CN109087871B - 一种湿法刻蚀机 - Google Patents
一种湿法刻蚀机 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109087871B CN109087871B CN201810802738.8A CN201810802738A CN109087871B CN 109087871 B CN109087871 B CN 109087871B CN 201810802738 A CN201810802738 A CN 201810802738A CN 109087871 B CN109087871 B CN 109087871B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- etching
- outlet
- spraying
- cavity
- spraying device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
- H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Weting (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
本发明提供一种湿法刻蚀机，包括：刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；第一喷淋装置，与所述滚轮相对设置，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，用于遮挡喷向所述第一喷淋装置一侧的所述清洗液；所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
Description
技术领域
本发明涉及显示面板制造领域，尤其涉及一种湿法刻蚀机。
背景技术
TFT-LCD等微电路是通过在基板上形成的铝、铝合金、铜及铜合金等导电性金属膜或二氧化硅膜、氮化硅薄膜等绝缘膜上，然后在其表面均匀涂布光刻胶，再通过相应图形的光罩经曝光显影的方式使所光刻胶成现出所需的图形，其次采用湿法或干法蚀刻，将未被光刻胶覆盖的金属或非金属膜刻蚀掉，最后去除不需要的光刻胶等一系列的光刻工程而完成所需的电路。
ITO膜层作为公共电极也是TFT-LCD制作过程中的一层，其ITO膜层制作需要PVD成膜，涂布曝光显影，最后湿法刻蚀及剥离光刻胶。目前 ITO膜层湿法刻蚀使用的草酸溶液，但草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶，从而导致药液的浪费及特别是刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层，从而影响产品品质。
因此，有必要提供一种湿法刻蚀机，以解决现有技术所存在的问题。
发明内容
本发明提供一种湿法刻蚀机，能够改善湿法刻蚀机出口处结晶的现象，大大降低刻蚀液结晶对显示面板品质的影响。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供一种湿法刻蚀机，包括：
刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；
第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；
第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；
挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；
其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
根据本发明一优选实施例，所述挡板包括上挡板与相对设置的下挡板，所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙，用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。
根据本发明一优选实施例，所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置，并沿所述刻蚀腔底部向相邻腔室内延伸，且延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。
根据本发明一优选实施例，所述下挡板为槽型，用于容置所述第二喷淋装置喷淋出的所述清洗液，所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口，所述清洗液经由所述第一排水口排出，所述下挡板上设置有导液管，用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。
根据本发明一优选实施例，所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴，所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端连接所述喷嘴，且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。
根据本发明一优选实施例，所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上，用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀液为草酸溶液，所述清洗液为去离子水。
根据本发明一优选实施例，所述第二喷淋装置包括水刀组件，所述刻蚀出口两侧的所述水刀组件的开口相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述去离子水。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀腔底部为凹槽状，用于容置所述第一喷淋装置喷淋出的所述刻蚀液，且所述刻蚀腔底部设置有第二排水口，所述刻蚀液经由所述第二排水口排出。
根据本发明一优选实施例，所述刻蚀腔内还包括风刀组件，所述风刀组件设置于所述挡板靠近所述第一喷淋装置的一侧，所述风刀组件一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端开口朝向所述第一喷淋装置倾斜设置，用于向所述刻蚀腔内排风。
本发明的有益效果为：本发明提供的湿法刻蚀机，通过在刻蚀腔的刻蚀出口内外两侧增设喷淋装置或者水刀组件，可将基板带出的附着于刻蚀出口处的刻蚀液的结晶溶解掉，或者通过闲时对刻蚀出口的冲刷将刻蚀液及时冲走而避免结晶在此处积累，可以避免对基板的膜层的损伤，提高产品品质；同时由于挡板的遮挡作用以及引流作用，可以防止该喷淋装置喷出的去离子水大量进入刻蚀段对刻蚀液造成影响。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的湿法刻蚀机的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明针对现有技术的湿法刻蚀机，由于草酸溶液易在刻蚀机腔室内壁、刻蚀槽出口等狭小缝隙结晶，从而导致刻蚀液的浪费及刻蚀段出口处的结晶可能会划伤基板上膜层，从而影响产品品质的技术问题，本实施例能够解决该缺陷。
参阅图1，为本发明实施例提供的湿法刻蚀机的结构示意图，该湿法刻蚀机包括：刻蚀腔10，所述刻蚀腔10内设置有多个滚轮30，多个所述滚轮 30排成一排，用于承载待刻蚀的基板40且通过转动带动所述基板40移动；所述基板40表面制备有待刻蚀的薄膜层，所述薄膜层可以为ITO膜层，或者为铝、铜等导电性金属膜层或者二氧化硅膜层等；第一喷淋装置20，与所述滚轮30相对的设置于所述刻蚀腔10内，用于向所述基板40表面喷淋刻蚀液201，使所述基板40表面的所述薄膜层形成预设图案；第二喷淋装置70，设置于所述刻蚀腔10的刻蚀出口103处，用于向所述刻蚀出口103喷淋清洗液 703以溶解所述刻蚀出口103处附着的所述刻蚀液201；挡板50，设置于所述第一喷淋装置20与所述第二喷淋装置70之间，且靠近所述刻蚀出口103 的位置，用于遮挡所述清洗液703防止喷淋至所述第一喷淋装置20一侧的所述刻蚀液201中，避免对所述刻蚀液201造成影响；风刀组件80，所述风刀组件80设置于所述挡板50靠近所述第一喷淋装置20的一侧，所述风刀组件 80一端固定于所述刻蚀腔10的腔体上，另一端开口朝向所述第一喷淋装置20倾斜设置，用于向所述刻蚀腔10内排风。其中，所述第二喷淋装置 20分别位于所述刻蚀腔10内部与所述刻蚀腔10外部，用于从所述刻蚀腔10 内外两侧共同向所述刻蚀出口103处喷淋所述清洗液703。
所述基板40从所述刻蚀腔10的刻蚀入口101进入，并由所述滚轮30带动向所述刻蚀出口103的方向移动，在此过程中，所述刻蚀液201喷淋至所述基板40表面进行刻蚀制程；由于所述刻蚀制程的喷淋以及所述基板40需穿过所述刻蚀出口103，使得在所述刻蚀出口103及其附近的位置粘附有所述刻蚀液201。
其中，如图1所示的所述第一喷淋装置20分别从所述滚轮30两侧对所述基板40进行喷淋，且所述第一喷淋装置20将所述刻蚀液201均匀的喷淋至所述基板40表面，当然所述第一喷淋装置20也可以从所述基板40的上方进行单侧喷淋；本发明不对所述第一喷淋装置20进行限定，其可以为现有技术中的常规设置。
所述第二喷淋装置70包括喷淋杆701以及斜向设置的喷嘴702，所述喷淋杆701一端固定于所述刻蚀腔10的腔体上，另一端连接所述喷嘴702，且所述刻蚀出口103内外两侧的所述喷嘴702相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口103喷淋所述清洗液703。所述第二喷淋装置70可设置于对应所述刻蚀出口103的上方位置，便于所述清洗液703能够喷淋至整个所述刻蚀出口103。
所述喷淋杆701可以为一体设计，通过所述刻蚀腔10腔体上的穿孔贯穿于所述刻蚀腔10的内外两侧；所述喷淋杆701可以沿所述刻蚀出口103的方向并排设置有多个，一所述喷淋杆701至少连接两所述喷嘴702，且所述喷嘴702分布于所述刻蚀腔10内外两侧。或者，所述喷淋杆701为分体设计，分别对应的设置于所述刻蚀腔10内外两侧，且平行的设置于所述刻蚀出口 103的上方；一所述喷淋杆701对应连接多个所述喷嘴702；所述刻蚀腔10内外两侧的所述喷淋杆701及其对应的所述喷嘴702可独立控制。所述喷淋杆701一端延伸至所述腔体外用于连接储液箱，所述储液箱为所述第二喷淋装置70提供所述清洗液703。所述第二喷淋装置70可单独连接一所述储液箱，或者所述清洗液703与刻蚀制程中其他腔室储液箱中液体一致的话，也可以直接与其他腔室共用一所述储液箱。
优选的，所述喷嘴702活动的设置于所述喷淋杆701上，可以通过调整所述喷嘴702的倾斜角度或者将所述喷嘴702旋转一定角度，可以扩大单个所述喷嘴702的喷淋范围，可以减少所述喷嘴702的数量，节约成本。重要的是，可以清除所述喷嘴702的喷淋死角，使所述喷嘴702可以对整个所述刻蚀出口103以及所述刻蚀出口103附近的所述刻蚀腔10内壁进行清理。
本实施例中，所述基板40表面待刻蚀的所述薄膜层为所述ITO膜层，所述刻蚀液201为草酸溶液，所述清洗液703为去离子水。当然，并不限于此，本发明的该湿法刻蚀机还可以应用于其他膜层的刻蚀，以及可清理易污染所述刻蚀出口103的其他刻蚀液的应用中。
所述第二喷淋装置70也可以为水刀组件，与上述喷淋杆及喷嘴组件相似的设计，在所述刻蚀出口103两侧的所述水刀组件的开口相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口103喷淋所述去离子水。
所述挡板50包括上挡板501与相对设置的下挡板502，所述上挡板501 与所述下挡板502在对应所述滚轮30的位置存在间隙，用以使所述基板40 顺利通过所述挡板50向所述刻蚀出口103移动。所述上挡板501与所述下挡板502之间的所述间隙不易过大也不易过小，过大起不到很好的遮挡所述清洗液703的作用，过小不利于所述基板40的顺利通过。
所述下挡板502至少靠近所述刻蚀腔10底部的一部分向所述刻蚀出口 103一侧倾斜设置，并沿所述刻蚀腔10底部向相邻腔室60内延伸，且延伸至所述第二喷淋装置70的喷淋范围外。所述下挡板502为槽型，用于容置所述第二喷淋装置70喷淋出的所述清洗液703，所述下挡板502位于所述相邻腔室60一侧的底部设置有第一排水口503，所述清洗液703经由所述第一排水口503排出。所述下挡板502上还设置有导液管(未标示)，所述导液管用于将所述清洗液703导流至所述第一排水口503。其中，由所述刻蚀腔10内部的所述第二喷淋装置70喷淋出的所述清洗液703经由所述导液管由所述刻蚀腔10一侧引流至所述相邻腔室60一侧。
所述刻蚀腔10底部也为凹槽状，用于容置所述第一喷淋装置20喷淋出的所述刻蚀液201，且所述刻蚀腔10底部设置有第二排水口102，所述刻蚀液201经由所述第二排水口102排出。
优选的，靠近所述第一排水口503以及所述第二排水口102的位置设置有阀门，所述阀门分别用于导通或关闭所述第一排水口503以及所述第二排水口102。
其中，所述第二喷淋装置70或者所述水刀组件、以及所述挡板50、所述导液管等的材质均为SUS304、SUS316等各种金属材质，也可以是PP、 UPE、PVC等塑料材质，耐清洗酸腐蚀即可。本发明对所述第二喷淋装置70 以及所述挡板50及所述导液管的上下位置不做限制。
本发明提供的湿法刻蚀机，通过在刻蚀腔的刻蚀出口内外两侧增设喷淋装置或者水刀组件，可将基板带出的附着于刻蚀出口处的刻蚀液的结晶溶解掉，或者通过闲时对刻蚀出口的冲刷将刻蚀液及时冲走而避免结晶在此处积累，可以避免对基板的膜层的损伤，提高产品品质；同时由于挡板的遮挡作用以及引流作用，可以防止该喷淋装置喷出的去离子水大量进入刻蚀段对刻蚀液造成影响。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
Claims (10)
1.一种湿法刻蚀机，其特征在于，包括：
刻蚀腔，所述刻蚀腔内设置有多个滚轮，所述滚轮用于承载待刻蚀的基板且通过转动带动所述基板移动；
第一喷淋装置，与所述滚轮相对的设置于所述刻蚀腔内，用于向所述基板表面喷淋刻蚀液，使所述基板表面的薄膜层形成预设图案；
第二喷淋装置，设置于所述刻蚀腔的刻蚀出口处，用于向所述刻蚀出口喷淋清洗液以溶解所述刻蚀出口处附着的所述刻蚀液；
挡板，设置于所述第一喷淋装置与所述第二喷淋装置之间，且靠近所述刻蚀出口的位置，用于遮挡所述清洗液防止喷淋至所述第一喷淋装置一侧的所述刻蚀液中；
所述挡板包括相对设置的上挡板与下挡板，所述下挡板靠近所述刻蚀腔底部的一部分延伸至相邻腔室内，且所述下挡板的形状为槽型；
其中，所述第二喷淋装置分别位于所述刻蚀腔内部与所述刻蚀腔外部，用于从所述刻蚀腔内外两侧共同向所述刻蚀出口处喷淋所述清洗液。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述上挡板与所述下挡板在对应所述滚轮的位置存在间隙，用以使所述基板顺利通过所述挡板向所述刻蚀出口移动。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板至少靠近所述刻蚀腔底部的一部分向所述刻蚀出口一侧倾斜设置，所述下挡板延伸至所述第二喷淋装置的喷淋范围外。
4.根据权利要求3所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述下挡板位于所述相邻腔室一侧的底部设置有第一排水口，所述清洗液经由所述第一排水口排出，所述下挡板上设置有导液管，用于将所述清洗液导流至所述第一排水口。
5.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述第二喷淋装置包括喷淋杆以及斜向设置的喷嘴，所述喷淋杆一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端连接所述喷嘴，且所述刻蚀出口两侧的所述喷嘴相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述清洗液。
6.根据权利要求5所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述喷嘴活动的设置于所述喷淋杆上，用以调整所述喷嘴的倾斜角度以及喷淋范围。
7.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀液为草酸溶液，所述清洗液为去离子水。
8.根据权利要求7所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述第二喷淋装置包括水刀组件，所述刻蚀出口两侧的所述水刀组件的开口相对设置，用于分别由两侧向所述刻蚀出口喷淋所述去离子水。
9.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀腔底部为凹槽状，用于容置所述第一喷淋装置喷淋出的所述刻蚀液，且所述刻蚀腔底部设置有第二排水口，所述刻蚀液经由所述第二排水口排出。
10.根据权利要求1所述的湿法刻蚀机，其特征在于，所述刻蚀腔内还包括风刀组件，所述风刀组件设置于所述挡板靠近所述第一喷淋装置的一侧，所述风刀组件一端固定于所述刻蚀腔的腔体上，另一端开口朝向所述第一喷淋装置倾斜设置，用于向所述刻蚀腔内排风。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810802738.8A CN109087871B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种湿法刻蚀机 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810802738.8A CN109087871B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种湿法刻蚀机 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN109087871A CN109087871A (zh) | 2018-12-25 |
| CN109087871B true CN109087871B (zh) | 2020-09-01 |
Family
ID=64838312
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810802738.8A Active CN109087871B (zh) | 2018-07-20 | 2018-07-20 | 一种湿法刻蚀机 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN109087871B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110106504B (zh) * | 2019-04-04 | 2021-03-23 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种蚀刻设备 |
| CN110197802B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-01-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 湿法刻蚀设备 |
| CN117153723B (zh) * | 2023-08-31 | 2024-05-03 | 重庆大学 | 一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102154648A (zh) * | 2010-02-12 | 2011-08-17 | 住友精密工业株式会社 | 蚀刻方法 |
| CN104681471A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备 |
-
2018
- 2018-07-20 CN CN201810802738.8A patent/CN109087871B/zh active Active
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102154648A (zh) * | 2010-02-12 | 2011-08-17 | 住友精密工业株式会社 | 蚀刻方法 |
| CN104681471A (zh) * | 2015-03-12 | 2015-06-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 湿法刻蚀设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN109087871A (zh) | 2018-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109087871B (zh) | 一种湿法刻蚀机 | |
| CN104681471B (zh) | 湿法刻蚀设备 | |
| EP3226283B1 (en) | Liquid cutter cleaning device | |
| JP5362623B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| WO2021035837A1 (zh) | 节能环保型酸洗装置及带材处理系统 | |
| CN110197802B (zh) | 湿法刻蚀设备 | |
| JP7345065B2 (ja) | 電気めっき装置の液切り部におけるめっき液の結晶化を防止するための装置及び方法 | |
| KR20020093578A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| CN110429053B (zh) | 一种具有活动盖板的湿蚀刻设备及湿蚀刻方法 | |
| CN103913958A (zh) | 基板边缘光刻胶的去除装置 | |
| CN111491457A (zh) | 一种pcb板用蚀刻装置 | |
| JP4095478B2 (ja) | 基板のエッチング装置及びエッチング方法 | |
| CN210481530U (zh) | 节能环保型酸洗装置及带材处理系统 | |
| CN109659261B (zh) | 基板蚀刻设备及其处理系统 | |
| CN201188173Y (zh) | 去除玻璃基板边缘光刻胶的装置 | |
| CN110106504B (zh) | 一种蚀刻设备 | |
| JPH1174247A (ja) | 基板処理装置 | |
| CN105195381A (zh) | 喷淋装置及方法 | |
| KR101100961B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| CN117153723B (zh) | 一种规避顶Mo缩进的湿法刻蚀装置 | |
| JP7496485B1 (ja) | トップＭｏ圧痕を回避するのウェットエッチング装置 | |
| CN115069637B (zh) | 一种铝薄膜清洗装置 | |
| RU2811802C2 (ru) | Устройство турбулентного травления и система обработки металлической полосы | |
| KR20080026341A (ko) | 슬릿 코터 | |
| KR20100103247A (ko) | 평판 디스플레이용 에어 나이프 건조장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee after: TCL Huaxing Photoelectric Technology Co.,Ltd. Address before: 9-2 Tangming Avenue, Guangming New District, Shenzhen City, Guangdong Province Patentee before: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co.,Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |