CN109250706A - 一种石墨烯薄膜及其制备方法 - Google Patents

一种石墨烯薄膜及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109250706A
CN109250706A CN201811419197.7A CN201811419197A CN109250706A CN 109250706 A CN109250706 A CN 109250706A CN 201811419197 A CN201811419197 A CN 201811419197A CN 109250706 A CN109250706 A CN 109250706A
Authority
CN
China
Prior art keywords
graphene
layer
powder
graphene film
few
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201811419197.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109250706B (zh
Inventor
柯良节
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tianyuan Xi Wang Holding Co Ltd
Original Assignee
Tianyuan Xi Wang Holding Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tianyuan Xi Wang Holding Co Ltd filed Critical Tianyuan Xi Wang Holding Co Ltd
Priority to CN201811419197.7A priority Critical patent/CN109250706B/zh
Publication of CN109250706A publication Critical patent/CN109250706A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109250706B publication Critical patent/CN109250706B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/184—Preparation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/182—Graphene
    • C01B32/194—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2204/00—Structure or properties of graphene
    • C01B2204/04—Specific amount of layers or specific thickness

Abstract

本发明公开一种石墨烯薄膜及其制备方法，其中，所述石墨烯薄膜包括石墨烯膜层以及无序掺杂在所述石墨烯膜层内的少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体通过碳‑碳共价键与所述石墨烯膜层结合，所述少层石墨烯粉体为1‑3层的石墨烯。本发明提供的石墨烯薄膜中，所述少层石墨烯粉体可通过碳‑碳共价键无序的结合在新生成的石墨烯膜层内，可有效提升石墨烯薄膜的机械强度及其导电导热性能。

