CN113272307A - 新型化合物及利用其的有机发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供新型化合物及利用其的有机发光器件。

Description

新型化合物及利用其的有机发光器件
技术领域
与相关申请的相互引用
本申请主张基于2019年8月16日的韩国专利申请第10-2019-0100472号的优先权，包含该韩国专利申请的文献中公开的全部内容作为本说明书的一部分。
本发明涉及新型化合物及利用其的有机发光器件。
背景技术
通常情况下，有机发光现象是指利用有机物质将电能转换为光能的现象。利用有机发光现象的有机发光器件具有宽视角、优异的对比度、快速响应时间，亮度、驱动电压和响应速度特性优异，因此正在进行大量的研究。
有机发光器件通常具有包括阳极和阴极以及位于上述阳极与阴极之间的有机物层的结构。为了提高有机发光器件的效率和稳定性，上述有机物层大多情况下由分别利用不同的物质构成的多层结构形成，例如，可以由空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等形成。对于这样的有机发光器件的结构而言，如果在两电极之间施加电压，则空穴从阳极注入有机物层，电子从阴极注入有机物层，当所注入的空穴和电子相遇时会形成激子(exciton)，该激子重新跃迁至基态时就会发出光
对用于如上所述的有机发光器件的有机物，持续要求开发新的材料。
现有技术文献
专利文献
(专利文献0001)韩国专利公开号第10-2013-073537号
发明内容
技术课题
本发明涉及新型化合物及包含其的有机发光器件。
课题的解决方法
本发明提供由下述化学式1表示的化合物：
[化学式1]
Figure BDA0003138057190000021
在上述化学式1中，
R连接在1号或2号位置而形成单键，
L为单键、或者取代或未取代的C6-60亚芳基，
Het为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C5-60杂芳基，
R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C1-60烷基，
n1、n3、n4和n5各自独立地为0至4的整数，
n2为0至2的整数。
另外，本发明提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而设置的第二电极；以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含上述的本发明的化合物。
发明效果
由上述化学式1表示的化合物可以用作有机发光器件的有机物层的材料，在有机发光器件中可以实现效率的提高、低的驱动电压和/或寿命特性的提高。特别是，由上述化学式1表示的化合物可以用作发光层的主体材料。
附图说明
图1图示了由基板1、阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。
图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层7、空穴传输层3、电子抑制层8、发光层4、空穴抑制层9、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。
具体实施方式
下面，为了帮助理解本发明而更详细地进行说明。
(用语的定义)
在本说明书中，
Figure BDA0003138057190000031
和
Figure BDA0003138057190000032
表示与其它取代基连接的键。
在本说明书中，“取代或未取代的”这一用语是指被选自氘(D)；卤素基团；腈基；硝基；羟基；羰基；酯基；酰亚胺基；氨基；氧化膦基；烷氧基；芳氧基；烷基硫基(
Figure BDA0003138057190000033
Alkyl thioxy)；芳基硫基(
Figure BDA0003138057190000034
Figure BDA0003138057190000035
Aryl thioxy)；烷基磺酰基(
Figure BDA0003138057190000036
Alkyl sulfoxy)；芳基磺酰基(
Figure BDA0003138057190000037
Aryl sulfoxy)；甲硅烷基；硼基；烷基；环烷基；烯基；芳基；芳烷基；芳烯基；烷基芳基；烷基胺基；芳烷基胺基；杂芳基胺基；芳基胺基；芳基膦基；或者包含N、O和S原子中的1个以上的杂环基中的1个以上的取代基取代或未取代，或者被上述例示的取代基中的2个以上的取代基连接而成的取代或未取代。例如，“2个以上的取代基连接而成的取代基”可以为联苯基。即，联苯基可以为芳基，也可以被解释为2个苯基连接而成的取代基。
在本说明书中，羰基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至40。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。
Figure BDA0003138057190000041
在本说明书中，酯基中，酯基的氧可以被碳原子数1至25的直链、支链或环状的烷基、或者碳原子数6至25的芳基取代。具体而言，可以为下述结构式的化合物，但并不限定于此。
Figure BDA0003138057190000042
在本说明书中，酰亚胺基的碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为1至25。具体而言，可以为如下结构的化合物，但并不限定于此。
Figure BDA0003138057190000051
在本说明书中，甲硅烷基具体有三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但并不限定于此。
在本说明书中，硼基具体有三甲基硼基、三乙基硼基、叔丁基二甲基硼基、三苯基硼基、苯基硼基等，但并不限定于此。
在本说明书中，作为卤素基团的例子，有氟、氯、溴或碘。
在本说明书中，上述烷基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为1至40。根据一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至20。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至10。根据另一实施方式，上述烷基的碳原子数为1至6。作为烷基的具体例，有甲基、乙基、丙基、正丙基、异丙基、丁基、正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基、1-甲基-丁基、1-乙基-丁基、戊基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、己基、正己基、1-甲基戊基、2-甲基戊基、4-甲基-2-戊基、3,3-二甲基丁基、2-乙基丁基、庚基、正庚基、1-甲基己基、环戊基甲基、环己基甲基、辛基、正辛基、叔辛基、1-甲基庚基、2-乙基己基、2-丙基戊基、正壬基、2,2-二甲基庚基、1-乙基-丙基、1,1-二甲基-丙基、异己基、2-甲基戊基、4-甲基己基、5-甲基己基等，但并不限定于此。
在本说明书中，上述烯基可以为直链或支链，碳原子数没有特别限定，但优选为2至40。根据一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至20。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至10。根据另一实施方式，上述烯基的碳原子数为2至6。作为具体例，有乙烯基、1-丙烯基、异丙烯基、1-丁烯基、2-丁烯基、3-丁烯基、1-戊烯基、2-戊烯基、3-戊烯基、3-甲基-1-丁烯基、1,3-丁二烯基、烯丙基、1-苯基乙烯-1-基、2-苯基乙烯-1-基、2,2-二苯基乙烯-1-基、2-苯基-2-(萘-1-基)乙烯-1-基、2,2-双(二苯-1-基)乙烯-1-基、茋基、苯乙烯基等，但并不限定于此。
在本说明书中，环烷基没有特别限定，但优选为碳原子数3至60的环烷基，根据一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至30。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至20。根据另一实施方式，上述环烷基的碳原子数为3至6。具体而言，有环丙基、环丁基、环戊基、3-甲基环戊基、2,3-二甲基环戊基、环己基、3-甲基环己基、4-甲基环己基、2,3-二甲基环己基、3,4,5-三甲基环己基、4-叔丁基环己基、环庚基、环辛基等，但并不限定于此。
在本说明书中，芳基没有特别限定，但优选为碳原子数6至60的芳基，可以为单环芳基或多环芳基。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至30。根据一实施方式，上述芳基的碳原子数为6至20。关于上述芳基，作为单环芳基，可以为苯基、联苯基、三联苯基等，但并不限定于此。作为上述多环芳基，可以为萘基、蒽基、菲基、芘基、苝基、
Figure BDA0003138057190000063
基、芴基等，但并不限定于此。
在本说明书中，芴基可以被取代，2个取代基可以彼此
Figure BDA0003138057190000061
等。但并不限定于此。
在本说明书中，杂环基是包含O、N、Si和S中的1个以上作为杂原子的杂环基，碳原子数没有特别限定，但优选碳原子数为2至60。作为杂环基的例子，有噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、噻唑基
Figure BDA0003138057190000062
、
Figure BDA0003138057190000077
唑基、
Figure BDA0003138057190000078
二唑基
Figure BDA0003138057190000071
三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、苯并
Figure BDA0003138057190000079
唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基
Figure BDA0003138057190000072
Figure BDA0003138057190000073
苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基(phenanthroline)、噻唑基
Figure BDA0003138057190000074
异
Figure BDA00031380571900000710
唑基、
Figure BDA00031380571900000711
二唑基
Figure BDA0003138057190000075
噻二唑基、苯并噻唑基
Figure BDA0003138057190000076
吩噻嗪基和二苯并呋喃基等，但不仅限于此。
在本说明书中，芳烷基、芳烯基、烷基芳基、芳基胺基中的芳基与上述芳基的示例相同。在本说明书中，芳烷基、烷基芳基、烷基胺基中的烷基与上述烷基的示例相同。在本说明书中，杂芳基胺中的杂芳基可以适用上述关于杂环基的说明。在本说明书中，芳烯基中的烯基与上述烯基的示例相同。在本说明书中，亚芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述关于芳基的说明。在本说明书中，亚杂芳基为2价基团，除此以外，可以适用上述关于杂环基的说明。在本说明书中，烃环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述关于芳基或环烷基的说明。在本说明书中，杂环不是1价基团，而是2个取代基结合而成，除此以外，可以适用上述关于杂环基的说明。
(化合物)
本发明提供由上述化学式1表示的化合物。由化学式1表示的化合物的特征是具有吲哚并咔唑核结构，并且形成以上述核结构的一个氮原子为中心进一步稠合有两个苯环的七元环，在另一个氮原子上进一步包含杂芳基。由于上述稠环结构，对于电子和空穴的稳定性高，在用作主体化合物时，向掺杂剂的能量传递容易。由此，在有机发光器件中用作发光层化合物时，可以使低驱动电压、高效率和长寿命的特性全部得到提高。由化学式1表示的化合物具体如下所示：
[化学式1]
Figure BDA0003138057190000081
在上述化学式1中，
R连接在1号或2号位置而形成单键，由此，以N原子为中心形成七元环，
L为单键、或者取代或未取代的C6-60亚芳基，
Het为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C5-60杂芳基，
R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C1-60烷基，
n1、n3、n4和n5各自独立地为0至4的整数，
n2为0至2的整数。
由上述化学式1表示的化合物中，R连接在1号或2号位置而形成七元环，这时，由化学式1表示的化合物由下述化学式1-1或1-2表示：
[化学式1-1]
Figure BDA0003138057190000091
[化学式1-2]
Figure BDA0003138057190000092
在上述化学式1-1至1-2中，
n'2为0或1，
n'3为0至3的整数，
L、Het、R1、R2、R3、R4、R5、n1、n2、n3、n4和n5与上述定义相同。
优选地，L为单键、亚苯基或亚萘基。
优选地，Het为选自下述基团中的任一个：
Figure BDA0003138057190000101
在上述基团中，
R'各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C5-60杂芳基。
优选地，R'各自独立地为苯基、联苯基、萘基、三联苯基、苯基萘基、萘基苯基、菲基、三亚苯基、二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-9-基或9-苯基-9H-咔唑基。
优选地，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢或氘，更优选地，它们均为氢。
优选地，由上述化学式1表示的化合物可以为选自下述化合物中的任一个：
Figure BDA0003138057190000111
Figure BDA0003138057190000121
Figure BDA0003138057190000131
Figure BDA0003138057190000141
Figure BDA0003138057190000151
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Figure BDA0003138057190000171
Figure BDA0003138057190000181
Figure BDA0003138057190000191
Figure BDA0003138057190000201
Figure BDA0003138057190000211
Figure BDA0003138057190000221
Figure BDA0003138057190000231
Figure BDA0003138057190000241
Figure BDA0003138057190000251
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Figure BDA0003138057190000291
Figure BDA0003138057190000301
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Figure BDA0003138057190000341
Figure BDA0003138057190000351
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Figure BDA0003138057190000391
Figure BDA0003138057190000401
Figure BDA0003138057190000411
Figure BDA0003138057190000421
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Figure BDA0003138057190000441
Figure BDA0003138057190000451
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Figure BDA0003138057190000591
Figure BDA0003138057190000601
Figure BDA0003138057190000611
Figure BDA0003138057190000621
Figure BDA0003138057190000631
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Figure BDA0003138057190000661
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Figure BDA0003138057190000711
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Figure BDA0003138057190000761
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Figure BDA0003138057190000881
Figure BDA0003138057190000891
Figure BDA0003138057190000901
Figure BDA0003138057190000911
Figure BDA0003138057190000921
Figure BDA0003138057190000931
Figure BDA0003138057190000941
Figure BDA0003138057190000951
由上述化学式1表示的化合物可以根据下述反应式1来制造：
[反应式1]
Figure BDA0003138057190000952
在上述反应式中，X各自独立地为卤素，优选为溴或氯，对于其它取代基的定义与上述的说明相同。
由上述化学式1表示的化合物可以通过在核(Core)1-1和核1-2的核结构中进一步导入含有杂原子的取代基的反应来制造，作为具体例，可以通过上述反应式1-3来制造。用于上述反应的反应基团可以适当地变更，由化学式1表示的化合物的制造方法可以在后述的制造例中更具体化。
(有机发光器件)
另一方面，本发明提供包含由上述化学式1表示的化合物的有机发光器件。作为一个例子，本发明提供一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与上述第一电极对置而设置的第二电极；以及设置在上述第一电极与上述第二电极之间的1层以上的有机物层，上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物。
本发明的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有包括空穴注入层、空穴传输层、电子抑制层、发光层、空穴抑制层、电子传输层、电子注入层等作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数的有机层。
另外，上述有机物层可以包括空穴注入层、空穴传输层、或同时进行空穴注入和传输的层，上述空穴注入层、空穴传输层、或同时进行空穴注入和传输的层包含由上述化学式1表示的化合物。
另外，上述有机物层可以包括发光层，上述发光层包含由上述化学式1表示的化合物。优选地，由上述化学式1表示的化合物用作发光层的主体化合物。
本发明的有机发光器件的有机物层可以由单层结构形成，还可以由层叠有2层以上的有机物层的多层结构形成。例如，本发明的有机发光器件可以具有除了发光层以外还包括上述第一电极与上述发光层之间的空穴注入层和空穴传输层、以及上述发光层与上述第二电极之间的电子传输层和电子注入层作为有机物层的结构。但是，有机发光器件的结构并不限定于此，可以包括更少数或更多数量的有机层。
另外，根据本发明的有机发光器件可以是上述第一电极为阳极且上述第二电极为阴极的、在基板上依次层叠有阳极、1层以上的有机物层和阴极的结构(正常型(normaltype))的有机发光器件。此外，根据本发明的有机发光器件可以是上述第一电极为阴极且上述第二电极为阳极的、在基板上依次层叠有阴极、1层以上的有机物层和阳极的逆向结构(倒置型(inverted type))的有机发光器件。例如，根据本发明的一实施例的有机发光器件的结构例示于图1和2。
图1图示了由基板1、阳极2、空穴传输层3、发光层4、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述发光层中。
图2图示了由基板1、阳极2、空穴注入层7、空穴传输层3、电子抑制层8、发光层4、空穴抑制层9、电子注入和传输层5、以及阴极6构成的有机发光器件的例子。在如上所述的结构中，由上述化学式1表示的化合物可以包含在上述发光层中。
根据本发明的有机发光器件除了上述有机物层中的1层以上包含由上述化学式1表示的化合物以外，可以利用该技术领域中已知的材料和方法进行制造。此外，在上述有机发光器件包括复数个有机物层的情况下，上述有机物层可以由相同的物质或不同的物质形成。
例如，根据本发明的有机发光器件可以通过在基板上依次层叠第一电极、有机物层和第二电极而制造。这时，可以如下制造：利用溅射法(sputtering)或电子束蒸发法(e-beam evaporation)之类的PVD(physical Vapor Deposition：物理气相沉积)方法，在基板上蒸镀金属或具有导电性的金属氧化物或它们的合金而形成阳极，然后在该阳极上形成包括空穴注入层、空穴传输层、电子抑制层、发光层、空穴抑制层和电子传输层的有机物层，之后在该有机物层上蒸镀可用作阴极的物质而制造。除了这种方法以外，也可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件。
另外，由上述化学式1表示的化合物在制造有机发光器件时不仅可以利用真空蒸镀法，还可以利用溶液涂布法来形成有机物层。在这里，所谓溶液涂布法是指旋涂法、浸涂法、刮涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷雾法、辊涂法等，但不仅限于此。
除了这些方法以外，还可以在基板上依次蒸镀阴极物质、有机物层、阳极物质而制造有机发光器件(WO 2003/012890)。但是，制造方法并不限定于此。
作为一个例子，上述第一电极为阳极，上述第二电极为阴极，或者上述第一电极为阴极，上述第二电极为阳极。
作为上述阳极物质，通常为了使空穴能够顺利地向有机物层注入，优选为功函数大的物质。作为上述阳极物质的具体例，有钒、铬、铜、锌、金等金属或它们的合金；氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等金属氧化物；ZnO:Al或SnO2:Sb等金属与氧化物的组合；聚(3-甲基噻吩)、聚[3,4-(亚乙基-1,2-二氧)噻吩](PEDOT)、聚吡咯和聚苯胺等导电性高分子等，但不仅限于此。
作为上述阴极物质，通常为了使电子容易地向有机物层注入，优选为功函数小的物质。作为上述阴极物质的具体例，有镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡和铅等金属或它们的合金；LiF/Al或LiO2/Al等多层结构物质等，但不仅限于此。
上述空穴注入层是注入来自电极的空穴的层，作为空穴注入物质，优选为如下化合物：具有传输空穴的能力，具有注入来自阳极的空穴的效果，对于发光层或发光材料具有优异的空穴注入效果，防止发光层中生成的激子向电子注入层或电子注入材料迁移，而且薄膜形成能力优异的化合物。优选空穴注入物质的HOMO(最高占有分子轨道，highestoccupied molecular orbital)介于阳极物质的功函数与周围有机物层的HOMO之间。作为空穴注入物质的具体例，有金属卟啉(porphyrin)、低聚噻吩、芳基胺系有机物、六腈六氮杂苯并菲系有机物、喹吖啶酮(quinacridone)系有机物、苝(perylene)系有机物、蒽醌及聚苯胺和聚噻吩系导电性高分子等，但不仅限于此。
上述空穴传输层是接收来自空穴注入层的空穴并将空穴传输至发光层的层，空穴传输物质是能够接收来自阳极或空穴注入层的空穴并将其转移至发光层的物质，对空穴的迁移率大的物质是合适的。作为上述空穴传输物质，可以使用由上述化学式1表示的化合物，或者可以使用芳基胺系有机物、导电性高分子、以及同时存在共轭部分和非共轭部分的嵌段共聚物等，但并不限定于此。
上述电子抑制层(或电子阻挡层、电子阻隔层)是指如下的层：形成在上述空穴传输层上，优选与发光层相接而设置，通过调节空穴迁移率，防止电子的过度迁移而提高空穴-电子之间的结合几率，从而起到改善有机发光器件的效率的作用的层。上述电子抑制层包含电子阻挡物质，作为这样的电子阻挡物质的例子，可以使用芳基胺系有机物等，但并不限定于此。
上述发光层的发光物质是能够从空穴传输层和电子传输层分别接收空穴和电子并使它们结合而发出可见光区域的光的物质，优选对于荧光或磷光的量子效率高的物质。作为具体例，有8-羟基喹啉铝配合物(Alq3)；咔唑系化合物；二聚苯乙烯基(dimerizedstyryl)化合物；BAlq；10-羟基苯并喹啉-金属化合物；苯并
Figure BDA0003138057190000993
唑、苯并噻唑及苯并咪唑系化合物；聚(对亚苯基亚乙烯基)(PPV)系高分子；螺环(spiro)化合物；聚芴；红荧烯等，但并不限定于此。
上述发光层包含主体材料和掺杂剂材料，使用由本申请的化学式1表示的化合物作为主体材料。
除此以外，作为主体材料，还可以包含芳香族稠环衍生物或含杂环化合物等。具体而言，作为芳香族稠环衍生物，有蒽衍生物、芘衍生物、萘衍生物、并五苯衍生物、菲化合物、荧蒽化合物等，作为含杂环化合物，有咔唑衍生物、二苯并呋喃衍生物、梯型呋喃化合物
Figure BDA0003138057190000991
Figure BDA0003138057190000992
嘧啶衍生物等，但并不限定于此。
作为掺杂剂材料，有芳香族胺衍生物、苯乙烯基胺化合物、硼配合物、荧蒽化合物、金属配合物等。具体而言，芳香族胺衍生物是具有取代或未取代的芳基氨基的芳香族稠环衍生物，有具有芳基氨基的芘、蒽、
Figure BDA0003138057190001001
二茚并芘等，苯乙烯基胺化合物是在取代或未取代的芳基胺上取代有至少1个芳基乙烯基的化合物，被选自芳基、甲硅烷基、烷基、环烷基和芳基氨基中的1个或2个以上的取代基取代或未取代。具体而言，有苯乙烯基胺、苯乙烯基二胺、苯乙烯基三胺、苯乙烯基四胺等，但并不限定于此。此外，作为金属配合物，有铱配合物、铂配合物等，但并不限定于此。
优选地，上述发光层可以包含如下所示的铱配合物作为掺杂剂材料，但并不限定于此。
Figure BDA0003138057190001011
Figure BDA0003138057190001021
Figure BDA0003138057190001031
Figure BDA0003138057190001041
上述空穴抑制层(或空穴阻挡层、空穴阻隔层)是指如下的层：形成在发光层上，优选与发光层相接而设置，通过调节电子迁移率，防止空穴的过度迁移而提高空穴-电子之间的结合几率，从而起到改善有机发光器件的效率的作用的层。上述空穴抑制层包含空穴抑制物质，作为这样的空穴阻挡物质的例子，可以使用包括三嗪的吖嗪类衍生物、三唑衍生物、
Figure BDA0003138057190001042
二唑衍生物、菲咯啉衍生物、氧化膦衍生物等导入有吸电子基团的化合物，但并不限定于此。
上述电子注入和传输层是注入来自电极的电子并将接收的电子传输至发光层的、同时起到电子传输层和电子注入层的作用的层，形成在上述发光层或上述空穴抑制层上。这样的电子注入和传输物质是能够良好地注入来自阴极的电子并将其转移至发光层的物质，对电子的迁移率大的物质是合适的。作为具体的电子注入和传输物质的例子，有8-羟基喹啉的Al配合物、包含Alq3的配合物、有机自由基化合物、羟基黄酮-金属配合物、三嗪衍生物等，但不仅限于此。或者也可以与芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure BDA0003138057190001043
唑、
Figure BDA0003138057190001044
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物、或含氮五元环衍生物等一同使用，但并不限定于此。
上述电子注入和传输层也可以形成为电子注入层和电子传输层之类的独立的层。在这种情况下，电子传输层形成在上述发光层或上述空穴抑制层上，作为上述电子传输层中所包含的电子传输物质，可以使用上述电子注入和传输物质。此外，电子注入层形成在上述电子传输层上，作为上述电子注入层中所包含的电子注入物质，可以使用LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO、芴酮、蒽醌二甲烷、联苯醌、噻喃二氧化物、
Figure BDA0003138057190001051
唑、
Figure BDA0003138057190001052
二唑、三唑、咪唑、苝四羧酸、亚芴基甲烷、蒽酮等和它们的衍生物、金属配位化合物和含氮五元环衍生物等。
作为上述金属配位化合物，有8-羟基喹啉锂、双(8-羟基喹啉)锌、双(8-羟基喹啉)铜、双(8-羟基喹啉)锰、三(8-羟基喹啉)铝、三(2-甲基-8-羟基喹啉)铝、三(8-羟基喹啉)镓、双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍、双(10-羟基苯并[h]喹啉)锌、双(2-甲基-8-喹啉)氯化镓、双(2-甲基-8-喹啉)(邻甲酚)镓、双(2-甲基-8-喹啉)(1-萘酚)铝、双(2-甲基-8-喹啉)(2-萘酚)镓等，但并不限定于此。
根据所使用的材料，根据本发明的有机发光器件可以为顶部发光型、底部发光型或双向发光型。
另外，由上述化学式1表示的化合物除了包含在有机发光器件中以外，还可以包含在有机太阳能电池或有机晶体管中。
对由上述化学式1表示的化合物及包含其的有机发光器件的制造在下面的实施例中具体地进行说明。但是，下述实施例用于例示本发明，本发明的范围并不限定于此。
(制造例)
制造例1：化合物1-1的合成(核结构的合成)
Figure BDA0003138057190001061
1)化合物1-1-5的制造
将2-溴-5-氯苯胺(300.0g，1.0当量)、2-氟-2'-碘-1,1'-联苯(375.5g，1.0当量)、KOtBu(217.4g，1.3当量)完全溶解于NMP(3L)中，回流并搅拌。3小时后，反应结束时，倒入水中，进行结晶化后过滤。然后，完全溶解于乙酸乙酯，用水洗涤，再次减压而去除70％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷，使结晶降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了化合物1-1-5(342.7g)。
(收率73％，MS:[M+H]+＝486)
2)化合物1-1-4的制造
将化合物1-1-5(342.7g，1.0当量)、Pd(t-Bu3P)2(8.48g，0.01当量)、K2CO3(372.6g，2.00当量)加入到二甲基乙酰胺(Dimethylacetamide，2L)中，回流并搅拌。2小时后，将反应物倒入水中，进行结晶化后过滤。将过滤的固体完全溶解于二甲苯后，用水洗涤，将溶解有生成物的溶液减压浓缩，使结晶降落，冷却后过滤。将其用柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-1-4(361.25g)。
(收率61％，MS:[M+H]+＝358)
3)化合物1-1-3的制造
将化合物1-1-4(361.3g，1012.9mmol)和(2-氟苯基)硼酸(304.8g，1012.9mmol)加入到THF(4L)中，搅拌，将碳酸钾(560g，4051.6mmol)溶解于水而进行投入，充分搅拌后，在回流时投入四(三苯基膦)钯(5.2g，10.1mmol)。反应4小时后，冷却至常温，将有机层和水层分离后，蒸馏有机层。将其再次溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，加入无水硫酸镁，搅拌后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-1-3(233.5g)。
(收率62％，MS:[M+H]+＝373)
4)化合物1-1-2的制造
将化合物1-1-3(233.5g，1.0当量)、KOtBu(120.1g，1.3当量)溶解于NMP(1.5L)中，回流并搅拌。3小时后，反应结束时，倒入水中，进行结晶化后，过滤。然后，完全溶解于乙酸乙酯，用水洗涤，再次减压而去除70％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷，使结晶降落，冷却后过滤。将其用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-1-2(102.2g)。
(收率54％，MS:[M+H]+＝353)
5)化合物1-1-1的制造
将化合物1-1-2(102.18g，1.0当量)、(2-硝基苯基)硼酸(53.32g，1.1当量)加入到THF(1L)中，搅拌，将碳酸钾(97.77g，3.0当量)溶解于水而进行投入，充分搅拌后，在回流时投入Pd(t-Bu3P)2(1.48g，0.01当量)。反应2小时后，冷却至常温，将有机层和水层分离后，蒸馏有机层。将其再次溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，加入无水硫酸镁，搅拌后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-1-1(95.51g)。
(收率75％，MS:[M+H]+＝439)
6)化合物1-1的制造
将化合物1-1-1(95.51g，1.0当量)加入到P(OEt)3(700mL)中，回流并搅拌。反应2小时后，冷却至常温，将生成的结晶过滤。将其再次溶解于乙酸乙酯中，用水洗涤2次后，将有机层分离，加入无水硫酸镁，搅拌后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-1(54.89g)。
(收率62％，MS:[M+H]+＝407)
制造例2：化合物1-2的合成(核结构的合成)
Figure BDA0003138057190001081
1)化合物1-2-3的制造
将9H-三苯并[b,d,f]氮杂平(9H-
Figure BDA0003138057190001082
[b,d,f]
Figure BDA0003138057190001083
)(200.0g，1.0当量)、1-溴-4-氯-2-氟苯(223.8g，1.3当量)、KOtBu(184.47g，2.0当量)溶解于NMP(2L)，回流并搅拌。3小时后，反应结束时倒入水中，进行结晶化后过滤。然后，完全溶解于乙酸乙酯，用水洗涤，再次减压而去除70％左右的溶剂。再次在回流状态下加入己烷，使结晶降落，冷却后过滤。将其进行柱层析，从而得到了化合物1-2-3(252.5g)。
(收率71％，MS:[M+H]+＝434)
2)化合物1-2-2的制造
将化合物1-2-3(252.56g，1.0当量)、Pd(t-Bu3P)2(2.98g，0.01当量)、K2CO3(130.97g，2.00当量)加入到二甲基乙酰胺(Dimethylacetamide，2L)中，回流并搅拌。2小时后，将反应物倒入水中，进行结晶化后过滤。将过滤的固体完全溶解于二甲苯后，用水洗涤，将溶解有生成物的溶液减压浓缩，使结晶降落，冷却后过滤。将其用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-2-2(135.52g)。
(收率66％，MS:[M+H]+＝353)
3)化合物1-2-1的制造
将化合物1-2-2(135.52g，1.0当量)、(2-硝基苯基)硼酸(70.73g，1.1当量)加入到THF(1L)中，搅拌，将碳酸钾(129.66g，3.0当量)溶解于水而进行投入，充分搅拌后，在回流时投入Pd(t-Bu3P)2(1.96g，0.01当量)。反应2小时后，冷却至常温，将有机层和水层分离后，蒸馏有机层。将其再次溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，加入无水硫酸镁，搅拌后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-2-1(131.74g)。
(收率78％，MS:[M+H]+＝439)
4)化合物1-2的制造
将化合物1-2-1(131.74g，1.0当量)加入到P(OEt)3(500mL)中，回流并搅拌。反应2小时后，冷却至常温，将生成的结晶过滤。将其再次溶解于乙酸乙酯，用水洗涤2次后，将有机层分离，加入无水硫酸镁，搅拌后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1-2(50.46g)。
(收率57％，MS:[M+H]+＝407)
合成例1：化合物1的制造
Figure BDA0003138057190001091
在氮气氛下，将中间体化合物1a(10g，37.4mmol)、化合物1-1(15.2g，37.4mmol)、NaOtBu(7.2g，74.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g，0.7mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物1(7.4g)。
(收率31％，MS:[M+H]+＝639)
合成例2：化合物2的制造
Figure BDA0003138057190001101
在氮气氛下，将中间体化合物2a(10g，23.8mmol)、化合物1-1(9.7g，23.8mmol)、NaOtBu(4.6g，47.6mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物2(11.3g)。
(收率60％，MS:[M+H]+＝790)
合成例3：化合物3的合成
Figure BDA0003138057190001111
在氮气氛下，将中间体化合物3a(10g，24.6mmol)、化合物1-1(10g，24.6mmol)、NaOtBu(4.7g，49.3mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物3(8g)。
(收率42％，MS:[M+H]+＝777)
合成例4：化合物4的合成
Figure BDA0003138057190001112
在氮气氛下，将中间体化合物4a(10g，28.8mmol)、化合物1-1(11.7g，28.8mmol)、NaOtBu(5.5g，57.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物4(9.5g)。
(收率46％，MS:[M+H]+＝718)
合成例5：化合物5的合成
Figure BDA0003138057190001121
在氮气氛下，将中间体化合物5a(10g，25.6mmol)、化合物1-1(10.4g，25.6mmol)、NaOtBu(4.9g，51.2mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物5(8g)。
(收率41％，MS:[M+H]+＝762)
合成例6：化合物6的合成
Figure BDA0003138057190001122
在氮气氛下，将中间体化合物6a(10g，26.3mmol)、化合物1-1(10.7g，26.3mmol)、NaOtBu(5.1g，52.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物6(8.5g)。
(收率43％，MS:[M+H]+＝751)
合成例7：化合物7的合成
Figure BDA0003138057190001131
在氮气氛下，将中间体化合物7a(10g，26.3mmol)、化合物1-1(10.7g，26.3mmol)、NaOtBu(5g，52.5mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物7(5.9g)。
(收率30％，MS:[M+H]+＝752)
合成例8：化合物8的合成
Figure BDA0003138057190001132
在氮气氛下，将中间体化合物8a(10g，23.6mmol)、化合物1-1(9.6g，23.6mmol)、NaOtBu(4.5g，47.3mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.5mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物8(6.6g)。
(收率35％，MS：[M+H]+＝794)
合成例9：化合物9的合成
Figure BDA0003138057190001141
在氮气氛下，将中间体化合物9a(10g，26.8mmol)、化合物1-1(10.9g，26.8mmol)、NaOtBu(5.2g，53.6mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物9(10.4g)。
(收率52％，MS:[M+H]+＝744)
合成例10：化合物10的合成
Figure BDA0003138057190001142
在氮气氛下，将中间体化合物10a(10g，25.8mmol)、化合物1-1(10.5g，25.8mmol)、NaOtBu(5g，51.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物10(8.8g)。
(收率45％，MS:[M+H]+＝758)
合成例11：化合物11的合成
Figure BDA0003138057190001151
在氮气氛下，将中间体化合物11a(10g，24.8mmol)、化合物1-1(10.1g，24.8mmol)、NaOtBu(4.8g，49.6mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物11(6.1g)。
(收率32％，MS:[M+H]+＝774)
合成例12：化合物12的合成
Figure BDA0003138057190001161
在氮气氛下，将中间体化合物12a(10g，30.2mmol)、化合物1-1(12.3g，30.2mmol)、NaOtBu(5.8g，60.5mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物12(8.7g)。
(收率41％，MS:[M+H]+＝702)
合成例13：化合物13的合成
Figure BDA0003138057190001162
在氮气氛下，将中间体化合物13a(10g，27mmol)、化合物1-1(11g，27mmol)、NaOtBu(5.2g，53.9mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物13(8g)。
(收率40％，MS:[M+H]+＝742)
合成例14：化合物14的合成
Figure BDA0003138057190001171
在氮气氛下，将中间体化合物14a(10g，28mmol)、化合物1-1(11.4g，28mmol)、NaOtBu(5.4g，56.1mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物14(7.7g)。
(收率38％，MS:[M+H]+＝728)
合成例15：化合物15的合成
Figure BDA0003138057190001172
在氮气氛下，将中间体化合物15a(10g，22.4mmol)、化合物1-1(9.1g，22.4mmol)、NaOtBu(4.3g，44.9mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物15(9.3g)。
(收率51％，MS:[M+H]+＝817)
合成例16：化合物16的合成
Figure BDA0003138057190001181
在氮气氛下，将中间体化合物16a(10g，31.5mmol)、化合物1-2(12.8g，31.5mmol)、NaOtBu(6g，62.9mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物16(9.7g)。
(收率45％，MS:[M+H]+＝689)
合成例17：化合物17的合成
Figure BDA0003138057190001182
在氮气氛下，将中间体化合物17a(10g，25.4mmol)、化合物1-2(10.3g，25.4mmol)、NaOtBu(4.9g，50.8mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物17(9.7g)。
(收率50％，MS:[M+H]+＝765)
合成例18：化合物18的合成
Figure BDA0003138057190001191
在氮气氛下，将中间体化合物18a(10g，27.9mmol)、化合物1-2(11.4g，27.9mmol)、NaOtBu(5.4g，55.9mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物18(9.6g)。
(收率47％，MS:[M+H]+＝729)
合成例19：化合物19的合成
Figure BDA0003138057190001192
在氮气氛下，将中间体化合物19a(10g，41.5mmol)、化合物1-2(16.9g，41.5mmol)、NaOtBu(8g，83.1mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g，0.8mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物19(8.4g)。
(收率33％，MS:[M+H]+＝612)
合成例20：化合物20的合成
Figure BDA0003138057190001201
在氮气氛下，将中间体化合物20a(10g，29.3mmol)、化合物1-2(11.9g，29.3mmol)、NaOtBu(5.6g，58.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物20(8.8g)。
(收率42％，MS:[M+H]+＝712)
合成例21：化合物21的合成
Figure BDA0003138057190001202
在氮气氛下，将中间体化合物21a(10g，24.6mmol)、化合物1-2(10g，24.6mmol)、NaOtBu(4.7g，49.3mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物21(7.8g)。
(收率41％，MS:[M+H]+＝777)
合成例22：化合物22的合成
Figure BDA0003138057190001211
在氮气氛下，将中间体化合物22a(10g，25.6mmol)、化合物1-2(10.4g，25.6mmol)、NaOtBu(4.9g，51.2mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物22(5.8g)。
(收率30％，MS:[M+H]+＝762)
合成例23：化合物23的合成
Figure BDA0003138057190001212
在氮气氛下，将中间体化合物23a(10g，22.6mmol)、化合物1-2(9.2g，22.6mmol)、NaOtBu(4.3g，45.2mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.5mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物23(11g)。
(收率60％，MS:[M+H]+＝814)
合成例24：化合物24的合成
Figure BDA0003138057190001221
在氮气氛下，将中间体化合物24a(10g，33.7mmol)、化合物1-2(13.7g，33.7mmol)、NaOtBu(6.5g，67.4mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.7mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物24(12.6g)。
(收率56％，MS:[M+H]+＝668)
合成例25：化合物25的合成
Figure BDA0003138057190001222
在氮气氛下，将中间体化合物25a(10g，22.3mmol)、化合物1-2(9.1g，22.3mmol)、NaOtBu(4.3g，44.5mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物25(8.9g)。
(收率49％，MS:[M+H]+＝820)
合成例26：化合物26的合成
Figure BDA0003138057190001231
在氮气氛下，将中间体化合物26a(10g，25.8mmol)、化合物1-2(10.5g，25.8mmol)、NaOtBu(5g，51.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物26(7.4g)。
(收率38％，MS:[M+H]+＝758)
合成例27：化合物27的合成
Figure BDA0003138057190001232
在氮气氛下，将中间体化合物27a(10g，21.6mmol)、化合物1-2(8.8g，21.6mmol)、NaOtBu(4.2g，43.3mmol)加入到二甲苯(200m L)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.2g，0.4mmol)。2小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物27(8.5g)。
(收率47％，MS:[M+H]+＝833)
合成例28：化合物28的合成
Figure BDA0003138057190001241
在氮气氛下，将中间体化合物28a(10g，35.6mmol)、化合物1-2(14.5g，35.6mmol)、NaOtBu(6.8g，71.2mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.4g，0.7mmol)。3小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物28(10.9g)。
(收率47％，MS:[M+H]+＝652)
合成例29：化合物29的合成
Figure BDA0003138057190001242
在氮气氛下，将中间体化合物29a(10g，28mmol)、化合物1-2(11.4g，28mmol)、NaOtBu(5.4g，56.1mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.6mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物29(7.5g)。
(收率37％，MS:[M+H]+＝728)
合成例30：化合物30的合成
Figure BDA0003138057190001251
在氮气氛下，将中间体化合物30a(10g，25.8mmol)、化合物1-2(10.5g，25.8mmol)、NaOtBu(5g，51.7mmol)加入到二甲苯(200mL)中，搅拌及回流。然后，投入双(三叔丁基膦)钯(0)(0.3g，0.5mmol)。4小时后，反应结束时，冷却至常温，减压而去除溶剂。然后，将化合物再次完全溶解于氯仿，用水洗涤2次后，将有机层分离，用无水硫酸镁处理后过滤，将滤液减压蒸馏。将浓缩的化合物用硅胶柱层析进行纯化，从而得到了化合物30(6.3g)。
(收率32％，MS:[M+H]+＝758)
(实施例和比较例)
比较例1
ITO(氧化铟锡，indium tin oxide)以
Figure BDA0003138057190001252
的厚度被涂布成薄膜的玻璃基板放入溶解有洗涤剂的蒸馏水中，利用超声波进行洗涤。这时，洗涤剂使用菲希尔公司(FischerCo.)制品，蒸馏水使用了利用密理博公司(Millipore Co.)制造的过滤器(Filter)过滤两次的蒸馏水。将ITO洗涤30分钟后，用蒸馏水重复两次而进行10分钟超声波洗涤。在蒸馏水洗涤结束后，用异丙醇、丙酮、甲醇的溶剂进行超声波洗涤并干燥后，输送至等离子体清洗机。此外，利用氧等离子体，将上述基板清洗5分钟后，将基板输送至真空蒸镀机。
在这样准备的ITO透明电极上，作为空穴注入层，将下述HI-1化合物以
Figure BDA0003138057190001261
的厚度形成，且将下述A-1化合物以1.5％的浓度进行p-掺杂(p-doping)。在上述空穴注入层上，将下述HT-1化合物进行真空蒸镀，从而形成膜厚度
Figure BDA0003138057190001262
的空穴传输层。接着，在上述空穴传输层上，以膜厚度
Figure BDA0003138057190001263
将下述EB-1化合物进行真空蒸镀而形成电子抑制层。接着，在上述EB-1蒸镀膜上，将下述RH-1化合物和下述Dp-7化合物以98:2的重量比进行真空蒸镀，从而形成
Figure BDA0003138057190001264
厚度的红色发光层。在上述发光层上，以膜厚度
Figure BDA0003138057190001265
将下述HB-1化合物进行真空蒸镀而形成空穴阻挡层。接着，在上述空穴阻挡层上，将下述ET-1化合物和下述LiQ化合物以2:1的重量比进行真空蒸镀，从而以
Figure BDA0003138057190001266
的厚度形成电子注入和传输层。在上述电子注入和传输层上，依次将氟化锂(LiF)以
Figure BDA0003138057190001267
的厚度、将铝以
Figure BDA0003138057190001268
的厚度进行蒸镀，从而形成阴极。
在上述过程中，有机物的蒸镀速度维持
Figure BDA0003138057190001269
/秒，阴极的氟化锂维持
Figure BDA00031380571900012610
/秒的蒸镀速度，铝维持
Figure BDA00031380571900012611
/秒的蒸镀速度，在蒸镀时，真空度维持2×10-7～5×10-6托，从而制作了有机发光器件。
Figure BDA00031380571900012612
实施例1至30的制造
在比较例1的有机发光器件中，使用上述合成的化合物1至30的化合物代替RH-1，除此以外，通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
比较例2至9的制造
在比较例1的有机发光器件中，使用下述C-1至C-8的化合物代替RH-1，除此以外，通过与上述比较例1相同的方法制造了有机发光器件。
Figure BDA0003138057190001271
(实验例)
对上述制造的实施例1至30和比较例1至9的有机发光器件施加电流(10mA/cm2)时，测定了电压、效率，将其结果示于下述表1。寿命T95是指亮度从初始亮度(6000尼特)减少至95％所需的时间。
[表1]
Figure BDA0003138057190001281
Figure BDA0003138057190001291
上述比较例1的红色有机发光器件使用了以往广泛使用的物质，是使用化合物EB-1作为电子阻挡层且使用化合物RH-1/Dp-7作为红色发光层的结构。比较例2至9使用C-1至C-8代替RH-1而制造了有机发光器件。
如可以由上述实验数据确认的那样，本发明的化合物用作红色发光层的主体时，与比较例物质相比，从主体向红色掺杂剂的能量传递良好地实现，从而驱动电压显著降低，在效率方面也大幅提高。此外，可以确认采用了本申请化合物的有机发光器件维持高效率的同时，大幅改善寿命特性2倍以上。
[符号说明]
1：基板 2：阳极
3：空穴传输层 4：发光层
5：电子注入和传输层 6：阴极
7：空穴注入层 8：电子抑制层
9：空穴抑制层。

Claims (8)

1.一种由下述化学式1表示的化合物：
化学式1
Figure FDA0003138057180000011
在所述化学式1中，
R连接在1号或2号位置而形成单键，
L为单键、或者取代或未取代的C6-60亚芳基，
Het为取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C5-60杂芳基，
R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢、氘、或者取代或未取代的C1-60烷基，
n1、n3、n4和n5各自独立地为0至4的整数，
n2为0至2的整数。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述化学式1由下述化学式1-1或1-2表示：
化学式1-1
Figure FDA0003138057180000021
化学式1-2
Figure FDA0003138057180000022
在所述化学式1-1至1-2中，
n'2为0或1，
n'3为0至3的整数，
L、Het、R1、R2、R3、R4、R5、n1、n2、n3、n4和n5与权利要求1中的定义相同。
3.根据权利要求1所述的化合物，其中，L为单键、亚苯基或亚萘基。
4.根据权利要求1所述的化合物，其中，Het为选自下述基团中的任一个：
Figure FDA0003138057180000031
在上述基团中，
R'各自独立地为取代或未取代的C6-60芳基；或者取代或未取代的包含选自N、O和S中的任一个或更多个杂原子的C5-60杂芳基。
5.根据权利要求4所述的化合物，其中，R'各自独立地为苯基、联苯基、萘基、三联苯基、苯基萘基、萘基苯基、菲基、三亚苯基、二甲基芴基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑-9-基或9-苯基-9H-咔唑基。
6.根据权利要求1所述的化合物，其中，R1、R2、R3、R4和R5各自独立地为氢或氘。
7.根据权利要求1所述的化合物，其中，由所述化学式1表示的化合物为选自下述化合物中的任一个：
Figure FDA0003138057180000041
Figure FDA0003138057180000051
Figure FDA0003138057180000061
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Figure FDA0003138057180000811
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Figure FDA0003138057180000871
8.一种有机发光器件，其中，包括：第一电极；与所述第一电极对置而设置的第二电极；以及设置在所述第一电极与所述第二电极之间的1层以上的有机物层，所述有机物层中的1层以上包含权利要求1至7中任一项所述的化合物。
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