CN109265157B - 具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 - Google Patents
具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109265157B CN109265157B CN201811269280.0A CN201811269280A CN109265157B CN 109265157 B CN109265157 B CN 109265157B CN 201811269280 A CN201811269280 A CN 201811269280A CN 109265157 B CN109265157 B CN 109265157B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- low
- ntc thermistor
- resistance ntc
- resistance
- shaped pin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 75
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims abstract description 53
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 50
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 48
- GNMQOUGYKPVJRR-UHFFFAOYSA-N nickel(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Ni+3].[Ni+3] GNMQOUGYKPVJRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L manganese oxide Inorganic materials [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 32
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 23
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 23
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 238000005469 granulation Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000003179 granulation Effects 0.000 claims abstract description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 30
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 29
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 17
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 17
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 17
- PZFKDUMHDHEBLD-UHFFFAOYSA-N oxo(oxonickeliooxy)nickel Chemical compound O=[Ni]O[Ni]=O PZFKDUMHDHEBLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 16
- 238000001723 curing Methods 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 13
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 7
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 claims description 6
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 abstract description 19
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 29
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 12
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical compound [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(III) oxide Inorganic materials O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 231100000956 nontoxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N selenium;tin Chemical compound [Sn]=[Se] MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3217—Aluminum oxide or oxide forming salts thereof, e.g. bauxite, alpha-alumina
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3262—Manganese oxides, manganates, rhenium oxides or oxide-forming salts thereof, e.g. MnO
- C04B2235/3263—Mn3O4