Description

一种石墨烯薄膜及其制备方法
技术领域
本发明涉及石墨烯领域，尤其涉及一种石墨烯薄膜及其制备方法。
背景技术
石墨烯是一种新型的导热、导电优良的纳米材料，其单层厚度仅为0.35纳米。由于它的特殊性能，而被制作成各种各样的产品，其中最多的一种就是做成薄膜。
传统的石墨烯薄膜做法是把石墨烯和树脂类或者其他具有黏结性的液体混合，再把它制作成各种规格的薄膜，所述薄膜可应用到导热、导电等地方，从而达到降低温度或者导电的作用。这种采用传统方法制备的石墨烯薄膜由于是用树脂类黏胶把石墨烯粉体粘合在一起，其中的石墨烯粉体与石墨烯粉体之间没有很好的结合，甚至没有任何联系，这导致制备的石墨烯薄膜机械强度差，且其导电导热性能也较差。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种石墨烯薄膜及其制备方法，旨在解决现有石墨烯薄膜中的石墨烯粉体之间没有很好的结合，导致石墨烯薄膜机械强度差，以及导电导热性能均较差的问题。
本发明的技术方案如下：
一种石墨烯薄膜，其中，包括石墨烯膜层以及无序掺杂在所述石墨烯膜层内的少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键与所述石墨烯膜层结合，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。
一种石墨烯薄膜的制备方法，其中，包括步骤：
提供一种少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和保护气体，在预定气压下加热至预定温度使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
所述石墨烯薄膜的制备方法，其中，所述金属基材为铜箔或铝箔中的一种。
所述石墨烯薄膜的制备方法，其中，在1.5-2kPa的气压下加热至950-1000℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中。
所述石墨烯薄膜的制备方法，其中，所述保护气体选自氩气、氢气和氮气中的一种或多种。
所述石墨烯薄膜的制备方法，其中，所述少层石墨烯粉体的制备包括步骤：
对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯。
所述石墨烯薄膜的制备方法，其中，所述液态气体为液氮或液态二氧化碳。
有益效果：本发明提供的石墨烯薄膜包括石墨烯膜层以及无序掺杂在所述石墨烯膜层内的少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键与所述石墨烯膜层结合，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。本发明提供的石墨烯薄膜中，所述少层石墨烯粉体可通过碳-碳共价键无序的结合在新生成的石墨烯膜层内，可有效提升石墨烯薄膜的机械强度及其导电导热性能。
附图说明
图1为传统技术制备的石墨烯薄膜的结构示意图。
图2为本发明一种石墨烯薄膜较佳实施例的结构示意图。
图3为本发明一种石墨烯薄膜的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种石墨烯薄膜及其制备方法，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为传统方法制备的石墨烯薄膜的结构示意图，传统方法是把石墨烯和树脂类或者其他具有黏结性的液体混合，再把它制作成各种规格的薄膜。如图所示，由于传统方法是用树脂类黏胶把石墨烯粉体粘合在一起，其中的石墨烯粉体与石墨烯粉体之间没有很好的结合，甚至没有任何联系，这导致制备的石墨烯薄膜机械强度差，且其导电导热性能也较差。
基于现有石墨烯薄膜所存在的问题，本发明提供了一种新型结构的石墨烯薄膜，如图2所示，所述石墨烯薄膜包括石墨烯膜层10以及无序掺杂在所述石墨烯膜层10内的少层石墨烯粉体20，所述少层石墨烯粉体20通过碳-碳共价键与所述石墨烯膜层10结合，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。
本发明提供的石墨烯薄膜中，所述少层石墨烯粉体可通过碳-碳共价键无序的掺杂在新生成的石墨烯膜层内，相对于通过树脂类黏胶与石墨烯粉体结合形成的石墨烯薄膜，本发明石墨烯薄膜的机械强度得到了有效提升；进一步地，由于所述少层石墨烯粉体无序地掺杂在所述石墨烯膜层内，相对于直接通过CVD法制得的致密石墨烯薄膜，本发明石墨烯薄膜内的空间结构相对较大，即用于储存电荷的面积增大，因此可提升其导电导热性能。
优选的，本发明所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。更优选的，为了更有效的提升石墨烯薄膜的导电导热性能，所述少层石墨烯粉体为单层石墨烯。
进一步地，本发明还提供一种石墨烯薄膜的制备方法，其中，如图3所示，包括步骤：
S10、提供一种少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
S20、将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
S30、将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和保护气体，在预定气压下加热至预定温度使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
S40、对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
在一种优选的实施方式中，所述金属基材为铜箔或铝箔中的一种。
在一种优选的实施方式中，在所述步骤S30中，将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和保护气体，在1.5-2kPa的气压下加热至950-1000℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中。更优选的，所述保护气体选自氩气、氢气和氮气中的一种或多种，但不限于此。
在一种优选的实施方式中，所述少层石墨烯粉体的制备包括步骤：
对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯。
本实施例以多层石墨烯作为原料，用高温加热炉对所述多层石墨烯粉体进行重复加温和降温处理，利用热胀冷缩原理使石墨烯粉体得到膨化，从而使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大；在高压状态下将所述膨化后的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；最后释放压力并在氮气保护下，使所述液态气体气化，由于液态气体气化后其体积急速膨胀，从而使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，让多层石墨烯变成单层石墨烯或者3层以内的少层石墨烯。
采用本实施例方法制得的少层石墨烯晶格完整，且由于是气体气化得到的石墨烯，因此制得的少层石墨烯不用干燥就可以被直接使用。本实施例提供的少层石墨烯的制备方法可用于大规模生产，且环境友好、低能耗、无污染。
