CN109060160A - 耐高压的温度传感器 - Google Patents

耐高压的温度传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN109060160A
CN109060160A CN201810658489.XA CN201810658489A CN109060160A CN 109060160 A CN109060160 A CN 109060160A CN 201810658489 A CN201810658489 A CN 201810658489A CN 109060160 A CN109060160 A CN 109060160A
Authority
CN
China
Prior art keywords
temperature sensor
weight
parts
film
insulating properties
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201810658489.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN109060160B (zh
Inventor
何剑锋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanjing Nanhe Instrument Co.,Ltd.
Original Assignee
Siyang Junzilan Laser Technology Development Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siyang Junzilan Laser Technology Development Co Ltd filed Critical Siyang Junzilan Laser Technology Development Co Ltd
Priority to CN201810658489.XA priority Critical patent/CN109060160B/zh
Publication of CN109060160A publication Critical patent/CN109060160A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109060160B publication Critical patent/CN109060160B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01K—MEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/16—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements
    • G01K7/22—Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using resistive elements the element being a non-linear resistance, e.g. thermistor

Abstract

本案涉及一种耐高压的温度传感器，包括：绝缘性薄膜；薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于绝缘性薄膜的表面；一对电极，形成于绝缘性薄膜上且连接于薄膜热敏电阻部；绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：碳化铝50重量份；氧化铁20～22重量份；氧化钴12～14重量份；氮化镁3～5重量份。本发明通过对温度传感器的绝缘性薄膜材料进行改进，使其具有良好的绝缘性能，本发明的温度传感器能同时满足高温高压的条件，使用寿命长，环境适应性以及检测的安全性和可靠性好。

Description

耐高压的温度传感器
技术领域
本发明涉及温度传感器元件，尤其涉及一种耐高压的温度传感器。
背景技术
传感器是由不同极性的导体材料装在有绝缘材料的金属套管中，被加工成可弯曲的坚实组合体。传感器主要用于高温高压高湿场合进行测温，如电站等，由于用于电站的温度传感器具有使用温度高(350℃左右)、使用压力大(17.2MPa)，采用常规绝缘材料作为传感器的密封材料，不能满足电站等特殊环境需要。目前使用的耐高温高压温度传感器全靠进口，其成本高，维修困难，严重制约了我国电站测温技术的发展。现有的耐高温高压温度不能满足的高温、高压的环境使用的可靠性的要求，测温精度不好，并使用寿命短。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题，本案提供一种温度传感器，其具有耐高温高压性能好，使用寿命长的优点。
为实现上述目的，本案通过以下技术方案实现：
一种耐高压的温度传感器，其中，包括：
绝缘性薄膜；
薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于所述绝缘性薄膜的表面；
一对电极，形成于所述绝缘性薄膜上且连接于所述薄膜热敏电阻部；
其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份(V0.5Cr0.5)3AlC2。
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。
优选的是，所述的耐高压的温度传感器，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。
本发明的有益效果是：
(1)本发明通过对温度传感器的绝缘性薄膜材料进行改进，使其具有良好的绝缘性能，本发明的温度传感器能同时满足高温高压的条件，使用寿命长，环境适应性以及检测的安全性和可靠性好。
(2)碳化铝作为绝缘性薄膜的主体，其耐热性能高，热稳定性能好；氧化铁、氧化钴、氮化镁作为一个整体，协同提高其耐老化、耐火、耐腐蚀和耐湿能力；通过加入Cr3AlC2提高抗大电流的能力及耐湿能力；通过加入(V0.5Cr0.5)3AlC2提高其尺寸稳定性能；通过加入V2AlC提高其抗压强度和抗弯曲强度；通过加入碳酸镧提高其耐流耐压性能；通过加入氧化钇进一步提高其耐湿能力；通过加入硼砂提高其耐冲击强度和耐热性。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明做进一步的详细说明，以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
本发明提供一种耐高压的温度传感器，其中，包括：
绝缘性薄膜；
薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于绝缘性薄膜的表面；
一对电极，形成于绝缘性薄膜上且连接于薄膜热敏电阻部；
其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：
碳化铝作为绝缘性薄膜的主体，其耐热性能高，热稳定性能好；氧化铁、氧化钴、氮化镁作为一个整体，协同提高其耐老化、耐火、耐腐蚀和耐湿能力。
作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。通过加入Cr3AlC2提高抗大电流的能力及耐湿能力。
作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份(V0.5Cr0.5)3AlC2。通过加入(V0.5Cr0.5)3AlC2提高其尺寸稳定性能。
作为本案又一实施例，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。通过加入V2AlC提高其抗压强度和抗弯曲强度。
作为本案又一实施例，其中，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。通过加入碳酸镧提高其耐流耐压性能。
作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。通过加入氧化钇进一步提高其耐湿能力。
作为本案又一实施例，其中，热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。通过加入硼砂提高其耐冲击强度和耐热性。
下面列出一些具体的实施例和对比例及性能测试结果：
尽管本发明的实施方案已公开如上，但其并不仅仅限于说明书和实施方式中所列运用，它完全可以被适用于各种适合本发明的领域，对于熟悉本领域的人员而言，可容易地实现另外的修改，因此在不背离权利要求及等同范围所限定的一般概念下，本发明并不限于特定的细节。

Claims (7)

1.一种耐高压的温度传感器，其特征在于，包括：
绝缘性薄膜；
薄膜热敏电阻部，以热敏电阻材料形成于所述绝缘性薄膜的表面；
一对电极，形成于所述绝缘性薄膜上且连接于所述薄膜热敏电阻部；
其中，绝缘性薄膜由以下重量份的材料组成：
2.如权利要求1所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括2～4重量份Cr3AlC2。
3.如权利要求2所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份(V0.5Cr0.5)3AlC2。
4.如权利要求3所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份V2AlC。
5.如权利要求4所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份碳酸镧。
6.如权利要求5所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份氧化钇。
7.如权利要求5所述的耐高压的温度传感器，其特征在于，所述热敏电阻材料还包括1～3重量份硼砂。
CN201810658489.XA 2018-06-25 2018-06-25 耐高压的温度传感器 Active CN109060160B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810658489.XA CN109060160B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 耐高压的温度传感器

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810658489.XA CN109060160B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 耐高压的温度传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109060160A true CN109060160A (zh) 2018-12-21
CN109060160B CN109060160B (zh) 2021-01-08

Family

ID=64821025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810658489.XA Active CN109060160B (zh) 2018-06-25 2018-06-25 耐高压的温度传感器

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN109060160B (zh)

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1290932A (zh) * 1999-07-02 2001-04-11 Tdk株式会社 光学信息介质和读取方法
CN101193835A (zh) * 2005-05-31 2008-06-04 先进玻璃陶瓷公司 绝热复合材料及其制备方法
CN101486576A (zh) * 2008-01-18 2009-07-22 中国科学院金属研究所 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法
CN101779303A (zh) * 2008-05-20 2010-07-14 松下电器产业株式会社 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统
CN102701739A (zh) * 2012-05-29 2012-10-03 无锡中科超声技术有限公司 一种压电材料及其制备方法
CN104204750A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 三菱综合材料株式会社 温度传感器
CN104396103A (zh) * 2012-08-09 2015-03-04 立山科学工业株式会社 静电保护元件及其制造方法
CN104628408A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种max相陶瓷材料的焊接方法
CN104733478A (zh) * 2015-04-07 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105753474A (zh) * 2016-03-31 2016-07-13 中国科学院新疆理化技术研究所 一种锶掺杂铬酸镧热敏电阻材料
CN105914129A (zh) * 2015-02-24 2016-08-31 三星电子株式会社 插入绝缘层的方法及制造半导体器件的方法
CN106242533A (zh) * 2016-08-26 2016-12-21 中国振华集团云科电子有限公司 一种高稳定ntc热敏陶瓷材料及其制备方法
CN106278221A (zh) * 2016-07-25 2017-01-04 广东风华高新科技股份有限公司 热敏电阻材料及其制备方法和应用
CN107354442A (zh) * 2017-07-14 2017-11-17 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基体表面硬且韧的减磨防护涂层及其制备方法
CN108102305A (zh) * 2017-11-22 2018-06-01 纳琳威纳米科技南通有限公司 一种绝缘高导热塑料的制备方法及其用途
US9997906B1 (en) * 2017-09-21 2018-06-12 Polytronics Technology Corp. Over-current protection device

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1290932A (zh) * 1999-07-02 2001-04-11 Tdk株式会社 光学信息介质和读取方法
CN101193835A (zh) * 2005-05-31 2008-06-04 先进玻璃陶瓷公司 绝热复合材料及其制备方法
CN101486576A (zh) * 2008-01-18 2009-07-22 中国科学院金属研究所 一种原位反应热压合成V2AlC块体陶瓷及其制备方法
CN101779303A (zh) * 2008-05-20 2010-07-14 松下电器产业株式会社 半导体发光器件及包括该半导体发光器件的光源装置和照明系统
CN104204750A (zh) * 2012-03-30 2014-12-10 三菱综合材料株式会社 温度传感器
CN102701739A (zh) * 2012-05-29 2012-10-03 无锡中科超声技术有限公司 一种压电材料及其制备方法
CN104396103A (zh) * 2012-08-09 2015-03-04 立山科学工业株式会社 静电保护元件及其制造方法
CN104628408A (zh) * 2013-11-07 2015-05-20 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种max相陶瓷材料的焊接方法
CN105914129A (zh) * 2015-02-24 2016-08-31 三星电子株式会社 插入绝缘层的方法及制造半导体器件的方法
CN104733478A (zh) * 2015-04-07 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
CN105753474A (zh) * 2016-03-31 2016-07-13 中国科学院新疆理化技术研究所 一种锶掺杂铬酸镧热敏电阻材料
CN106278221A (zh) * 2016-07-25 2017-01-04 广东风华高新科技股份有限公司 热敏电阻材料及其制备方法和应用
CN106242533A (zh) * 2016-08-26 2016-12-21 中国振华集团云科电子有限公司 一种高稳定ntc热敏陶瓷材料及其制备方法
CN107354442A (zh) * 2017-07-14 2017-11-17 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种基体表面硬且韧的减磨防护涂层及其制备方法
US9997906B1 (en) * 2017-09-21 2018-06-12 Polytronics Technology Corp. Over-current protection device
CN108102305A (zh) * 2017-11-22 2018-06-01 纳琳威纳米科技南通有限公司 一种绝缘高导热塑料的制备方法及其用途

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
何希才 主编: "《高等学校通用教材 传感器技术及应用》", 30 April 2005 *
同济大学材料科学与工程学院 主编: "《材料科学与工程专业实践教学指导书 （金属与无机非金属材料分册）》", 31 December 2017 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN109060160B (zh) 2021-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4833717B2 (ja) 接触燃焼式ガスセンサとその検知素子および補償素子
JP6405074B2 (ja) 温度センサ及び温度センサを備えた装置
JP2017020928A5 (zh)
CN103811125B (zh) 耐高温抗老化高柔韧性电力电缆
JP2008224553A (ja) サーミスタ取付体
CN109060160A (zh) 耐高压的温度传感器
CN106575856B (zh) 具有由至少三元的合金制成的密封部的火花塞
US20110235680A1 (en) Sensor of temperature
US20170322175A1 (en) Hydrogen Detector for Gas Media
CN207093391U (zh) 用于抑制合金泵电化学腐蚀的合金套管结构
CN110173506A (zh) 用于高温、易腐蚀、易氧化工作环境下的全陶瓷关节轴承
CN212963759U (zh) 一种稳定型温度传感器
JP6966512B2 (ja) ガスセンサ
CN209328586U (zh) 一种抗老化线缆
CN201083711Y (zh) 氧化锆浓差电池型氧检测器
JP2006125921A (ja) 酸素センサ
CN215114907U (zh) 一种碗状环及热电偶耐磨防护装置
CN216413363U (zh) 一种电气工程用带有防水密封功能的电缆连接器
CN210112311U (zh) 一种波浪形翅片式电暖器发热管
US20160290954A1 (en) Sensor Device
CN219390518U (zh) 一种高温热载体取压装置
CN214149609U (zh) 一种灵敏度高的温度传感器
CN201993657U (zh) 一种杆式温度控制器
CN211237771U (zh) 一种复合型铝合金绝缘电缆
JP6839236B2 (ja) ガスセンサ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20210809

Address after: 210000 room 291, complex building A10, No. 2, Wenshu East Road, Xianlin street, Qixia District, Nanjing, Jiangsu Province

Patentee after: Nanjing Nanhe Instrument Co.,Ltd.

Address before: No.9, development avenue, Yiyang Industrial Science and Technology Park, Siyang County, Suqian City, Jiangsu Province

Patentee before: SIYANG JUNZILAN LASER TECHNOLOGY DEVELOPMENT Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right