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/327—Iron group oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3279—Nickel oxides, nickalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻，包括如下质量份的各组分：48~52份的Mn3O4、18份~24份的Ni2O3、18份~24份的CuO、2份~8份的SiO2、1份~2份的Al2O3。本发明的低阻NTC热敏电阻的各组分通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻，根据实验测试结果，低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105（Ω•mm），低阻NTC热敏电阻的B值为2500K~2950K，从而具有电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种热敏电阻，特别是涉及一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻及其制备方法。
背景技术
NTC（Negative Temperature Coefficient）是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料。该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷，可制成具有负温度系数（NTC）的热敏电阻。其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化。现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为代表的非氧化物系NTC热敏电阻材料。
目前的热敏电阻材料大多数是采用含有锰、铁、镍和铜的金属氧化物混合加工而成，从而加工成热敏电阻。虽然采用含有锰、铁、镍和铜的金属氧化物混合加工而成的热敏电阻具有较好的负温度特性，但是，其整体的稳定性较差，同时，采用含有锰、铁、镍和铜的金属氧化物混合加工而成的热敏电阻的电阻率较大，在热敏电阻的材料特性中，电阻率越大的热敏电阻，其热敏电阻的材料特性常数B值会越大，而热敏电阻的材料特性常数B值越大，则在同等温度下，电阻值会越大，如此，现有的热敏电阻无法满足电阻率低、B值小的客户需求。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的不足之处，提供一种电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻及其制备方法。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻包括如下质量份的各组分：
Mn3O4 48~52份；
Ni2O3 18份~24份；
CuO 18份~24份；
SiO2 2份~8份；
Al2O3 1份~2份；
其中，所述具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105（Ω•mm），所述低阻NTC热敏电阻的B值为2500 K ~2950K。
又一实施方式的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻，包括如下质量份的各组分：
Mn3O4 48份；
Ni2O3 18份~24份；
CuO 18份~24份；
SiO2 2份~8份；
Al2O3 1份~2份；
又一实施方式的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻，包括如下质量份的各组分：
Mn3O4 50份；
Ni2O3 18份~24份；
CuO 18份~24份；
SiO2 2份~8份；
Al2O3 1份~2份；
又一实施方式的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻，包括如下质量份的各组分：
Mn3O4 52份；
Ni2O3 18份~24份；
CuO 18份~24份；
SiO2 2份~8份；
Al2O3 1份~2份；
一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，包括如下步骤：
将Mn3O4、Ni2O3、CuO、SiO2和Al2O3混合，并进行湿法球磨操作，得到球磨浆料；其中，Mn3O4、Ni2O3、CuO、SiO2和Al2O3的质量比例为（48~52）：（18~24）：（18~24）：（2~8）：（1~2）；
对所述球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，得到混合颗粒；
将所述混合颗粒进行干压操作，得到干压片体；
在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行预烧结操作，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行后烧结操作，得到烧结片体；
在所述烧结片体相对的两侧面分别涂覆银浆层，并进行热处理，在所述烧结片体上得到电极；
熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻。
在其中一个实施方式中，所述湿法球磨操作的持续时间为2小时~4小时。
在其中一个实施方式中，所述粘合剂为聚乙烯醇。
在其中一个实施方式中，在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行2小时~2.5小时的所述预烧结操作。
在其中一个实施方式中，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行4小时~8小时进行后烧结操作。
在其中一个实施方式中，所述热处理的操作具体为：在600℃~900℃的温度条件下，进行20分钟~40分钟的烘干操作。
与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：
本发明的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻包括如下质量份的各组分：48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝）），各组分通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻，根据实验测试结果，具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105（Ω•mm），低阻NTC热敏电阻的B值为2500K~2950K，从而具有电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的特点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明一实施方式的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法的步骤流程图；