优选的，所述液态气体为液氮或液态二氧化碳。
下面通过具体实施例对本发明一种石墨烯薄膜的制备方法做进一步的解释说明：
实施例1
1、对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
2、在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
3、加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
4、将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
5、将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和氩气，1.5kPa的气压下加热至950℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
6、对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
实施例2
1、对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
2、在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
3、加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
4、将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
5、将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和氩气，2kPa的气压下加热至1000℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
6、对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
实施例3
1、对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
2、在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
3、加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
4、将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
5、将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和氩气，1.8kPa的气压下加热至980℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
6、对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
综上所述，本发明提供的石墨烯薄膜包括石墨烯膜层以及无序掺杂在所述石墨烯膜层内的少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键与所述石墨烯膜层结合，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。本发明提供的石墨烯薄膜中，所述少层石墨烯粉体可通过碳-碳共价键无序的结合在新生成的石墨烯膜层内，可有效提升石墨烯薄膜的机械强度及其导电导热性能。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种石墨烯薄膜，其特征在于，包括石墨烯膜层以及无序掺杂在所述石墨烯膜层内的少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键与所述石墨烯膜层结合，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯。
2.一种石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，包括步骤：
提供一种少层石墨烯粉体，所述少层石墨烯粉体为1-3层的石墨烯；
将所述少层石墨烯粉体预先均匀铺在平整的金属基材表面；
将表面铺有少层石墨烯粉体的金属基材放入CVD反应腔室中，通入甲烷和保护气体，在预定气压下加热至预定温度使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中；
对所述金属基材进行退火处理，使溶入到金属基材中的碳原子析出并与金属基材表面的少层石墨烯粉体通过碳-碳共价键结合，在所述金属基材表面生成完整的石墨烯薄膜。
3.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述金属基材为铜箔或铝箔中的一种。
4.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，在1.5-
2kPa的气压下加热至950-1000℃使甲烷分裂成碳原子并溶入到所述金属基材中。
5.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述保护气体选自氩气、氢气和氮气中的一种或多种。
6.根据权利要求2所述石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述少层石墨烯粉体的制备包括步骤：
对多层石墨烯进行膨化处理，使所述多层石墨烯层与层之间的距离增大，所述多层石墨烯粉体为层数大于3的石墨烯；
在真空条件下，将所述经过膨化处理的多层石墨烯与液态气体混合，使所述液态气体插入到多层石墨烯层与层之间；
加热使插入到多层石墨烯层与层之间的液态气体气化，气化的液态气体使得多层石墨烯层与层之间发生脱落，生成少层石墨烯。
7.根据权利要求6所述石墨烯薄膜的制备方法，其特征在于，所述液态气体为液氮或液态二氧化碳。
CN201811419197.7A 2018-11-26 2018-11-26 一种石墨烯薄膜及其制备方法 Active CN109250706B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811419197.7A CN109250706B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 一种石墨烯薄膜及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811419197.7A CN109250706B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 一种石墨烯薄膜及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109250706A true CN109250706A (zh) 2019-01-22
CN109250706B CN109250706B (zh) 2022-03-15

