CN109240017A - 显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板和显示装置，显示面板包括衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元；还包括多个扫描线组和多个数据线组，每个扫描线组包括至少两条扫描线，每个数据线组包括至少一条主数据线和至少一条辅数据线，扫描线和主数据线交叉绝缘限定出多个像素单元所在的区域；每个扫描线组的扫描线之间短接；像素单元包括像素电极和至少一个薄膜晶体管；在垂直于衬底基板的方向上，一个像素单元内，辅数据线位置处的像素电极设有镂空部和至少一个连接部，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线与镂空部交叠。显示装置包括上述显示面板。本发明既能不影响显示品质和像素密度，又能实现窄边框化。

Description

显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，更具体地，涉及一种显示面板和显示装置。
背景技术
电子纸显示是一种具有类似纸张显示性能的平板显示技术，电子纸以其较低的能源消耗和类似纸张的柔和显示效果以及可以替代纸张的前景预期，如今越来越受到市场的欢迎，其优秀的保持特性非常适于文本阅读一类的静态显示产品。因此，电子纸显示面板在电子阅读器(电子书)、电子价格牌、工业仪器仪表、动态显示广告牌以及媒介产品等领域具有巨大的应用空间。
电子纸的基本原理是电泳液里面存在带电颗粒，这些带电颗粒可以对环境光进行反射，如纸张般显示图像被人眼接收。在画面转换阶段，根据电泳液两端加电电压和加电时间可以控制带电微粒在电泳液里面所在的位置，从而控制反射光的强弱实现灰阶显示。在画面保持阶段，电泳液两端等电位，使得带电微粒在电泳液里面保持位置从而能够很低能耗的完美保持静态画面，实现静态画面显示。
长条电子纸产品可以使得画面符合人们一般阅读习惯，目前长条电子纸产品的扫描线在显示区外围的走线方式为延伸焊盘式布线方式(Fanout)，但是由于长条显示屏长边的分辨率都很高，这就导致在延伸焊盘式布线方式的情况下，扫描线在显示区外围的布线宽度很宽，进而使边框很宽。而常规对应窄边框的T-wire走线方式，因长条屏长宽比过大，导致显示区的像素区域内需要穿插大量的扫描线，从而影响了像素密度(PPI，每英寸屏幕所拥有的像素数，像素密度越大，显示画面细节就越丰富)的保持，进而影响了显示品质。
因此，提供一种既能不影响显示品质，又能降低边框内走线数量，实现窄边框化的显示面板和显示装置，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种显示面板，包括：衬底基板和位于衬底基板上的多个像素单元；还包括多个扫描线组和多个数据线组，每个扫描线组包括沿行方向延伸的至少两条扫描线，每个数据线组包括沿列方向延伸的至少两条数据线，数据线包括一条主数据线和至少一条辅数据线，扫描线和主数据线交叉绝缘限定出多个像素单元所在的区域；每个扫描线组的扫描线之间短接；其中，行方向与列方向相交设置；像素单元包括像素电极和至少一个薄膜晶体管，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源层；漏极与像素电极电连接，栅极与扫描线电连接；在垂直于衬底基板的方向上，一个像素单元内，辅数据线位置处的像素电极设有镂空部和至少一个连接部，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线与镂空部交叠。
基于同一思想，本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明通过同一扫描线组的至少两条扫描线短接，从而可以减少扫描线在显示区外围的布线数量，从而减小显示面板的边框，利于显示面板的窄边框化。同时，扫描线从显示区外围布线，无需在显示区的相邻像素单元内穿插大量的扫描线接入驱动芯片，从而可以使与扫描线同层设置的公共电极所在层具有大面积的金属作为公共电极，从而保证了公共电极与像素电极形成的存储电容足够大，同时，还可以尽量保持每英寸屏幕所拥有的像素单元的数量，使显示面板的像素密度不会因为扫描线组内的扫描线短接而受到影响，显示画面细节尽可能的丰富，避免影响显示面板的显示品质。一个像素单元内，辅数据线位置处的像素电极设有镂空部和至少一个连接部，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线与镂空部交叠，从而可以避免辅数据线的信号对像素电极电压的耦合影响。并且，由于在相邻的两条主数据线之间设置至少一条辅数据线，像素单元所在的区域是由扫描线和主数据线交叉绝缘限定出的，将像素单元内的辅数据线位置处的像素电极设置镂空部，可以避免出现数据线跨越像素电极的现象，从而避免多个像素单元的像素电极之间产生干涉。
当然，实施本发明的任一产品必不特定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
通过以下参照附图对本发明的示例性实施例的详细描述，本发明的其它特征及其优点将会变得清楚。
附图说明
被结合在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例，并且连同其说明一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图；
图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图3是图2的A-A’向剖面结构示意图；
图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图5是图4的B-B’向剖面结构示意图；
图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图；
图7是图4的另一种B-B’向剖面结构示意图；
图8是图4的局部放大结构示意图；
图9是图4的另一种局部放大结构示意图；
图10是图9的C-C’向剖面结构示意图；
图11是图2的D-D’向剖面结构示意图；
图12是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
现在将参照附图来详细描述本发明的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本发明的范围。
以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本发明及其应用或使用的任何限制。
对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
在这里示出和讨论的所有例子中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它例子可以具有不同的值。
应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
请参考图1，图1是本发明实施例提供的一种显示面板的平面结构示意图，本实施例的显示面板，包括：衬底基板10(图中未填充)和位于衬底基板10上的多个像素单元20(为清楚解释说明本实施例，图1仅画出几个像素单元举例说明)；
还包括多个扫描线组G0和多个数据线组S0，每个扫描线组G0包括沿行方向X延伸的至少两条扫描线G，每个数据线组S0包括沿列方向Y延伸的至少两条数据线S，数据线S包括一条主数据线S1和至少一条辅数据线S2，扫描线G和主数据线S1交叉绝缘限定出多个像素单元20所在的区域；每个扫描线组G0的扫描线G之间短接；其中，行方向X与列方向Y相交设置；
像素单元20包括像素电极30和至少一个薄膜晶体管40，薄膜晶体管40包括栅极41、源极42、漏极43、有源层(图中未示意)；漏极43与像素电极30电连接，栅极41与扫描线G电连接；
在垂直于衬底基板10的方向上，一个像素单元20内，辅数据线S2位置处的像素电极30设有镂空部301和至少一个连接部302，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线S2与镂空部301交叠。其中，为了清楚示意本实施例像素电极30的镂空部301和连接部302的结构，将像素电极30和薄膜晶体管40放在两个像素单元20内分别示意。
具体而言，本实施例的扫描线组G0包括至少两条沿行方向X延伸的扫描线G，且同一扫描线组G0的至少两条扫描线G短接，从而可以减少扫描线G在显示区AA外围的布线数量，从而减小显示面板的边框，利于显示面板的窄边框化。同时，扫描线G从显示区AA外围布线，无需在显示区AA的相邻像素单元20内穿插大量的扫描线G接入驱动芯片，从而可以使与扫描线G同层设置的公共电极所在层具有大面积的金属作为公共电极，从而保证了公共电极与像素电极30形成的存储电容足够大，同时，还可以尽量保持每英寸屏幕所拥有的像素单元20的数量，使显示面板的像素密度不会因为扫描线组G0内的扫描线G短接而受到影响，显示画面细节尽可能的丰富，避免影响显示面板的显示品质。一个像素单元20内，辅数据线S2位置处的像素电极30设有镂空部301和至少一个连接部302，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线S与镂空部301交叠，从而可以避免辅数据线S2的信号对像素电极30电压的耦合影响。并且，由于在相邻的两条主数据线S1之间设置至少一条辅数据线S2，像素单元20所在的区域是由扫描线G和主数据线S1交叉绝缘限定出的，将像素单元20内的辅数据线S2位置处的像素电极30设置镂空部301，可以避免出现数据线S跨越像素电极30的现象，从而避免多个像素单元20的像素电极30之间产生干涉。
需要说明的是，本实施例的图1仅以扫描线组G0包括两条沿行方向X延伸的扫描线G、相邻的两条主数据线S1之间设置一条辅数据线S2为例进行解释说明本实施例的技术方案，在一些可选实施例中，扫描线组G0还可以包括三条沿行方向X延伸的扫描线G、相邻的两条主数据线S1之间设置两条辅数据线S2，在生产制作中，可根据实际需求进行设计。
在一些可选实施例中，请参考图2，图2是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，本实施例中，一个像素单元20内，连接部302的数量为两个，沿列方向Y，两个连接部302分别位于镂空部301相对两侧。
本实施例中，进一步将一个像素单元20内的像素电极30包括的连接部302设置为两个，并且两个连接部302分别位于镂空部301相对两侧，相对于只有一个连接部302将辅数据线S2两侧的像素电极30串联连接成一体的结构而言，两个连接部302可以使辅数据线S2两侧的像素电极30并联连接成一体，从而可以减小像素电极30的电阻，从而减小压降，提高其导电性，并可以使其导电效果更均一。
需要说明的是，为了更清楚的示意本发明实施例的技术方案，本实施例的附图2的以扫描线组G0包括三条沿行方向X延伸的扫描线G、相邻的两条主数据线S1之间设置两条辅数据线S2进行示意说明。
在一些可选实施例中，请继续参考图1，本实施例中，像素单元20至少包括两个区域，像素单元20的扫描线G、主数据线S1、辅数据线S2交叉绝缘限定出两个区域；第一薄膜晶体管401和第二薄膜晶体管402位于相邻行像素单元20的不同区域内，具体为：
每个扫描线组G0连接的薄膜晶体管40至少包括同行的多个第一薄膜晶体管401和同行的多个第二薄膜晶体管402，即第一薄膜晶体管401位于像素单元20的一个区域内，且第一薄膜晶体管401的源极4012与主数据线S1电连接；
第二薄膜晶体管402位于像素单元20的另一个区域内，且第二薄膜晶体管402的源极4022与辅数据线S2电连接。
本实施例中，同行的多个第一薄膜晶体管401位于像素单元20的一个区域内，同行的多个第二薄膜晶体管402位于像素单元20的另一个区域内，即使相邻行之间的薄膜晶体管40位于相邻行像素单元20的不同区域内，从而可以使第一薄膜晶体管401的源极4012与其靠近的主数据线S1电连接，第二薄膜晶体管402的源极4022与其靠近的辅数据线S2电连接，不仅布设合理，而且可以减小薄膜晶体管40源极42和漏极43的布线长度，节省材料，降低工艺难度。并且沿列方向Y上，可以使行与行之间的像素单元20内的薄膜晶体管40不聚集在同一列上，从而减小单位面积内因布设薄膜晶体管40造成的显示黑点数量，从而在视觉上提高显示面板的显示效果和显示品质。
需要说明的是，本实施例的附图1和附图2仅是示意性说明如何使相邻行之间的薄膜晶体管40位于相邻行像素单元20的不同区域内，但不局限于此种布设结构，相邻行之间的薄膜晶体管40还可为其他布设结构，只需能满足相邻行之间的薄膜晶体管40位于相邻行像素单元20的不同区域内即可，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请继续参考图1和图2，本实施例中，每个扫描线组G0的扫描线G的数量与每个数据线组S0的数据线S的数量相同。
本实施例进一步说明了每个数据线组S0的数据线S的数量是随着每个扫描线组G0的短接的扫描线G的数量变化而变化的，由于短接一个扫描线组G0的扫描线之后，为了使每个像素单元20能够正常工作实现显示面板的功能，从而在两条扫描线G短接构成扫描线组G0时，在相邻两条主数据线S1之间设置一条辅数据线S2，在三条扫描线G短接构成扫描线组G0时，在相邻两条主数据线S1之间设置两条辅数据线S2，以此类推，本实施例在此不作赘述。
在一些可选实施例中，请参考图3，图3是图2的A-A’向剖面结构示意图，本实施例中，连接部302与像素电极30同层设置。
本实施例进一步限定了像素电极30包括的连接部302与像素电极30同层设置，从而可以在制作像素电极30所在层时，利用光罩刻蚀工艺形成像素电极30上镂空部301的形状，则镂空部301端部未被刻蚀的部分即自动成为连接部302，因此，将连接部302与像素电极30同层设置，可以减小工艺难度和减少工艺步骤，提高制作效率。
需要说明的是，为了清楚示意本实施例的结构，图3仅示意了部分膜层结构，对本实施例技术方案未描述的其他膜层结构(例如各个绝缘层、平坦化层等)未示意，本领域技术人员可结合现有技术中显示面板的基本结构进行相关理解。
在一些可选实施例中，请继续参考图1，本实施例中，沿行方向X，像素单元20的宽度L1大于或等于100μm，数据线S的宽度L2范围为2-5μm。
本实施例进一步限定了在行方向X上像素单元20的宽度L1和数据线S的宽度L2的范围，由于为了减少显示面板边框内的布线，从而使扫描线组G0内的扫描线G短接之后，需要在相邻的主数据线S1之间设置辅数据线S2，对于像素单元20而言，若在其宽度L1小于100μm的情况下在相邻的主数据线S1之间设置至少一条辅数据线S2，由于辅数据线S2的宽度对于宽度L1小于100μm的像素单元20而言所占比例较大，因此会对像素开口区的面积造成影响，从而减小了像素开口区的面积，影响显示效果。因此将像素单元20的宽度L1设置为大于或等于100μm，数据线S的宽度L2设置在范围2-5μm内，此时数据线S的宽度L2对于像素单元20的宽度L1而言，基本上可以忽略不计，因此对像素开口区的面积影响很小，从而也基本不会对显示面板的显示效果造成影响或者造成的影响也可以忽略不计。
在一些可选实施例中，请参考图4和图5，图4是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，图5是图4的B-B’向剖面结构示意图，本实施例中，扫描线组G0的扫描线G均与同一条第一走线5电连接，每个扫描线组G0连接不同的第一走线5，第一走线5沿列方向Y延伸；
第一走线5与数据线S同层设置，第一走线5位于相邻的数据线S之间。
本实施例提供了另一种显示面板的设计结构，即通过将扫描线组G0的扫描线G均与同一条第一走线5电连接，而该第一走线5位于相邻的数据线S之间且沿列方向Y延伸，如图4和图5所示，虽然在相邻数据线S之间设有第一走线5，但由于第一走线5将扫描线组G0的扫描线G均短接，因此只需在部分相邻的数据线S之间穿插第一走线5，那么相对于现有技术中的能实现窄边框的T-wire走线方式而言，本实施例的像素区域内需要穿插的第一走线5数量减少了，并且由于第一走线5与数据线S同层设置，因此该第一走线5的设置不仅不会对像素密度造成影响，而且第一走线5不在边框布线，可以在一定程度上实现显示面板的窄边框化。
需要说明的是，本实施例的附图4和附图5仅是示意性说明第一走线5的设置位置，但不局限于此种位置结构，只需能满足扫描线组G0的扫描线G均与同一条第一走线5电连接，且第一走线5位于相邻的数据线S之间即可，本实施例在此不作赘述。需要进一步说明的是，为了清楚示意本实施例的结构，图5仅示意了部分膜层结构，对本实施例技术方案未描述的其他膜层结构(例如各个绝缘层、平坦化层等)未示意，本领域技术人员可结合现有技术中显示面板的基本结构进行理解。
在一些可选实施例中，请参考图6，图6是本发明实施例提供的另一种显示面板的平面结构示意图，本实施例中，沿列方向Y，像素单元20的行数为M，沿行方向X，像素单元20的列数为N，其中M：N的范围为1：5～1：20。
本实施例进一步限定了沿列方向Y像素单元20的行数M和沿行方向X像素单元20的列数N之间的比值范围，即M：N的范围为1：5～1：20，说明本实施例的技术方案尤其适用于特长形的显示面板，由于长条状的显示面板沿行方向X的分辨率都很高，这就导致如果此特长形的显示面板采用现有技术的延伸焊盘式布线方式(Fanout)则会造成周围边框很宽。而如果此特长形的显示面板采用现有技术的T-wire走线方式，由于沿行方向X和沿列方向Y的长宽比过大，导致像素内需要穿插大量的走线，从而会影响显示面板的像素密度。因此，本发明的上述实施例的技术方案可以使像素单元20的行数M和列数N比值在1：5～1：20之间的特长形的显示面板实现窄边框化的同时，进而不影响显示面板的显示效果和显示品质。
在一些可选实施例中，请参考图4和图7，图7是图4的另一种B-B’向剖面结构示意图，本实施例中，像素单元20还包括公共电极60，公共电极60所在层位于像素电极30靠近衬底基板10的一侧；公共电极60所在层为整面结构，像素电极30所在层设有多个开缝结构303。
本实施例进一步限定了像素单元20还包括整面结构的公共电极60，并且公共电极60所在层位于像素电极30靠近衬底基板10的一侧，从而可以通过公共电极60所在层屏蔽像素电极30和数据线S之间的信号，避免出现像素电极30所在层与数据线S之间短路，造成显示面板的良率下降的问题。
