CN109103311A - 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法 - Google Patents

一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法 Download PDF

Info

Publication number
CN109103311A
CN109103311A CN201811022397.9A CN201811022397A CN109103311A CN 109103311 A CN109103311 A CN 109103311A CN 201811022397 A CN201811022397 A CN 201811022397A CN 109103311 A CN109103311 A CN 109103311A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
thickness
gallium nitride
type
gan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811022397.9A
Other languages
English (en)
Inventor
温荣吉
芦玲
祝光辉
陈明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Huaian Aucksun Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201811022397.9A priority Critical patent/CN109103311A/zh
Publication of CN109103311A publication Critical patent/CN109103311A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本发明属于氮化镓基LED外延片设计应用技术领域，提供了一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长方法。该外延片从下向上依次为蓝宝石图形化AlN衬底、未掺杂的低温氮化镓缓冲层、未掺杂的高温氮化镓层、掺SiH4的N型氮化镓导电层、有源发光层、低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层、掺Mg的P型氮化镓导电层和掺Mg的P型接触层。较传统的生长方法不同，本发明对发光层量子垒区结构进行了优化设计，提出了量子垒区采用N型GaN/本征GaN的超晶格结构组成。该结构能有效改善发光层的晶体质量，为有效降低氮化镓基发光二极管的工作电压提供了一种外延片生长方法。

Description

一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长 方法
技术领域
本发明属于氮化镓基LED外延片设计应用技术领域，涉及一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片及生长方法。
背景技术
氮化镓(GaN)基发光二级管(Light-Emitting Diode，LED)具有寿命长、功耗低、无污染等优点，可以应用在显示、照明等诸多领域。虽然GaN基LED已经产业化，但现有的LED外延结构及其制备方法使得LED芯片正向压降高的问题一直未能得到很好的解决。
目前传统的GaN基LED外延生长结构过程为：500℃先在蓝宝石衬底上生长一层低温GaN缓冲层；然后接着在1100℃下生长一层未掺杂的高温GaN；再接着高温生长一层掺杂SiH4的n型GaN层,这一层提供复合发光的电子；然后接着在750～850℃下生长几个周期的GaN/InGaN的量子阱和量子垒作为LED的发光层，该层是GaN基LED外延的核心部分；然后在950℃左右生长掺杂Mg的P型AlGaN层，起到阻挡电子的作用；最后在1000℃左右生长一层掺杂Mg的P型GaN层，这一层提供复合发光的空穴；最后是退火过程。
目前LED外延生长过程中，由于两种材料的晶格常数不同容易产生极化效应和造成生长缺陷，极化效应和生长缺陷会影响材料的光电性能，影响LED的工作电压和发光效率。目前LED外延生长的有源层多采用几个周期结构GaN/InGaN量子阱垒区，电子和空穴在能带较窄的阱层InGaN材料中复合发光。由于GaN材料和InGaN材料晶格常数不同，所以两个材料的生长界面会产生极化电荷和缺陷，造成电子和空穴波函数的空间分离和一些非复合发光中心的产生，从而极大的影响了LED的工作电压和发光效率。
发明内容
本发明的目的在于，针对上述传统氮化镓基LED外延片的研制过程中所面临的技术难题，对发光层量子垒区结构进行了优化设计，提出了一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，其中外延层的结构如图1所示，包括：蓝宝石图形化AlN衬底；未掺杂的低温氮化镓缓冲层；未掺杂的高温氮化镓层；掺SiH4的N型氮化镓导电层；有源发光层为周期性结构的InGaN/GaN量子阱垒区，其中量子垒采用超晶格结构的本征GaN/N型GaN结构；低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层；掺Mg的P型氮化镓导电层；掺Mg的P型接触层。
本发明的技术方案：
一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片，该外延片结构从下向上的顺序依次为蓝宝石图形化AlN衬底；未掺杂的低温氮化镓缓冲层；未掺杂的高温氮化镓层；掺SiH4的N型氮化镓导电层；有源发光层为周期性结构的InGaN/GaN量子阱垒区，其中量子阱垒采用超晶格结构的本征GaN/N型GaN结构；低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层；掺Mg的P型氮化镓导电层；掺Mg的P型接触层；
所述的有源发光层由InGaN量子阱与GaN量子垒结构交替组成，GaN量子垒采用N型GaN/本征GaN的超晶格结构组成；有源发光层中GaN量子垒采用N型GaN/本征GaN型超晶格结构生长形式，能有效改善发光层的晶体质量，有效降低了氮化镓基发光二极管的工作电压，并提升了LED芯片的发光效率。
所述的未掺杂的低温氮化镓缓冲层的厚度为20nm～40nm；
所述的未掺杂的高温氮化镓的厚度为1500nm～3000nm；
所述的掺SiH4的N型氮化镓导电层的厚度为2500nm～4000nm；
所述的有源发光层的厚度为90nm～400nm；其中量子阱垒区中InGaN量子阱的单元厚度为2nm～5nm；其中量子阱垒区中GaN量子垒的单元厚度为9nm～20nm，构成量子垒的超晶格结构中N型GaN的厚度为1nm～4nm，本征GaN的厚度为1nm～4nm；
所述的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层的厚度为10nm～50nm；
所述的掺Mg的P型氮化镓导电层的厚度为20nm～80nm；
所述的掺Mg的P型接触层的厚度为5nm～20nm；
优选条件：
所述的未掺杂的低温氮化镓缓冲层的厚度为25nm～30nm；
所述的未掺杂的高温氮化镓的厚度为1800nm～2500nm；
所述的掺SiH4的N型氮化镓导电层的厚度为2800nm～3000nm；
所述的有源发光层的厚度为200nm～300nm；其中量子阱垒区中InGaN量子阱的单元厚度为3nm～4nm；其中量子阱垒区中GaN量子垒的单元厚度为12nm～16nm，其中构成量子垒的超晶格结构中N型GaN的厚度为1.5nm～3nm，本征GaN的厚度为1.5nm～3nm；
所述的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层的厚度为15nm～30nm；
所述的掺Mg的P型氮化镓导电层的厚度为40nm～60nm；
所述的掺Mg的P型接触层的厚度为10nm～15nm。
一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，步骤如下：
步骤1：将蓝宝石图形化ALN衬底清洗处理后，放在MOCVD腔体里的石墨盘上，在1000～1100℃烘烤5～10分钟；
步骤2：降温到500～550℃，在400～600mbar的压力下，生长一层厚度为20nm～30nm的未掺杂的低温氮化镓缓冲层；
步骤3：将温度升至1000～1150℃，在600～800mbar的压力下，生长一层厚度为1800nm～2500nm的未掺杂的高温氮化镓层；
步骤4：在温度为1000～1100℃，在500～700mbar的压力下，生长一层厚度为2000nm～3000nm的掺SiH4的N型氮化镓导电层；
步骤5：在温度为800～850℃时，在200～500mbar的压力下，生长一层1nm～3nm的GaN，然后再生长一层1nm～3nm掺杂SiH4的GaN，以此二者为一超晶格单元结构，交替连续生长2～6个周期，此连续的超晶格结构即为有源发光层的量子垒区结构；
步骤6：在温度为700～750℃时，在200～500mbar的压力下，在量子垒区结构上面生长一层厚度为2～6nm的InGaN层，此为有源发光层的量子阱区结构；
步骤7：按照步骤5和6的方式交替连续生长9～20个周期，此即为有源发光层的完整结构；
步骤8：在温度为850～900℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为15nm～30nm的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层
步骤9：在温度为980～1000℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为40nm～60nm的掺Mg的P型氮化镓导电层
步骤10：在温度为750～800℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为10nm～15nm的掺Mg的P型接触层；
步骤11：最后在氮气氛围下退火15～25分钟。
所述的生长技术为金属有机化合物化学气相沉淀(MOCVD)外延生长技术，金属有机源三甲基镓(TMGa)或者三乙基镓(TEGa)作为镓源，三甲基铟(TMIn)作为铟源，三甲基铝(TMAl)作为铝源，N型掺杂剂为硅烷(SiH4)，P型掺杂剂为二茂镁(CP2Mg)；载气为高纯H2或者高纯N2或者两者的混合气。
本发明的有益效果：较传统的生长方法不同，本发明对发光层量子垒区结构进行了优化设计，提出了量子垒区采用N型GaN/本征GaN的超晶格结构组成。该结构能有效改善发光层的晶体质量，为有效降低氮化镓基发光二极管的工作电压提供了一种外延片生长方法。
附图说明
图1是氧化镓基LED外延片组成结构示意图。
图中：1蓝宝石图形化AlN衬底；2未掺杂的低温氮化镓缓冲层；3未掺杂的高温氮化镓；4掺SiH4的N型氮化镓导电层；5有源发光层为周期性结构的InGaN/GaN量子阱垒区；5.1GaN量子垒区；5.2InGaN量子阱区；5.1.1超晶格的本征GaN；5.1.2超晶格的N型GaN；6低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层；7掺Mg的P型氮化镓导电层；8掺Mg的P型接触层。
具体实施方式
以下结合技术方案和附图，进一步说明本发明的具体实施方式，本实施例采用金属有机化合物化学气相淀积设备(MOCVD)。
实施例1
一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，包括以下工艺步骤：
步骤1：将蓝宝石图形化ALN衬底清洗处理后，放在MOCVD腔体里的石墨盘上，在1030℃左右烘烤约8分钟；
步骤2：降温到530℃，在500mbar的压力下，生长一层厚度为25nm的低温GaN层；
步骤3：将温度升至1100℃，在750mbar的压力下，生长一层厚度为2000nm的高温GaN层；
步骤4：在温度为1070℃，在600mbar的压力下，生长一层厚度为2500nm的掺杂SiH4的n型高温GaN层；
步骤5：在温度为830℃时，在300mbar的压力下，生长一层2nm的GaN,然后再生长一层2nm掺杂SiH4的GaN,以此二者为一超晶格单元结构，交替连续生长4个周期，此连续的超晶格结构即为发光层的量子垒区结构；
步骤6：在温度为730℃时，在300mbar的压力下，在量子垒层上面生长一层厚度为4nm的InGaN层,此为发光层的量子阱区结构；
步骤7：按照步骤5和6的方式交替连续生长12个周期，此即为发光层的完整结构；
步骤8：在温度为860℃时，在200mbar的压力下，生长一层掺Mg的厚度为20nm的AlGaN电子阻挡层；
步骤9：在温度为990℃时，在200mbar的压力下，生长一层掺Mg的厚度为55nm的GaN层；
步骤10：在温度为760℃时，在300mbar的压力下，生长一层掺Mg的厚度为12nm的InGaN接触层；
步骤11：最后在氮气氛围下退火20分钟。
经实验对照分析：
本发明制得的外延材料的结晶质量明显提升：XRD(X射线衍射)测量的半高宽(FWHM)002面和102面相比传统方法所得外延材料的测量值分别减小了8％和18％，说明材料的结晶质量提高。相比传统方案，最终的LED芯片的工作电压降低了10％-15％。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (5)

1.一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片，其特征在于，该外延片结构从下向上的顺序依次为蓝宝石图形化AlN衬底；未掺杂的低温氮化镓缓冲层；未掺杂的高温氮化镓层；掺SiH4的N型氮化镓导电层；有源发光层为周期性结构的InGaN/GaN量子阱垒区，其中量子阱垒采用超晶格结构的本征GaN/N型GaN结构；低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层；掺Mg的P型氮化镓导电层；掺Mg的P型接触层；
所述的有源发光层由InGaN量子阱与GaN量子垒结构交替组成，GaN量子垒采用N型GaN/本征GaN的超晶格结构组成；
所述的未掺杂的低温氮化镓缓冲层的厚度为20nm～40nm；
所述的未掺杂的高温氮化镓的厚度为1500nm～3000nm；
所述的掺SiH4的N型氮化镓导电层的厚度为2500nm～4000nm；
所述的有源发光层的厚度为90nm～400nm；其中量子阱垒区中InGaN量子阱的单元厚度为2nm～5nm；其中量子阱垒区中GaN量子垒的单元厚度为9nm～20nm，构成量子垒的超晶格结构中N型GaN的厚度为1nm～4nm，本征GaN的厚度为1nm～4nm；
所述的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层的厚度为10nm～50nm；
所述的掺Mg的P型氮化镓导电层的厚度为20nm～80nm；
所述的掺Mg的P型接触层的厚度为5nm～20nm。
2.根据权利要求1所述的降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片，其特征在于，
所述的未掺杂的低温氮化镓缓冲层的厚度为25nm～30nm；
所述的未掺杂的高温氮化镓的厚度为1800nm～2500nm；
所述的掺SiH4的N型氮化镓导电层的厚度为2800nm～3000nm；
所述的有源发光层的厚度为200nm～300nm；其中量子阱垒区中InGaN量子阱的单元厚度为3nm～4nm；其中量子阱垒区中GaN量子垒的单元厚度为12nm～16nm，其中构成量子垒的超晶格结构中N型GaN的厚度为1.5nm～3nm，本征GaN的厚度为1.5nm～3nm；
所述的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层的厚度为15nm～30nm；
所述的掺Mg的P型氮化镓导电层的厚度为40nm～60nm；
所述的掺Mg的P型接触层的厚度为10nm～15nm。
3.一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1：将蓝宝石图形化ALN衬底清洗处理后，放在MOCVD腔体里的石墨盘上，在1000～1100℃烘烤5～10分钟；
步骤2：降温到500～550℃，在400～600mbar的压力下，生长一层厚度为20nm～40nm的未掺杂的低温氮化镓缓冲层；
步骤3：将温度升至1000～1150℃，在600～800mbar的压力下，生长一层厚度为1500nm～3000nm的未掺杂的高温氮化镓层；
步骤4：在温度为1000～1100℃，在500～700mbar的压力下，生长一层厚度为2500nm～4000nm的掺SiH4的N型氮化镓导电层；
步骤5：在温度为800～850℃时，在200～500mbar的压力下，生长一层1nm～4nm的GaN，然后再生长一层1nm～4nm掺杂SiH4的GaN，以此二者为一超晶格单元结构，交替连续生长2～6个周期，此连续的超晶格结构即为有源发光层的量子垒区结构；
步骤6：在温度为700～750℃时，在200～500mbar的压力下，在量子垒区结构上面生长一层厚度为2～5nm的InGaN层，此为有源发光层的量子阱区结构；
步骤7：按照步骤5和6的方式交替连续生长9～20个周期，此即为有源发光层的完整结构；
步骤8：在温度为850～900℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为10nm～50nm的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层
步骤9：在温度为980～1000℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为20nm～80nm的掺Mg的P型氮化镓导电层
步骤10：在温度为750～800℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为5nm～20nm的掺Mg的P型接触层；
步骤11：最后在氮气氛围下退火15～25分钟。
4.一种降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，其特征在于，步骤如下：
步骤1：将蓝宝石图形化ALN衬底清洗处理后，放在MOCVD腔体里的石墨盘上，在1000～1100℃烘烤5～10分钟；
步骤2：降温到500～550℃，在400～600mbar的压力下，生长一层厚度为25nm～30nm的未掺杂的低温氮化镓缓冲层；
步骤3：将温度升至1000～1150℃，在600～800mbar的压力下，生长一层厚度为1800nm～2500nm的未掺杂的高温氮化镓层；
步骤4：在温度为1000～1100℃，在500～700mbar的压力下，生长一层厚度为2800nm～3000nm的掺SiH4的N型氮化镓导电层；
步骤5：在温度为800～850℃时，在200～500mbar的压力下，生长一层1.5nm～3nm的GaN，然后再生长一层1.5nm～3nm掺杂SiH4的GaN，以此二者为一超晶格单元结构，交替连续生长2～6个周期，此连续的超晶格结构即为有源发光层的量子垒区结构；
步骤6：在温度为700～750℃时，在200～500mbar的压力下，在量子垒区结构上面生长一层厚度为3～4nm的InGaN层，此为有源发光层的量子阱区结构；
步骤7：按照步骤5和6的方式交替连续生长9～20个周期，此即为有源发光层的完整结构；
步骤8：在温度为850～900℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为15nm～30nm的低温掺Mg的P型氮化铝镓电子阻挡层
步骤9：在温度为980～1000℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为40nm～60nm的掺Mg的P型氮化镓导电层
步骤10：在温度为750～800℃时，在150～400mbar的压力下，生长一层厚度为10nm～15nm的掺Mg的P型接触层；
步骤11：最后在氮气氛围下退火15～25分钟。
5.根据权利要求3或4所述的降低氮化镓基LED发光二极管工作电压的外延片生长方法，其特征在于，所述的生长方法采用金属有机化合物化学气相沉淀外延生长方法，金属有机源三甲基镓或三乙基镓作为镓源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，N型掺杂剂为硅烷，P型掺杂剂为二茂镁；载气为高纯H2和/或高纯N2。
CN201811022397.9A 2018-09-03 2018-09-03 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法 Pending CN109103311A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811022397.9A CN109103311A (zh) 2018-09-03 2018-09-03 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811022397.9A CN109103311A (zh) 2018-09-03 2018-09-03 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN109103311A true CN109103311A (zh) 2018-12-28

Family

ID=64864949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811022397.9A Pending CN109103311A (zh) 2018-09-03 2018-09-03 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109103311A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112501689A (zh) * 2020-11-12 2021-03-16 辽宁百思特达半导体科技有限公司 一种氮化镓pin结构的外延生长方法
CN113675304A (zh) * 2021-08-20 2021-11-19 江西兆驰半导体有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698215A (zh) * 2004-04-16 2005-11-16 氮化物半导体株式会社 氮化镓系发光器件
CN102820392A (zh) * 2012-08-31 2012-12-12 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管的外延片及其制造方法
CN103560187A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 湘能华磊光电股份有限公司 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1698215A (zh) * 2004-04-16 2005-11-16 氮化物半导体株式会社 氮化镓系发光器件
CN102820392A (zh) * 2012-08-31 2012-12-12 华灿光电股份有限公司 一种发光二极管的外延片及其制造方法
CN103560187A (zh) * 2013-11-15 2014-02-05 湘能华磊光电股份有限公司 含有超晶格势垒层的led结构外延生长方法及其结构

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112501689A (zh) * 2020-11-12 2021-03-16 辽宁百思特达半导体科技有限公司 一种氮化镓pin结构的外延生长方法
CN113675304A (zh) * 2021-08-20 2021-11-19 江西兆驰半导体有限公司 一种氮化镓基发光二极管及其制作方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102368519B (zh) 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法
CN102832306B (zh) 一种高亮度发光二极管的外延结构及其实现方法
CN104409587B (zh) 一种InGaN基蓝绿光发光二极管外延结构及生长方法
CN110970533B (zh) 一种led倒装芯片的紫光外延结构及其制备方法
CN115799416B (zh) 一种深紫外发光二极管外延片及其制备方法
CN103824909B (zh) 一种提高GaN基LED发光亮度的外延方法
CN108461592B (zh) 一种发光二极管外延片及其制造方法
CN115050870B (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其制备方法
CN101355127B (zh) 提高ⅲ族氮化物发光效率的led量子阱结构及其生长方法
CN114883462B (zh) 发光二极管外延片及其制备方法
CN109103310A (zh) 一种提升氮化镓基led发光二极管抗静电能力的外延片及生长方法
CN103872194B (zh) 一种提高GaN基LED有源区发光效率的外延生长方法
CN102709424A (zh) 一种提高发光二极管发光效率的方法
CN115312643B (zh) 一种具有插入层的led外延片及其制备方法
CN110635001A (zh) 一种硅衬底GaN基外延结构的制备方法及外延结构
CN116454186A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN109326695A (zh) 一种提高氮化镓基led发光二极管亮度的外延片及生长方法
CN116504895A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、led
CN109103311A (zh) 一种降低氮化镓基led发光二极管工作电压的外延片及生长方法
CN103441197A (zh) 一种GaN基发光二极管外延片及其制作方法
CN108231964A (zh) 一种提高发光二极管内量子效率的方法
CN117423786A (zh) 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
CN104900774B (zh) 一种提高led亮度的双缓冲层横向外延生长方法
CN106910802B (zh) 一种实现短波长紫外led的外延结构
CN105679898A (zh) 具有翘曲调节结构层的led外延结构及其生长方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181228