JPH11340701A - 高周波伝送線路の接続構造 - Google Patents

高周波伝送線路の接続構造

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JPH11340701A
JPH11340701A JP10147292A JP14729298A JPH11340701A JP H11340701 A JPH11340701 A JP H11340701A JP 10147292 A JP10147292 A JP 10147292A JP 14729298 A JP14729298 A JP 14729298A JP H11340701 A JPH11340701 A JP H11340701A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高周波用回路基板等の高周波伝送線路同士の
接続について優れた特性を有し、かつ容易に接続できる
接続構造を提供する。 【解決手段】 第1の高周波伝送線路38に形成した開口
部35aと第2の高周波伝送線路43に形成した開口部39a
とを対向させ、これら開口部35a・39a間をその開口の
周囲に沿って高周波信号の信号波長の2分の1未満の間
隔で配置した導電性接続部材33を介して接続する高周波
伝送線路の接続構造である。高周波信号の不要放射や反
射が生じず、高周波伝送線路同士を良好な特性で接続す
ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波やミリ
波等の高周波信号を伝達するための高周波伝送線路を有
する回路基板や高周波用半導体素子収納用パッケージ等
をキャリア基板に実装する際などに両者の高周波伝送線
路を接続するための高周波伝送線路の接続構造に関する
ものである。
【0002】
【従来の技術】近年に至り、マイクロ波やミリ波等の高
周波信号を利用した通信システム、例えばIDカードシ
ステム・無線LAN・車載レーダ等のシステムの開発が
盛んに行なわれており、これらの機器に使用される配線
基板や高周波素子収納用パッケージ等の高周波用回路基
板を高性能化することが求められている。
【0003】このような高周波用回路基板の高周波伝送
線路を他の高周波用回路基板の高周波伝送線路と接続す
る場合、例えば高周波用回路基板のキャリア基板への実
装においては、従来、高周波伝送線路同士をワイヤや金
リボン、あるいは導電性接続部材、例えば半田バンプ等
の導電性ボールにより接続されていた。
【0004】このうち、高周波伝送線路同士を導電性ボ
ールにより接続した例を図8に断面図で示す。図8にお
いて、1は高周波用回路基板、2はキャリア基板、3は
導電性ボールであり、4は高周波用回路基板1中に形成
された高周波伝送線路としてのストリップライン、5は
ストリップライン4の一端に接続され、高周波伝送線路
を基板1表面に引き出すための貫通導体、6はキャリア
基板2上に形成された高周波伝送線路としてのマイクロ
ストリップライン、7・8はグランド導電層である。従
来は、このような高周波伝送線路の接続構造により、高
周波用回路基板1の高周波伝送線路(ストリップライン
4)とキャリア基板2の高周波伝送線路(マイクロスト
リップライン6)とを導電性ボール3により接続して高
周波信号の伝送が行なわれていた。
【0005】ところで、これら高周波用回路基板に用い
られる高周波伝送線路としては、一般的には上記のよう
なマイクロストリップラインやストリップラインが主に
用いられているが、近年、図5に概略斜視図で示すよう
な、例えば特開平6−53711号公報に開示されている誘
電体導波管線路や、図6または図7に概略斜視図で示す
ような、本発明者等が提案している誘電体導波管線路ま
たは積層型導波管が用いられるようになってきている。
【0006】図5および図6において、11は誘電体基
板、12・13は誘電体基板11を挟持する一対の主導体層、
14は信号伝送方向に信号波長の2分の1未満の間隔で主
導体層12・13間を電気的に接続して形成された2列の側
壁用貫通導体群である。
【0007】図5および図6によれば、所定の厚みaの
誘電体基板11を挟持する位置に一対の主導体層12・13が
形成されており、主導体層12・13は誘電体基板11の少な
くとも導波管線路形成位置を挟む上下面に形成されてい
る。また、主導体層12・13間には主導体層12と13とを電
気的に接続するスルーホール導体やビアホール導体等の
貫通導体が多数設けられ、2列の側壁用貫通導体群14を
形成している。
【0008】2列の側壁用貫通導体群14は、所定間隔
(幅)bをもって、信号伝送方向に信号波長の2分の1
未満の所定間隔cをもって形成されており、これにより
この誘電体導波管線路における側壁を形成している。
【0009】ここで、シングルモードで用いる場合には
誘電体基板11の厚みaすなわち一対の主導体層12・13間
の間隔を間隔bに対して2分の1程度または2倍程度と
することがよく、図5および図6の例では誘電体導波管
のH面とE面に当たる部分がそれぞれ主導体層12・13と
側壁用貫通導体群14で形成され、間隔bに対して厚みa
を2倍程度とすれば、誘電体導波管のE面とH面に当た
る部分がそれぞれ主導体層12・13と側壁用貫通導体群14
で形成されることとなる。また、間隔cが信号波長(遮
断波長)の2分の1未満の間隔に設定されることで側壁
用貫通導体群14が電気的な壁を形成している。
【0010】このような構成により、平行に配置された
一対の主導体層12・13間にはTEM波が伝播できるた
め、側壁用貫通導体群14の間隔cが信号波長λの2分の
1よりも大きいと、この導波管線路に電磁波を給電して
も、ここで作られる疑似的な導波管に沿って伝播しな
い。しかし、側壁用貫通導体群14の間隔cが信号波長λ
の2分の1よりも小さいと、電磁波は導波管線路に対し
て積層面内の垂直方向に伝播することができず、反射し
ながら導波管線路の信号伝送方向に伝播される。その結
果、図5および図6の構成によれば、一対の主導体層12
・13および2列の側壁用貫通導体群14によって囲まれる
断面積がa×bのサイズの領域が誘電体導波管線路15と
なる。
【0011】また、図6における16は側壁用貫通導体群
14の各列を形成する貫通導体同士を電気的に接続する、
主導体層12・13と平行に形成された副導体層であり、所
望により適宜形成される。このような副導体層16を形成
することにより、誘電体導波管線路15の内部から見ると
線路の側壁は側壁用貫通導体群14と副導体層16とによっ
て細かな格子状になり、線路からの電磁波の遮蔽効果を
さらに高めることができる。
【0012】なお、これらの態様では側壁用貫通導体群
14は2列に形成したが、この側壁用貫通導体群14を4列
あるいは6列に配設して、側壁用貫通導体群14による疑
似的な導体壁を2重・3重に形成することにより、導体
壁からの電磁波の漏れをより効果的に防止することがで
きる。
【0013】図5および図6に示すような誘電体導波管
線路によれば、誘電体導波管による伝送線路となるの
で、その導波管サイズは誘電体基板11の比誘電率をεと
すると通常の導波管の1/√εの大きさになる。従っ
て、誘電体基板11を比誘電率εの大きい材料によって構
成するほど、導波管サイズは小さくすることができ、高
密度に配線が形成される多層配線基板または半導体素子
収納用パッケージあるいは車間レーダの伝送線路として
利用可能な大きさになるというものである。
【0014】次に、図7において、21は誘電体層、22は
導体層、23はビア導体やスルーホール導体等の貫通導
体、24はこの構造により構成される導波管線路である。
なお、誘電体層21は導体層22群と貫通導体23群とにより
構成される導体部の空間にも充填されている。
【0015】図7によれば、厚さCの誘電体層21が複数
層積層され、各々の誘電体層21には導波管線路24の断面
形状の輪郭に沿って誘電体層21の積層方向に所定間隔を
もって多数の貫通導体23が形成されている。また、貫通
導体23群には、すべての貫通導体23群と電気的に接続
し、貫通導体23群を取り囲むように、複数の導体層22が
互いに平行に形成されている。なお、導体層22群は、貫
通導体23群の形成間隔および厚みC、つまり導体層22群
の間隔は、伝播する高周波信号の波長の2分の1よりも
小さい間隔で形成されている。
【0016】このような構成により、この縦型の積層型
の導波管線路24は、積層方向に延びる貫通導体23群と、
平行に形成された複数の導体層22群との格子面によって
導波管壁が形成される。
【0017】図7のような積層型導波管線路によれば、
導波管線路24内に入力された高周波信号(電磁波)は貫
通導体23群および導体層22群間から外部に漏れることな
く導波管線路24内を伝播し、これにより、この例の場合
であれば、断面形状がA×Bの矩形の導波管線路24を積
層方向に構成することができるというものである。
【0018】そして、これら図5〜図7に示したような
導波管線路は、マイクロストリップラインやストリップ
ラインに比べ伝送特性が優れている特長がある。
【0019】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図8に
示したような従来の高周波伝送線路の接続構造では、ス
トリップ線路4から垂直に高周波伝送線路を落とすため
に貫通導体5を用いているが、この伝送線路が垂直方向
に変化する不連続点においてパラレルプレートモードが
発生し、高周波信号の一部が放射することにより伝送特
性が劣化するという問題点があった。また、一般に貫通
導体5および導電性ボール3ではストリップラインと特
性インピーダンスが大きく異なるため、そこで高周波信
号の反射が発生するという問題点があった。さらに、高
周波信号が高周波用回路基板1からキャリア基板2に入
ってマイクロストリップライン6に伝播しても、マイク
ロストリップライン6上に上部の高周波用回路基板1の
ある部分とない部分とで線路における特性インピーダン
スが異なるために、マイクロストリップライン6の途中
で高周波信号の反射が発生するという問題点もあった。
【0020】一方、図5〜図7に示したような誘電体導
波管線路や積層型導波管線路を用いて高周波伝送線路同
士を接続する構造も考えられ、この場合には上記のよう
な特性インピーダンスの不一致は少なく、不要放射等の
問題はないが、導波管線路の接続部分において接続のた
めに給電ピンを必要とするため、この給電ピンの特性に
より用いることができる周波数帯域が狭くなるという問
題点があった。
【0021】本発明は上記事情に鑑みて案出されたもの
であり、その目的は、高周波用回路基板または高周波素
子収納用パッケージをキャリア基板に接続する場合のよ
うな高周波伝送線路の接続構造において、高周波信号の
不要放射や反射が少なく、また容易に接続可能な高周波
伝送線路の接続構造を提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の問
題点に対して検討を重ねた結果、高周波伝送線路として
誘電体線路・積層型導波管・NRD(Non Radiative Di
electric)ガイド等の中心導体を持たない高周波伝送線
路を用い、これらの接続部においてその高周波伝送線路
を構成する接地導体層に結合用の窓としての開口部を開
けてこれら開口部を対向させ、その開口の周囲に導電性
ボール等の導電性接続部材を信号波長の2分の1未満の
間隔で並べることにより、高周波信号の不要放射や反射
を抑制して、しかも容易に電磁気的に高周波信号を接続
することができ、これにより優れた接続構造を提供でき
ることを見出した。
【0023】さらに、上記構造において開口部間に導電
性接続部材の高さ分だけの空気層が形成されることによ
り生じる特性インピーダンスの不連続をできるだけ緩和
するために、この開口部間の隙間に高周波伝送線路の内
部に用いられている誘電体と同程度あるいは所定比率の
比誘電率を持つ誘電体樹脂を充填することにより、より
優れた高周波特性を有する高周波伝送線路の接続構造が
提供できることを見出した。
【0024】本発明の高周波伝送線路の接続構造は、第
1の高周波伝送線路に形成した開口部と第2の高周波伝
送線路に形成した開口部とを対向させ、これら開口部間
をその開口の周囲に沿って高周波信号の信号波長の2分
の1未満の間隔で配置した導電性接続部材を介して接続
したことを特徴とするものである。
【0025】また、本発明の高周波伝送線路の接続構造
は、上記構成において、前記第1および第2の高周波伝
送線路の前記開口部間ならびに前記導電性接続部材の周
囲に誘電体樹脂を充填したことを特徴とするものであ
る。
【0026】本発明の高周波伝送線路の接続構造によれ
ば、第1および第2の高周波伝送線路を構成する接地導
体の一部に形成した開口部を対向させ、開口部間をその
開口の周囲に沿って高周波信号の信号波長の2分の1未
満の間隔で配置した導電性接続部材を介して接続したこ
とから、開口部が形成された接地導体層間を接続した導
電性接続部材の間から電磁波は漏れることがなく、従っ
て、第1および第2の高周波伝送線路の接続部で電磁波
が漏れないことにより、優れた高周波伝送線路の接続構
造とすることができる。
【0027】また、対向させた開口部間ならびに開口の
周囲に配置した導電性接続部材の周囲に誘電体樹脂を充
填した場合には、高周波伝送線路の接続部分において開
口部間に導電性接続部材の高さ分の比誘電率の不連続部
分が介在することにより生じる特性インピーダンスの不
連続を緩和することができ、より優れた高周波特性を有
する高周波伝送線路の接続構造とすることができる。
【0028】
【発明の実施の形態】以下、本発明の高周波伝送線路の
接続構造の実施の形態の例について図1〜図4に基づい
て説明する。
【0029】図1は、本発明の高周波伝送線路の接続構
造の実施の形態の一例として、高周波用回路基板をキャ
リア基板へ実装した場合であって、高周波伝送線路とし
て図6に示す積層型の誘電体導波管線路を用いた場合の
例を示すものであり、図1(a)は高周波用回路基板を
キャリア基板に実装した状態の断面図、図1(b)は高
周波用回路基板の下面図である。
【0030】これらの図において、31は高周波用回路基
板、32はキャリア基板、33は導電性ボール等の導電性接
続部材である。高周波用回路基板31には、誘電体から成
る基板中に、誘電体を挟持する一対の主導体層34・35
と、高周波信号の伝送方向に信号波長の2分の1未満の
間隔で主導体層34・35間を電気的に接続して形成された
2列の側壁用貫通導体36群とを具備する第1の誘電体導
波管線路(高周波伝送線路)38が形成されている。ま
た、キャリア基板32中にも同様に、誘電体から成る基板
中に、誘電体を挟持する一対の主導体層39・40と、高周
波信号の伝送方向に信号波長の2分の1未満の間隔で主
導体層39・40間を電気的に接続して形成された2列の側
壁用貫通導体41群とを具備する第2の誘電体導波管線路
(高周波伝送線路)43が形成されている。なお、37およ
び42は副導体層であり、それぞれ主導体層34・35、39・
40間に主導体層と平行に形成され、側壁用貫通導体36、
41群と電気的に接続されている。
【0031】また、35aは第1の誘電体導波管線路38の
一方の主導体層35に形成された結合用窓としての開口部
であり、39aは第2の誘電体導波管線路43の一方の主導
体層39に形成された結合用窓としての開口部である。こ
れら開口部35a・39aは、それぞれその開口の中心が高
周波伝送線路38・43の端面より管内波長の2分の1程度
となるように設定する。これにより、高周波伝送線路38
(43)を伝播してきた電磁波と端面で反射した電磁波と
が同位相となり強め合うので、開口部35a(39a)での
結合が強いものとなる。
【0032】そして、第1の高周波伝送線路38と第2の
高周波伝送線路43とをその開口部35a・39a同士で接続
するための導電性接続部材33は、対向させた開口部35a
・39aの開口の周囲に沿ってその開口を取り囲むよう
に、その間隔を信号波長の2分の1未満、好ましくは4
分の1以下に設定して配置し、この例であれば主導体層
35および39に接合させることにより開口部35a・39aを
接続する。この導電性接続部材33間の隙間は狭い程高周
波信号の漏れが少なくなって良好な接続ができるので、
導電性接続部材33の中心間の間隔を上記のように設定し
て、導電性接続部材33間の隙間を上記の間隔より狭いも
のとすることが望ましい。
【0033】また、導電性接続部材33の大きさは、開口
に沿った方向の幅については、実際に用いることができ
れば特に制限はない。また、それに直交する方向の厚み
についても、同様に特に制限はない。
【0034】一方、開口部35a・39a間の隙間に相当す
る導電性接続部材33の高さも、高周波信号の漏れを抑制
するためにできるだけ小さくすることが望ましく、例え
ば信号波長の2分の1未満、好ましくは4分の1以下と
するとよい。このように、導電性接続部材33の間隔およ
び高さをできるだけ小さくすることにより、この接続部
分からの高周波信号の漏れをなくすことができ、良好な
高周波特性を有する接続構造とすることができる。
【0035】このような導電性接続部材33としては、例
えば半田バンプや金バンプ等のような導電性ボール、あ
るいは銅・銀・モリブデン・タングステン等を用いた厚
膜印刷によるものなどを用いることができ、接続する高
周波伝送線路やその高周波伝送線路が形成された高周波
用回路基板等の仕様ならびに伝送する高周波信号の条件
等に応じて適宜選択される。
【0036】このような本発明の高周波伝送線路の接続
構造によれば、高周波用回路基板31に形成された積層型
の第1の誘電体導波管線路38の内部を伝播してきた高周
波信号は、一方の主導体層35に設けた結合用窓としての
開口部35aから導電性接続部材33を介して、キャリア基
板32内の積層型の第2の誘電体導波管線路43とその主導
体層39の開口部39aを通って結合し、その後、第2の誘
電体導波管線路43に沿って伝播して行く。
【0037】しかも、このような接続構造によれば、従
来のように信号線導体を導電性部材で接続するのではな
く、高周波信号の伝播領域を形成する接地導体を導電性
部材で接続するため、接続の位置精度を緩和することが
でき、また、エネルギーの導体損失も低減できることか
ら、高周波伝送線路同士を容易に接続することができ
る。
【0038】なお、この例では、高周波伝送線路として
図6に示す積層型の誘電体導波管線路を用いた場合を示
したが、まったく同様にして、図5に示した誘電体導波
管線路を用いてもよい。これら誘電体導波管線路を高周
波伝送線路に用いた場合には、結合部において電磁界が
多少乱れたとしても、マイクロストリップ線路等と異な
り、電磁波を伝送線路内に閉じ込める構造となっている
ため、電磁波の漏れがない優れたものとなる。
【0039】次に、図2は、本発明の高周波伝送線路の
接続構造の実施の形態の一例として、高周波用回路基板
をキャリア基板へ実装した場合であって、高周波伝送線
路として図7に示す縦型の積層型導波管線路を用いた場
合の例を示すものであり、図2(a)は高周波用回路基
板をキャリア基板に実装した状態の断面図、図2(b)
は高周波用回路基板の下面図である。
【0040】これらの図において、51は高周波用回路基
板、52はキャリア基板、53は導電性接続部材である。高
周波用回路基板51には、誘電体から成る基板に、導波管
線路57の断面形状の開口を有する複数層の導体層54およ
び55が所定間隔で互いに平行に形成されるとともに、そ
の断面形状の輪郭に沿って所定間隔をもって多数の貫通
導体56が形成され、導体層54および55は貫通導体56群を
取り囲むようにしてすべての貫通導体56群を電気的に接
続しており、これにより縦型の第1の積層型導波管線路
(高周波伝送線路)57が形成されている。また、キャリ
ア基板52中にも同様に、誘電体から成る基板に、導波管
線路61の断面形状の開口を有する複数層の導体層58およ
び59が所定間隔で互いに平行に形成されるとともに、そ
の断面形状の輪郭に沿って所定間隔をもって多数の貫通
導体60が形成され、導体層58および59は貫通導体60群を
取り囲むようにしてすべての貫通導体60群を電気的に接
続しており、これにより縦型の第2の積層型導波管線路
(高周波伝送線路)61が形成されている。
【0041】また、高周波用回路基板51の表面に位置す
る導体層54には結合用窓としての開口部54aが形成さ
れ、キャリア基板52の表面に位置する導体層58にも結合
用窓としての開口部58aが形成されており、これら開口
部54a・58aが互いに対向している。
【0042】そして、第1の高周波伝送線路57と第2の
高周波伝送線路61とをその開口部54a・58a同士で接続
するための導電性接続部材53は、対向させた開口部54a
・58aの開口の周囲に沿ってその開口を取り囲むよう
に、その間隔を信号波長の2分の1未満、好ましくは4
分の1以下に設定して配置し、この例であれば導体層54
および58に接合させることにより開口部54a・58aを接
続する。
【0043】このような本発明の高周波伝送線路の接続
構造によれば、高周波用回路基板51に形成された縦型の
第1の積層型導波管線路57の内部を伝播してきた高周波
信号は、導体層54に設けた結合用窓としての開口部54a
から導電性接続部材53を介して、キャリア基板52内の縦
型の第2の積層型導波管線路61とその導体層58の開口部
58aを通って結合し、その後、第2の積層型導波管線路
61に沿って伝播して行く。
【0044】この例のように積層型導波管線路を高周波
伝送線路に用いた場合には、図6に示した積層型の誘電
体導波管線路を用いた場合と同様に、電磁波を伝送線路
内に閉じ込める構造となっているため、結合部において
電磁界が多少乱れたとしても電磁波の漏れがない優れた
ものとなる。
【0045】次に、図3は、本発明の高周波伝送線路の
接続構造の実施の形態の一例として、高周波用回路基板
をキャリア基板へ実装した場合であって、高周波伝送線
路として、高周波用回路基板にはNRDガイドを、キャ
リア基板には図6に示す積層型の誘電体導波管線路を用
いた場合の例を示すものであり、図3(a)は高周波用
回路基板をキャリア基板に実装した状態の断面図、図3
(b)は高周波用回路基板の下面図である。
【0046】これらの図において、71は高周波用回路基
板、72はキャリア基板、73は導電性接続部材である。高
周波用回路基板71には、高周波信号の半波長以下の間隔
で平行に配置された2枚の導体板74・75間に、導体板74
・75間に存在する誘電体媒質(通常は空気、あるいは誘
電体ストリップ76よりも小さな誘電率の誘電体)よりも
大きな誘電率を有する所定幅の誘電体ストリップ76が挿
入されており、これにより第1の高周波伝送線路として
NRDガイド77が形成されている。
【0047】ここで、NRDガイド77について簡単に説
明する。半波長以下の間隔で平行に配置された2枚の導
体板74・75に平行に偏波した電磁波は遮断されて伝搬し
ない。このような遮断平行平板導体路に所定幅の誘電体
ストリップ76を挿入すると、誘電体ストリップ76中では
伝搬波長が短縮されるため遮断状態が解消され、誘電体
ストリップ76に沿って電磁波を伝搬させることができ
る。この場合、誘電体ストリップ76が曲がっていても導
体板74・75の遮断効果により放射波は伝搬せず、伝搬エ
ネルギーはほとんど誘電体ストリップ76中に閉じ込めら
れるので、不要放射や放射損失が抑制され、周囲への影
響を生じることもなく、極めて高性能な誘電体線路とな
るものである。
【0048】一方、キャリア基板72中には、図1に示し
たキャリア基板31と同様に、誘電体から成る基板中に、
誘電体を挟持する一対の主導体層78・79と、高周波信号
の伝送方向に信号波長の2分の1未満の間隔で主導体層
78・79間を電気的に接続して形成された2列の側壁用貫
通導体80群とを具備する第2の高周波伝送線路である誘
電体導波管線路82が形成されている。なお、81は副導体
層であり、主導体層78・79間に主導体層と平行に形成さ
れ、側壁用貫通導体80群と電気的に接続されている。
【0049】なお、この場合の誘電体導波管線路82は、
NRDガイド77における伝播モードが通常はLSMモー
ドで用いられる(導体板74・75はE面になる)ため、主
導体層78・79がE面となるように用いる必要がある。ま
た、この場合、誘電体導波管線路82は図5に示した副導
体層を具備しない誘電体導波管線路では代用できない。
ただし、主導体層78に形成する開口部78aの形状をスロ
ット形状とすることにより、誘電体導波管線路82の主導
体層78・79をH面となるように用いることができる。
【0050】また、高周波用回路基板71の一方の導体板
75には結合用窓としての開口部75aが形成され、キャリ
ア基板72の表面に位置する導体層78にも結合用窓として
の開口部78aが形成されており、これら開口部75a・78
aが互いに対向している。
【0051】なお、この例の場合におけるこれら開口部
75a・78aは、それぞれその開口の中心が誘電体導波管
線路82の端面より管内波長の2分の1程度となり、NR
Dガイド77の端面より管内波長の4分の1程度となるよ
うに設定する。これにより、誘電体導波管線路82を伝播
してきた電磁波とその端面で反射した電磁波とが強め合
う位置と、NRDガイド77を伝送方向に伝播する電磁波
とその端面で反射した電磁波とが強め合う位置とが一致
するので、結合が強いものとなる。ただし、より良い位
置は電磁界解析により決定する必要がある。
【0052】そして、第1の高周波伝送線路77と第2の
高周波伝送線路82とをその開口部75a・78a同士で接続
するための導電性接続部材73は、対向させた開口部75a
・78aの開口の周囲に沿ってその開口を取り囲むよう
に、その間隔を信号波長の2分の1未満、好ましくは4
分の1以下に設定して配置し、この例であれば導体板75
および主導体層78に接合させることにより開口部75a・
78aを接続する。
【0053】このような本発明の高周波伝送線路の接続
構造によれば、高周波用回路基板71に形成されたNRD
ガイド77の内部を伝播してきた高周波信号は、導体板75
に設けた結合用窓としての開口部75aから導電性接続部
材73を介して、キャリア基板72内の誘電体導波管線路82
とその主導体層78の開口部78aを通って結合し、その
後、誘電体導波管線路82に沿って伝播して行く。
【0054】この例のようにNRDガイドを高周波伝送
線路に用いた場合には、例えば、平面型のアンテナ基板
をNRDガイドの上に形成し、本発明の接続構造を用い
ることにより、NRDガイドについて確立されたフィル
タや方向性結合器・サーキュレータ・発振器・ミクサ等
の技術を利用して、容易にレーダモジュールが形成でき
るものとなる。
【0055】本発明の高周波伝送線路の接続構造におい
ては、図3に示した実施の形態の例のように、高周波用
回路基板およびキャリア基板に形成された高周波伝送線
路、すなわち本発明の接続構造により接続する高周波伝
送線路には、必ずしも同種類の高周波伝送線路を用いる
必要はない。例えば、誘電体導波管線路と積層型導波管
線路とを接続する場合や誘電体導波管線路とNRDガイ
ドとを接続する場合であっても、高周波伝送線路として
導波管線路内に中心導体を有しないものであれば、結合
部での電磁界の乱れによる電磁波の漏れがないので望ま
しいものとなる。また、多少の電磁波の漏れを許容でき
るならば、ストリップ線路やマイクロストリップ線路・
コプレーナ線路等の中心導体を有するものであってもこ
のような開口部を対向させて導電性接続部材により接続
することによって結合することができ、その開口の周囲
に導電性接続部材を所定間隔で配置することにより、損
失の少ない接続構造を提供することができる。
【0056】また、開口部は、電磁的に結合するため
の、接地導体に開けられた電気的な穴であり、図に示し
たような結合用の窓の形状であっても、あるいは細長い
形状としたいわゆるスロットであってもよい。
【0057】なお、上記の実施の形態の各例では、開口
部同士の接続部において、高周波用回路基板とキャリア
基板との間、すなわち第1の高周波伝送線路と第2の高
周波伝送線路の開口部間に、導電性接続部材の高さ分の
空気層が介在することとなる。このため、ここでの特性
インピーダンスが第1および第2の高周波伝送線路に対
して不一致となり反射が発生することがある。
【0058】これに対しては、接続部の高周波用回路基
板とキャリア基板との間、すなわち第1およひ第2の高
周波伝送線路の開口部間ならびにその開口の周囲に配置
された導電性接続部材の周囲に誘電体樹脂を充填するこ
とによって、特性インピーダンスの不一致を緩和し、高
周波信号の反射を抑制することができる。
【0059】図4はそのような誘電体樹脂を充填した本
発明の実施の形態の例を示す断面図であり、図1(a)
と同様の接続構造を例にとって図示し、図1(a)と同
様の箇所には同じ符号を付してある。
【0060】図4に示すように、第1の高周波伝送線路
38の開口部35aと第2の高周波伝送線路43の開口部39a
とを対向させ、開口部35a・39a間をその開口に沿って
高周波信号の2分の1未満の間隔で配置した導電性接続
部材33を介して接続し、それら開口部35a・39a間なら
びにその開口の周囲に配置された導電性接続部材33の周
囲に誘電体樹脂44を注入固化する等して充填することに
より、この開口部35a・39a間における高周波伝送線路
38・43との特性インピーダンスの不一致は緩和すること
ができる。
【0061】また、この誘電体樹脂44として、半導体素
子のフリップチップ実装において使用される半導体素子
を固定するためのいわゆるアンダーフィル樹脂を用いた
場合には、誘電体樹脂44が誘電体媒質として開口部35a
・39a間に介在するとともに、高周波用回路基板31とキ
ャリア基板32とを機械的に接合させることもでき、耐環
境性や信頼性に優れた安定した接続構造とすることがで
きる。
【0062】さらに、誘電体樹脂44の比誘電率を高周波
伝送線路の内部の誘電体の比誘電率の0.25倍〜4倍程度
にすることで、本発明の高周波伝送線路の接続構造にお
ける開口部境界と高周波伝送線路入力ポート間のVSW
R(電圧定在波比)を2以下にすることができ、良好な
高周波特性を有する接続構造とすることができる。
【0063】このような誘電体樹脂44としては、例えば
反応硬化性や熱硬化性・光硬化性の誘電体樹脂等を用い
ることができ、中でも光硬化性の誘電体樹脂を用いる
と、一定の波長の光を照射するだけで容易に硬化させる
ことができるので好ましい。
【0064】また、誘電体樹脂44を開口部35a・39a間
ならびに導電性接続部材33の周囲に充填するには、例え
ば高周波用回路基板31とキャリア基板32との間に粘度を
調整した誘電体樹脂44を一方から注入すれば、表面張力
により自然に充填させることができる。
【0065】なお、本発明は以上の例に限定されるもの
ではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更
・改良を施すことは何ら差し支えない。例えば、導電性
接続部材は開口部の周囲からやや距離をおいて配置して
もよいし、開口部の形状は円形や楕円形・スロット形と
してもよい。
【0066】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明の高周波伝送
線路の接続方法によれば、第1および第2の高周波伝送
線路の開口部を対向させ、開口部間をその開口の周囲に
沿って高周波信号の信号波長の2分の1未満の間隔で配
置した導電性接続部材を介して接続したことから、開口
部が形成された接地導体層間を接続した導電性接続部材
の間から電磁波は漏れることがなく、従って、第1およ
び第2の高周波伝送線路の接続部で電磁波が漏れないこ
とにより、優れた高周波伝送線路の接続構造とすること
ができる。
【0067】また、対向させた開口部間ならびに開口の
周囲に配置した導電性接続部材の周囲に誘電体樹脂を充
填した場合には、高周波伝送線路の接続部分において開
口部間に生じる特性インピーダンスの不連続を緩和する
ことができ、より優れた高周波特性を有する高周波伝送
線路の接続構造とすることができる。
【0068】以上により、本発明によれば、高周波用回
路基板または高周波素子収納用パッケージをキャリア基
板に接続する場合のような高周波伝送線路の接続構造に
おいて、高周波信号の不要放射や反射が少なく、また容
易に接続可能な高周波伝送線路の接続構造を提供するこ
とができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の高周波伝送線路の接続構造の
実施の形態の一例を示す断面図、(b)はその高周波用
回路基板の下面図である。
【図2】(a)は本発明の高周波伝送線路の接続構造の
実施の形態の他の例を示す断面図、(b)はその高周波
用回路基板の下面図である。
【図3】(a)は本発明の高周波伝送線路の接続構造の
実施の形態の他の例を示す断面図、(b)はその高周波
用回路基板の下面図である。
【図4】本発明の高周波伝送線路の接続構造の実施の形
態の他の例を示す断面図である。
【図5】誘電体導波管線路の例を示す概略斜視図であ
る。
【図6】誘電体導波管線路の他の例を示す概略斜視図で
ある。
【図7】縦型の積層型誘電体導波管の例を示す概略斜視
図である。
【図8】従来の高周波信号の接続方法の例を示す断面図
である。
【符号の説明】
38、57、77・・・・・第1の高周波伝送線路 35a、54a、75a・・・開口部 43、61、82・・・・・第2の高周波伝送線路 39a、58a、78a・・・開口部 33、53、73・・・・・導電性接続部材 44・・・・・・・・・誘電体樹脂

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1の高周波伝送線路に形成した開口部
    と第2の高周波伝送線路に形成した開口部とを対向さ
    せ、これら開口部間をその開口の周囲に沿って高周波信
    号の信号波長の2分の1未満の間隔で配置した導電性接
    続部材を介して接続したことを特徴とする高周波伝送線
    路の接続構造。
  2. 【請求項2】 前記第1および第2の高周波伝送線路の
    前記開口部間ならびに前記導電性接続部材の周囲に誘電
    体樹脂を充填したことを特徴とする請求項1記載の高周
    波伝送線路の接続構造。
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