Family

ID=65042062

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811419197.7A Active CN109250706B (zh) 2018-11-26 2018-11-26 一种石墨烯薄膜及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109250706B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021093759A1 (zh) * 2019-11-11 2021-05-20 长沙天源羲王材料科技有限公司 改性石墨烯和含有该改性石墨烯浆料的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101979707A (zh) * 2010-11-16 2011-02-23 中国科学院微电子研究所 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法
CN103021574A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 上海交通大学 一种石墨烯/无机半导体复合薄膜及其制备方法
CN104183300A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用
CN105731435A (zh) * 2016-01-25 2016-07-06 浙江碳谷上希材料科技有限公司 一种高强柔性石墨烯复合导热膜及其制备方法
CN106477568A (zh) * 2016-09-30 2017-03-08 江苏大学 一种利用液氮气相剥离制备石墨烯的方法
CN106986336A (zh) * 2017-04-13 2017-07-28 孙旭阳 少层石墨层间化合物及其制备方法
CN108516538A (zh) * 2018-04-20 2018-09-11 北京航空航天大学 一种π键和共价键有序交联超强高导电石墨烯复合薄膜的制备方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101979707A (zh) * 2010-11-16 2011-02-23 中国科学院微电子研究所 一种用于原子层沉积制备石墨烯薄膜的碳化学吸附方法
CN103021574A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 上海交通大学 一种石墨烯/无机半导体复合薄膜及其制备方法
CN104183300A (zh) * 2013-05-23 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 一种导电石墨烯薄膜及其制备方法和应用
CN105731435A (zh) * 2016-01-25 2016-07-06 浙江碳谷上希材料科技有限公司 一种高强柔性石墨烯复合导热膜及其制备方法
CN106477568A (zh) * 2016-09-30 2017-03-08 江苏大学 一种利用液氮气相剥离制备石墨烯的方法
CN106986336A (zh) * 2017-04-13 2017-07-28 孙旭阳 少层石墨层间化合物及其制备方法
CN108516538A (zh) * 2018-04-20 2018-09-11 北京航空航天大学 一种π键和共价键有序交联超强高导电石墨烯复合薄膜的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
赵廷凯等: "石墨烯/碳纳米管复合材料的制备及其电化学电容性能", 《科学通报 》 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021093759A1 (zh) * 2019-11-11 2021-05-20 长沙天源羲王材料科技有限公司 改性石墨烯和含有该改性石墨烯浆料的制备方法
US20220017370A1 (en) * 2019-11-11 2022-01-20 Changsha Tianyuan Empire Materials Technology Co., Ltd. Method for preparing modified graphene and method for preparing slurry containing the modified graphene
US11878909B2 (en) * 2019-11-11 2024-01-23 Changsha Tianyuan Empire Materials Technology Co., Ltd. Method for preparing modified graphene and method for preparing slurry containing the modified graphene

Also Published As

Publication number Publication date
CN109250706B (zh) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107140619B (zh) 一种高导热的石墨烯厚膜及其制备方法
TWI721077B (zh) 奈米碳管複合材料及奈米碳管複合材料的製造方法
Li et al. Boosting the heat dissipation performance of graphene/polyimide flexible carbon film via enhanced through‐plane conductivity of 3D hybridized structure
CN103192072B (zh) 薄层石墨烯/金属粉体复合结构材料、其制备方法及应用
CN106082186B (zh) 一种石墨烯-纳米铜复合材料的导热薄膜及其制备方法
US20150257251A1 (en) Heat-dissipating sheet having high thermal conductivity and its production method
CN107555419B (zh) 一种低褶皱密度石墨烯膜及其制备方法
CN204340308U (zh) 一种微型石墨铜散热片
CN104293308A (zh) 一种高导热石墨膜及其制备工艺
US11535567B2 (en) Polyimide-based composite carbon film with high thermal conductivity and preparation method therefor
CN105274491A (zh) 一种石墨烯-氮化硼异质相复合薄膜材料的制备方法
CN104475316A (zh) 一种石墨烯涂层的制备方法
TW201722845A (zh) 奈米碳管接合片及奈米碳管接合片的製造方法
CN103906416A (zh) 一种利用催化石墨化工艺制备人工石墨散热膜的方法
Hu et al. Dual-encapsulated phase change composites with hierarchical MXene-graphene monoliths in graphene foam for high-efficiency thermal management and electromagnetic interference shielding
CN103660484A (zh) 软性石墨纸及其制造方法及其增厚结构
CN109250706A (zh) 一种石墨烯薄膜及其制备方法
CN106565263B (zh) 一种碳纳米管/碳化硅导热复合材料的制备方法
CN103213973B (zh) 一种柔性高定向石墨导热材料的制备方法
CN207820461U (zh) 高导热、高电磁屏蔽铜网增强石墨复合泡棉
Tang et al. Influence from defects of three-dimensional graphene networks on the interface condition between the graphene basal plane and various resins
CN106495158B (zh) 一种超薄碳化钼材料的制备方法及其产品
CN104310379A (zh) 高模量石墨散热片
CN204733502U (zh) 石墨导热件
CN203884121U (zh) 散热片

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant