CN109192871B - 一种有机电致发光器件 - Google Patents

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CN109192871B CN201810926753.3A CN201810926753A CN109192871B CN 109192871 B CN109192871 B CN 109192871B CN 201810926753 A CN201810926753 A CN 201810926753A CN 109192871 B CN109192871 B CN 109192871B
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Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件，属于有机光电材料技术领域。本发明提供的一种有机电致发光器件，其特点是在空穴传输层中的基质材料中，掺杂强电子受体作为掺杂材料，使得材料的空穴迁移率提高，反应到器件中体现为发光效率明显提高。在本发明中随着不同蒽类主体和铱类配合物的配伍条件下，均能取得相比较(PPQ)2Ir(acac)掺杂CBP更高的发光效率、更低的驱动电压和更长的使用寿命。

Description

一种有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机光电材料技术领域，具体涉及一种有机电致发光器件。
背景技术
有机光电材料是具有光子和电子的产生、转换和传输特性的有机材料。目前，有机光电材料已经应用于有机电致发光器件(Organic Light-Emitting Diode，OLED)当中。OLED是指有机光电材料在电流或电场的作用下发光的器件，它能够将电能直接转化为光能。近年来OLED作为新一代平板显示和固体照明技术正受到越来越多的关注。
然而，目前有机电致发光器件具有使用寿命较短、驱动电压较高、发光效率较低等缺点，仍需要不断改进。其中，有机电致发光器件中空穴传输率不高，导电性能较差是制约有机电致发光器件发展的重要因素之一。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种有机电致发光器件。采用本发明所述一种有机电致发光器件，具有更高的发光效率，更低的驱动电压和更长的使用寿命。
本发明首先提供了一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
所述阳极相对设置的阴极；
所述阳极与所述阴极之间设置的发光层；
所述发光层和所述阳极之间设置的P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层；
所述发光层和所述阴极之间设置的电子传输层和/或者电子注入层；
其中，所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层至少包含一种掺杂物质如结构式I所示：
Figure BDA0001765577060000011
X选自O或者S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层还至少包含一种基质物质如结构式II所示：
Figure BDA0001765577060000021
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的一种；
V选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb可以相互连结生成五元环或六元环；
Y选自O或者S；
E选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
n选自0至4的整数；
CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
其中，基质物质与掺杂物质的摩尔比为1：1至100：1；
所述发光层中至少包含一种Ir配合物如结构式III所示：
Figure BDA0001765577060000022
B选自氢、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
m选自0至4的整数；
CY3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
所述发光层中还至少包含一种结构式IV所示的主体化合物：
Figure BDA0001765577060000031
其中，D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
t选自0至8的整数；
F选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的一种；
J选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
优选的，R1、R2、R3、R4独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基中的一种；
优选的，掺杂物质如结构式I-1所示：
Figure BDA0001765577060000032
R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
优选的，R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基或者结构式I-1-1至结构式I-1-3中的任意一种：
Figure BDA0001765577060000033
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10独立的选自CR或者N；
所述R选自氢、氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
优选的，基质物质如结构式II-1至II-3所示：
Figure BDA0001765577060000041
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基；
Z1至Z5独立的选自C或者N。
优选的，Z1、Z3、Z5独立的选自C或者N；Z2、Z4选自C。
优选的，L选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的
Figure BDA0001765577060000042
取代或未取代的联苯、取代或未取代的二联苯、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的三嗪、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的异喹啉、取代或未取代的二甲基芴、取代或未取代的二苯基芴、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的二甲基吖啶、取代或未取代的吩噻嗪、取代或未取代的吩噁嗪、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩中的一种。
优选的，L选自苯、萘、蒽、菲、
Figure BDA0001765577060000043
联苯、二联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、二甲基芴、二苯基芴、苯并呋喃、苯并噻吩中的一种。
本发明的有益效果：
本发明提供的一种有机电致发光器件，其特点是在空穴传输层中的基质材料中，掺杂强电子受体作为掺杂材料，使得材料的空穴迁移率提高，反应到器件中体现为发光效率明显提高。在本发明中随着不同蒽类主体和铱类配合物的配伍条件下，均能取得相比较(PPQ)2Ir(acac)掺杂CBP更高的发光效率、更低的驱动电压和更长的使用寿命。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所述烷基是指烷烃分子中少掉一个氢原子而成的烃基，其可以为直链烷基、支链烷基、环烷基，实例可包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、异戊基、环戊基、环己基等，但不限于此。
本发明所述芳基是指芳烃分子的芳核碳上去掉一个氢原子后，剩下一价基团的总称，其可以为单环芳基或稠环芳基，实例可包括苯基、联苯基、萘基、蒽基、菲基或芘基等，但不限于此。
本发明所述杂芳基是指芳基中的一种或多个芳核碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂芳基可以为单环杂芳基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、嘧啶基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基等，但不限于此。
本发明所述取代的芳基、取代的杂芳基，所述取代基实例可包括甲基、乙基、异丙基、叔丁基、苯基、萘基、蒽基、菲基、苯并菲基、苝基、芘基、苯甲基、甲氧基、甲硫基、苯氧基、苯硫基、芴基、9,9-二甲基芴基、二苯胺基、二甲胺基、咔唑基、9-苯基咔唑基、呋喃基、噻吩基、氰基、卤素原子、氘基、三苯基硅基、三甲基硅基、三氟甲基、吩噻嗪基、吩噁嗪基、吖啶基、哌啶基、吡啶基、吡嗪基、三嗪基、嘧啶基、联苯基、三联苯基、硝基等，但不限于此。
本发明所述相互连接成环是指彼此接近的两个取代基之间相互连接，并且相互连接的位点与邻近的碳原子间构成环状化合物，此环状化合物不限于环烷烃、或环芳烃，也可以是环状杂环化合物。例如二苯胺两个芳基上的甲基取代基，可以互相连接形成咔唑基团；也可以互相连接形成吖啶基团；二苯胺一个芳基上的甲基取代基和另一个芳基上的异丙基取代基，可以互相连接形成二甲基吖啶基团；二苯胺一个芳基上的甲基取代基和另一个芳基上的羟基取代基，可以互相连接形成吩噁嗪基团。
本发明所述阳极材料优选具有高功函数的材料，可以平稳地将空穴注入有机材料层。本发明中可使用的阳极材料具体实例包括钒、铬、铜、锌、金金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属和氧化物的组合；导电聚合物如聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(乙烯-1,2-二氧基)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子，但不限于此。
本发明所述负极材料优选具有低功函数的材料，以促进电子注入有机材料层。负极材料具体实例包括镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅或其合金；LiF/Al、LiO2/Al和Mg/Ag等多层结构材料，但本发明不限于此。
本发明所述空穴注入层是从阳极注入空穴层，并且具有空穴传输能力，使得阳极中空穴注入的效果与发光层或发光材料相比具有优异空穴注入效应。防止在发光层中产生的激子在电子注入层或电子注入材料中移动。其中以薄膜形成能力卓越的化合物为优选。空穴注入材料的HOMO(最高占据分子轨道)优选为有机材料层的HOMO和阳极材料的功函数之间。空穴注入材料的具体实例包括金属卟啉、低聚噻吩、苯胺系列有机物、六腈六氮杂菲系列有机物、喹吖啶酮有机物、二萘嵌苯系列有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系列导电聚合物，但不限于此。
本发明所述空穴传输层是从空穴注入层中接收空穴并传输至发光层的功能层，其中对空穴的迁移率高的物质更加符合条件。具体实例包括芳胺系列、导电聚合物、具有共轭和非共轭部分的嵌段共聚物等，但不限于此。
本发明所述空穴抑制层和空穴缓存层的作用是为了促进电子的注入，抑制空穴的注入，使得电子与空穴的注入平衡，从而提高器件的发光效率。具体实例包括CuPca(酞青铜)等，但不限于此。
本发明所述电子抑制层是能够防止电子从电子注入层通过发光层进入空穴注入层的功能层，以提高器件的寿命和效率。并且可以在发光层和空穴注入层之间使用。
本发明所述空穴阻挡层能够防止从空穴注入层注入的空穴通过发光层进入电子注入层的功能层，以提高器件的寿命和效率。并且可以在发光层和电子注入层之间的适当部分中使用。
本发明所述电子传输层是从电子注入层中接收电子传输至发光层的功能层，其中对电子的迁移率高的物质更加符合条件。具体实例包括含有Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属络合物等，但不限于此。
电子传输层可以与阴极材料一起使用。合适的阴极材料的实例是具有低功函数的常规材料。
本发明所述电子注入层是从负极注入电子的功能层，并且具有传输电子的能力，使得阴极中电子注入的效果对发光层或发光材料形成更加优异电子注入效应。防止在发光层中产生的激子在空穴注入层的移动。以及薄膜形成能力卓越的化合物为优选。特别是，芴酮、蒽醌二甲烷、二嗪醌、噻喃二氧化物、
Figure BDA0001765577060000061
唑、
Figure BDA0001765577060000062
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、蒽酮及其衍生物、金属络合物化合物和含氮五元衍生物，但不限于此。
有机发光装置可以具有如下所述的层叠结构，但是本发明不限于此。
阳极/空穴传输层/发光层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴缓冲层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴传输层/电子抑制层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴传输层/电子抑制层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子抑制层/发光层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/电子抑制层/发光层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/空穴抑制层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴传输层/发光层/空穴抑制层/电子传输层/电子注入层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴抑制层/电子传输层/阴极；
阳极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴抑制层/电子传输层/电子注入层/阴极。
本发明首先提供了一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：
阳极；
所述阳极相对设置的阴极；
所述阳极与所述阴极之间设置的发光层；
所述发光层和所述阳极之间设置的P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层；
所述发光层和所述阴极之间设置的电子传输层和/或者电子注入层；
其中，所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层至少包含一种掺杂物质如结构式I所示：
Figure BDA0001765577060000071
X选自O或者S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层还至少包含一种基质物质如结构式II所示：
Figure BDA0001765577060000081
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的一种；
V选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb可以相互连结生成五元环或六元环；
Y选自O或者S；
E选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
n选自0至4的整数；
CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
所述基质物质与掺杂物质的摩尔比为1：1至100：1；
所述发光层中至少包含一种Ir配合物如结构式III所示：
Figure BDA0001765577060000082
B选自氢、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
m选自0至4的整数；
CY3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
所述发光层中还至少包含一种结构式IV所示的主体化合物：
Figure BDA0001765577060000091
其中，D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
t选自0至8的整数；
F选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的一种；
J选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
优选的，R1、R2、R3、R4独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基中的一种；
优选的，掺杂物质如结构式I-1所示：
Figure BDA0001765577060000092
R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
优选的，R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基或者结构式I-1-1至结构式I-1-3中的任意一种：
Figure BDA0001765577060000093
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10独立的选自CR或者N；
所述R选自氢、氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。优选的，所述掺杂物质如下结构所示：
Figure BDA0001765577060000101
优选的，基质物质如结构式II-1至II-3所示：
Figure BDA0001765577060000102
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基；
Z1至Z5独立的选自C或者N。
优选的，Z1、Z3、Z5独立的选自C或者N；Z2、Z4选自C。
优选的，L选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的
Figure BDA0001765577060000111
取代或未取代的联苯、取代或未取代的二联苯、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的三嗪、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的异喹啉、取代或未取代的二甲基芴、取代或未取代的二苯基芴、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的二甲基吖啶、取代或未取代的吩噻嗪、取代或未取代的吩噁嗪、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩中的一种。
优选的，L选自苯、萘、蒽、菲、
Figure BDA0001765577060000112
联苯、二联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、二甲基芴、二苯基芴、苯并呋喃、苯并噻吩中的一种。
优选的，所述基质物质选自如下所示：
Figure BDA0001765577060000121
Figure BDA0001765577060000131
Figure BDA0001765577060000141
Figure BDA0001765577060000151
优选的，所述发光层包含一种Ir配合物选自如下结构所示：
Figure BDA0001765577060000161
优选的，主体化合物中F选自单键或者取代或未取代的亚苯基、取代或未取代的亚甲苯基、取代或未取代的亚异丙基苯基、取代或未取代的亚叔丁基苯基、取代或未取代的亚萘基、取代或未取代的亚蒽基、取代或未取代的亚菲基、取代或未取代的亚二甲基芴基、取代或未取代亚的二苯基芴基、取代或未取代的亚
Figure BDA0001765577060000162
基、取代或未取代的亚苝基、取代或未取代的亚二联苯基、取代或未取代的亚三联苯基、取代或未取代的亚苯并菲基中的一种；
J选自取代或未取代的咔唑基、选自取代或未取代的吩噻嗪基、选自取代或未取代的吩噁嗪基、取代或未取代的吖啶基、选自取代或未取代的吡啶基、选自取代或未取代的嘧啶基、选自取代或未取代的三嗪基、取代或未取代的喹啉基、取代或未取代的异喹啉基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的甲苯基、取代或未取代的异丙基苯基、取代或未取代的叔丁基苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的蒽基、取代或未取代的菲基、取代或未取代的二甲基芴基、取代或未取代的二苯基芴基、取代或未取代的
Figure BDA0001765577060000171
基、取代或未取代的苝基、取代或未取代的二联苯基、取代或未取代的三联苯基、取代或未取代的苯并菲基中的一种。
优选的，主体化合物选自以下结构所示：
Figure BDA0001765577060000181
Figure BDA0001765577060000191
本发明所述一种有机电致发光器件，包括所示的原料通过如下路线反应生成一种有机电致发光掺杂材料：
Figure BDA0001765577060000201
X选自O或者S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
在冰水浴中，向反应瓶中加入原料、C(R1R2)、C(R3R4)、四氯化钛、吡啶和二氯甲烷，低温搅拌24小时，反应结束后向烧瓶加水，并用二氯甲烷萃取有机相，有机相浓缩后，用乙酸乙酯和己烷的混合溶液进行柱层析，粗产品用二氯甲烷和石油醚进行重结晶，过滤得到中间体(一)。
向反应瓶中加入中间体(一)、DMF、二氯亚砜，封住反应瓶的瓶口，反应72小时，先后用二氯甲烷抽气过滤，得到中间体(二)。
在氩气保护下，向反应瓶中加入中间体(二)、C(R5R6)、C(R7R8)、醋酸钯、2,6-二(4-羧基苯氧基)苯甲腈、磷酸钾和二氧六环，反应24小时。反应结束后，将混合物进行过滤，将滤液在减压下浓缩。将粗产品进行柱层析，得到中间体(三)。
向烧瓶中加入中间体(三)和冰醋酸，并搅拌溶解。在室温下逐滴加入硝酸，搅拌过夜，将反应液倒入冰水中。搅拌1小时，过滤，滤饼用水洗至PH中性，并在真空下干燥，得到结构式I所示的产物。
本发明所述一种有机电致发光器件，还包括所示的原料生成一种有机电致发光基质材料如结构式II：
Figure BDA0001765577060000211
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的一种；
V选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb可以相互连结生成五元环或六元环；
Y选自O或者S；
E选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
n选自0至4的整数；
CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
对本发明的结构式II即基质材料的合成路线没有特殊限制，可以采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。
本发明所述一种有机电致发光器件，所述发光层中包括一种Ir配合物如结构式III所示：
Figure BDA0001765577060000212
B选自氢、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
m选自0至4的整数；
CY3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
按照本发明，结构式III按照如下所示方法制备得到：
Figure BDA0001765577060000221
将正丁基锂滴加入溴苯的正己烷溶液中，之后再滴加二烯化合物以得到中间体B与中间体A反应得到结构式III。
本发明所述一种有机电致发光器件，所述发光层中还至少包含一种结构式IV所示的主体化合物：
Figure BDA0001765577060000222
其中，D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
t选自0至8的整数；
F选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的一种；
J选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
对本发明的结构式IV的合成路线没有特殊限制，可以采用本领域技术人员所熟知的常规反应即可。
对比应用实施例1：
Figure BDA0001765577060000231
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀掺杂F4TCNQ(5mol％)的NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀CBP/(PPQ)2Ir(acac)作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
对比应用实施例2：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀CBP/(PPQ)2Ir(acac)作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例1：
Figure BDA0001765577060000241
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-1)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例2：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-1)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例3：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-1)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例4：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-1)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例5：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-2)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例6：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-2)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例7：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-2)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例8：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-2)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例9：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-9)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例10：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-3(掺杂5％的I-9)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例11：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-9)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-1作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例12：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的I-9)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例13：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀II-49(掺杂5％的F4TCNQ)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例14：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB(掺杂5％的F4TCNQ)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀IV-26/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例15：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB(掺杂5％的F4TCNQ)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀CBP/(PPQ)2Ir(acac)作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
应用实施例16：
取ITO透明玻璃为阳极，超声清洗后干燥置于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述阳极基板上真空蒸镀NPB(掺杂5％的F4TCNQ)作为空穴传输层，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为70nm。在空穴传输层上真空蒸镀CBP/III-4作为发光层，掺杂浓度为10wt％，蒸镀速率为0.005nm/s，蒸镀厚度为30nm。在发光层上真空蒸镀TPBi作为电子传输层，蒸镀速率为0.01nm/s，蒸镀厚度为50nm。在电子传输层上真空蒸镀Al层作为阴极，厚度为200nm。
测量实施例1：对比样品以及样品的发光性能。
对比样品以及样品是采用Keithley SMU235，PR650评价发光效率结果列于表1中。
表1本发明实施例制备的有机电致发光器件的发光效率
Figure BDA0001765577060000281
虽然本发明用示范性实施方案进行了特别的描述，但应该理解在不偏离权利要求所限定的本发明的精神与范围的情况下，本领域普通技术人员可对其进行各种形式和细节上的改变。

Claims (7)

1.一种有机电致发光器件，包括如下：
阳极；
所述阳极相对设置的阴极；
所述阳极与所述阴极之间设置的发光层；
所述发光层和所述阳极之间设置的P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层；
所述发光层和所述阴极之间设置的电子传输层和/或者电子注入层；
其中，所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层至少包含一种掺杂物质如结构式I所示：
Figure FDA0002402684260000011
X选自O或者S；
R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
所述P掺杂空穴传输层和/或者P掺杂空穴注入层还至少包含一种基质物质如结构式II所示：
Figure FDA0002402684260000012
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的一种；
V选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C1～C10的烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳胺基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
Ra、Rb可以相互连结生成五元环或六元环；
Y选自O或者S；
E选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
n选自0至4的整数；
CY1、CY2独立的选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
所述基质物质与掺杂物质的摩尔比为1：1至100：1；
所述发光层中至少包含一种Ir配合物如结构式III所示：
Figure FDA0002402684260000021
B选自氢、取代或未取代的C6～C30芳基、取代或未取代的C3～C30杂芳基中的一种；
m选自0至4的整数；
CY3选自氢、取代或未取代的苯基、取代或未取代的萘基、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩；
所述发光层中还至少包含一种结构式IV所示的主体化合物：
Figure FDA0002402684260000022
其中，D选自取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种；
t选自0至8的整数；
F选自单键、取代或未取代的C6～C30的亚芳基中的一种；
J选自取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
2.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述R1、R2、R3、R4独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基中的一种。
3.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述掺杂物质如结构式I-1所示：
Figure FDA0002402684260000031
R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
4.根据权利要求3所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述R6、R7独立的选自氰基、卤素、三氟甲基、硝基或者结构式I-1-1至结构式I-1-3中的任意一种：
Figure FDA0002402684260000032
X1、X2、X3、X4、X5、X6、X7、X8、X9、X10独立的选自CR或者N；
所述R选自氢、氰基、卤素、三氟甲基、硝基、取代或未取代的C1～C10的烷基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C3～C30的杂芳基中的一种。
5.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，所述基质物质如结构式II-1至II-3所示：
Figure FDA0002402684260000033
L选自取代或未取代的C6～C30的亚芳基、取代或未取代的C3～C30的亚杂芳基中的一种；
Ra、Rb独立地选自氢、取代或未取代的C6～C30的芳基；
Y选自O或者S；
Z1、Z3、Z5独立的选自C或者N；Z2、Z4选自C。
6.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，L选自取代或未取代的苯、取代或未取代的萘、取代或未取代的蒽、取代或未取代的菲、取代或未取代的
Figure FDA0002402684260000041
取代或未取代的联苯、取代或未取代的二联苯、取代或未取代的吡啶、取代或未取代的嘧啶、取代或未取代的三嗪、取代或未取代的喹啉、取代或未取代的异喹啉、取代或未取代的二甲基芴、取代或未取代的二苯基芴、取代或未取代的吖啶、取代或未取代的二甲基吖啶、取代或未取代的吩噻嗪、取代或未取代的吩噁嗪、取代或未取代的苯并呋喃、取代或未取代的苯并噻吩中的一种。
7.根据权利要求1所述的一种有机电致发光器件，其特征在于，L选自苯、萘、蒽、菲、
Figure FDA0002402684260000042
联苯、二联苯、吡啶、嘧啶、三嗪、二甲基芴、二苯基芴、苯并呋喃、苯并噻吩中的一种。
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