CN109155306A - 灯丝和照明装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种灯丝。该灯丝包括串联电连接的若干串的辐射发射半导体芯片。灯丝还包括用于接触所述串的若干接触结构。接触结构电连接到具有半导体芯片的串的端部，使得可以通过接触结构对串进行电控制。此外，本发明涉及一种照明装置。

Description

灯丝和照明装置

技术领域

本发明涉及包括辐射发射半导体芯片的灯丝。本发明此外还涉及一种包括这种灯丝的照明装置。

本专利申请要求德国专利申请10 2016 109 665.2的优先权，其公开内容由此通过引用并入。

背景技术

包括发光二极管芯片的LED灯（发光二极管）现在越来越多地用于照明应用。它们包括所谓的改型灯，其看起来类似于传统的白炽灯，并且可以像传统的白炽灯一样使用。改型灯可以包括多个LED灯丝。多个LED灯丝是包括多个辐射发射半导体芯片的组件。灯丝的半导体芯片可以布置在公共的线性衬底上并且串联电连接。此外，半导体芯片可以被用于辐射转换的转换层所包围。对于电接触，灯丝可以包括布置在相对端部处的两个接触部（阳极、阴极）。配备有半导体芯片的灯丝的发光效果可以与传统白炽灯丝的发光效果相当。

改型灯的LED灯丝可以彼此串联和/或并联连接。除了灯丝之外，改型灯此外还可以包括驱动电路，使得来自AC电源的运转是可能的。借助于驱动器，可以以这样的方式转换电源电压：使得可以提供适合于LED灯丝的运转的正向电压。效率越高，所提供的正向电压就可以被调节得越接近电源电压。

在改型灯的情况下，一个要求在于：在发光运转期间提供具有足够精度的预定义的流明包。通常，流明包被赋予比效率更高的优先级。这具有如下影响：在所获得的电压以及因此效率方面进行折衷。

发明内容

本发明的目的是说明一种包括辐射发射半导体芯片的改进灯丝以及对应的照明装置。

该目的通过独立权利要求的特征来实现。在从属权利要求中说明本发明的其他有利实施例。

根据本发明的一个方面，提出了一种灯丝。该灯丝包括串联电连接的辐射发射半导体芯片的多个串。此外，灯丝包括用于与这些串电接触的多个接触结构。接触结构电连接到在这些串的端部处的半导体芯片，使得这些串可以经由接触结构电驱动。

灯丝的配置包括包含串联连接的半导体芯片的多个串（即至少两个串），其中，串可以经由接触结构电接触，在灯丝的电互连和驱动方面提供高度的灵活性。因此，可以在很大程度上独立于预定义的流明包而优化灯丝的互连，使得有效的运转模式成为可能。取决于灯丝的配置，例如，在运行期间提供被调节得尽可能接近电源电压（例如，包括230V、110V或120V的均方根值）的正向电压是可能的。可以在被配置为改型灯的照明装置中采用所提出的灯丝。在这种情况下，如果合适的话，灯丝（如果合适的话，以相同结构实施的其他灯丝）可以连接到驱动器。

在下文中将更具体地描述可以被考虑用于灯丝的其他可能的细节和实施例。

在一个实施例中，灯丝的辐射发射半导体芯片串沿着公共的虚拟线布置，例如沿直线布置。该配置可以相对于灯丝的平面图。以相同的方式，灯丝可以包括沿虚拟线—例如直线—延伸的配置。

接触结构是导电的，并且例如由金属材料构成。此外，接触结构是可触及的，使得接触结构可以被电接触，并且因此可以经由接触结构对串进行电驱动。灯丝可以以这样的方式被配置：使得串可以被至少彼此分开地加以电驱动。取决于灯丝的配置，也可以联合驱动灯丝的多个或所有串。在此上下文中此外还可以考虑以下配置。

在另一个实施例中，灯丝包括多个串，所述串包括辐射发射半导体芯片，所述辐射发射半导体芯片串联电连接以构成串联电路。在这种情况下，两个接触结构电连接到在串联电路的端部处的半导体芯片。此外，存在至少一个另外的接触结构，串联电路的两个串经由该至少一个另外的接触结构串联电连接。该至少一个另外的接触结构可以用作中间抽头。该配置使得能够灵活地电驱动灯丝。在这种情况下，可选地，灯丝的仅仅一个串或多个串或所有串联合地可以被供应电能并由此运转。

此外，关于上面提及的实施例，可以应用以下特征和细节。灯丝可以用串联电连接的两个灯丝来实现，并且因此可以仅包括一个另外的接触结构，两个串经由该另外的接触结构串联电连接。两个串可以包括相邻或相对的端部，并且该另外的接触结构可以电连接到在所述端部处的半导体芯片。灯丝也可以用串联连接的更多数量的串来实现，并且在这方面具有对应更多数量的另外的接触结构。在这里，每两个相邻的串可以经由另外的接触结构串联电连接。相关的两个串可以分别包括相邻或相对的端部，并且相关联的另外的接触结构可以电连接到在所述端部处的半导体芯片。

在另一个实施例中，灯丝包括多个串，所述串包括电隔离的辐射发射半导体芯片。在每个隔离串的情况下，两个接触结构电连接到相关串的端部处的半导体芯片。这种配置也使得能够灵活地电驱动灯丝。在这种情况下，可选地，灯丝的仅仅一个串或多个串或所有串一起（尽管彼此分开地）可以被供应电能并由此运转。

关于上面提及的实施例，此外以下配置也是可想到的。灯丝可以用电隔离并因此独立的两个或更多个串来实现。两个串或每两个相邻的串可以包括相对的端部。位于这些位置处的半导体芯片可以分别连接到专用的接触结构。在这种情况下，电连接到两个相邻串的相对的端部的半导体芯片的两个接触结构可以形成分离抽头。

在另一个实施例中，至少两个接触结构是可触及的，并且从而在灯丝的相对的端部处是可接触的。对于灯丝的所有串都连接以构成串联电路的情况，在灯丝的端部处可触及的两个接触结构此外还可以连接到在串联电路的端部处的半导体芯片，并且从而用作初级接触结构，借助于该初级接触结构，可以以公共的方式电驱动所有的串。

在另一个实施例中，至少一个接触结构在灯丝的相对的端部之间的区域中是可触及的。在灯丝包括串联连接的串的一种配置中，两个相邻的串可以经由这种接触结构进行电连接。在这种情况下，接触结构可以在两个相邻的串之间的区域中是可触及的，并且用作中间抽头。在灯丝包括电隔离的串的一种配置中，可以规定两个接触结构在两个相邻的串之间的区域中是可触及的。两个接触结构可以电连接到在相邻的串的端部处的半导体芯片，并且用作分离抽头。

在另一个实施例中，电连接到在串的端部处的半导体芯片的两个接触结构在灯丝的一个端部处是可触及的。在这种配置中，可以借助于在灯丝的同一个端部处是可触及的接触结构来电接触和驱动相关的串。在灯丝的这个端部处，如果合适的话，还可以存在至少一个另外的接触结构，其电连接到在不同串的一个端部处的半导体芯片。在上述实施例的基础上，可以实现灯丝的以下配置，在该配置中灯丝的所有接触结构仅在该灯丝的端部处是可触及的。以这种方式，灯丝可以包括均匀和对称的构造。

灯丝的辐射发射半导体芯片可以是发光二极管芯片（LED芯片），使得灯丝是LED灯丝。此外，灯丝可以被配置有用于辐射转换的转换材料。以这种方式，可以至少部分地转换由半导体芯片生成的辐射，并且灯丝可以发射由已转换的和未转换的辐射部分组成的光辐射，例如白光辐射。在此上下文中，还可以考虑以下配置。

在另一个实施例中，串的半导体芯片被用于辐射转换的转换层覆盖。可以由一种或多种转换材料构成的转换层可以包围所有半导体芯片。

在另一个实施例中，在灯丝的端部处的至少两个接触结构从转换层突出。结果，接触结构是可触及的，并且从而在这些位置处是可接触的。如果灯丝的所有串都连接以构成串联电路，则在灯丝的端部处从转换层突出的两个接触结构可以用作主接触结构，借助于该主接触结构，所有的串可以联合地电运转。

在另一个实施例中，至少一个接触结构从转换层横向突出，使得相关的接触结构是可触及的和可接触的。在灯丝包括串联连接的串的一种配置中，两个相邻的串可以经由这种接触结构电连接，并且接触结构可以用作中间抽头。在灯丝包括电隔离的串的一种配置中，灯丝可以包括从转换层横向突出的两个接触结构，所述接触结构电连接到在两个相邻的串的端部处的半导体芯片，并且因此用作分离抽头。

在另一个实施例中，串的半导体芯片分别被转换层的分开的层区段覆盖，所述层区段被分配给串。至少一个接触结构在转换层的两个相邻层区段的中间区域中是可触及的。在灯丝包括两个串的配置中，灯丝包括两个层区段，并且在包括更多数量的串的配置中，灯丝包括转换层的对应数量的层区段。如果将串串联连接，则可以经由在转换层的中间区域中是可触及的接触结构将两个相邻的串电连接，并且相关的接触结构可以用作中间抽头。在灯丝包括电隔离的串的配置中，两个接触结构可以在转换层的两个相邻层区段的中间区域中是可触及的。所述两个接触结构可以电连接到在两个相邻的串的端部处的半导体芯片，并且因此用作分离抽头。

在另一个实施例中，灯丝包括载体，半导体芯片和接触结构布置在该载体上。载体可以由透射辐射的材料构成，例如蓝宝石或玻璃材料。包括例如陶瓷材料的载体的不透明配置也是可能的。此外，载体可以包括线性形状，也就是说沿着虚拟线（例如直线）延伸的形状。该配置可以相对于灯丝的平面图。布置在载体上的接触结构可以以平面接触结构或接触焊盘的形式来实现。

灯丝的辐射发射半导体芯片可以包括接触部，半导体芯片可以经由所述接触部被接触并被供应电能。在每个半导体芯片的情况下，可以将接触部布置在同一芯片侧上。在此上下文中，还可以考虑以下配置。

在另一个实施例中，辐射发射半导体芯片包括前侧接触部。在这种情况下，半导体芯片可以被布置在载体上并且借助于接合线在串中彼此串联电连接。位于串的端部处的半导体芯片也可以经由接合线连接到相关联的接触结构。

在另一个实施例中，辐射发射半导体芯片包括后侧接触部。在这种情况下，灯丝可以包括载体，除了用于电接触和驱动串的接触结构之外，所述载体还可以包括另外的接触结构，通过所述另外的接触结构，串中的半导体芯片可以彼此串联电连接。经由后侧接触部，半导体芯片可以电连接和机械连接到接触结构和所述另外的接触结构。在这些位置处，例如可以经由诸如焊料或导电粘合剂的导电连接介质产生连接。

在另一个实施例中，如在使用在一个芯片侧上具有接触部的半导体芯片的情况下同样可以考虑的，可以相对于彼此交替侧向倒置地布置串的半导体芯片。这涉及半导体芯片的前侧和后侧。在这种情况下，半导体芯片或半导体芯片的至少一部分可以经由它们的接触部彼此电连接和机械连接。在这些位置处，例如可以经由诸如焊料或导电粘合剂的导电连接介质产生连接。

例如，包括交替侧向倒置布置的半导体芯片的灯丝可以包括串联电连接的串。在这种情况下，通过在相邻串的端部处的半导体芯片的接触部连接到接触结构，可以经由接触结构（分别）连接两个相邻的串。在这样的位置处，可以经由导电连接介质产生连接。如果合适的话，在连接到接触结构的半导体芯片和同一串的另一半导体芯片之间可以布置附加的导电或金属补偿元件，两个半导体芯片连接到该补偿元件。结果，由于接触结构引起的在该位置处可能存在的扩大的距离可以得到补偿。

在灯丝包括电隔离的串的一种配置中，所述电隔离的串包括交替侧向倒置布置的半导体芯片，来自两个不同的相邻串的端部的半导体芯片所连接到的接触结构可以例如经由连接接触结构的绝缘连接元件而彼此机械连接。电隔离的串经由转换层机械连接也是可能的。

在另一个实施例中，灯丝包括载体，所述载体横向围绕半导体芯片。这种载体可以通过封装半导体芯片来制造，并且可以由反射材料构成。反射材料可以是例如塑料材料，该塑料材料包括嵌入在其中的反射颗粒。接触结构，例如在灯丝的端部处可触及的接触结构，可以被布置在载体上。此外可能的是，至少一个接触结构被载体至少部分地横向围绕。这可以例如在用作中间抽头的接触结构方面予以考虑。此外，可以使用接合线，经由所述接合线，串中的半导体芯片可以彼此串联电连接，并且位于串的端部处的半导体芯片可以连接到相关联的接触结构。

灯丝的串包括多个串联电连接的半导体芯片，即至少两个半导体芯片。在另一个实施例中，灯丝的串包括不同数量的半导体芯片。借助于该实施例，在应用合适的驱动器概念时，可以促进有效的运转模式。由于串中的半导体芯片的数量不同，可以以这样的方式驱动串：使得将所提供的正向电压被调节得尽可能接近电源电压。

根据本发明的另一方面，提出了一种包括灯丝的照明装置。灯丝包括上述构造或根据上述一个或多个实施例的构造。由于包括多个串的灯丝的配置，所述多个串包括串联电连接的辐射发射半导体芯片，其中所述串经由接触结构是电可接触的和可驱动的，所述灯丝可以在照明装置中以这样的方式互连：使得灯丝可以高效运转。

在一个实施例中，照明装置是改型灯。在这种配置中，照明装置可以包括灯泡，灯丝被布置在灯泡内。另一个可能的组成部分是灯座，其被配置有用于照明装置的电接触的螺纹。

根据另一个实施例，照明装置包括连接到灯丝的驱动器，借助于该驱动器，可以将电源电压（AC电压或电源AC电压）转换成适合于运转灯丝的串的正向电压。驱动器被配置为以这样的方式驱动灯丝的串并从而以这样的方式向所述灯丝的串供应电能：使得正向电压被调节到电源电压。如上所指示的，由于灯丝的构造，可能的是以与电源电压紧密适配的方式提供正向电压。以这种方式，可以实现照明装置的有效运转模式，并且可以将照明装置的运转期间的损失保持为很小。

关于正向电压与电源电压的适配，驱动器可以被配置为可选地驱动灯丝的单个、多个或所有串。以这种方式，被提供为用于运转灯丝并被施加到灯丝或其串的正向电压可以包括阶梯式走向。在这种情况下，借助于驱动器，分别随着电源电压的量级（电压绝对值）增加，灯丝的越来越多的半导体芯片可以进行电运转。在电源电压的最大量级（峰值）的区域中，所有的串以及因此灯丝的所有半导体芯片都分别可以进行电运转。以对应的方式，分别随着电源电压的量级减小，灯丝的越来越少的半导体芯片可以进行电运转。在电源电压的过零区域中，所有的串以及因此灯丝的所有半导体芯片都可以不运转。

此外，关于包括驱动器的照明装置的配置可以应用以下实施例。

在另一个实施例中，照明装置包括用于驱动灯丝的串的多级驱动器。关于该实施例，可以应用灯丝包括串联电连接的串的配置。多级驱动器使得能够以这样的方式驱动串：使得所提供的正向电压被调节得尽可能接近电源电压。

在另一个实施例中，在分开的电路中将灯丝的串互连。关于该实施例，可以应用灯丝包括电隔离的串的配置。为了驱动串的目的，照明装置可以包括被分配给各个串并连接到各个串的驱动器单元。驱动器单元可以组合在公共驱动器中。公共驱动器同样使得能够以这样的方式驱动串：使得所提供的正向电压被调节得尽可能接近电源电压。

此外，照明装置可以被配置有多个上述构造的灯丝。灯丝可以在结构上相同地加以实施。而且，灯丝可以串联互连和/或并联互连。由于灯丝的构造，对于不同的串联和/或并联电路具有很大的自由度。在这种情况下，可以独立于预定义的流明包而在最大可能程度上优化互连。

可以单独地或者彼此任意组合地应用上面已经解释和/或在从属权利要求中再现的本发明的有利配置和发展——除了例如在明显从属或不兼容的替代方案的情况下。

附图说明

结合以下结合示意图更详细解释的示例性实施例的描述，本发明的上述属性、特征和优点以及实现它们的方式将变得更加清楚并且被更加清楚地理解，其中：

图1和图2示出了灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括两个串联连接的半导体芯片串、转换层和在串之间可触及的接触结构；

图3和图4示出了包括载体的另一灯丝的横向图示和平面图图示，该载体包括半导体芯片，所述半导体芯片包括前侧接触部，所述半导体芯片被布置在所述载体上；

图5和图6示出了另一灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括从转换层横向突出的接触结构；

图7至图9示出了另一灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括延伸至灯丝的一个端部那么远的接触结构；

图10和图11示出了另一灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括电隔离的半导体芯片串；

图12和图13示出了另一灯丝的横向视图和平面图图示，该灯丝包括三个串联连接的半导体芯片串；

图14和图15示出了另一灯丝的横向视图和平面图图示，该灯丝包括两个串联连接的半导体芯片串，所述半导体芯片包括后侧接触部；

图16和图17示出了另一灯丝的横向视图和平面图图示，该灯丝包括从转换层横向突出的接触结构；

图18和图19示出了另一灯丝的横向视图和平面图图示，该灯丝包括半导体芯片串，所述半导体芯片相对于彼此交替侧向倒置布置；

图20和图21示出了另一灯丝的横向视图和平面图图示，该灯丝包括相对于彼此交替侧向倒置布置的半导体芯片和从转换层侧向突出的接触结构；

图22至图24示出了另一灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括横向围绕半导体芯片的载体；

图25至图27示出了另一灯丝的横向图示和平面图图示，该灯丝包括横向围绕半导体芯片的载体和从转换层横向突出的接触结构；

图28示出了包括灯丝的改型灯；

图29示出了灯丝串与分开的驱动器单元的互连；

图30示出了灯丝串与多级驱动器的互连；

图31示出了带有电压分布的图表；和

图32示出了来自图31的图表的放大摘录，其具有灯丝串的驱动的附加图示。

具体实施方式

参考以下示意图描述被配置用于发射光辐射的灯丝100的可能配置。可以在改型灯200形式的照明装置中使用的灯丝100包括这样一种配置：使得可以在不同的电互连和运转模式方面具有高度的灵活性。

应指出的是，这些附图仅仅是示意性的，并不是按比例的。在这个意义上，为了提供更好的理解，可以用夸大的尺寸或尺寸减小来图示附图中所示的组件和结构。此外，例如，灯丝100可以用所示的不同数量的组件（诸如半导体芯片120）来实现。以相同的方式，除了所示出和描述的组件之外，灯丝100还可以包括其他组件和结构。

图1示出了发光灯丝100的横向图示，图2示出了发光灯丝100的平面图图示。这里示出的构造可以被视为基本原理，参考随后的附图描述的灯丝100的配置是基于该基本原理并且可以从该基本原理中导出所述配置。灯丝100包括串联电连接的辐射发射半导体芯片120的两个串111、112。两个串111、112包括不同数量的半导体芯片120。此外，串111、112本身串联电连接以构成串联电路。如在灯丝100的平面图中所见，沿着公共的直线布置灯丝100的所有半导体芯片120。

灯丝100还包括用于辐射转换的转换层160，所述转换层覆盖半导体芯片120。在当前情况下，将转换层160细分为被分配给各个串111、112的两个分开的层区段，半导体芯片120被所述层区段包围。由于包络转换层160而不可见的半导体芯片120在图1、图2中由虚线表示。

半导体芯片120可以是发光二极管芯片。借助于转换层160，可以将在运转期间由半导体芯片120生成的初级光辐射至少部分地转换成一个或多个次级光辐射。以这种方式，灯丝可以发射光辐射，该光辐射可以包括初级和次级辐射部分，即未转换和已转换的辐射部分。例如，初级光辐射可以是蓝光辐射，其借助于转换层160被转换成黄光辐射，使得通过这些光辐射的叠加，灯丝100可以发射白光辐射。举例来说，蓝光辐射被部分转换成红光辐射以及部分转换成绿光或黄绿光辐射也是可能的，使得同样可以通过叠加而生成白光辐射。

出于电接触和驱动的目的，图1、图2中所示的灯丝100包括三个接触结构131、132、133。由导电或金属材料构成的接触结构131、132、133电连接到两个串111、112的相对的端部的半导体芯片120。

在三个接触结构中的两个接触结构131、132电连接到在包括两个串111、112的串联电路的端部处的半导体芯片120。两个接触结构131、132位于灯丝的相对的端部100处，并且在这些位置处是可触及的。在灯丝100的端部之间的区域中，特别是在转换层160的分开的层区段之间的中间区域中的串111、112之间，另一接触结构133是可触及的。接触结构133电连接到两个串111、112的相互相对的端部的半导体芯片120，使得串111、112经由接触结构133串联电连接。

灯丝100的结构在电互连和驱动方面实现了高度的灵活性。端侧处的两个接触结构131、132可以被用作主接触结构，借助于所述主接触结构，两个串111、112可以被联合供应电能。另一接触结构133可以被用作中间抽头，以便可选地仅运转串111、112中的一个。在这种情况下，可以借助于接触结构131、133电驱动串111，并且可以借助于接触结构132、133电驱动另一个串112。

下面描述可以被考虑用于发光灯丝100的其他可能的配置和变型。在下文中不再详细描述对应的特征和优点以及相同和相同作用的组件。对于关于它们的细节，改为参考上面的描述。此外，关于灯丝100的一种配置所提及的各方面和细节也可以应用于另一种配置，并且两种或更多种配置的特征可以彼此组合。

图3、图4示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝100包括辐射发射半导体芯片120的两个串111、112以及三个接触结构131、132、133，所述串串联电连接，所述三个接触结构131、132、133电连接到在串111、112的端部处的半导体芯片120。可以被用作主接触结构的两个接触结构131、132电连接到包括两个串111、112的串联电路的端部处的半导体芯片120。串111、112的相对的端部的半导体芯片120连接到可以被用作中间抽头的接触结构133，使得串111、112经由接触结构133串联连接。

图3、图4中所示的灯丝100此外还包括线性载体150，半导体芯片120和接触结构131、132、133被布置在线性载体150上。例如，载体150可以由诸如蓝宝石或玻璃材料的透明材料构成。例如，包括陶瓷材料的载体150的不透明构造也是可以想到的。可以以接触焊盘的形式实现被布置在载体150上的接触结构131、132、133，如图3、图4中所指示的。

图3指示了半导体芯片120的一种可能的配置，所述半导体芯片120中每一个都包括两个前侧接触部121，接合线170连接到前侧接触部121。借助于接合线170，串111、112中的半导体芯片120彼此串联电连接。以相同的方式，位于串111、112的端部处的半导体芯片120经由接合线170电连接到相关联的接触结构131、132、133。例如借助于粘合剂（未示出），可以将半导体芯片120固定在载体150上。

图3、图4中所示的灯丝100此外还包括转换层160，将转换层160细分为被分配给串111、112的两个层区段。在这种情况下，半导体芯片120的区域中的载体150和布置在载体150上的半导体芯片120与接合线170一起被转换层160包围。接触结构131、132、133仅部分地被转换层160覆盖，并且在接触结构131、132的情况下，与载体150一起在灯丝100的端部处从转换层160突出，使得接触结构131、132、133可触及以用于接触。

图5、图6示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝100包括与图3、图4相比略微修改的结构。该灯丝100也包括包含前侧接触部121的辐射发射半导体芯片120的两个串111、112和载体150，所述串串联电连接并且所述载体150包括三个接触结构131、132、133。另一组成部分是转换层160，其包围在半导体芯片120的区域中的载体150和布置在载体150上的半导体芯片120。在图5、图6所示的配置中，转换层160未被细分为分开的层区段，而是包括连续的形式。

图5、图6中所示的灯丝100的另一个不同之处在于接触结构133的配置。接触结构133与两个串111、112的相对的端部的半导体芯片120电连接，所述接触结构133从转换层160横向突出。以这种方式，在该位置处的接触结构133可触及以用于接触，并且因此可以被用作横向中间抽头。如果合适的话，载体150也可以包括从转换层160横向突出的并且接触结构133被布置在其上的部分区段（未图示出）。

图7至图9示出了另一灯丝100的横向截面图示和两个平面图图示，该灯丝包括包含前侧接触部121的半导体芯片120的两个串111、112、载体150和连续转换层160，所述串串联电连接，所述载体150包括三个接触结构131、132、133，所述连续转换层160包围半导体芯片120和在半导体芯片120的区域中的载体150。图8中的平面图图示出了没有转换层160的灯丝100。清楚的是，用作中间抽头的接触结构133包括朝向侧面发展并延伸到灯丝100的一个端部的形状。

在这种情况下，接触结构133包括在串111、112之间的区段141，在两个串111、112的相对的端部处的半导体芯片120经由接合线170电连接到该区段。此外，接触结构133包括平面区段143，该平面区段在灯丝100的一个端部处是可触及的并且未被转换层160覆盖。区段141、143经由接触结构133的另一区段142连接，所述另一区段在从区段141相对于串112的半导体芯片120横向地以远至端侧上的区段143的方式延伸。在灯丝100的这个端部处，接触结构132此外还相对于区段143被横向定位。如图8中所图示的，接触结构132可以包括例如适配于区段143的L形的平面视图形状。

在图7至图9中所示的灯丝100的情况下，接触结构132、133电连接到在串112的相对的端部处的半导体芯片120，使得可以经由接触结构132、133电驱动串112。然而，与上述配置相反，两个接触结构132、133在灯丝100的同一端部处可触及以用于接触。

在一个可能的修改（未图示出）中，灯丝100可以以这样的方式被配置：使得与图8不同的接触结构133延伸到灯丝100的相对端部，并且接触结构131、133在灯丝100的同一端部处是可触及的。在这种情况下，接触结构131可以包括适配的例如L形的平面视图形状。

图10、图11示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝100包括串联连接的半导体芯片120的两个串111、112、载体150和转换层160，该转换层被细分为分配给串111、112的两个分开的层区段。与上述配置相比，串111、112不是串联连接的，而是彼此电隔离的。因此，在载体150上布置四个导电或金属接触结构131、132、133、134。可以以接触焊盘的形式实现所述接触结构，如图10、图11中所指示的。

在每个串111、112的情况下，两个接触结构电连接到在相关串111、112的相对的端部处的半导体芯片120，具体地，在串111的情况下两个接触结构为接触结构131、133，而在串112的情况下，两个接触结构为接触结构132、134。接触结构131、132位于灯丝100的端部处，并且与载体150一起在这些位置处从转换层160的层区段突出，使得接触结构131、132是可触及的。电连接到在不同的串111、112的相对的端部处的半导体芯片120的其他接触结构133、134在转换层160的层区段之间的中间区域中的串111、112之间是可触及的，并且在该位置处从转换层160的层区段中突出。接触结构133、134形成分开式抽头。

如图10中所示，灯丝100再次包括包含前侧接触部121的半导体芯片120。在串111、112中的半导体芯片120之间以及在串111、112的端部处的半导体芯片120与接触结构131、132、133、134之间的电连接经由接合线170产生。

包括如图10、图11中所描绘的半导体芯片120的电隔离串111、112的灯丝100同样在电互连和驱动方面提供高度的灵活性。可选地，借助于相关联的接触结构，可以仅电驱动和运转一个串111、112，即借助于接触结构131、133驱动串111或借助于接触结构132、134驱动串112。也可以经由相关联的接触结构131、132、133、134将两个串111、112一起驱动，尽管彼此是分开的。

对于包括电隔离的串111、112的灯丝100，可以想到其中可以应用上述设计的特征的替代配置。举例来说，与图10、图11不同，这种灯丝100可以用连续转换层160来实现。关于电连接到不同串111、112的相对的端部的半导体芯片120并被用作分离抽头的接触结构133、134，与如图5、图6中所示的灯丝100相对应的配置是可能的。在这种情况下，接触结构133、134可以从转换层160横向突出，并且从而可触及以用于接触。如果合适的话，灯丝100的载体150可以包括从转换层160横向突出并且接触结构133、145被布置在其上的部分区段（未图示出）。

此外，对于包括电隔离的串111、112的灯丝100，可以考虑与图7至图9相当的构造。在这种情况下，灯丝100也可以包括连续转换层160。接触结构133、134电连接到不同的串111、112的相对的端部的半导体芯片120并且被用作分离抽头，所述接触结构133、134可以以这样的方式被配置：使得每个接触结构133、134延伸到灯丝100的一个端部。这可以涉及灯丝100的相对的端部。在这些位置处，在每种情况下，另外的接触结构131或132分别可以存在且是可触及的，该另外的接触结构分别电连接到相关串111或112的相对端部的半导体芯片120。在这种配置中，可以分别借助于接触结构131、133或132、134电驱动串111、112，接触结构131、133或132、134分别在灯丝100的同一端部处是可触及的（未图示出）。

此外，可以实现不仅包括两个而且包括更多数量的半导体芯片120串并且因此包括多个中间抽头或分离抽头的灯丝100。为了示例性说明，图12、图13示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝包括与图3、图4相当的结构。灯丝100包括包含不同数量辐射发射半导体芯片120的三个串111、112、113以及四个接触结构131、132、133、134，所述串串联电连接，所述接触结构电连接到在串111、112、113的端部处的半导体芯片120。将半导体芯片120和接触结构131、132、133、134布置在载体150上。接触结构131、132、133、134可以以接触焊盘的形式实现。在串111、112、113中的半导体芯片120彼此之间以及在串111、112、113的端部处的半导体芯片120与相关联的接触结构131、132、133、134之间的电连接经由连接到半导体芯片120的前侧接触部121的接合线170产生。灯丝100的另一组成部分是包围载体150和半导体芯片120的转换层160，该转换层在本例中被细分为分配给串111、112、113的三个层区段。

如图12中所示，两个接触结构131、132电连接到在包括三个串111、112、113的串联电路的相对的端部处的半导体芯片120。两个接触结构131、132位于灯丝100的相对的端部处并且在这些位置处从转换层160突出，由此接触结构131、132可触及以用于电接触。类似于接触结构131、132仅部分地被转换层160覆盖的另外的接触结构133、134在转换层160的分开的层区段之间的中间区域中的串111、112、113之间是可触及的。在这种情况下，接触结构133位于两个相邻的串111、112之间，并且电连接到串111、112的相对的端部的半导体芯片120。另一个接触结构134位于两个相邻的串112、113之间，并且电连接到串112、113的相对的端部的半导体芯片120。以这种方式，分别相邻的串111、112和112、113以及因此所有的串111、112、113经由接触结构133、134串联电连接。

在端侧处的两个接触结构131、132可以被用作主接触结构，借助于所述主接触结构，灯丝100的所有串111、112、113可以被联合供应电能。另外的接触结构133、134可以被用作中间抽头，以便可选地仅电驱动单个串111、112、113或者串111、112、113中的一部分，即两个。

关于包括如图12、图13中所示的半导体芯片120的三个串111、112、113的灯丝100，还可以考虑替代配置。举例来说，与图5、图6中所示的构造相对应的配置是可以想到的。在这种情况下，灯丝100可以包括连续转换层160和可以从转换层160横向突出（未图示出）的接触结构133、134，所述接触结构133、134用作中间抽头并且分别电连接到两个相邻的串111、112和112、113的相对的端部的半导体芯片120。

此外，与图7至图9相当的构造是可能的。在这种情况下，灯丝100也可以包括连续转换层160。用作中间抽头的接触结构133、134可以以这样的方式被配置：使得接触结构133、134延伸到灯丝100的相对的端部。以这种方式，在灯丝100的一个端部处两个接触结构131、133可以是可触及的并且从而是可电接触的（未图示出），在灯丝100的另一个端部处两个接触结构132、134可以是可触及的并且从而是可电接触的（未图示出）。

此外，还可以考虑与图10、图11相当的包括三个电隔离的串111、112、113的灯丝100的结构。在这种情况下，灯丝100包括总共六个接触结构，并且每个串111、112、113被分配有两个接触结构，所述接触结构电连接到在相关的串111、112、113的端部处的半导体芯片120。在该设计中，灯丝100可以包括转换层160，将该转换层160细分被分配给串111、112、113的三个层区段。两个接触结构在灯丝100的相对的端部处可以是可触及的。两个接触结构分别在串111、112、113之间以及在转换层160的层区段之间的中间区域中可以是可触及的。与该实施例不同，还可以提供基于与上面解释的那些设计不同的其他设计的配置，例如包括连续转换层160并且包括从转换层160横向突出的接触结构，或者包括延伸到灯丝100的端部的接触结构（在每种情况下均未图示出）。

在上面演示的方法的基础上，此外还可以实现包括半导体芯片120的更多数量的串的灯丝100。串可以串联电连接或电隔离。此外，作为示例，其中灯丝100包括多个串联连接的串和至少一个与它们电隔离的串的配置也是可能的（在每种情况下均未图示出）。

进一步可能的修改包括使用辐射发射半导体芯片或发光二极管芯片120的其他设计。为了示例性说明，图14、图15示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝包括与图3、图4相当的结构。灯丝100包括串联电连接的半导体芯片120的两个串111、112和用于电接触和驱动串111、112的三个接触结构131、132、133，所述接触结构电连接到在串111、112的端部处的半导体芯片120。串111、112包括不同数量的半导体芯片120。此外，串111、112本身串联电连接以构成串联电路。辐射发射半导体芯片120不包括前侧接触部，而是包括后侧接触部122。在该配置中，半导体芯片120可以是所谓的倒装芯片。

图14、图15中所示的灯丝100的另一个组成部分是载体150，除了被提供用于接触串111、112的接触结构131、132、133之外，载体还包括另外的接触结构137。经由接触结构137，串111、112中的半导体芯片120彼此串联电连接。与接触结构131、132、133一样，接触结构137由导电或金属材料构成。而且，布置在载体150上的接触结构131、132、133、137可以以接触焊盘的形式实现。

半导体芯片120经由它们的后侧接触部122电连接和机械连接到对应的接触结构131、132、133、137。在这些位置处，可以经由导电连接介质—例如焊料或导电粘合剂（未图示出）—产生连接。

图14、图15中所示的灯丝100此外还包括转换层160，将该转换层160细分为分配给串111、112的两个层区段。在这种情况下，半导体芯片120的区域中的载体150和布置在载体150上的半导体芯片120被转换层160包围。

两个接触结构131、132电连接到在包括两个串111、112的串联电路的端部处的半导体芯片120。以这种方式，接触结构131、132可以被用作主接触结构，借助于所述主接触结构，两个串111、112可以被联合供应电能。两个接触结构131、132位于灯丝100的端部处，并且在这些位置处与载体150一起从转换层160突出，使得接触结构131、132可触及以用于接触。另外的接触结构133电连接到两个串111、112的相对的端部的半导体芯片120，使得串111、112经由接触结构133串联电连接，所述另外的接触结构133在转换层160的两个层区段之间的中间区域中的串111、112之间是可触及的。接触结构133可以被用作中间抽头，以便可选地仅电驱动串111、112中的一个。

对于图14、图15中所示的灯丝100，可以以相同的方式考虑从上面演示的设计中导出的替代配置，其中该灯丝100包括半导体芯片120和另外配备有接触结构137的载体150，所述半导体芯片120包括后侧接触部122，串111、112中的半导体芯片120经由所述接触结构137彼此电连接在一起。

例如，与图5、图6中所示的构造相对应的配置是可想到的。在这个意义上，图16、图17示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝100包括半导体芯片120的两个串111、112以及载体150，所述半导体芯片120包括后侧接触部122，所述串串联电连接并且所述载体150包括接触结构131、132、133、137。灯丝100此外还包括转换层160，该转换层160包围半导体芯片120和在半导体芯片120的区域中的载体150，所述转换层包括连续的形状。接触结构133从转换层160横向突出，所述接触结构133电连接到两个串111、112的相对的端部的半导体芯片120，并且可以被用作中间抽头。如果合适，载体150可以包括从转换层160横向突出并且接触结构133被布置在其上的部分区段（未图示出）。

对于包括包含后侧接触部122的半导体芯片120的灯丝100，此外还可以是这样的配置：在该配置中与图7至图9中所示的构造对应的接触结构133延伸到灯丝100的端部，使得所有接触结构131、132、133在灯丝100的相对的端部处是可触及的。考虑的另一种修改是包括电隔离的串111、112的灯丝100，其可以用与图10、图11相当的构造来实现。在这种情况下，可以使用包括接触结构137并且包括用于接触串111、112的四个接触结构131、132、133、134的载体150。经由接触结构137，串111、112中的半导体芯片120可以彼此电连接。在四个接触结构131、132、133、134中的两个分别可以电连接到串111、112的端部的半导体芯片120。此外，根据上面解释的设计，可以考虑包括半导体芯片120的更多数量的串的变型（在每种情况下均未图示出）。

图18、图19以横截面图示和平面图图示示出了可以被考虑用于灯丝100的另一种设计，灯丝100包括辐射发射半导体芯片120，所述半导体芯片包括后侧接触部122。灯丝100包括串联电连接的半导体芯片120的两个串111、112和用于电接触和驱动串111、112的三个接触结构131、132、133，它们在串111、112的端部处电连接到半导体芯片120。接触结构131、132、133可以以平面形状实现。串111、112包括不同数量的半导体芯片120，并且它们自身串联电连接以构成串联电路。另一个组成部分是包围半导体芯片120的转换层160，将所述转换层细分为分配给串111、112的两个层区段。

如图18中所示，串111、112中的半导体芯片120关于前侧和后侧相对于彼此交替侧向倒置地布置，并且经由它们的接触部122彼此电连接和机械连接。在这些位置处，可以经由导电连接介质（例如焊料或导电粘合剂）产生连接。位于串111、112的端部处的半导体芯片120也可以以这种方式连接到接触结构131、132、133（未图示出）。

两个接触结构131、132电连接到在包括两个串111、112的串联电路的端部处的半导体芯片120。结果，接触结构131、132可以被用作主接触结构，借助于所述主接触结构，可以联合电驱动两个串111、112。接触结构131、132位于灯丝100的端部处并且在这些位置处从转换层160的层区段突出，使得接触结构131、132可触及以用于接触。另外的接触结构133被配置有细长形状并且电连接到两个串111、112的相对端部的半导体芯片120，使得串111、112串联电连接，所述另外的接触结构133在转换层160的层区段之间的中间区域中的串111、112之间是可触及的。接触结构133可以用作中间抽头，以便可选地仅电运转串111、112中的一个。

图18此外还示出了导电或金属补偿元件139在串112中的可能使用，以用于将连接到接触结构133的半导体芯片120连接到同一串112的另一半导体芯片120上。以这种方式，由于接触结构133而在该位置处存在的距离的增加可以得到补偿。相关的半导体芯片120或它们的后侧接触部122可以经由导电连接介质（未图示出）连接到补偿元件139。

对于图18、图19中所示的并且包括相对于彼此侧向倒置布置的半导体芯片120的灯丝100，可以以相同的方式考虑从上面演示的设计中导出的修改的配置。

举例来说，与图5、图6相当的构造是可能的。在这个意义上，图20、图21因此示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝100包括半导体芯片120的—串联电连接的—两个串111、112，所述半导体芯片120包括后侧接触部122，所述半导体芯片120相对于彼此侧向倒置地被布置并且经由接触部122彼此连接。另一个组成部分是包围半导体芯片120并包括连续形状的转换层160。接触结构133从转换层160横向突出，该接触结构133电连接到两个串111、112的端部的相邻半导体芯片120并且位于其后侧接触部122之间，并且可以用作中间抽头。接触结构133可以包括具有小宽度的细长形状。此外，在串112中提供导电补偿元件139，连接到接触结构133的半导体芯片120经由该补偿元件连接到同一串112的另一半导体芯片120上。

此外，可以考虑用于灯丝100的进一步配置，该灯丝100包括相对于彼此侧向倒置布置的半导体芯片120。例如，以与图7至图9中所示的构造类似的方式构成接触结构133是可能的，其形状延伸到灯丝100的端部，使得所有接触结构131、132、133在灯丝100的相对的端部处是可触及的。另一种可能的设计是包括电隔离的串111、112和四个接触结构131、132、133、134的灯丝100，接触结构的其中两个分别电连接到在串111、112的端部处的半导体芯片。在这种情况下，电连接到不同串111、112的相邻端部的半导体芯片120并且用作分离抽头的接触结构133、134例如可以以彼此机械连接并彼此电绝缘的方式—例如使用连接接触结构133、134的绝缘连接元件—加以实施。串111、112经由转换层160机械地保持在一起也是可能的。此外，根据上面解释的配置，可以考虑包括半导体芯片120的更多数量的串的变型（在每种情况下均未图示出）。

进一步可能的修改包括使用载体的其他设计。在这个意义上，图22至图24示出了另一灯丝100的横向截面图示和两个平面图图示，该灯丝包括串联电连接的半导体芯片120的两个串111、112和用于电接触和驱动串111、112的三个接触结构131、132、133，所述接触结构电连接到在串111、112的端部处的半导体芯片120。串111、112包括不同数量的半导体芯片120。此外，串111、112本身串联电连接在一起以构成串联电路。另一个组成部分是转换层160，将该转换层160细分为分配给串111、112的两个层区段。图23中的平面图图示示出了没有转换层160的灯丝100。

如图22、图23中所示，灯丝100包括载体151，载体151横向围绕半导体芯片120。载体151和半导体芯片120包括对应的厚度。此外，配置有细长形状的接触结构133由载体151横向围绕，并且为此目的配置有与半导体芯片120和载体151相对应的厚度。位于灯丝100的相对的端部处的另外两个接触结构131、132被布置在载体151上并且以接触焊盘的形式加以配置。

例如，载体151可以由反射材料构成。这可以是包含嵌入的反射颗粒（例如TiO₂）的塑料材料（例如硅树脂或环氧树脂）。在制造的上下文中，例如通过执行模制过程或通过灌封载体151的材料，可以用载体151的材料封装半导体芯片120和接触结构133。

图22、图23指示了包括前侧接触部（未图示出）的半导体芯片120的设计，接合线170连接到所述前侧接触部。经由接合线170，在串111、112中的半导体芯片120彼此之间以及在串111、112的端部处的半导体芯片120与相关联的接触结构131、132、133之间产生电连接。

在半导体芯片120的区域中用转换层160的层区段包围载体151。接触结构131、132、133仅部分地被转换层160覆盖，并且在接触结构131、132的情况下，与载体150一起在灯丝100的端部处从转换层160突出，使得接触结构131、132、133可触及以用于接触。

两个接触结构131、132电连接到在包括两个串111、112的串联电路的端部处的半导体芯片120，并且可以被用作主接触结构，以用于联合电驱动两个串111、112。另外的接触结构133电连接到两个串111、112的相对的端部的半导体芯片120，使得串111、112串联电连接，并且在转换层160的分开的层区段之间是可触及的，所述另外的接触结构133可以用作中间抽头，以便可选地仅电驱动串111、112中的一个。

对于在图22至图24中所示的并且包括封装的载体151的灯丝100，替代的配置是可想到的。例如，在端部侧处的接触结构131、132也可以被载体151横向围绕，并且为此目的，接触结构131、132可以被配置有与半导体芯片120和载体151相对应的厚度。以对应的方式，接触结构133可以被布置在载体151上并且以接触焊盘的形式加以配置。此外，可以考虑从上面演示的设计中导出的替代配置。

例如，与图5、图6相当的构造是可能的。在这个意义上，图25至图27示出了另一灯丝100的横向截面图示和平面图图示，该灯丝包括半导体芯片120的两个串111、112—所述串串联电连接、三个接触结构131、132、133和横向围绕半导体芯片120的载体151。两个接触结构131、132布置在载体151上，而接触结构133部分地由载体151横向围绕。另一个组成部分是包围载体并且包括连续形状的转换层160，其在图26中的平面图图示中被省略。接触结构133从转换层160横向突出。

对于包括横向围绕半导体芯片120的载体151的灯丝100，与图7至图9相当并且包括延伸到灯丝100的端部的接触结构133的配置此外也是可想到的。在这种情况下，例如可以将接触结构133布置在载体151上。此外，可以提供与图10、图11相当的设计，也就是说包括电隔离的串111、112和四个接触结构131、132、133、134，其中的两个分别电连接到在串111、112的端部处的半导体芯片120。在这种情况下，与不同的串111、112的相邻端部的半导体芯片120电连接并用作分离抽头的接触结构133、134可以被载体151横向围绕。此外，根据上面解释的配置，可以考虑包括半导体芯片120的更多数量的串的变型（在每种情况下未图示出）。

如上所指示，如参考图1至图27所解释的发光灯丝100的配置和变型可以被用在改型灯200中。为了说明，图28图示出了这样的改型灯200，该改型灯包括由虚线指示的灯丝100。改型灯200包括灯泡201，灯丝100布置在灯泡201内。此外，改型灯200包括灯座202，灯座202包括螺纹。为了电接触并因此连接到电源，可以将包括灯座202的改型灯200旋拧入合适的灯架（未图示出）中。

改型灯200此外还包括驱动电路，该驱动电路连接到灯丝100并且借助于该驱动电路可以将电源电压转换成适合于灯丝100的串的运转的正向电压。在此上下文中，灯丝100的上述配置使得能够在电互连方面具有高度的灵活性。在这种情况下，可以独立于预定义的流明包而将互连优化到最大可能的程度，以便实现有效的运转模式。关于可能的互连的细节将参考以下附图更具体地解释。

可以例如在分开的电路中将灯丝100的串互连。例如，在包括电隔离串的灯丝100的情况下，可以采用这种配置。为了说明，图29图示出了这种灯丝100的一种可能的互连，其中作为示例图示出的灯丝100包括半导体芯片的两个电隔离的串111、112。灯丝100可以包括例如对应于图10、图11的构造。如图29中所图示的，串111、112电连接到分开的驱动器单元210。借助于驱动器单元210，可以彼此分开地电驱动串111、112，也就是说，彼此分开地具有施加到其上的正向电压。为此目的，驱动器单元210连接到被提供用于接触串111、112的接触结构。驱动器单元210可以是布置在改型灯200中并在改型灯200（未图示出）的运转期间连接到电压源（电源）的公共驱动器电路的一部分。

在灯丝100包括串联电连接的串的一种配置中，多级驱动器220可以被用于驱动灯丝100，如图30中所示。这里作为示例图示出的灯丝100包括半导体芯片的三个串联连接的串111、112、113。灯丝100可以包括例如对应于图12、图13的构造。布置在改型灯200中的驱动器220连接到被提供用于接触串111、112、113的接触结构，并且在改型灯200的运转期间连接到电压源225（电源）。电压源225可以提供例如包括均方根值230V的AC电压。可以借助于驱动器220电驱动灯丝100的单个、多个或所有的串111、112、113。在这种情况下，驱动器220可以提供施加到灯丝100并被调节为尽可能接近电源电压的正向电压。

为了阐明这个方面，图31示出了具有作为时间t的函数的电压U的分布231、232的图表。正弦电压分布231与电源电压有关。阶梯式电压分布232与通过串111、112、113（包括不同数量的半导体芯片）的不同驱动而提供的正向电压有关。在这种情况下，串111、112、113借助于驱动器220在不同的时间点接通和断开。

在电源电压的过零区域中，没有串111、112、113并且因此没有灯丝100的半导体芯片被驱动并被供应电能。随着电源电压231的绝对值的增加，灯丝100的越来越多的半导体芯片分别进行电运转。在电源电压231的最大绝对值的区域中，所有串111、112、113以及因此灯丝100的所有半导体芯片进行运转。以对应的方式，随着电源电压231的绝对值减小，灯丝100的越来越少的半导体芯片分别进行运转。很清楚，在这种运转模式中正向电压的阶梯式电压分布232接近地适配于电源电压的电压分布231。出于清楚的原因，关于电压分布232省略了诸如为了灯丝100的运转而在驱动器220中执行并且导致仅存在正半周期的电压整流。

图32示出了来自图31的图表的放大摘录，其中为了阐明上述运转模式，另外图示出了灯丝100的串111、112、113的可能驱动。在电源电压231的过零区域中，串111、112、113中没有一个进行运转。随着电源电压231的绝对值增加，首先仅接通串111并由此向其供应电能。随着电源电压231的绝对值进一步增加，首先接通串112然后接通串113，使得在电源电压231的峰值区域中所有串111、112、113都进行运转。以与其对应的方式，随着电源电压231的绝对值减小，首先是串113，然后是串112，最后是串111断开，使得灯丝111、112、113在电源电压231的随后过零区域中再次没有一个进行运转。在电源电压231的电压绝对值的重新增加之后或之时，重复该过程。

需要指出的是，如参考图32所解释的灯丝100的串111、112、113的驱动应该仅被视为示例性配置，并且与此不同，可以在借助于驱动器220驱动灯丝100方面提供其他配置。例如可能的是，通过增加电源电压231的绝对值，首先仅运转串111，然后运转两个串112、113，随后运转两个串111、112，然后运转所有三个串111、112、113。通过降低电源电压231的绝对值，可以执行与其对应的灯丝100的通电。

在灯丝100包括不同数量的串的配置的情况下，可以以对应的方式考虑在灯丝100的串的电驱动方面的其他配置。

在如参考图29所解释的分开的电路中灯丝100的串互连的情况下，可以以对应的方式通过借助于驱动器对串进行适当驱动来将正向电压调节到电源电压。在这种情况下，将单个或多个或所有串一起进行电驱动也是可能的——尽管彼此是分开的。

关于图29中所示的配置，包括驱动器单元210的公共驱动器可以例如以这样的方式被配置：使得执行串111、112（包括不同数量的半导体芯片）的后续驱动。在电源电压的过零区域中，没有串111、112进行电运转。通过增加电源电压231的绝对值，可以在每种情况下首先仅电运转串112，然后仅运转串111，并且随后一起运转两个串111、112—但彼此是分开的。通过减小电源电压的绝对值，可以执行与其对应的串111、112的分别通电。

改型灯200不仅可以被配置有单个灯丝100，而且如果合适的话可以被配置有多个灯丝100，这些灯丝在结构上被相同地实施。在此上下文中，灯丝100的上述配置也在电互连和运转模式方面实现了高度的灵活性。在这种情况下，以对应的方式，采用分开的驱动器或驱动器单元或者一个或多个多级驱动器以用于驱动灯丝100是可能的。多个灯丝100可以串联和/或并联地互连（未图示出）。

尽管通过优选的示例性实施例更具体地说明且更详细地描述了本发明，但是本发明不受所公开的示例的限制，并且在不脱离本发明的保护范围的情况下本领域技术人员可以从中得出其他变型。

附图标记列表

100 灯丝

111 串

112 串

113 串

120 半导体芯片

121 接触部

122 接触部

131 接触结构

132 接触结构

133 接触结构

134 接触结构

137 接触结构

139 补偿元件

141 区段

142 区段

143 区段

150 载体

151 载体

160 转换层

170 接合线

200 改型灯

201 灯泡

202 灯座

210 驱动单元

220 驱动器

225 电压源

231 电压分布

232 电压分布

Claims (19)

1. 一种灯丝（100），包括：

包括串联电连接的辐射发射半导体芯片（120）的多个串（111、112、113）；和

用于接触所述串（111、112、113）的多个接触结构（131、132、133、134），其中所述接触结构（111、112、113）电连接到在所述串（111、112、113）的端部处的半导体芯片（120），使得所述串（111、112、113）能经由所述接触结构（131、132、133、134）电驱动，

并且其中所述灯丝（100）被配置为使得所述串（111、112、113）能经由所述接触结构（131、132、133、134）至少彼此分开地电驱动。

2.根据权利要求1所述的灯丝，

其中多个串（111、112、113）串联电连接以构成串联电路，

其中两个接触结构（131、132）电连接到在所述串联电路的端部处的半导体芯片（120），

并且其中存在至少一个另外的接触结构（133、134），经由所述至少一个另外的接触结构（133、134），所述串联电路的两个串串联电连接。

3.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中多个串（111、112、113）是电隔离的，

并且其中，在隔离串的情况下，两个接触结构（131、132、133、134）分别电连接到在所述串的端部处的半导体芯片（120）。

4.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中沿公共的线布置所述串（111、112、113）的所述半导体芯片（120）。

5.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中至少两个接触结构（131、132、133）在所述灯丝的端部处是能触及的。

6.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中至少一个接触结构（133、134）在所述灯丝的端部之间的区域中是能触及的。

7.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中，电连接到在串（112）的端部处的半导体芯片（120）的两个接触结构（132、133）在所述灯丝的一个端部处是能触及的。

8.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中，所述串（111、112、113）的半导体芯片（120）被用于辐射转换的转换层（160）覆盖。

9.根据权利要求8所述的灯丝，

其中，在所述灯丝的端部处的至少两个接触结构（131、132、133）从所述转换层（160）突出。

10.根据权利要求8和9中任一项所述的灯丝，

其中至少一个接触结构（133）从所述转换层（160）横向突出。

11.根据权利要求8-10中任一项所述的灯丝，

其中，所述串（111、112、113）的半导体芯片（120）分别被所述转换层（160）的分开的层区段覆盖，

并且其中至少一个接触结构（133、134）在所述转换层（160）的两个相邻层区段的中间区域中是能触及的。

12.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

包括载体（150），所述半导体芯片（120）和所述接触结构（131、132、133、134）被布置在所述载体（150）上。

13.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中，相对于彼此交替侧向倒置地布置所述串的半导体芯片（120）。

14.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

包括载体（151），所述载体（151）横向围绕所述半导体芯片（120）。

15.根据前述权利要求中任一项所述的灯丝，

其中所述串包括不同数量的半导体芯片（120）。

16.一种照明装置（200），包括根据前述权利要求中任一项所述的灯丝（100）。

17.根据权利要求16所述的照明装置，

包括用于驱动所述灯丝的串的多级驱动器（220）。

18.根据权利要求16所述的照明装置，

其中所述灯丝的串在分开的电路中互连。

19.根据权利要求16至18中任一项所述的照明装置，

包括连接到所述灯丝（100）的驱动器（210、220），用于将电源电压转换为正向电压，其中所述驱动器（210、220）被配置为驱动所述灯丝（100）的串（111、112、113），使得将所述正向电压调节到所述电源电压。