需要说明的是，为了清楚示意本实施例的结构，图7仅示意了部分膜层结构，对本实施例技术方案未描述的其他膜层结构(例如各个绝缘层、平坦化层等)未示意，本领域技术人员可结合现有技术中显示面板的基本结构进行理解。
在一些可选实施例中，请参考图4、图7和图8，图8是图4的局部放大结构示意图，本实施例中，镂空部301包括第一镂空部3011，第一镂空部3011包括沿列方向Y延伸的第一边a和第二边b，数据线S包括第一数据线S21，第一数据线S21包括沿列方向Y延伸的第三边c和第四边d；
在行方向X上，第三边c和第四边d位于第一边a和第二边b之间；
显示面板包括彩膜基板70，彩膜基板70靠近衬底基板10一侧设有黑矩阵80，黑矩阵80向衬底基板10的正投影与第一镂空部3011向衬底基板10的正投影重合。
本实施例中，进一步说明了数据线S与镂空部301交叠的一种结构，即镂空部301包括的第一镂空部3011沿行方向X上的宽度大于数据线S包括的第一数据线S21沿行方向X上的宽度，即在行方向X上，第一数据线S21的第三边c和第四边d位于第一镂空部3011的第一边a和第二边b之间，为了避免第一镂空部3011对应位置处的第一数据线S21受到光照影响产生漏电流引起显示品质的降低，所以本实施例在彩膜基板70靠近衬底基板10一侧的对应第一镂空部3011位置处设置黑矩阵80，用于遮挡第一数据线S21的光照，从而避免了漏电流的产生，进一步提高了显示面板的显示效果。
在一些可选实施例中，请参考图4、图9和图10，图9是图4的另一种局部放大结构示意图，图10是图9的C-C’向剖面结构示意图，本实施例中，镂空部301包括第二镂空部3012，开缝结构303包括第一开缝部3031，第二镂空部3012和第一开缝部3031相邻设置，第二镂空部3012包括沿列方向Y延伸的第五边e和第六边f，第一开缝部3031包括沿列方向Y延伸的第七边g和第八边h，数据线S包括第二数据线S22，第二数据线S22包括沿列方向Y延伸的第九边i和第十边j；
在行方向X上，第九边i位于第五边e和第六边f之间，第十边j位于第七边g和第八边h之间。
本实施例进一步说明了数据线S与镂空部301交叠的另一种结构，即如图9所示，在行方向X上，第二数据线S22的第九边i位于第二镂空部3012的第五边e和第六边f之间，第二数据线S22的第十边j位于第一开缝部3031的第七边g和第八边h之间，且第二镂空部3012和第一开缝部3031相邻设置。对于此种结构的显示面板，如果设置彩膜基板70，则无需在彩膜基板70靠近衬底基板10一侧的对应第二数据线S22位置处设置黑矩阵即可达到遮光的效果，防止漏电流的产生。
需要说明的是，为了清楚示意本实施例的结构，图10仅示意了部分膜层结构，对本实施例技术方案未描述的其他膜层结构(例如各个绝缘层、平坦化层等)未示意，本领域技术人员可结合现有技术中显示面板的基本结构进行理解。
在一些可选实施例中，请参考图11，图11是图2的D-D’向剖面结构示意图，本实施例中，显示面板还包括反射金属层90和彩膜基板70，反射金属层90位于像素电极30和衬底基板10之间，反射金属层90与像素电极30形状相同，反射金属层90与像素电极30接触，反射金属层90通过过孔与薄膜晶体管40的漏极402电连接；彩膜基板70位于像素电极30远离衬底基板10的一侧。
本实施例进一步限定了显示面板还包括反射金属层90和彩膜基板70，且反射金属层90与像素电极30形状相同，反射金属层90与像素电极30直接接触，而且与扫描线G同层的还设有大片的金属层可接公共电位，用于与像素电极30形成存储电容，即该显示面板的显示模式为TN反射式。
需要说明的是，为了清楚示意本实施例的结构，图11仅示意了部分膜层结构，对本实施例技术方案未描述的其他膜层结构(例如各个绝缘层、平坦化层等)未示意，本领域技术人员可结合现有技术中显示面板的基本结构进行理解。
在一些可选实施例中，请继续参考图11，本实施例中，彩膜基板70靠近衬底基板10一侧设有黑矩阵80，黑矩阵80向衬底基板10的正投影与镂空部301向衬底基板10的正投影重合。
本实施例中，进一步限定了该显示面板的彩膜基板70靠近衬底基板10一侧设有黑矩阵80，并且黑矩阵80向衬底基板10的正投影是与镂空部301向衬底基板10的正投影重合的，黑矩阵80用于遮挡对数据线S的光照，从而避免了漏电流的产生，从而避免镂空部301对应位置处的数据线S受到光照影响产生漏电流引起显示品质的降低，进一步提高了显示面板的显示效果。
在一些可选实施例中，请继续参考图11，本实施例中，彩膜基板70和衬底基板10之间的镂空部301内设有沿垂直于显示面板方向延伸的支撑柱100。
本实施例进一步限定了彩膜基板70和衬底基板10之间的镂空部301内设有沿垂直于显示面板方向延伸的支撑柱100，由于反射金属层90与像素电极30形状相同且直接接触，从而可以使反射金属层90与像素电极30形成的一定高度(反射金属层90一般较厚)的镂空部301可以对支撑柱100进行限位，防止在生产制作过程中支撑柱100的偏移造成产品良率的下降。
在一些可选实施例中，请继续参考图11，本实施例中，支撑柱100为黑色不透光结构。
本实施例进一步限定了支撑柱100为黑色不透光结构，从而可以使支撑柱100与黑矩阵80一样具有遮光功能，从而进一步避免镂空部301对应位置处的数据线S受到光照影响产生漏电流引起显示品质的降低，进一步提高显示面板的显示效果。
在一些可选实施例中，请参考图12，图12是本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图，本实施例提供的显示装置1111，包括本发明上述任一实施例提供的显示面板0000。图12实施例仅以手机为例，对显示装置1111进行说明，可以理解的是，本发明实施例提供的显示装置1111，可以是电脑、电视、电子纸、车载显示装置等其他具有显示功能的显示装置1111，本发明对此不作具体限制。本发明实施例提供的显示装置1111，具有本发明实施例提供的显示面板0000的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于显示面板0000的具体说明，本实施例在此不再赘述。
通过上述实施例可知，本发明提供的显示面板和显示装置，至少实现了如下的有益效果：
本发明通过同一扫描线组的至少两条扫描线短接，从而可以减少扫描线在显示区外围的布线数量，从而减小显示面板的边框，利于显示面板的窄边框化。同时，扫描线从显示区外围布线，无需在显示区的相邻像素单元内穿插大量的扫描线接入驱动芯片，从而可以使与扫描线同层设置的公共电极所在层具有大面积的金属作为公共电极，从而保证了公共电极与像素电极形成的存储电容足够大，同时，还可以尽量保持每英寸屏幕所拥有的像素单元的数量，使显示面板的像素密度不会因为扫描线组内的扫描线短接而受到影响，显示画面细节尽可能的丰富，避免影响显示面板的显示品质。一个像素单元内，辅数据线位置处的像素电极设有镂空部和至少一个连接部，在垂直于显示面板的方向上，辅数据线与镂空部交叠，从而可以避免辅数据线的信号对像素电极电压的耦合影响。并且，由于在相邻的两条主数据线之间设置至少一条辅数据线，像素单元所在的区域是由扫描线和主数据线交叉绝缘限定出的，将像素单元内的辅数据线位置处的像素电极设置镂空部，可以避免出现数据线跨越像素电极的现象，从而避免多个像素单元的像素电极之间产生干涉。
虽然已经通过例子对本发明的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上例子仅是为了进行说明，而不是为了限制本发明的范围。本领域的技术人员应该理解，可在不脱离本发明的范围和精神的情况下，对以上实施例进行修改。本发明的范围由所附权利要求来限定。

Claims (16)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：衬底基板和位于所述衬底基板上的多个像素单元；
还包括多个扫描线组和多个数据线组，每个所述扫描线组包括沿行方向延伸的至少两条扫描线，每个所述数据线组包括沿列方向延伸的至少两条数据线，所述数据线包括一条主数据线和至少一条辅数据线，所述扫描线和所述主数据线交叉绝缘限定出多个所述像素单元所在的区域；每个所述扫描线组的所述扫描线之间短接；其中，所述行方向与所述列方向相交设置；
所述像素单元包括像素电极和至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、有源层；所述漏极与所述像素电极电连接，所述栅极与所述扫描线电连接；
在垂直于所述衬底基板的方向上，一个所述像素单元内，所述辅数据线位置处的所述像素电极设有镂空部和至少一个连接部，在垂直于所述显示面板的方向上，所述辅数据线与所述镂空部交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，一个所述像素单元内，所述连接部的数量为两个，沿所述列方向，所述两个连接部分别位于所述镂空部相对两侧。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，
所述像素单元至少包括两个区域，所述像素单元的所述扫描线、所述主数据线、所述辅数据线交叉绝缘限定出所述两个区域；
每个所述扫描线组连接的所述薄膜晶体管至少包括同行的多个第一薄膜晶体管和同行的多个第二薄膜晶体管，即，
所述第一薄膜晶体管位于所述像素单元的一个所述区域内，且所述第一薄膜晶体管的所述源极与所述主数据线电连接；
所述第二薄膜晶体管位于所述像素单元的另一个所述区域内，且所述第二薄膜晶体管的所述源极与所述辅数据线电连接。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，每个所述扫描线组的所述扫描线的数量与每个所述数据线组的所述数据线的数量相同。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述连接部与所述像素电极同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述行方向，所述像素单元的宽度大于或等于100μm，所述数据线的宽度范围为2-5μm。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述扫描线组的所述扫描线均与同一条第一走线电连接，每个所述扫描线组连接不同的所述第一走线，所述第一走线沿所述列方向延伸；
所述第一走线与所述数据线同层设置，所述第一走线位于相邻的所述数据线之间。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，沿所述列方向，所述像素单元的行数为M，沿所述行方向，所述像素单元的列数为N，其中M：N的范围为1：5～1：20。
9.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素单元还包括公共电极，所述公共电极所在层位于所述像素电极靠近所述衬底基板的一侧；所述公共电极所在层为整面结构，所述像素电极所在层设有多个开缝结构。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述镂空部包括第一镂空部，所述第一镂空部包括沿所述列方向延伸的第一边和第二边，所述数据线包括第一数据线，所述第一数据线包括沿所述列方向延伸的第三边和第四边；
在所述行方向上，所述第三边和所述第四边位于所述第一边和所述第二边之间；
所述显示面板包括彩膜基板，所述彩膜基板靠近所述衬底基板一侧设有黑矩阵，所述黑矩阵向所述衬底基板的正投影与所述第一镂空部向所述衬底基板的正投影重合。
11.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述镂空部包括第二镂空部，所述开缝结构包括第一开缝部，所述第二镂空部和所述第一开缝部相邻设置，所述第二镂空部包括沿所述列方向延伸的第五边和第六边，所述第一开缝部包括沿所述列方向延伸的第七边和第八边，所述数据线包括第二数据线，所述第二数据线包括沿所述列方向延伸的第九边和第十边；
在所述行方向上，所述第九边位于所述第五边和所述第六边之间，所述第十边位于所述第七边和所述第八边之间。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括反射金属层和彩膜基板，所述反射金属层位于所述像素电极和所述衬底基板之间，所述反射金属层与所述像素电极形状相同，所述反射金属层与所述像素电极接触，所述反射金属层通过过孔与所述薄膜晶体管的所述漏极电连接；所述彩膜基板位于所述像素电极远离所述衬底基板的一侧。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板靠近所述衬底基板一侧设有黑矩阵，所述黑矩阵向所述衬底基板的正投影与所述镂空部向所述衬底基板的正投影重合。
14.根据权利要求12或13所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板和所述衬底基板之间的所述镂空部内设有沿垂直于所述显示面板方向延伸的支撑柱。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其特征在于，所述支撑柱为黑色不透光结构。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的显示面板。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111338141A (zh) * 2019-10-17 2020-06-26 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN112666761A (zh) * 2020-08-12 2021-04-16 友达光电股份有限公司 显示装置
TWI729815B (zh) * 2019-08-20 2021-06-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
CN114114763A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 合肥京东方显示技术有限公司 一种显示基板和显示面板

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101326560A (zh) * 2005-12-15 2008-12-17 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、电视接收机
CN104459993A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 像素、以及包括该像素的电润湿显示装置
CN105093606A (zh) * 2015-05-08 2015-11-25 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN106324923A (zh) * 2016-10-18 2017-01-11 上海中航光电子有限公司 阵列基板及显示面板
CN107153308A (zh) * 2017-06-19 2017-09-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法
JP2018136477A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101326560A (zh) * 2005-12-15 2008-12-17 夏普株式会社 有源矩阵基板、显示装置、电视接收机
CN104459993A (zh) * 2014-12-30 2015-03-25 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 像素、以及包括该像素的电润湿显示装置
CN105093606A (zh) * 2015-05-08 2015-11-25 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、液晶显示面板和液晶显示装置
CN106324923A (zh) * 2016-10-18 2017-01-11 上海中航光电子有限公司 阵列基板及显示面板
JP2018136477A (ja) * 2017-02-23 2018-08-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器
CN107153308A (zh) * 2017-06-19 2017-09-12 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板及制作方法

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI729815B (zh) * 2019-08-20 2021-06-01 友達光電股份有限公司 畫素陣列基板
CN111338141A (zh) * 2019-10-17 2020-06-26 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN111338141B (zh) * 2019-10-17 2022-11-22 友达光电股份有限公司 像素阵列基板
CN112666761A (zh) * 2020-08-12 2021-04-16 友达光电股份有限公司 显示装置
US11467455B2 (en) 2020-08-12 2022-10-11 Au Optronics Corporation Display device
CN112666761B (zh) * 2020-08-12 2022-10-21 友达光电股份有限公司 显示装置
CN114114763A (zh) * 2020-08-27 2022-03-01 合肥京东方显示技术有限公司 一种显示基板和显示面板
CN114114763B (zh) * 2020-08-27 2023-08-08 合肥京东方显示技术有限公司 一种显示基板和显示面板

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