CN109244143A - 一种do-13型瞬态电压抑制二极管 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种DO‑13型瞬态电压抑制二极管，包括管芯A和管芯B；管芯A和管芯B之间通过薄铜片连接，管芯A的中心连接有内引线,管芯B的另一端与厚铜片连接，厚铜片的另一端与管座连接，管座中心设置有引出线与厚铜片连接。本发明减少了产品的装配难度，提高了产品的抗恒定加速度试验能力，大大提高了了D0‑13封装低电容硅瞬态电压抑制二极管产品的可靠性，保证了产品在高端领域上的应用。
Description
技术领域
本发明涉及一种DO-13型瞬态电压抑制二极管。
背景技术
低电容瞬态电压抑制二极管是一种既可保护电子线路中的精密元器件免受各种浪涌脉冲的损坏，又避免了在高频电子线路应用中普通瞬态电压抑制二极管结电容大造成信号失真问题的新型半导体分立器件，被广泛应用到电子仪器、精密设备、自动控制系统、计算机系统、数控机床等各个领域。目前市场上采用一种D0-13金属封装的低电容硅瞬态电压抑制二极管不仅具有低结电容的显著优点，还具有体积小、重量轻、制作成本低、可靠性高的优点。但针对管芯面积较小的超低电容(25pF以下)瞬态电压抑制二极管，由于该封装的内部结构存在生产装配难度大，内引线结构设计不合理等问题，产品可靠性不高，不能承受20000G的恒定加速度试验考核。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种DO-13型瞬态电压抑制二极管，该DO-13型瞬态电压抑制二极管通过
本发明通过以下技术方案得以实现。
本发明提供的一种DO-13型瞬态电压抑制二极管，包括管芯A和管芯B；管芯A和管芯B之间通过薄铜片连接，管芯A的中心连接有内引线,管芯B的另一端与厚铜片连接，厚铜片的另一端与管座连接，管座中心设置有引出线与厚铜片连接。
所述管芯A为低掺杂二极管管芯。
所述管芯B位瞬态电压二极管管芯。
所述薄铜片的厚度为0.厚铜片mm。
所述厚铜片的厚度为内引线mm。
所述薄铜片和厚铜片的两个端面均为平面。
本发明的有益效果在于：减少了产品的装配难度，提高了产品的抗恒定加速度试验能力，大大提高了了D0-13封装低电容硅瞬态电压抑制二极管产品的可靠性，保证了产品在高端领域上的应用。
附图说明
图1是本发明的结构示意图；
图中：1-内引线，2-管芯A，3-薄铜片，4-管芯B，5-厚铜片，6-管座。
具体实施方式
下面进一步描述本发明的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。
一种DO-13型瞬态电压抑制二极管，包括管芯A2和管芯B4；管芯A2和管芯B4之间通过薄铜片3连接，管芯A2的中心连接有内引线1,管芯B4的另一端与厚铜片5连接，厚铜片5的另一端与管座6连接，管座6中心设置有引出线与厚铜片5连接。
所述管芯A2为低掺杂二极管管芯。
所述管芯B4位瞬态电压二极管管芯。
所述薄铜片3的厚度为0.厚铜片5mm。
所述厚铜片5的厚度为内引线1mm。
所述薄铜片3和厚铜片5的两个端面均为平面。
采用D0-13金属封装低电容瞬态电压抑制二极管，由于其原有内部结构可靠性不高，不能承受20000G的恒定加速度试验考核，导致产品满足高端市场应用的问题。本专利制作的DO-13金属封装超低电容瞬态电压抑制二极管可靠性得到了大幅度的提高。
Claims (6)
1.一种DO-13型瞬态电压抑制二极管，包括管芯A(2)和管芯B(4)，其特征在于：管芯A(2)和管芯B(4)之间通过薄铜片(3)连接，管芯A(2)的中心连接有内引线(1),管芯B(4)的另一端与厚铜片(5)连接，厚铜片(5)的另一端与管座(6)连接，管座(6)中心设置有引出线与厚铜片(5)连接。
2.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述管芯A(2)为低掺杂二极管管芯。
3.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述管芯B(4)位瞬态电压二极管管芯。
4.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述薄铜片(3)的厚度为0.厚铜片(5)mm。
5.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述厚铜片(5)的厚度为内引线(1)mm。
6.如权利要求1所述的DO-13型瞬态电压抑制二极管，其特征在于：所述薄铜片(3)和厚铜片(5)的两个端面均为平面。
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