CN109149025A - 介质波导滤波器及其调谐方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种介质波导滤波器及其调谐方法，介质波导滤波器包括介质谐振块。介质谐振块的外表面上设有第一金属层，介质谐振块的第一侧面设有第一耦合窗口、第二耦合窗口及耦合调试孔。第一耦合窗口的侧壁设有与第一金属层连接的第二金属层，第二耦合窗口的侧壁设有与第一金属层连接的第三金属层。上述的介质波导滤波器，在需要进行调谐操作时，操作较为方便，无需设置金属螺杆与螺母，能够减小产品体积与重量，由于没有引入金属损耗，能大大提高产品性能。

Description

介质波导滤波器及其调谐方法

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，特别是涉及一种介质波导滤波器及其调谐方法。

背景技术

传统的腔体滤波器，往往需要设置金属耦合螺杆来对相邻谐振器之间的耦合进行调谐，以弥补加工所带来的误差。然而，若介质波导滤波器也采用金属耦合螺杆来对相邻谐振器之间的耦合进行调谐，由于另外还需要在介质波导滤波器的耦合窗口处设置与金属耦合螺杆配合的螺母，这样无形中增加了器件的体积与重量，不利于器件的小型化与轻量化，同时还会引入金属损耗，直接导致器件损耗增大，使得介质波导滤波器性能降低。

发明内容

基于此，有必要克服现有技术的缺陷，提供一种介质波导滤波器及其调谐方法，它能够减小产品体积与重量，同时能提高产品性能。

其技术方案如下：一种介质波导滤波器，包括：介质谐振块，所述介质谐振块的外表面上设有第一金属层，所述介质谐振块的第一侧面设有第一耦合窗口、第二耦合窗口及耦合调试孔；所述耦合调试孔位于所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间，所述第一耦合窗口、所述第二耦合窗口从所述介质谐振块的第一侧面延伸到所述介质谐振块与所述第一侧面相对设置的第二侧面，所述耦合调试孔为从所述介质谐振块的第一侧面向内延伸的盲孔；所述介质谐振块与所述第一金属层均位于所述第一耦合窗口、所述第二耦合窗口及所述耦合调试孔的其中一侧的部分构成第一介质谐振器，所述介质谐振块与所述第一金属层均位于所述第一耦合窗口、第二耦合窗口及耦合调试孔的另一侧的部分构成第二介质谐振器；所述第一耦合窗口的侧壁设有与所述第一金属层连接的第二金属层，所述第二耦合窗口的侧壁设有与所述第一金属层连接的第三金属层。

上述的介质波导滤波器，该将耦合棒伸入到耦合调试孔中，能根据波形观察测试出第一耦合窗口与第二耦合窗口之间的耦合量与设计值是否相符，若相符合，则无需进行调谐操作；若耦合量偏小时，一方面可以通过对第一耦合窗口侧壁和/或第二耦合窗口侧壁进行除去部分金属层操作，或者增大耦合调试孔的深度且增加的深度部分侧壁设置金属层，具体可根据实际需要来增减第一耦合窗口侧壁和/或第二耦合窗口侧壁的金属层面积大小，改变第一耦合窗口侧壁和/或第二耦合窗口侧壁的边界条件，另一方面可以通过使耦合调试孔侧壁金属化，例如，对耦合调试孔侧壁进行镀银、镀金或镀铜，从而达到调节耦合量的目的；若耦合量偏大时，一方面可以通过将耦合调试孔与第一耦合窗口和/或第二耦合窗口之间的第一金属层除掉一部分，或者增大耦合调试孔的直径，或者增大耦合调试孔的深度且增加的深度部分侧壁不进行设置金属层，来降低耦合量，另一方面可以通过将耦合调试孔侧壁铺设的金属层去除，从而达到调节耦合量的目的。如此可见，上述的介质波导滤波器，在需要进行调谐操作时，操作较为方便，无需设置金属螺杆与螺母，能够减小产品体积与重量，由于没有引入金属损耗，能大大提高产品性能。

在其中一个实施例中，所述耦合调试孔内侧壁设有第四金属层，所述第四金属层与所述第一金属层电性连接。

在其中一个实施例中，所述第四金属层上设有第一开口区。

在其中一个实施例中，所述第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层上设有第二开口区；和/或，所述第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层上设有第三开口区。

在其中一个实施例中，所述耦合调试孔与第一耦合窗口和/或第二耦合窗口之间的第一金属层设置有第四开口区。

在其中一个实施例中，所述第一耦合窗口或所述第二耦合窗口为设置在所述介质谐振块上的通孔；或者，所述第一耦合窗口或所述第二耦合窗口为设置在所述介质谐振块上侧部的凹槽。

在其中一个实施例中，所述第一金属层、所述第二金属层的厚度均不小于0.01mm～0.02mm。

在其中一个实施例中，所述耦合调试孔的深度为0.5mm～1mm，所述耦合调试孔的直径为1mm～1.5mm。

一种所述的介质波导滤波器的调谐方法，包括如下步骤：

当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层、所述第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层、所述第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层以及所述耦合调试孔内侧壁的所述第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

所述的介质波导滤波器的调谐方法，其技术效果由所述的介质波导滤波器带来，操作较为方便，无需设置金属螺杆与螺母，能够减小产品体积与重量，由于没有引入金属损耗，能大大提高产品性能，大大降低了设计与调试的难度，且一致性好，成本较低。

在其中一个实施例中，所述的调谐方法还包括如下步骤：当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔的深度，和/或所述耦合调试孔的直径，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

在其中一个实施例中，当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量偏大时，则将所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层及所述耦合调试孔内侧壁的第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积减小，和/或将第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层与第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层中的至少一个金属层的覆盖面积增大；

当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量偏小时，则将所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层及所述耦合调试孔内侧壁的第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积增大，和/或将第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层与第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层中的至少一个金属层的覆盖面积减小。

附图说明

图1为本发明一实施例所述的介质波导滤波器的俯视图；

图2为图1中A-A处的一实施例的剖视图；

图3为图1中A-A处的另一实施例的剖视图；

图4为本发明另一实施例所述的介质波导滤波器的俯视图；

图5为本发明又一实施例所述的介质波导滤波器的俯视图。

附图标记：

10、介质谐振块，11、第一金属层，111、第四开口区，12、第一耦合窗口，13、第二耦合窗口，14、耦合调试孔，15、第二金属层，151、侧面区域金属层，16、第三金属层，161、侧面区域金属层，17、第四金属层，171、第一开口区。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。

在本发明的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

在本发明的描述中，需要理解的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在中间元件。相反，当元件为称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。

在一个实施例中，请参阅图1与图2，一种介质波导滤波器，包括介质谐振块10。介质谐振块10具体为陶瓷介质块。所述介质谐振块10的外表面上设有第一金属层11，所述介质谐振块10的第一侧面设有第一耦合窗口12、第二耦合窗口13及耦合调试孔14。所述耦合调试孔14位于所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间。所述第一耦合窗口12、所述第二耦合窗口13从所述介质谐振块10的第一侧面延伸到所述介质谐振块10与所述第一侧面相对设置的第二侧面。所述耦合调试孔14为从所述介质谐振块10的第一侧面向内延伸的盲孔。所述介质谐振块10与所述第一金属层11均位于所述第一耦合窗口12、所述第二耦合窗口13及所述耦合调试孔14的其中一侧的部分构成第一介质谐振器，所述介质谐振块10与所述第一金属层11均位于所述第一耦合窗口12、第二耦合窗口13及耦合调试孔14的另一侧的部分构成第二介质谐振器。所述第一耦合窗口12的侧壁设有与所述第一金属层11连接的第二金属层15，所述第二耦合窗口13的侧壁设有与所述第一金属层11连接的第三金属层16。

上述的介质波导滤波器，将耦合棒伸入到耦合调试孔14中，能根据波形观察测试出第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量与设计值是否相符，若相符合，则无需进行调谐操作；若耦合量偏小时，一方面可以通过对第一耦合窗口12侧壁和/或第二耦合窗口13侧壁进行除去部分金属层操作，或者增大耦合调试孔14的深度且增加的深度部分侧壁设置金属层，来降低耦合量，具体可根据实际需要来增减第一耦合窗口12侧壁和/或第二耦合窗口13侧壁的金属层面积大小，改变第一耦合窗口12侧壁和/或第二耦合窗口13侧壁的边界条件，另一方面可以通过使耦合调试孔14侧壁金属化，例如，对耦合调试孔14侧壁进行镀银、镀金或镀铜形成第四金属层17，从而达到调节耦合量的目的；若耦合量偏大时，一方面可以通过将耦合调试孔14与第一耦合窗口12和/或第二耦合窗口13之间的第一金属层11除掉一部分，或者增大耦合调试孔的直径，来降低耦合量，或者增大耦合调试孔的深度且增加的深度部分侧壁不进行设置金属层，另一方面可以通过将耦合调试孔14侧壁铺设的金属层去除，从而达到调节耦合量的目的。如此可见，上述的介质波导滤波器，在需要进行调谐操作时，操作较为方便，无需设置金属螺杆与螺母，能够减小产品体积与重量，由于没有引入金属损耗，能大大提高产品性能。

在一个实施例中，请一并参阅图2与图3，所述耦合调试孔14内侧壁设有第四金属层17，所述第四金属层17与所述第一金属层11电性连接。如此，设置第四金属层17后，能够增大第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量，使得第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量符合预设大小。

在一个实施例中，请参阅图3，所述第四金属层17上设有第一开口区171。其中，第一开口区171可以是在第四金属层17上通过例如打磨方式形成的，也可是在电镀第四金属层17时同步预留的。如此，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏大时，则将第四金属层17的其中一部分例如打磨或刮掉去除形成第一开口区171，这样能够减小第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第一开口区171的大小可以根据实际情况来定，不进行赘述。反之，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏小时，则可以在第一开口区171上例如电镀、溅镀或粘接上金属层，能够增大第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第一开口区171增设金属层的面积可以根据实际情况来定，增设的金属层需要与第四金属层17电性连接。

在一个实施例中，所述第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151上设有第二开口区；和/或，所述第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161上设有第三开口区。其中，第二开口区、第三开口区均可以是在金属层上通过例如打磨的方式形成的，也可是在设置金属层的同时预留的。如此，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏小时，则将第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151的其中一部分去除形成第二开口区，和/或，将第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161的其中一部分去除形成第三开口区，这样能够增大第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第二开口区、第三开口区的面积大小可以根据实际情况进行确定，不进行赘述。反之，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏大时，则可以在第二开口区和/或第三开口区上例如电镀、溅镀或粘接上金属层，能够减小第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第二开口区、第三开口区所增设金属层的面积可以根据实际情况来定，增设的金属层需要与第一金属层11电性连接。

在一个实施例中，请参阅图4，所述耦合调试孔14与第一耦合窗口12和/或第二耦合窗口13之间的第一金属层11设置有第四开口区111。其中，第四开口区均可以是在第一金属层11上通过例如打磨的方式形成的，也可是在设置第一金属层的同时预留的。如此，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏大时，则将耦合调试孔14与第一耦合窗口12和/或第二耦合窗口13之间的第一金属层11的其中一部分去除形成第四开口区111，这样能够减小第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第四开口区111的面积大小可以根据实际情况进行确定，不进行赘述。反之，当第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量偏小时，则可以在第四开口区111上电镀上金属层，能够增大第一耦合窗口12与第二耦合窗口13之间的耦合量。第四开口区111所增设金属层的面积可以根据实际情况来定，增设的金属层需要与第一金属层11电性连接。

具体地，请一并参阅图4与图5，所述第一耦合窗口12或所述第二耦合窗口13为设置在所述介质谐振块10上的通孔；或者，所述第一耦合窗口12或所述第二耦合窗口13为设置在所述介质谐振块10上侧部的凹槽。如此，第一耦合窗口12与第二耦合窗口13可以相对集中地位于介质谐振块10的中部，此时，第一耦合窗口12与第二耦合窗口13均为通孔；第一耦合窗口12与第二耦合窗口13也可以相对较远，分别位于介质谐振块10的两个侧部，此时第一耦合窗口12与第二耦合窗口13均为凹槽。

在一个实施例中，所述第一金属层11、所述第二金属层15为镀金层、镀铜层或镀银层；所述第一金属层11、所述第二金属层15的厚度均不小于0.01mm～0.02mm。所述耦合调试孔14的深度为0.5mm～1mm，所述耦合调试孔14的直径为1mm～1.5mm。如此，既能保证装配的可靠性，也可获得较大的调谐范围。此外，所述耦合调试孔14的形状多种多样，不进行限制，例如耦合调试孔14的轴向面为圆形、椭圆形、四边形、五边形或六边形，如此能增加器件设计的灵活性，降低了介质波导滤波器的加工难度。

在一个实施例中，一种上述任一实施例的介质波导滤波器的调谐方法，包括如下步骤：

当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔14与所述第一耦合窗口12之间区域的第一金属层11、所述耦合调试孔14与所述第二耦合窗口13之间区域的第一金属层11、所述第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151、所述第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161以及所述耦合调试孔14内侧壁的所述第四金属层17中的至少一个金属层的覆盖面积，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

所述的介质波导滤波器的调谐方法，其技术效果由所述的介质波导滤波器带来，操作较为方便，无需设置金属螺杆与螺母，能够减小产品体积与重量，由于没有引入金属损耗，能大大提高产品性能，大大降低了设计与调试的难度，且一致性好，成本较低。

具体地，当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量偏大时，则将所述耦合调试孔14与所述第一耦合窗口12之间区域的第一金属层11、所述耦合调试孔14与所述第二耦合窗口13之间区域的第一金属层11及所述耦合调试孔14内侧壁的第四金属层15中的至少一个金属层的覆盖面积减小，和/或将第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151与第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161中的至少一个金属层的覆盖面积增大；

其中，第一金属层11、第四金属层17面积均通过例如打磨或刮掉的方式移除，具体移除多少，根据实际情况确定。另外，当第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151设有第二开口区时，则可以在第二开口区进行电镀、溅镀或粘贴的方式增大第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151的面积；当第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161设有第三开口区时，则可以在第三开口区进行电镀、溅镀或粘贴的方式增大第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161的面积。

如此，便能够使得第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量减小。

反之，当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量偏小时，则将所述耦合调试孔12与所述第一耦合窗口14之间区域的第一金属层11、所述耦合调试孔14与所述第二耦合窗口13之间区域的第一金属层11及所述耦合调试孔14内侧壁的第四金属层15中的至少一个金属层的覆盖面积增大，和/或将第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151与第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161中的至少一个金属层的覆盖面积减小。

其中，当耦合调试孔14与所述第一耦合窗口12和/或所述第二耦合窗口13之间区域的第一金属层11上设有第四开口区111时，则可以在第四开口区111通过例如电镀、溅镀或粘贴的方式增设金属层，从而增大第一金属层11面积；

第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151与第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161均可通过例如打磨方式或刮掉方式去除一部分；

当耦合调试孔14内侧壁没有第四金属层17时，则可以在耦合调试孔14内侧壁进行电镀、溅镀或粘贴的方式增设形成第四金属层17，当耦合调试孔14内侧壁的第四金属层17设有第一开口区171时，则可以在第一开口区171进行电镀、溅镀或粘贴的方式增大第四金属层17的面积。

第一金属层11面积增大多少，第二金属层15靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层151与第三金属层16靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层161减小多少，第四金属层17增大多少，具体根据实际情况确定，不进行赘述。

如此，便能够使得第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量增大。

此外，进一步地，所述的调谐方法还包括如下步骤：当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔14的深度，和/或所述耦合调试孔14的直径，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

具体地，当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量偏大时，还可以增大所述耦合调试孔14的深度并且增加的深度部分侧壁不进行设置金属层，和/或增大所述耦合调试孔14的直径；

其中，可以通过打磨扩孔方式或钻刀扩孔方式来增大耦合调试孔14的直径，将耦合调试孔14的直径具体增大多少是根据实际情况来定。

如此，便能够使得第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量减小。

当所述第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量偏小时，还可以增加所述耦合调试孔14的深度并且增加的深度部分侧壁进行设置金属层。

其中，可以通过钻设或打磨的方式来增加耦合调试孔14的深度，将耦合调试孔14的深度具体增大多少是根据实际情况来定。

如此，便能够使得第一耦合窗口12与所述第二耦合窗口13之间的耦合量增大。

以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (11)

1.一种介质波导滤波器，其特征在于，包括：

介质谐振块，所述介质谐振块的外表面上设有第一金属层，所述介质谐振块的第一侧面设有第一耦合窗口、第二耦合窗口及耦合调试孔；所述耦合调试孔位于所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间，所述第一耦合窗口、所述第二耦合窗口从所述介质谐振块的第一侧面延伸到所述介质谐振块与所述第一侧面相对设置的第二侧面，所述耦合调试孔为从所述介质谐振块的第一侧面向内延伸的盲孔；所述介质谐振块与所述第一金属层均位于所述第一耦合窗口、所述第二耦合窗口及所述耦合调试孔的其中一侧的部分构成第一介质谐振器，所述介质谐振块与所述第一金属层均位于所述第一耦合窗口、第二耦合窗口及耦合调试孔的另一侧的部分构成第二介质谐振器；所述第一耦合窗口的侧壁设有与所述第一金属层连接的第二金属层，所述第二耦合窗口的侧壁设有与所述第一金属层连接的第三金属层。

2.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述耦合调试孔内侧壁设有第四金属层，所述第四金属层与所述第一金属层电性连接。

3.根据权利要求2所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第四金属层上设有第一开口区。

4.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层上设有第二开口区；和/或，所述第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层上设有第三开口区。

5.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述耦合调试孔与第一耦合窗口和/或第二耦合窗口之间的第一金属层设置有第四开口区。

6.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一耦合窗口或所述第二耦合窗口为设置在所述介质谐振块上的通孔；或者，所述第一耦合窗口或所述第二耦合窗口为设置在所述介质谐振块上侧部的凹槽。

7.根据权利要求1所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述第一金属层、所述第二金属层的厚度均不小于0.01mm～0.02mm。

8.根据权利要求1至7任意一项所述的介质波导滤波器，其特征在于，所述耦合调试孔的深度为0.5mm～1mm，所述耦合调试孔的直径为1mm～1.5mm。

9.一种如权利要求1至8任意一项所述的介质波导滤波器的调谐方法，其特征在于，包括如下步骤：

当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层、所述第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层、所述第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层以及所述耦合调试孔内侧壁的所述第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

10.根据权利要求9所述的调谐方法，其特征在于，还包括如下步骤：当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量与设计值不相符合时，则通过调整所述耦合调试孔的深度，和/或所述耦合调试孔的直径，将所述耦合量调节至与所述设计值相符。

11.根据权利要求9或10所述的调谐方法，其特征在于，当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量偏大时，则将所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层及所述耦合调试孔内侧壁的第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积减小，和/或将第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层与第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层中的至少一个金属层的覆盖面积增大；

当所述第一耦合窗口与所述第二耦合窗口之间的耦合量偏小时，则将所述耦合调试孔与所述第一耦合窗口之间区域的第一金属层、所述耦合调试孔与所述第二耦合窗口之间区域的第一金属层及所述耦合调试孔内侧壁的第四金属层中的至少一个金属层的覆盖面积增大，和/或将第二金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层与第三金属层靠近于所述耦合调试孔的侧面区域金属层中的至少一个金属层的覆盖面积减小。