸泡在含有氯化镍、氯化钒、氟化铵、及尿素的前驱体溶液中,进行第一次水热反应;将反应后的泡沫镍浸泡在硫代乙酰胺的水溶液中,120~160℃进行第二次水热反应,反应时间15~20h,得到纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极。
3.根据权利要求2所述的一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述前驱体溶液为包含浓度为0.05~0.2mol/L的六水合氯化镍、0.0125~0.1mol/L的氯化钒、0.01~0.1mol/L的氟化铵、及0.125~0.35mol/L的尿素的水溶液。
4.根据权利要求2所述的一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述第一次水热反应的反应温度为90~150℃,反应时间为6~15h,反应填充比控制在20~80%;第二次水热反应的反应温度为120~160℃,反应时间为15~24h,反应填充比控制在20~80%。
5.根据权利要求2所述的一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的制备方法,其特征在于,所述硫代乙酰胺的水溶液的浓度为2~4mol/L。
6.根据权利要求2~5任一项所述的一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
1)将泡沫镍浸入丙酮溶液中超声清洗5~20min、然后转移至2~4mol/L的盐酸中进行超声清洗5~20min,最后分别用乙醇与超纯水交替冲洗2~3次,再在25~35℃下真空干燥10~14h;
2)配置前驱体溶液,该前驱体溶液中包含浓度为0.05~0.2mol/L的六水合氯化镍、浓度为0.0125~0.1mol/L的氯化钒、浓度为0.01~0.1mol/L的氟化铵、和浓度为0.125~0.35mol/L的尿素的水溶液,在室温下磁力搅拌20~40min得到澄清溶液A;将澄清溶液A和步骤1)处理好的泡沫镍转入高温高压水热釜中,然后在90~150℃下反应6~15h,其中反应填充比应该控制在20~80%;水热反应结束,将反应釜自然冷却到室温,然后将反应后冷却的泡沫镍取出,经过3次水洗和3次醇交替清洗后收集产物,并在25~35℃下,真空干燥3~5h;
3)称取适量的硫代乙酰胺TAA加入到20~40ml的去离子水中,此时TAA的浓度为2~4mol/l,然后将步骤2)干燥后的泡沫镍和TAA溶液一起转移到高温高压水热釜中,然后随炉加热到120~160℃下反应15~24h,其中反应填充比应该控制在20~80%。
CN201811156337.6A 2018-09-30 2018-09-30 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法 Active CN109267089B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811156337.6A CN109267089B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811156337.6A CN109267089B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109267089A true CN109267089A (zh) 2019-01-25
CN109267089B CN109267089B (zh) 2021-02-05

Family

ID=65195454

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811156337.6A Active CN109267089B (zh) 2018-09-30 2018-09-30 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109267089B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110124694A (zh) * 2019-06-04 2019-08-16 济南大学 一种超薄纳米片状钒掺杂硫化镍纳米粉体的制备及电催化氮还原应用
CN110219014A (zh) * 2019-07-09 2019-09-10 陕西科技大学 一种鱿鱼须状的V:Ni3S2/NF双功能电极的制备方法
CN110230074A (zh) * 2019-07-09 2019-09-13 陕西科技大学 一种树状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑双功能电极的制备方法
CN110424023A (zh) * 2019-07-05 2019-11-08 山东大学 一种镍/氧化钒析氢电极及制备方法、应用
CN111330598A (zh) * 2020-04-14 2020-06-26 陕西科技大学 一种Ni3S2纳米球修饰的NiV-LDH纳米片电催化剂及其制备方法
CN113802139A (zh) * 2021-09-13 2021-12-17 陕西科技大学 一种核壳结构的硫化镍基电催化材料及其制备方法和应用
CN114438545A (zh) * 2022-03-21 2022-05-06 河北工业大学 一种双金属掺杂Ni3S2析氧电催化剂的制备方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130239469A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Photochemical Processes and Compositions for Methane Reforming Using Transition Metal Chalcogenide Photocatalysts
CN104201380A (zh) * 2014-08-19 2014-12-10 北京科技大学 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法
CN107324408A (zh) * 2017-08-16 2017-11-07 陕西科技大学 一种Ni3S2微米棒阵列的合成方法
CN108325539A (zh) * 2018-03-15 2018-07-27 陕西科技大学 一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法
CN108423717A (zh) * 2018-03-20 2018-08-21 陕西科技大学 一种自组装Ni3S2纳米片的合成方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130239469A1 (en) * 2012-03-14 2013-09-19 Board Of Regents, The University Of Texas System Photochemical Processes and Compositions for Methane Reforming Using Transition Metal Chalcogenide Photocatalysts
CN104201380A (zh) * 2014-08-19 2014-12-10 北京科技大学 一种具有片层结构的纳米Ni3S2材料的制备方法
CN107324408A (zh) * 2017-08-16 2017-11-07 陕西科技大学 一种Ni3S2微米棒阵列的合成方法
CN108325539A (zh) * 2018-03-15 2018-07-27 陕西科技大学 一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法
CN108423717A (zh) * 2018-03-20 2018-08-21 陕西科技大学 一种自组装Ni3S2纳米片的合成方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
YUANJU QU ET AL: "Facile Synthesis of Vanadium-Doped Ni3S2 Nanowire Arrays as Active Electrocatalyst for Hydrogen Evolution Reaction", 《ACS APPL. MATER. INTERFACES》 *

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110124694A (zh) * 2019-06-04 2019-08-16 济南大学 一种超薄纳米片状钒掺杂硫化镍纳米粉体的制备及电催化氮还原应用
CN110424023A (zh) * 2019-07-05 2019-11-08 山东大学 一种镍/氧化钒析氢电极及制备方法、应用
CN110219014A (zh) * 2019-07-09 2019-09-10 陕西科技大学 一种鱿鱼须状的V:Ni3S2/NF双功能电极的制备方法
CN110230074A (zh) * 2019-07-09 2019-09-13 陕西科技大学 一种树状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑双功能电极的制备方法
CN111330598A (zh) * 2020-04-14 2020-06-26 陕西科技大学 一种Ni3S2纳米球修饰的NiV-LDH纳米片电催化剂及其制备方法
CN113802139A (zh) * 2021-09-13 2021-12-17 陕西科技大学 一种核壳结构的硫化镍基电催化材料及其制备方法和应用
CN114438545A (zh) * 2022-03-21 2022-05-06 河北工业大学 一种双金属掺杂Ni3S2析氧电催化剂的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN109267089B (zh) 2021-02-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN109267089A (zh) 一种纳米森林状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极及其制备方法
CN109174162B (zh) 一种铁掺杂双金属磷化物电催化剂及其制备方法和应用
CN108380224B (zh) 一种镍钴硫化物@双金属氢氧化镍铁核壳异质结构纳米管阵列材料及其制备方法和应用
CN107262118B (zh) 三维电解水阳极析氧催化剂Fe-NiSe/NF的制备方法
CN109225270A (zh) 一种Ni3S2@NiV-LDH异质结构双功能电催化剂、制备方法及用途
CN107502919B (zh) 一种用于氢析出反应的硫掺杂磷化镍催化剂及其制备方法
CN108716008A (zh) 三维镍铁层状双氢氧化物阵列及其室温制备方法与应用
CN108315760A (zh) 一种金属有机框架/泡沫镍电极材料及其制备方法和应用
CN109252180A (zh) 一种三元mof纳米片阵列材料、制备方法及其应用
CN108554413A (zh) 一种三维多级结构高分散镍基电催化材料及其制备方法
CN108325539A (zh) 一种棒状自组装成花球状的钒修饰的Ni3S2电催化剂的合成方法
CN105977467A (zh) 一种基于MOF模板制备Co3O4@CoP复合电极的制备方法
CN108447703B (zh) 一种镍铁双金属氢氧化物@二氧化铈异质结构纳米片材料、制备方法及其应用
CN109794247A (zh) 一种无定形镍铁氧化物纳米片状电催化材料及其制备和应用
CN110075858A (zh) 一种钒掺杂的钴铁层状双氢氧化物/泡沫镍纳米复合材料及其制备方法
CN104282446A (zh) 一种钴酸镍@钼酸镍核壳结构纳米材料、制备方法及其应用
CN103824705A (zh) 一种水系非对称超级电容器的制备方法
CN109277110A (zh) 一种不规则球状的V掺杂的Ni3S2/NF析氧电催化剂及其制备方法
CN109201083A (zh) 一种纳米花状二硫化钒/羟基氧化钒双功能复合电催化剂及其制备方法
CN109371419A (zh) 一种短棒自组装成树枝状的V掺杂的Ni3S2/NF电极材料及其制备方法
CN108479808A (zh) 一种3D自组装花球状钒修饰的Ni3S2的合成方法
CN109821549A (zh) 一种钒掺杂羟基氧化铁电催化剂的制备方法
CN109280938A (zh) 一种花球状的V掺杂的Ni3S2/NF自支撑电极材料及其制备方法
CN110479271A (zh) 一种用于电解水产氢的二维镍碳纳米片催化剂的制备方法
CN110965076A (zh) 一种双功能三维分层核壳结构电解水电极的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant