CN109075419A - 毫米波段通信装置 - Google Patents

Abstract

提出一种毫米波段通信装置的方案，在从外部遮蔽不需要的电波的盖中，不产生空间共振。公开了毫米波段通信装置，其在于特征，设置有盖，基板；设置在基板上的毫米波段用的高频电路元件；以及覆盖高频电路元件与基板表面的至少一部分的由块状材构成的盖，盖在基体混合介电损耗材料而构成。

Description

毫米波段通信装置

技术领域

本发明涉及利用毫米波段电磁波进行的通信装置以及传感器装置。

背景技术

利用毫米波段频率的装置期待从宽带域性向无线电基站之间的骨干线装置的应用、还期待从迅速的直进性向雷达等传感装置的应用。近年的毫米波段半导体设备的发送电路或接收电路、或是这双方的功能集成在一个封装内，以球栅阵列等表面安装用端子形态供给市场。因此，使用这些设备的产品前提是使用零件安装贴片机和回流炉，在面向毫米波段的产品中也实现以低成本的组装。

毫米波雷达所使用的毫米波段半导体设备是信号动态范围广泛高灵敏度的设备。作为半导体设备的错误动作要因，存在来自外部的不需要的电波的混入，作为抑制不需要的电波的方案，如专利文献1～专利文献4所示，采用使用了金属性的盖的屏蔽罩壳。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015－119295号公报

专利文献2：日本特开2000－307305号公报

专利文献3：日本特开2002－134987号公报

专利文献4：日本专利2002－124592号公报

发明内容

发明要解决的课题

背景技术所示的毫米波段通信装置作为抑制来自外界的不需要的电波的方案使用金属盖(屏蔽罩壳)。屏蔽罩壳利用由金属的高导电率使电波辐射的效果(二次辐射)，对电波进行反射。金属的高反射效率表示在壳内容易产生电波的空间共振，存在因从毫米波段的电路自身放射泄漏的电波使接收电路、起振器受到恶劣影响的可能性。

专利文献1中共振频率设定屏蔽罩壳的空间大小以避开使用频率。专利文献2中利用设置于空间的金属突起的周期构造的带阻滤波器。专利文献3使用电磁波吸收性热可塑性材料(以下简称电波吸收体)来抑制空间共振。然而，期望的电波透射特性不能由电波吸收体单独达成，为了抑制来自外部的不需要的电波抑制、隔离多种毫米波段高频电路之间，需要额外的金属盖、壳内分隔板。

专利文献4中在介电体基板上的毫米波段高频电路动作不需要的范围形成电阻层，使屏蔽罩壳的Q值降低，降低不需要的共振、起振。避免电波吸收体、电阻膜在媒体表面反射，因此需要在使用与空气的特性阻抗差小的低介电率的材料，致力于使电波到达媒体内部的损失性材料方面。

在这些事例中，必须与金属盖一起致力于抑制空间共振，存在部件成本高的问题。再有，就以金属盖的使用为前提的屏蔽罩构造而言，若存在孔、缝，则电波泄漏，因此不得不极力堵塞它们，金属盖的密封方法也是课题。

用于解决课题的方法

本发明的一方案提供毫米波段通信装置，其特征在于，设置有：基板；设置在基板上的毫米波段用的高频电路元件；以及覆盖高频电路元件和基板表面的至少一部分的由块状材构成的盖，盖在基体混合介电损耗材料而构成。

本发明的其他方案为毫米波段通信装置，其特征在于，具备：基板；设置在基板上的高频电路元件；以及覆盖高频电路元件和基板表面的至少一部分的盖，盖在基体以质量比20％以上且80％以下混合介电损耗材料而一体成型，其体积电阻率在20Ω·cm以上，将电波反射效率设为90％以下。

发明的效果

以低成本实现毫米波段通信装置，其能够抑制来自外部的不需要的电波，并且降低来自毫米波段高频电路自身的放射泄漏电波。

附图说明

图1是本发明的第一实施例的毫米波段通信装置的立体图。

图2是本发明的第一实施例的槽构造立体图。

图3是本发明的第一实施例的槽构造的透射特性解析结果的图表。

图4是设置在本发明的第一实施例的槽构造的微带线路的通过特性解析结果的图表。

图5是本发明的第二实施例的毫米波段通信装置的立体图。

图6是本发明的第三实施例的毫米波段通信装置的立体图。

图7是本发明的第四实施例的毫米波段通信装置的立体图。

图8是本发明的第五实施例的毫米波段通信装置的立体图。

图9是本发明的第六实施例的毫米波段通信装置的截面图。

具体实施方式

使用附图对实施方式进行详细说明。但是，本发明并不被以下所示的实施方式的记载内容所限定地解释。本领域技术人员容易理解，在不超出本发明的思想乃至主旨的范围内，其具体结构能够变更。

对于以下说明的发明的结构，存在对相同部分或具有相同功能的部分标记相同的符号且在不同的附图间通用并省略重复的说明的情况。

附图等中所示的各结构的位置、大小、形状、范围等存在为了使发明的理解容易而没有表示实际的位置、大小、形状、范围等的情况。因此，本发明并不一定限定于附图等所公开的位置、大小、形状、范围等。

在以下说明的实施例中，作为抑制电磁波透射特性的机构，代替金属或金属电镀的盖，利用混合有介电损耗材料的盖。通过混合介电损耗材料，将盖的电波反射率设为90％以下。在电波反射特性主要依赖于盖表面的特性的情况下，提高盖的表面电阻以使盖表面的电波反射效率不是金属的全反射而至少在90％以下。通过降低盖的反射率，能够在反射时产生损失，所以能够得到因多次反射而产生的电波的衰减效果。衰减效果能够通过反射率乘以反射次数来计算。

若降低盖的反射率，则由于电波的通过损失改善而需要增加盖厚。盖厚的增大会带来产品的容积、重量增大、制造成本上升，所以优选盖厚薄。因此，盖的电波反射率优选50％以上。

介电损耗材料例如使用石墨粉，其形状没有特别地限定，鳞片状，球状，椭圆状，针状，钮状以及不定形或所述形状的混合粉，平均粒径例如在200μm以下。

混合于盖的介电损耗材料的混合比以得到期望的电波反射效率的方式进行调整。为了将盖的电波反射效率设为90％以下，使介电损耗材料的混合比在盖整体或平均的质量比中例如20％以上且80％以下，盖整体或平均的体积电阻率为20Ω·cm以上。若提高介电损耗材料的混合比率并降低体积电阻率，则电波透射量下降而反射效率增加。

在盖的组成均匀的情况下，例如，将盖表面的电波反射效率设为90％以下，使介电损耗材料的混合比在盖表面例如设为20％以上且80％以下。

在盖的内侧产生或进入的电波通过盖与电路基板间的多重反射而使电波衰减，因此成为使盖的内侧表面和电路基板接近的结构。

例如在将由半导体片构成的毫米波段高频电路安装于电路基板表面的情况下，用于覆盖毫米波段高频电路的盖的外形高度需要在毫米波段高频电路的高度以上。在盖是一体形成的块状材的情况下，若与毫米波段高频电路的凸部对应地在盖设置凹部(空腔)，则能够在该凹部收纳毫米波段高频电路通过覆盖隐藏而使盖接近于近乎紧贴电路基板。

另一方面，因为混合了介电损耗材料的盖仅通过接近就能使毫米波信号衰减，因此期望设置槽以使盖不会过于靠近电波的传送线路。槽的最深部是形成形成于电路基板的线路的介电体厚度的4倍以上，槽的宽度优先在利用频率的空间波长λ以下。

通过由混合了介电损耗材料的树脂等而对盖进行一体成型，能够使上述的凹部、槽以低成本且容易地制造。

在电路基板形成向盖反射电波的金属层，其一部分能够用作毫米波段高频电路的GND。

实施例1

＜1.毫米波段通信装置的整体构造＞

图1是本发明的第一实施例的毫米波段通信装置的立体图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是高频线路，4是毫米波段高频电路(驱动元件)，5是盖凹部，6是从动元件，7是层间导体，8是盖的槽构造，9是天线。毫米波段高频电路4生成的毫米波例如为76GHz、波长为4mm左右。

高频线路3和天线9形成于电路基板2的表面，层间导体7形成于电路基板2的内层，其一部分的导体层起到高频线路3的GND电极(接地电极)的功能。盖1配置在电路基板2的表面。为了防止来自电路基板2侧的外部电波的进入，通常GND电极构成为具有屏蔽罩的效果。屏蔽罩起到由电路基板2的两侧(表与背)反射电波的功能。高频线路3连接毫米波段高频电路4和天线9。通过这样的结构，毫米波段高频电路4生成的毫米波从天线9放射。

＜2.盖的构造＞

盖1由在树脂混合了石墨等介电损耗材料的材料形成。例如，在热可塑树脂混合介电损耗材料，能够通过注射形成而容易地制造。该石墨的形状可以是鳞片状、球状、椭圆状、针状、钮状的任一种。另外也可以是不定形或所述形状的混合粉。介电损耗材料越微小越能够得到均匀特性，但考虑到制造的容易性，本实施例中平均粒径为200μm以下。在本实施例中，混合于盖的介电损耗材料的混合比设为质量比在20％以上且80％以下地均匀分布，表面电阻率设为20Ω以上。

在石墨的混合比超过80％地成型的情况下，体积电阻率成为10Ω以下而盖的电波遮蔽效果增大，但与体积电阻率成正比地表面电阻率也降低，而在盖表面的反射效率接近1，电波几乎全反射。

接近全反射的盖优选用于遮蔽来自盖1的外侧的电波，而另一方面，对于盖1的内侧(配置有毫米波段高频电路4等的一侧)的电波，由于在反射时电波几乎不衰减，因此空间共振难以消灭。因此在本实施例中，通过将盖的介电损耗材料的混合比率设为80％以下，并敢于将盖表面的反射效率抑制在90％以下，能够使电波在盖的内侧反射时的衰减增大。再有，通过使电波多次反射带来的多重反射衰减来实现空间共振的消灭。

因为多重反射衰减，有利于缩小包围毫米波段高频电路4的电波反射面间的距离。在图1所示的例中，盖1沿与电路基板2垂直方向具有厚度T，并以覆盖毫米波段高频电路4等高频电路元件的方式设置凹部5。

由于多重反射衰减，盖1的凹部5的顶部(盖1的与电路基板2对置的表面)与电路基板2的距离D比厚度T小，通过缩小作为反射面的顶部与基板的距离D，从而使反射次数增加。在盖1为图1所示那样的大致长方体的块形状的情况下，若表示其尺寸的一例，盖1的纵横为3～5cm左右。另外，盖1的厚度T为2mm左右，上述距离D比毫米波段高频电路4的高度H大且比厚度T小。

在盖中与石墨混合的粘结材料(基体)使用树脂或陶瓷，由于石墨能够改变盖的体积电阻率而期望使用绝缘性的材料。选为盖1的粘结材料的树脂等能够利用例如苯酚树脂等公知的多种材料，制造方法也不限于注射形成。

就盖1内部的介电损耗材料而言，越靠近电路基板2越降低混合浓度的盖、厚度中心部分的混合浓度高而越靠近表面越降低浓度的盖等的用于使盖反射效率为90％以下的介电损耗材料浓度也可以不均等。通过这样地设置介电损耗材料的浓度，能够构成为在盖的外侧容易反射电波，在盖的内侧难以反射电波。另外，也可以在盖的表面难以反射电波，并在盖的内部遮蔽电波。

＜3.盖凹部(空腔)的构造＞

图1所示的毫米波段通信装置的盖1是在先叙述的基本的块状材，是沿电路基板2的垂直方向具有预定厚度T的长方体形状。如在先所述，在盖1设置有用于配置毫米波段高频电路4和从动元件6的盖凹部(空腔)5。通过安装于电路基板2的毫米波段高频电路4和从动元件6，电路基板2的表面产生凹凸，但通过使毫米波段高频电路4的凸部配合于设置在盖1的盖凹部，来缩短盖1内侧表面与电路基板2的距离，容易产生多重反射。另外，通过盖1与电路基板2紧贴，防止电波从外部向空腔内进入。如在先所述，盖1一体成型，因此盖1的外侧的表面与背侧的表面(盖凹部5的表面)是连续的面。

＜4.高频线路和槽构造＞

从毫米波段高频电路4生成的毫米波信号通过高频线路3而被引导至天线9。通过仅靠近混合了介电损耗材料的盖1，使毫米波信号衰减，期望设置槽8以使盖1不会过于靠近高频线路3。另一方面，期望不是来自外部的电波经由槽8而进入空腔5内而不需要的电波经由槽8向外部泄漏的设计。为此，优选槽8的最深部是形成形成于电路基板2的高频线路3的介电体厚度的4倍以上，槽8的宽度在利用频率的空间波长λ以下。

图2是表示设置于混合了介电损耗材料的盖1的槽构造8的示意图。槽构造8截面为长方形形状，在本实施例中，槽深度为设置于电路基板2的高频线路介电体部分的厚度的4倍以上，槽宽度在利用频率的波长大小以下。本发明中为长方形，但也能够构成圆弧、切掉椭圆的一部分的形状、三角形、多角形、自由曲面、这些复合地组合的截面。

图3是使用电磁场模拟器HFSS(作为数值电磁场软件的一例，美国Ansoft公司提供的高频设备设计工具)对槽构造的电波通过特性进行解析的结果。横轴是槽构造8的宽度，竖轴是从槽构造8的前后投射电波的情况下电波的通过抑制值。

在相当于电路基板2的130μm的介电体树脂上设置盖，并从槽的前后投射电波。作为电波，假定76GHz(波长λ≈3.89mm)。槽构造的截面为长方形，槽的深度设为介电体厚度130μm的4倍以上即0.8mm，宽度从0.6mm至3.0mm使尺寸变化。槽的长度为8mm。形成槽的盖将以包含50质量％的铝金属(Metal Cover)与石墨的树脂(Graphite Cover)作为想定材料进行比较。就石墨为50质量％的盖而言，体积电阻率1MΩ左右，反射效率为0.89，作为电物理特性，相当于比介电率21、介电损耗0.34。使用由Keysight制材料测定软件85071E(商品名)的传送线法得到的测量结果。

在将铝金属用于盖的情况下，电波容易通过槽构造，作为导波管，在相当于遮断频率的宽度＝1.8mm(相当于λ/2)前后，通过抑制值达到最大，为－44dB。此外，如公知那样，金属导波管的遮断频率为c/(导波管幅＊2)(其中，c为光速)。在金属盖的情况下，槽构造8以外存在在构成电路基板2的130um的树脂内透射的电波。只要电路基板2的GND导体与金属盖没有无间隙地不连接，就会产生电波泄漏。

对于金属盖，在混合了石墨的盖中槽构造内以及盖与电路基板间进行多重反射衰减，宽度＝2.8mm则衰减至－20dB，宽度＝1.8mm则衰减至－60dB，宽度＝1.5mm以下则衰减至－90dB。根据这种结果，能够确认到在混合了石墨的盖中，盖的槽宽度在波长大小以下的情况下通过多重反射衰减而大幅抑制空间电波传播和将盖的透射传运量抑制在－90dB以下。

图4是在图2所示的槽构造8中，在电路基板2设置高频线路3(图4的数据中使用微带线路)，对槽构造的宽度对微带线路的影响进行解析的结果。高频线路3除微带线路以外，也可以使用共面线路、接地共面线路、差动线路。在槽宽度3.0mm以下，能够确认通过盖槽构造而接近微带线路的影响。受到介电损耗材料的影响，微带线路的通过损失增加，但通过损失增加量在槽宽度＝1.5mm时为0.7dB左右较为轻微。因此，若槽宽度在1.5mm以上，则能够实质地无视通过损失的影响。

在将微波以下的频率的信号向毫米波段高频电路4、从动元件6连接时，线路使用配置在电路基板内层的导体层，贯通电路基板2的GND层而将电路基板2的表层导体和内层导体via连接。在将GND层由via连接贯通时，在GND层设置不足利用频率的波长λ的1/2大小的去除导体图案。

就图1所示的本发明的毫米波段通信装置而言，在混合了介电损耗材料的盖1设置凹部5和槽构造8并与电路基板2组合，由此能够抑制来自外部的不需要的电波向毫米波段高频电路4的混入，并且能够实现抑制天线旁瓣带来的向毫米波段高频电路4的照射、抑制毫米波段高频电路4从自身产生的泄漏电波、抑制收纳有毫米波段高频电路4的盖凹部中的空间共振、抑制从毫米波段高频电路4向从动元件6等的电波串扰，从而减少引发错误动作的不需要的电波。因此，毫米波段通信装置10通过大大减少不需要的的杂波等的产生，实现高性能的接收灵敏度的通信品质、高灵敏度的传感。

图1所示的本发明的毫米波段通信装置为了有效地得到由盖1和电路基板2带来的多重反射衰减，作为缩短盖表面与电路基板间的距离的方法而设置盖凹部5和槽构造8，但由始终得到介电损耗材料带来的多重反射衰减，因此若电波抑制量规格小，即使是没有盖凹部5和槽构造8的平的盖内面的树脂制盖也能够应用。

本发明的盖并不是由金属的辐射(全反射)带来的电波屏蔽罩，通过适当的多重反射衰减而在盖与电路基板间消灭电波，因此无需将盖与电路基板的GND电连接。因此，也不需要以与金属盖组装的方式进行电路基板的间隙管理、钎焊、导电性粘接材料等的加工，盖能够由螺纹固定、销固定、插入固定、夹持固定、绝缘性粘接剂等简单的方法固定。若使用金属模具的成型技术来形成盖，则组装工时同时、盖加工费用都大幅的低成本化。

实施例2

图5是本发明的第二实施例的毫米波段通信装置的立体图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是微带线路，4是毫米波段高频电路，5是盖凹部，6所谓从动元件，7是层间导体，8－2是带楔构造槽构造，9是天线。

对与实施例1的差异进行说明。槽构造8－2是在混合了20％以上介电损耗材料的盖1上设置的槽构造，如图3、图4所示，为了电波传运量抑制而使槽的宽度狭小化则作为副作用微带线路的损失增加。在该例中槽构造的宽度在利用频率的波长λ以下，通过在槽构造内局部地配置的缩小截面积的楔构造，缓和向微带线路的影响，提高该槽构造的电波抑制效果。

实施例3

图6是本发明的第三实施例的毫米波段通信装置的立体图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是微带线路，4是毫米波段高频电路，5是盖凹部，6是从动元件，7是层间导体，8是盖的槽构造，9是天线，11是介电体棱镜(棱镜天线)。

为了提高天线9的放射指向性，因此在设置于电路基板2的天线9连接介电体棱镜11。介电体棱镜11是绝缘体，由棱镜曲面使电波聚焦而窄角化。与盖材质不同而采用电波透射特性好的绝缘体，因此没有由单一材料形成盖和棱镜两方，所以能够将多种材料由1个金属模具成形的二色成形法、混色成形法等而一体化。用于棱镜天线的材料进行成供电波通过并聚焦的介电体棱镜11的部分，通过由盖1侧的材料将棱镜周围保持固定，从而使盖1与介电体棱镜11的间隙消失，能够使从天线9放射的电波不向棱镜外泄漏地有效传播。

实施例4

图7是本发明的第四实施例的毫米波段通信装置的立体图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是微带线路，4是毫米波段高频电路，5是盖凹部，6是从动元件，7是层间导体，8是盖的槽构造，9是天线，12是导波管型喇叭天线。

为了提高天线9的放射指向性，因此在设置于电路基板2的天线9连接喇叭天线12。喇叭天线12能够与盖1一样由高混合了介电损耗材料的树脂加工。与实施例3的棱镜天线一样地将喇叭天线12和盖1一体化，能够简化喇叭天线的保持固定。将为了抑制因喇叭天线的内面而多重反射所产生的衰减而使石墨混合比超过80质量％的树脂与棱镜天线一样由二色成形法制作。

实施例5

图8是本发明的第五实施例的毫米波段通信装置的透视立体图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是微带线路，4是毫米波段高频电路，5是盖凹部，6是从动元件，7是层间导体，8是盖的槽构造，12是喇叭天线，13是缝，14是切槽，15是via。微带线路3、缝13、切槽14形成于电路基板2，微带线路3将层间导体7用作GND导体，缝13设置在该GND导体的层间导体7。

从毫米波段高频电路4送出的毫米波信号经由微带线路3、缝13、切槽14而传播至位于电路基板2相反侧的喇叭天线12。在从微带线路3向缝13传播毫米波时，通过via15而连接，但通过via15和缝13而挖空GND导体的微带线路为电感性，是容易放射泄漏的构造。在该微带线路-缝的线路转换部设置盖1的凹部5。通过盖1的凹部5覆盖线路转换部，降低放射泄漏。

实施例6

图9是本发明的第六实施例的毫米波段通信装置的截面图。附图标记1是盖，2是电路基板，3是微带线路，5是盖凹部，7是层间导体，8是盖的槽构造，12是喇叭天线，16是模制在电路基板内的导波管构造，17是λ/4长度的存根线路。微带线路3与配置在导波管构造16上部的存根线路17连接。配置在导波管构造16以及存根线路17的盖凹部5形成深度λ/4的槽。经由存根线路17，从微带线路3向导波管构造16有效地进行线路转换从而盖凹部5作为λ/4的导波管后端而工作。

如以上详细地说明，本实施例1～6中高混合了介电损耗材料的盖1由抑制电波透射特性并具有反射损失特性的材料构成。通过将设置在电路基板2的毫米波段高频电路4收纳在盖凹部5，根据盖1的电波透射特性抑制来自外部的不需要的电波。在盖1与电路基板2的间隙反射并侵入的不需要的电波通过电路基板2与盖1的多重反射而衰减消灭。覆盖毫米波段高频电路4的盖凹部5间的隔离是盖1的电波透射特性，来自毫米波段高频电路4自身的放射泄漏电波通过盖凹部5的内面反射而多重反射衰减并消灭。

天线9以及向外部的信号传递经由设置在盖1的槽8内的线路而连接。盖1的槽构造也能够进行电波传播，通过将槽8的宽度λ限制在以下，通过增加槽空间内的多重反射衰减而能够抑制电波传播抑制，能够得到电路间的充分隔离。

另外，通过选择树脂内的介电损耗材的混合比，调整透射特性与反射特性的平衡，通过盖厚来控制透射特性的增减。与金属盖的屏蔽罩效果不同，通过盖与电路基板间的多重反射衰减抑制电磁波，从而盖与电路基板的GND不需要电连接。因此，盖1与电路基板2物理相接即可，盖1螺纹固定或销固定，能够通过绝缘性粘接剂等而简单装配，实现安装成本与金属盖相比极低。

本发明并不限定于上述的实施方式，包含多种变形例。例如，能够将某实施例的结构的一部分置换成其他实施例的结构，另外，能够在某实施例的结构追加其他的实施例的结构。另外，能够对各实施例的结构的一部分进行其他的实施例的结构的追加、削除、置换。

生产上的可利用性

本发明能够应用于利用毫米波段电磁波工作的通信装置以及传感器装置。

符号说明：

1—盖，2—电路基板，3—高频线路(微带线路)，4—毫米波段高频电路，5—盖凹部，6—从动元件，7—层间导体，8—槽构造，8－2—带楔构造的槽构造，9—天线，10—毫米波段通信装置，11—介电体棱镜，12—喇叭天线，13—缝，14—切槽，15—via，16—导波管构造，17—存根线路。

Claims (15)

1.一种毫米波段通信装置，其特征在于，设置有：

基板；

设置在所述基板上的毫米波段用的高频电路元件；以及

覆盖所述高频电路元件与所述基板表面的至少一部分的由块状材构成的盖，

所述盖在基体混合介电损耗材料而构成。

2.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

所述介电损耗材料是石墨。

3.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

将所述盖的电波反射效率设为90％以下。

4.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

将所述盖的电波反射效率设为50％以上且90％以下。

5.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

所述盖使用树脂作为所述基体，并一体地成型。

6.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

就混合于所述盖的所述介电损耗材料的混合比而言，盖整体或平均的质量比在20％以上且80％以下。

7.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

将所述盖的体积电阻率设为20Ω·cm以上。

8.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

越是与所述盖的所述基板对置的一侧，越降低了所述介电损耗材料的混合浓度。

9.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

越是所述盖的厚度中心，越提高了所述介电损耗材料的混合浓度。

10.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

所述盖为长方体，在与所述基板垂直的方向具有厚度T，并以覆盖所述高频电路元件的方式具有凹部，所述盖的凹部的顶部与所述基板的距离D比所述厚度T小且比所述高频电路元件的高度H大。

11.根据权利要求1所述的毫米波段通信装置，其特征在于，具有：

设置在所述基板表面且与所述高频电路元件连接的高频线路；以及

以所述高频线路与所述盖不相接的方式形成于所述盖的槽构造。

12.根据权利要求11所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

将与所述高频线路的电波传播方向交叉的截面的所述槽构造的宽度设为毫米波利用频率的波长λ以下。

13.根据权利要求11所述的毫米波段通信装置，其特征在于，具备：

设置在所述高频线路的与所述高频电路元件相反侧的天线；以及

由绝缘体构成的介电体棱镜，

所述盖与所述介电体棱镜一体地构成。

14.根据权利要求11所述的毫米波段通信装置，其特征在于，具备：

设置在所述高频线路的与所述高频电路元件相反侧的天线；以及

在树脂中混合介电损耗材料而构成的喇叭天线，

所述盖与所述喇叭天线一体地构成。

15.根据权利要求14所述的毫米波段通信装置，其特征在于，

将所述盖的凹部深度设为λ/4，并作为高频线路的线路转换器的后端而发挥功能。