图2为本发明一实施方式的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻与V型引脚的结构图。
具体实施方式
为了便于理解本发明，下面将参照相关附图对本发明进行更全面的描述。附图中给出了本发明的较佳实施方式。但是，本发明可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本发明的公开内容理解的更加透彻全面。
需要说明的是，当元件被称为“固定于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻，包括如下质量份的各组分：48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝）），各组分通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻，根据实验测试结果，低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105（Ω•mm），低阻NTC热敏电阻的B值为2500 K ~2950K。
需要说明的是，具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的配方由48~52份的48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝）按照特定含量组成一种新尖晶石相结构的金属氧化物，激活能量较高，从而使得低阻NTC热敏电阻的B值较低。同时，48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝）均具有半导体性质，体内载流子较少，亦即，材料中电子与空穴的数目较少，电阻也较高，当低阻NTC热敏电阻中的48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），5份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的ZnO（氧化锌），1份~2份的Bi2O3（三氧化二铋））组成金属氧化混合物通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，使得低阻NTC热敏电阻内的电子及空穴数目发生变化，亦即，载流子数目增加，由此使电阻变小，当温度升高时，低阻NTC热敏电阻体内的载流子数目会继续增加，低阻NTC热敏电阻的电阻将会进一步变小，由此使低阻NTC热敏电阻整体的电阻率降低。在低阻NTC热敏电阻的配方中，通过采用Mn3O4（四氧化三锰），从而能够提高低阻NTC热敏电阻整体的稳定性，Mn3O4（四氧化三锰）是一种黑色四方结晶，经过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，会形成尖晶石相结构，其中二价锰离子和三价锰离子会分布在两种不同的晶格位置上，此时，Mn3O4（四氧化三锰）中的氧离子为立方紧密堆积，Mn3O4（四氧化三锰）中的二价锰离子占四面体空隙，Mn3O4（四氧化三锰）中的三价锰离子占八面体空隙，由此使得低阻NTC热敏电阻整体的稳定性得到提高。在低阻NTC热敏电阻的配方中，。在低阻NTC热敏电阻的配方中，通过采用Ni2O3（三氧化二镍）能够提高低阻NTC热敏电阻整体的半导体性质，使得低阻NTC热敏电阻体内的载流子数量增多，达到降低低阻NTC热敏电阻整体电阻率的目的。在低阻NTC热敏电阻的配方中，通过采用CuO（氧化铜）能够进一步提高低阻NTC热敏电阻整体的半导体性质，使得低阻NTC热敏电阻体内的载流子数量增多，达到降低低阻NTC热敏电阻整体电阻率的目的。在低阻NTC热敏电阻的配方中，通过采用Al2O3（三氧化二铝）能够进一步提高低阻NTC热敏电阻整体的稳定性，Al2O3（三氧化二铝）是一种高硬度的化合物，经过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，使得Al2O3（三氧化二铝）在高温下电离出铝离子晶体，大量的铝离子晶体不规则地分布在混合物中由氧离子围成的八面体和四面体空隙之中，由此能够提高低阻NTC热敏电阻整体的稳定性，且能够增加低阻NTC热敏电阻体内载流子的数量，达到降低低阻NTC热敏电阻整体电阻率的目的。在低阻NTC热敏电阻的配方中，通过采用SiO2（二氧化硅），从而在低阻NTC热敏电阻混合研磨操作中提高摩擦系数，使得低阻NTC热敏电阻在混合操作、湿法球磨操作及混合制粒操作等操作中，各材料组分能够研磨得更加充分，由此使得低阻NTC热敏电阻中的材料能够反应更加充分，而且SiO2（二氧化硅）可以在预烧结操作及后烧结操作的过程中形成液相，起到抑制晶粒生长和吸附有害半导化杂质的作用以及改善施主掺杂的作用，提高NTC效应，同时，SiO2（二氧化硅）的化学性质比较稳定，能够进一步提高低阻NTC热敏电阻整体的稳定性。
请参阅图1，一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，包括如下步骤：
S110、将Mn3O4、Ni2O3、CuO、Al2O3和SiO2混合，并进行湿法球磨操作，得到球磨浆料；其中，Mn3O4、Ni2O3、CuO、Al2O3和SiO2的质量比例为（48~52）：（18~24）：（18~24）：（2~8）：（1~2）。
需要说明的是，通过将Mn3O4、CuO、Al2O3和SiO2按照上述比例进行混合，然后采用湿法球磨操作，得到球磨浆料。具体的，将Mn3O4、CuO、Al2O3和SiO2按照上述比例放置在研磨容器中进行混合操作，然后采用湿式球磨机对研磨容器中的混合材料进行湿法球磨操作。湿式球磨机是采用特制的滚动轴承作为筒体的支撑结构，按照顺时针旋转研磨结合逆时针旋转研磨的方式对研磨容器中的混合材料进行混合球磨操作，使得研磨容器中的混合材料能够充分结合反应，得到球磨浆料。例如，湿式球磨机首先对研磨容器中的混合材料进行15分钟的顺时针旋转研磨操作，顺时针旋转研磨操作后，湿式球磨机在对研磨容器中的混合材料进行15分钟的逆针旋转研磨操作，由此反复对研磨容器中的混合材料进行混合球磨操作，使得能够得到研磨充分的球磨浆料。通过湿式球磨机进行湿法球磨操作后的球磨浆料具有物理化学性能趋于均匀一致的特点，且能够使球磨浆料混合搅拌均匀。
在其中一个实施例中，所述湿法球磨操作的持续时间为2小时~4小时。例如，通过对Mn3O4、Ni2O3、CuO、Al2O3和SiO2进行2小时~4小时的持续湿法球磨操作，能够使Mn3O4、Ni2O3、CuO、Al2O3和SiO2充分混合，得到物理化学性能趋于均匀一致的球磨浆料。
S120、对所述球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，得到混合颗粒。
需要说明的是，将湿法球磨操作得到的球磨浆料进行干燥操作后，通过加入粘合剂进行混合制粒操作能够得到混合颗粒。在其中一个实施例中，所述粘合剂为聚乙烯醇，聚乙烯醇具有粘性好、无毒、成本低等优点，能够在混合制粒操作中起到很好的粘合作用，由此得到粘合性较好的混合颗粒。在其中一个实施例中，球磨浆料的干燥操作首先采用大孔筛网借助冲水将磨球和料浆进行分离了，浆料过筛后，再把浆料放入干燥箱内进行烘干，完成烘干后的浆料会形成粉料，继续对粉料进行过筛操作，最后将过筛操作后的粉料进行混合制粒操作，得到混合颗粒。在本实施例中，混合制粒操作采用制粒机进行加工操作，具体的，将干燥操作后的粉料投入制粒机的料斗密闭容器内，由于制粒机的热气流装置的作用，使料斗密闭容器内的粉料悬浮呈流化状循环流动，达到均匀混合，同时喷入雾状粘结剂润湿料斗密闭容器的粉料，使粉料凝成疏松的小颗粒，成粒的同时，由于热气流对其作高效干燥，水份不断蒸发，粉料不断凝固，由此形成均匀的混合颗粒。
S130、将所述混合颗粒进行干压操作，得到干压片体。
需要说明的是，通过干压操作后的混合颗粒，成片体结构，使得混合颗粒中的Mn、Ni、Cu、Al和Si等元素能够充分压合反应，且密度分布均匀，使得整体结构的稳定性大大提高。在本实施例中，干压操作采用干压成型机进对所述混合颗粒进行干压操作，首先将混合颗粒放置对应的干压模具中，通过干压成型机的压板对干压模具中混合颗粒进行施压操作，从而将干压模具中的混合颗粒进行压缩，所述干压操作的压力作用下，混合颗粒内的气体会被排出，且各颗粒之间发生位移并逐步靠拢，最后互相紧密压合成型，得到干压片体。
S140、在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行预烧结操作，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行后烧结操作，得到烧结片体。
在其中一个实施例中，在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行2小时~2.5小时的所述预烧结操作。
在其中一个实施例中，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行4小时~8小时进行后烧结操作。
需要说明的是，干压片体通过烧结操作后，能够使干压片体内的Mn、Ni、Cu、Al和Si等离子元素进行充分反应，使得干压片体中的固态中分子（或原子）间存在互相吸引，通过加热使质点获得足够的能量进行迁移，使粉末体产生颗粒黏结，产生强度并导致致密化和再结晶，由此形成多晶烧结体结构。具体的，首先将干压片体放置在烧结炉的烧结载具中，在700℃~850℃的温度条件下，烧结炉对烧结载具中的干压片体进行2小时~2.5小时的烧结操作，该操作为预烧结操作，亦即，在低于最终烧结温度的温度下对干压片体进行2小时~2.5小时的加热处理，此时，烧结炉的温度逐渐升高到700℃~850℃之间，如此，能够有利于烧结载具中的干压片体的晶型成长，而如果烧结炉的温度呈骤变式升温的话，会影响烧结载具中的干压片体的晶型成长，从而影响低阻NTC热敏电阻的性能。在本实施例中，烧结炉的温度以每分钟升高20℃~50℃的速率进行升温操作，从而到700℃~850℃之间的预烧结温度。干压片体完成预烧结操作后，烧结炉继续逐渐升温，将温度升高到1100℃~1280℃之间，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行4小时~8小时进行后烧结操作，该操作为后烧结操作，在后烧结操作的同时，烧结炉中的施压装置对干压片体进行单轴向加压操作，由此使干压片体能够在后烧结操作充分反应，形成一种新尖晶石相结构的金属氧化物，亦即，得到烧结片体，得到的烧结片体具有激活能量较高的特点，从而使得低阻NTC热敏电阻的B值较低。特别的，在本实施例中，在预烧结操作后，烧结炉的温度以每分钟升高30℃~65℃的速率进行升温操作，从而到1100℃~1280℃之间的后烧结温度，如此，能够有利于烧结载具中的干压片体的晶型成长，而如果烧结炉的温度呈骤变式升温的话，会影响烧结载具中的干压片体的晶型成长，从而影响低阻NTC热敏电阻的性能。
S150、在所述烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，在所述烧结片体上得到电极。
需要说明的是，将后烧结操作后得到的烧结片体放置在银浆涂覆设备上进行银浆涂覆操作，从而在所述烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，完成银浆涂覆后的烧结片体放置在矩形治具上，矩形治具上开设有多个镂空放置孔，使得放置在矩形治具上的烧结片体上的银浆层呈悬空设置，然后再将矩形治具放置热处理烤箱进行热处理操作，由此使烧结片体相对的两侧面上的银浆层烘干凝结，使得烧结片体上得到电极。在本实施例中，所述热处理操作具体为：在600℃~900℃的温度条件下，进行20分钟~40分钟的烘干操作。
S160、进行熟化操作后，得到所述低阻NTC热敏电阻。
需要说明的是，烧结片体完成银浆涂覆操作得到电极后，将烧结片体放置在熟化设备中进行熟化操作，具体的，将烧结片体放置在200℃的烘箱中进行50小时~100小时的熟化操作，从而得到低阻NTC热敏电阻。
与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：
本发明的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻包括如下质量份的各组分：48~52份的48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝），各组分通过混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻，根据实验测试结果，低阻NTC热敏电阻的电阻率为35~105（Ω•mm），低阻NTC热敏电阻的B值为2500K~2950K，从而具有电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的特点。
需要说明的是，所述低阻NTC热敏电阻在焊接到电路板上时，需要在所述电极上设置引脚，以便于将所述低阻NTC热敏电阻通过引脚焊接在电路板上的焊盘上，现有的所述低阻NTC热敏电阻的引脚一般采用切割装置直接切割，会使得引脚的端部出现毛刺或者较为锋利尖锐的刃边，在运输或者焊接时，容易划伤外物，甚至直接划伤电路板，不利于运输和焊接；进一步地，所述低阻NTC热敏电阻一般采用喷涂的方式在所述低阻NTC热敏电阻上喷涂一层高分子保护层，或者直接采用玻璃体烧结的方式附上保护层，玻璃体烧结的方式成本高，烧结温度高，容易影响所述低阻NTC热敏电阻自身的品质，若采用喷涂方式，则一方面会产生空气污染，另一方面喷涂会导致厚度不均，附着较差的问题，因此，为了能够使得所述低阻NTC热敏电阻的引脚的端部避免出现毛刺或者较为锋利尖锐的刃边，以及使得所述低阻NTC热敏电阻的保护层的附着力更强，不易脱落，以及减小对空气的污染程度，例如，所述低阻NTC热敏电阻的制备方法，还包括如下步骤：
S170、将V型引脚夹持在所述低阻NTC热敏电阻上，并且所述V型引脚的两端与所述电极电连接；
S180、将所述低阻NTC热敏电阻进行加热，并趁热插入至聚酯粉体内，所述聚酯粉体粘附在所述低阻NTC热敏电阻上，并发生熔融操作，以在所述低阻NTC热敏电阻的外表层上形成绝缘保护层；
相对于采用喷涂方式，则一方面会产生空气污染，另一方面喷涂会导致厚度不均，附着较差的问题，通过热熔聚酯粉体的涂覆方式可以减小对空气的污染程度，且所述低阻NTC热敏电阻的保护层的附着力更强，不易脱落。
需要说明的是，由于V型引脚夹持在所述低阻NTC热敏电阻上，所述聚酯粉体也会将V型引脚的两端上热熔，冷却后覆盖上所述绝缘保护层，即能够使得V型引脚的两端牢靠地连接在所述低阻NTC热敏电阻的电极上；
S190、将所述V型引脚的V型端进行切割操作，以使所述V型引脚的V型端形成两个焊接插接端；
请参阅图2，将所述V型引脚的V型端20进行切割操作，以使所述V型引脚的V型端20形成两个焊接插接端21，而原先的V型引脚的两端则牢靠地连接在所述低阻NTC热敏电阻10的电极上。
S200、在密封环境下，将所述V型引脚的焊接插接端伸入至250摄氏度~300摄氏度的水银液体内，并与放置在所述水银液体内的石英玻璃板的顶面相抵持，以修整所述V型引脚的所述焊接插接端；
需要说明的是，由于V型引脚为镀锡材料，在250摄氏度~300摄氏度的高温水银下，其镀锡层会熔化并收缩包覆在所述V型引脚的所述焊接插接端上，使得所述V型引脚的所述焊接插接端非常的圆润和平整，能够使得所述低阻NTC热敏电阻的引脚的端部避免出现毛刺或者较为锋利尖锐的刃边，更利于手续运输和焊接；其二，由于所述石英玻璃板的化学性质和物理性质极其稳定，熔点高达1000多摄氏度，不会与所述水银液体发生反应，确保了石英玻璃板的顶面的平整度，当将所述V型引脚的焊接插接端伸入至250摄氏度~300摄氏度的水银液体内，并与放置在所述水银液体内的石英玻璃板的顶面相抵持时，能够使得所述V型引脚的端部的熔化的镀锡材料不会“跑到”水银液体内，而只会粘附在所述V型引脚的所述焊接插接端上，起到修整所述V型引脚的所述焊接插接端的作用，使得所述V型引脚的所述焊接插接端非常的圆润和平整，能够使得所述低阻NTC热敏电阻的引脚的端部避免出现毛刺或者较为锋利尖锐的刃边，更利于手续运输和焊接，若采用耐高温的金属材质，则能够发生氧化等问题。例如，所述石英玻璃板的顶面与水银液体的液面的距离为0.1cm~0.15cm，既能起到修整所述V型引脚的所述焊接插接端的作用，使得所述V型引脚的所述焊接插接端非常的圆润和平整，能够使得所述低阻NTC热敏电阻的引脚的端部避免出现毛刺或者较为锋利尖锐的刃边，更利于手续运输和焊接，又能避免水银液体的高温熔化其他不需要熔化的镀锡层，确保了所述低阻NTC热敏电阻的引脚的整体镀锡的覆盖度。
下面是具体实施例部分。
实施例1
将480gMn3O4、180gNi2O3、180gCuO、20gAl2O3及10gSiO2混合，并进行湿法球磨操作，湿法球磨操作的持续时间为2小时，从而得到球磨浆料；
对得到的球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，所述粘合剂为聚乙烯醇，从而得到混合颗粒；
对得到的混合颗粒进行干压操作，从而得到干压片体；
在750℃的温度条件下，对得到的干压片体进行2小时的预烧结操作，完成预烧结操作后，在1150℃的温度条件下，对预烧结操作后的干压片体进行4小时的后烧结操作，得到烧结片体；
在得到的烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，使得在所述烧结片体上得到电极；
对得到电极后的烧结片体进行熟化操作，从而制得低阻NTC热敏电阻。
对得到的低阻NTC热敏电阻进行测试，亦即，将低阻NTC热敏电阻放置在25±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在25℃的常温电阻值后，将低阻NTC热敏电阻放置在85±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在85℃的电阻值，然后通过在25℃的常温电阻值以及在85℃的电阻值计算可得到低阻NTC热敏电阻的B值。经检测，低阻NTC热敏电阻的电阻率为63.3Ω•mm，B值为2706K。
实施例2
将490gMn3O4、195gNi2O3、195gCuO、20gAl2O3及12gSiO2混合，并进行湿法球磨操作，湿法球磨操作的持续时间为2小时，从而得到球磨浆料；
对得到的球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，所述粘合剂为聚乙烯醇，从而得到混合颗粒；
对得到的混合颗粒进行干压操作，从而得到干压片体；
在750℃的温度条件下，对得到的干压片体进行2小时的预烧结操作，完成预烧结操作后，在1150℃的温度条件下，对预烧结操作后的干压片体进行4小时的后烧结操作，得到烧结片体；
在得到的烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，使得在所述烧结片体上得到电极；
对得到电极后的烧结片体进行熟化操作，从而制得低阻NTC热敏电阻。
对得到的低阻NTC热敏电阻进行测试，亦即，将低阻NTC热敏电阻放置在25±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在25℃的常温电阻值后，将低阻NTC热敏电阻放置在85±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在85℃的电阻值，然后通过在25℃的常温电阻值以及在85℃的电阻值计算可得到低阻NTC热敏电阻的B值。经检测，低阻NTC热敏电阻的电阻率为64.2Ω•mm，B值为2718K。
实施例3
将500gMn3O4、210gNi2O3、210gCuO、50gAl2O3及14gSiO2混合，并进行湿法球磨操作，湿法球磨操作的持续时间为2小时，从而得到球磨浆料；
对得到的球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，所述粘合剂为聚乙烯醇，从而得到混合颗粒；
对得到的混合颗粒进行干压操作，从而得到干压片体；
在750℃的温度条件下，对得到的干压片体进行2小时的预烧结操作，完成预烧结操作后，在1150℃的温度条件下，对预烧结操作后的干压片体进行4小时的后烧结操作，得到烧结片体；
在得到的烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，使得在所述烧结片体上得到电极；
对得到电极后的烧结片体进行熟化操作，从而制得低阻NTC热敏电阻。
对得到的低阻NTC热敏电阻进行测试，亦即，将低阻NTC热敏电阻放置在25±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在25℃的常温电阻值后，将低阻NTC热敏电阻放置在85±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在85℃的电阻值，然后通过在25℃的常温电阻值以及在85℃的电阻值计算可得到低阻NTC热敏电阻的B值。经检测，低阻NTC热敏电阻的电阻率为64.9Ω•mm，B值为2757K。
实施例4
将510gMn3O4、225g Ni2O3、225gCuO、16gAl2O3及16gSiO2混合，并进行湿法球磨操作，湿法球磨操作的持续时间为2小时，从而得到球磨浆料；
对得到的球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，所述粘合剂为聚乙烯醇，从而得到混合颗粒；
对得到的混合颗粒进行干压操作，从而得到干压片体；
在750℃的温度条件下，对得到的干压片体进行2小时的预烧结操作，完成预烧结操作后，在1150℃的温度条件下，对预烧结操作后的干压片体进行4小时的后烧结操作，得到烧结片体；
在得到的烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，使得在所述烧结片体上得到电极；
对得到电极后的烧结片体进行熟化操作，从而制得低阻NTC热敏电阻。
对得到的低阻NTC热敏电阻进行测试，亦即，将低阻NTC热敏电阻放置在25±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在25℃的常温电阻值后，将低阻NTC热敏电阻放置在85±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在85℃的电阻值，然后通过在25℃的常温电阻值以及在85℃的电阻值计算可得到低阻NTC热敏电阻的B值。经检测，低阻NTC热敏电阻的电阻率为66.3Ω•mm，B值为2757K。
实施例5
将520gMn3O4、240gNi2O3、240gCuO、80gAl2O3及20g SiO2混合，并进行湿法球磨操作，湿法球磨操作的持续时间为2小时，从而得到球磨浆料；
对得到的球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，所述粘合剂为聚乙烯醇，从而得到混合颗粒；
对得到的混合颗粒进行干压操作，从而得到干压片体；
在750℃的温度条件下，对得到的干压片体进行2小时的预烧结操作，完成预烧结操作后，在1150℃的温度条件下，对预烧结操作后的干压片体进行4小时的后烧结操作，得到烧结片体；
在得到的烧结片体相对的两侧面上分别涂覆银浆层，并进行热处理操作，使得在所述烧结片体上得到电极；
对得到的低阻NTC热敏电阻进行测试，亦即，将低阻NTC热敏电阻放置在25±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在25℃的常温电阻值后，将低阻NTC热敏电阻放置在85±0.01℃恒温槽中进行电阻测试，测得低阻NTC热敏电阻在85℃的电阻值，然后通过在25℃的常温电阻值以及在85℃的电阻值计算可得到低阻NTC热敏电阻的B值。经检测，低阻NTC热敏电阻的电阻率为63.7Ω•mm，B值为2729K。
通过实验分析佐证以及表1可知，实施例1-实施例5的低阻NTC热敏的电阻率均在35~105（Ω•mm）的区间内，低阻NTC热敏电阻的B值均在2500K~2950K的的区间内，如此，低阻NTC热敏电阻通过对质量份的各组分为48~52份的48~52份的Mn3O4（四氧化三锰），18份~24份的Ni2O3（三氧化二镍），18份~24份的CuO（氧化铜），2份~8份的SiO2（氧化硅），1份~2份的Al2O3（三氧化二铝），进行混合操作、湿法球磨操作、混合制粒操作、干压操作、预烧结操作、后烧结操作、涂覆银浆层操作、热处理操作及熟化操作后，得到的低阻NTC热敏电阻具有电阻率较低、B值较小且整体稳定性较高的特点。
表1
| Mn<sub>3</sub>O<sub>4</sub> | Ni<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | CuO | Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> | SiO<sub>2</sub> | 电阻率（Ω•mm） | B值（K） | |
| 实施例1 | 480g | 180g | 180g | 20g | 10g | 63.3 | 2706 |
| 实施例2 | 490g | 195g | 195g | 35g | 12g | 64.2 | 2718 |
| 实施例3 | 500g | 210g | 210g | 50g | 14g | 64.9 | 2733 |
| 实施例4 | 510g | 225g | 225g | 65g | 16g | 66.3 | 2757 |
| 实施例5 | 520g | 240g | 240g | 80g | 20g | 63.7 | 2729 |
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (6)
1.一种具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将Mn3O4、Ni2O3、CuO、SiO2和Al2O3混合，并进行湿法球磨操作，得到球磨浆料；其中，Mn3O4、Ni2O3、CuO、SiO2和Al2O3的质量比例为（48~52）：（18~24）：（18~24）：（2~8）：（1~2）；
对所述球磨浆料进行干燥操作后，再加入粘合剂进行混合制粒操作，得到混合颗粒；
将所述混合颗粒进行干压操作，得到干压片体；
在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行预烧结操作，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行后烧结操作，得到烧结片体；
在所述烧结片体相对的两侧面分别涂覆银浆层，并进行热处理，在所述烧结片体上得到电极；
熟化操作后，得到低阻NTC热敏电阻；
将V型引脚夹持在所述低阻NTC热敏电阻上，并且所述V型引脚的两端与所述电极电连接；
将所述低阻NTC热敏电阻进行加热，并趁热插入至聚酯粉体内，所述聚酯粉体粘附在所述低阻NTC热敏电阻上，并发生熔融操作，以在所述低阻NTC热敏电阻的外表层上形成绝缘保护层；
将所述V型引脚的V型端进行切割操作，以使所述V型引脚的V型端形成两个焊接插接端；
在密封环境下，将所述V型引脚的焊接插接端伸入至250摄氏度~300摄氏度的水银液体内，并与放置在所述水银液体内的石英玻璃板的顶面相抵持，以修整所述V型引脚的所述焊接插接端。
2.根据权利要求1所述的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，所述湿法球磨操作的持续时间为2小时~4小时。
3.根据权利要求1所述的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，所述粘合剂为聚乙烯醇。
4.根据权利要求1所述的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，在700℃~850℃的温度条件下，对所述干压片体进行2小时~2.5小时的所述预烧结操作。
5.根据权利要求1所述的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，在1100℃~1280℃的温度条件下，对所述干压片体进行4小时~8小时进行后烧结操作。
6.根据权利要求1所述的具有V型引脚的低阻NTC热敏电阻的制备方法，其特征在于，所述热处理的操作具体为：在600℃~900℃的温度条件下，进行20分钟~40分钟的烘干操作。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811269280.0A CN109265157B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201811269280.0A CN109265157B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109265157A CN109265157A (zh) | 2019-01-25 |
| CN109265157B true CN109265157B (zh) | 2022-01-21 |
Family
ID=65194872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201811269280.0A Active CN109265157B (zh) | 2018-10-29 | 2018-10-29 | 具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109265157B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114743746B (zh) * | 2022-05-06 | 2024-07-09 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种ntc绝缘层材料及其制备方法和应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869902A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器の製造方法 |
| CN1957488A (zh) * | 2004-04-13 | 2007-05-02 | 株式会社Lg化学 | 包括具有保护器元件的电极引线的电化学电池 |
| CN101127266A (zh) * | 2007-09-12 | 2008-02-20 | 山东中厦电子科技有限公司 | 高均匀性负温度系数热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN102617117A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-08-01 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片材料及其制备方法 |
| CN104040794A (zh) * | 2012-01-20 | 2014-09-10 | 法国圣戈班玻璃厂 | 联接元件 |
| CN108447636A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-08-24 | 惠州嘉科实业有限公司 | 用于压敏电阻的装配装置及其引脚安装设备 |
| CN108546089A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-18 | 四川西汉电子科技有限责任公司 | 一种ntc热敏电阻器的制备工艺 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8247050B2 (en) * | 2009-06-02 | 2012-08-21 | Integran Technologies, Inc. | Metal-coated polymer article of high durability and vacuum and/or pressure integrity |
| EP3214689B1 (en) * | 2014-10-31 | 2019-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Nonaqueous electrolyte battery and battery pack |
| CN104867685A (zh) * | 2015-04-02 | 2015-08-26 | 安徽江威精密制造有限公司 | 一种低电阻改性废弃pvc复合电极材料及其制备方法 |
| CN106098808B (zh) * | 2016-08-10 | 2017-11-28 | 中国科学院电工研究所 | 一种晶硅太阳电池贱金属正面电极及其制备方法 |
| CN107195354B (zh) * | 2017-04-20 | 2019-02-26 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种背钝化硅太阳能电池用正电极银浆及其制备方法 |
| CN108318554A (zh) * | 2017-12-07 | 2018-07-24 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种电化学检测用石墨烯印刷纸电极及其制备方法 |
-
2018
- 2018-10-29 CN CN201811269280.0A patent/CN109265157B/zh active Active
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0869902A (ja) * | 1994-08-29 | 1996-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | サーミスタ磁器の製造方法 |
| CN1957488A (zh) * | 2004-04-13 | 2007-05-02 | 株式会社Lg化学 | 包括具有保护器元件的电极引线的电化学电池 |
| CN101127266A (zh) * | 2007-09-12 | 2008-02-20 | 山东中厦电子科技有限公司 | 高均匀性负温度系数热敏电阻材料及其制备方法 |
| CN102617117A (zh) * | 2012-01-18 | 2012-08-01 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种负温度系数热敏电阻芯片材料及其制备方法 |
| CN104040794A (zh) * | 2012-01-20 | 2014-09-10 | 法国圣戈班玻璃厂 | 联接元件 |
| CN108546089A (zh) * | 2018-03-30 | 2018-09-18 | 四川西汉电子科技有限责任公司 | 一种ntc热敏电阻器的制备工艺 |
| CN108447636A (zh) * | 2018-05-29 | 2018-08-24 | 惠州嘉科实业有限公司 | 用于压敏电阻的装配装置及其引脚安装设备 |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 高性能NTC热敏电阻的制备与电性能研究;章新日;《中国优秀硕士学位论文全文数据库 工程科技Ⅱ辑》;20180615;第C042-337页 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109265157A (zh) | 2019-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2345168C (en) | Current/voltage non-linear resistor and sintered body therefor | |
| US7992285B2 (en) | Method for fabricating negative temperature coefficient thermistor | |
| CN112479681B (zh) | 一种负温度系数热敏电阻芯片及其制备方法 | |
| CN101350240A (zh) | 一种叠层片式压敏电阻器及其制造方法 | |
| CN106992050B (zh) | 电压非线性电阻体 | |
| CN109265157B (zh) | 具有v型引脚的低阻ntc热敏电阻及其制备方法 | |
| EP2194541A2 (en) | Current-voltage non-linear resistor and method of manufacture thereof | |
| CN109133901A (zh) | 含铁系热敏电阻及其制备方法 | |
| US4111852A (en) | Pre-glassing method of producing homogeneous sintered zno non-linear resistors | |
| CA2217328A1 (en) | Lateral high-resistance additive for zinc oxide varistor, zinc oxide varistor produced using the same, and process for producing the varistor | |
| Yokoyama et al. | Preparation and electrical properties of monophase cubic spinel, Mn 1.5 Co 0.95 Ni 0.55 O 4, derived from rock salt type oxide | |
| CN107129284B (zh) | 一种高性能多温区ntc热敏电阻器介质材料及其制备方法 | |
| US4452729A (en) | Voltage stable nonlinear resistor containing minor amounts of aluminum and boron | |
| CN1967734B (zh) | 层叠型片状可变电阻的制作方法 | |
| JPH02143502A (ja) | Ｎｔｃサーミスタの製造方法 | |
| CN109265161A (zh) | 中压压敏电阻及其制备方法 | |
| CN207993511U (zh) | 具有导电功能的薄膜 | |
| JPS62293702A (ja) | セラミツク質の酸化亜鉛バリスタ材料の製法 | |
| JPH01222404A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0696908A (ja) | 電圧非直線抵抗体の製造方法 | |
| CN115490510A (zh) | 一种避雷器电阻片制造方法 | |
| CN116031033A (zh) | 一种直流低残压型压敏电阻及其制备方法 | |
| JPH0253924B2 (zh) | ||
| JPS62159402A (ja) | 非直線抵抗体の製造方法 | |
| JPH0258804A (ja) | 酸化亜鉛形バリスタの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231128 Address after: 516000, No.01, 7th Floor, Factory Building (1), Yanlong Section, Lingwei Group, Lianhe Village, Shuikou Street Office, Huicheng District, Huizhou City, Guangdong Province Patentee after: Huizhou Jiake Sensing Technology Co.,Ltd. Address before: 516006 Dongjiang Hi-tech Industrial Park, Zhongkai High-tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province, No. 1 Xingyun East Road, Floor 3 Patentee before: HUIZHOU JOCOL INDUSTRIAL Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |