CN109036475B

CN109036475B - 磁记录介质

Info

Publication number: CN109036475B
Application number: CN201810587131.2A
Authority: CN
Inventors: 直井宪次; 藤本贵士; 白田雅史
Original assignee: Fujifilm Corp
Current assignee: Fujifilm Corp
Priority date: 2017-06-09
Filing date: 2018-06-06
Publication date: 2021-11-30
Anticipated expiration: 2038-06-06
Also published as: JP2019003714A; US20180358043A1; JP6745759B2; CN109036475A

Abstract

本发明提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。所述磁记录介质具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε‑Fe₂O₃及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场‑磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场‑磁化曲线求出的。d²M/dH²式(I)；119kA/m＜Hc’＜2380kA/m式(II)；ε‑A_aFe_2‑aO₃(1)，式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。

Description

磁记录介质

技术领域

本发明涉及一种磁记录介质。

背景技术

ε型氧化铁(ε-Fe₂O₃)具有铁氧体磁铁的3倍的矫顽力，因此作为磁性材料受到瞩目。与此相关地，进行了用于提高包含ε-Fe₂O₃(包含Fe位(site)的一部分被其他金属元素取代的化合物)的磁性材料的磁特性的尝试。

例如，公开有如下磁性粉末：其包含以ε-Fe₂O₃晶体(包括Fe位的一部分被金属元素M取代的化合物)为主相的铁氧化物的粒子，根据透射型电子显微镜(TEM)照片测定的粒径中，平均粒径为10nm～200nm，且粒径小于10nm的粒子的个数比例为25％以下(例如，参考专利文献1)。

并且，例如公开有具有规定的磁特性的平均粒径为10nm以上且30nm以下的ε-Fe₂O₃的Fe位的一部分被其他金属元素取代的铁系氧化物磁性粒子粉(例如，参考专利文献2)。

专利文献1：日本专利第5130534号公报

专利文献2：日本专利第5966064号公报

专利文献1公开的磁性材料的矫顽力高，专利文献2公开的磁性材料的矫顽力分布窄。然而，当制作磁记录介质时，不仅磁性材料的磁特性要良好，而且例如从行走耐久性等观点而言，良好的磁性层的膜强度等物理特性也是重要的。关于此，根据本发明人的研究，判明了磁性层中包含专利文献1及专利文献2的磁性材料的磁记录介质的磁性层的膜强度不充分。

发明内容

鉴于上述内容，本发明的一实施方式要解决的课题在于提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。

用于解决上述课题的具体手段包括以下方式。

<1>一种磁记录介质，其具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe₂O₃及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描(sweep)速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场-磁化曲线求出的。

d²M/dH² 式(I)

119kA/m＜Hc’＜2380kA/m 式(II)

[化学式1]

ε-A_aFe_2-aO₃ (1)

式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。

<2>根据<1>所述的磁记录介质，其中，粘结剂为具有交联结构的粘结剂。

<3>根据<1>或<2>所述的磁记录介质，其中，Hc相对于Hc’的值为0.65以上且1.0以下。

<4>根据<1>～<3>中任一项所述的磁记录介质，其中，Hc相对于Hc’的值为0.71以上且1.0以下。

<5>根据<1>～<4>中任一项所述的磁记录介质，其中，粘结剂的含量相对于强磁性粉末100质量份为5质量份～30质量份。

<6><1>～<5>中任一项所述的磁记录介质，其中，在磁性层中，不挥发成分的质量相对于强磁性粉末的质量的质量比为0.15～1.8。

<7>根据<1>～<6>中任一项所述的磁记录介质，其中，磁性层的厚度为10nm～350nm。

<8>根据<1>～<7>中任一项所述的磁记录介质，其中，式(1)中的A为选自包括Ga、Al、In、Nb、Co、Zn、Ni、Mn、Ti及Sn的组中的至少1种金属元素。

<9>根据<8>所述的磁记录介质，其中，式(1)所表示的化合物包含Ga，Ga原子的原子组成百分比相对于Fe原子为5原子％～50原子％。

发明效果

根据本发明，能够提供一种电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。

具体实施方式

本发明中，使用“～”表示的数值范围是指将“～”的前后所记载的数值分别作为最小值及最大值而包含的范围。在本发明中阶段性记载的数值范围中，以某一数值范围记载的上限值或下限值可以被置换成其他阶段性记载的数值范围的上限值或下限值。并且，在本发明中所记载的数值范围中，以某一数值范围记载的上限值或下限值也可以被置换成实施例所示的值。

在本发明中，所期望的，当组合物中存在多种相当于各成分的物质时，只要没有特别指定，则指存在于组合物中的该多种物质的合计量。

在本发明中，“工序”这一术语，不仅是指独立的工序，即使在无法与其他工序明确区分的情况下，只要能够实现该工序的所希望的目的，则包含于本术语中。

在本发明中，“溶剂”是以包含水、有机溶剂及水与有机溶剂的混合溶剂的含义使用的。

<磁记录介质>

本发明的磁记录介质具有：非磁性支撑体；及非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe₂O3及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场-磁化曲线求出的。

d²M/dH² 式(I)

119kA/m＜Hc’＜2380kA/m 式(II)

[化学式2]

ε-A_aFe_2-aO₃ (1)

式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。

以往，进行了用于提高包含ε-Fe₂O₃(包括Fe位的一部分被其他金属元素取代的化合物)的磁性材料的磁特性的尝试。然而，当制作磁记录介质时，不仅磁性材料的磁特性要良好，而且例如从行走耐久性等观点而言，磁性层的膜强度等物理特性优异也是重要的。关于此，判明了磁性层中包含专利文献1及专利文献2中所记载的ε-Fe₂O₃的磁记录介质的磁性层的膜强度不充分。

相对于此，在本发明中，通过以下详细叙述的Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，可提供电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。

虽然其详细原因不明，但如下推测。即，认为在本发明的磁记录介质中，通过Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，磁记录介质的磁性层中的超顺磁性成分变少，磁记录介质的电磁转换特性得到提高。

作为这种超顺磁性成分，可以考虑通过具有小于10nm(例如5nm以下)的一次粒径而磁特性显著降低的超微强磁性粉末粒子。与一次粒径大的强磁性粉末粒子相比，这种超微强磁性粉末粒子每单位体积的表面积大。因此，认为当磁记录介质中的Hc/Hc’小于0.6时，磁性层中会大量存在这种超微粒子，由此对具有大表面积的强磁性粉末，无法确保用于在磁性层形成膜的充分量的粘结剂，磁记录介质的磁性层中的膜强度降低。然而，在本发明中，认为通过磁记录介质中的Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，磁记录介质的磁性层中超微强磁性粉末粒子等超顺磁性成分变少，对强磁性粉末，可确保用于在磁性层形成膜的充分量的粘结剂，可形成磁性层的膜强度优异的磁记录介质。

在本发明中，判明了通过控制由磁场-磁化曲线得到的下述物性，能够提供电磁转换特性及磁性层的膜强度优异的磁记录介质。

具体而言，在磁记录介质中，将用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’，将在磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，所述磁化M是由在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到的磁场-磁化曲线求出的。

d²M/dH² 式(I)

119kA/m＜Hc’＜2380kA/m 式(II)

在本发明中，有时将上述Hc相对于Hc’的值称为“Hc/Hc’”。

(Hc/Hc’)

对本发明中的Hc/Hc’的求法进行具体的说明。

对于磁记录介质，使用TAMAKAWA CO.，LTD.制造的振动试样型磁通计(TM-TRVSM5050-SMSL型)，在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定相对于施加磁场的磁化强度。由测定结果得到磁场(H)-磁化(M)曲线。

基于所得到的磁场(H)-磁化(M)曲线，计算出用施加的磁场H对磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场，将其定义为Hc’。Hc’满足下述式(II)。

d²M/dH² 式(I)

119kA/m＜Hc’＜2380kA/m 式(II)

式(I)的值成为零的磁场的值(Hc’)等于用施加的磁场H对磁化M进行微分的值(dM/dH)成为最大时的磁场的值。

并且，将在所得到的磁场(H)-磁化(M)曲线中磁化M成为零的磁场H的值定义为Hc。Hc为表示作为测定对象的磁记录介质的矫顽力的值。

求出磁化成为零的磁场的值(Hc)相对于在此所得到的式(I)的值成为零的磁场的值(Hc’)之比(Hc/Hc’)。

Hc/Hc’表示受到超顺磁性成分的影响时的磁化反转磁场与未受超顺磁性成分的影响时的磁化反转磁场之比，是间接地表示超顺磁性成分量的参数。Hc/Hc’的值越高，超顺磁性成分越少，Hc/Hc’的值越低，超顺磁性成分越多。另外，Hc/Hc’的理论上限值为1.0。

在本发明的磁记录介质中，Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，优选为0.65以上且1.0以下，更优选为0.71以上且1.0以下，进一步优选为0.90以上且1.0以下。通过磁记录介质中的Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下，优选为0.65以上且1.0以下，磁记录介质的电磁转换特性及磁性层的膜强度变良好。并且，通过磁记录介质中的Hc/Hc’为0.71以上且1.0以下，磁记录介质的磁性层中的膜强度特别优异。另外，通过磁记录介质中的Hc/Hc’为0.90以上且1.0以下，磁记录介质的电磁转换特性特别优异。并且，Hc/Hc’的理论上限值为1.0。优选磁记录介质中的Hc/Hc’为0.95以下。

为了将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下，例如能够采用以下步骤，但并不限定于以下步骤。

将100质量份的金属原料及0质量份～50质量份的水溶性高分子化合物A溶解于200质量份以上的水中，添加碱水溶液A并进行搅拌之后，添加酸性水溶液并进行搅拌，通过离心分离而回收所产生的沉淀物，用水清洗沉淀物并使其干燥。将向由此得到的粉末中加入水并使其分散而得到的分散液升温至2℃～80℃，一边搅拌一边滴加碱水溶液B之后，煅烧时加入与基质发生作用的金属醇盐并进行搅拌。向该溶液中加入作为沉降剂的盐类(例如，硫酸铵)，通过离心分离而采集沉淀的粉体，用水清洗之后使其干燥，由此得到ε型氧化铁系化合物的前体化合物的粉体(前体粉体)。将所得到的前体粉体装填于煅烧炉内，在900℃～1200℃下热处理1小时～30小时而得到热处理粉体。将该热处理粉体放入液温20℃～90℃的0.5摩尔/L～10摩尔/L的氢氧化钠水溶液中，搅拌2小时～80小时。通过离心分离而采集由此产生的沉淀物，并用纯水进行清洗而得到了强磁性粉末A。

优选将通过上述步骤而得到的强磁性粉末A进一步在0.5质量％～25质量％的水溶性高分子化合物B的存在下分散于水溶液中，并以100000m/s²～3000000m/s²)的离心力对该分散液进行5分钟～120分钟离心处理，清洗所得到的沉淀物并使其干燥，由此能够制成强磁性粉末B。

使用上述强磁性粉末A或强磁性粉末B能够制作磁记录介质。磁记录介质例如能够按照后述的磁记录介质的制造方法进行制作。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，金属原料能够基于所希望的ε型氧化铁系化合物的金属组成适当设定金属的种类及金属的组成比。关于金属组成，能够参考后述的“ε型氧化铁系化合物”项的记载。

金属原料只要是水溶性的金属盐(包括水合物)即可，例如优选硝酸盐或硫酸盐等。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，水溶性高分子化合物A作为金属原料的分散剂发挥功能，能够优选控制前体粉体的大小或分散性。认为由此制成磁记录介质时的Hc/Hc’变良好(成为0.6以上)。作为水溶性高分子化合物A，例如优选聚乙烯吡咯烷酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA)、或PVP与PVA的组合。水溶性高分子化合物A相对于金属原料100质量份，优选为1质量份～20质量份，更优选为5质量份～15质量份。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，金属醇盐只要是具有直接键合于金属原子的烷氧基且能够缩聚的化合物，则并没有特别限制。优选金属醇盐为具有在金属原子上直接键合有2个以上的烷氧基的基团的化合物。

金属醇盐中的金属原子中包括即使是分类为金属的元素的原子、分类为准金属的元素的原子(例如，硅及硼)及分类为非金属的元素的原子，当键合有烷氧基时显出金属性质的原子(例如，磷)。作为金属原子，例如可以举出硅(Si)、钛(Ti)、锆(Zr)、铝(Al)、硼(B)、磷(P)、锌(Zn)、镁(Mg)、锗(Ge)、镓(Ga)、锑(Sb)、锡(Sn)、钽(Ta)、钒(V)等。

金属醇盐优选为包含硅的金属醇盐。

作为包含硅的金属醇盐化合物，例如可以举出四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷(TEOS)、四丙氧基硅烷、三甲氧基硅烷、三乙氧基硅烷、三丙氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙基三甲氧基硅烷、乙基三乙氧基硅烷、丙基三甲氧基硅烷、丙基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二乙基二甲氧基硅烷、二乙基二乙氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷等，优选四乙氧基硅烷。

作为包含钛的金属醇盐化合物，例如可以举出四甲氧基钛、四乙氧基钛、四丙氧基钛、四异丙氧基钛、四丁氧基钛、四仲丁氧基钛、四叔丁氧基钛。

作为包含锆的金属醇盐化合物，例如可以举出四甲氧基锆、四乙氧基锆、四丙氧基锆、四异丙氧基锆、四丁氧基锆、四仲丁氧基锆、四叔丁氧基锆。

作为包含铝的金属醇盐化合物，例如可以举出三甲氧基铝、三乙氧基铝、三丙氧基铝、三异丙氧基铝、三丁氧基铝、三仲丁氧基铝、三叔丁氧基铝。

作为包含硼的金属醇盐化合物，例如可以举出三甲氧基硼烷、三乙氧基硼烷、三丙氧基硼烷、三异丙氧基硼烷、三丁氧基硼烷、三仲丁氧基硼烷、三叔丁氧基硼烷。

作为包含磷的金属醇盐化合物，例如可以举出三甲氧基膦、三乙氧基膦。

作为包含锌的金属醇盐化合物，例如可以举出二甲氧基锌、二乙氧基锌。

作为包含镁的金属醇盐化合物，例如可以举出二甲氧基镁、二乙氧基镁。

作为包含锗的金属醇盐化合物，例如可以举出四乙氧基锗、四正丙氧基锗。

作为包含镓的金属醇盐化合物，例如可以举出三乙氧基镓、三正丁氧基镓。

作为包含锑的金属醇盐化合物，例如可以举出三乙氧基锑、三正丁氧基锑。

作为包含锡的金属醇盐化合物，例如可以举出四乙氧基锡、四正丙氧基锡。

作为包含钽的金属醇盐化合物，例如可以举出五甲氧基钽、五乙氧基钽。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，作为碱水溶液A及碱水溶液B，优选为pH为超过7且14以下的水溶液，更优选为氨水溶液，更优选为10质量％～30质量％的氨水溶液。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，作为酸性水溶液，优选为pH为1以上且小于7的水溶液，更优选为柠檬酸水溶液，更优选为1质量％～20质量％的柠檬酸水溶液。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，水溶性高分子化合物B优选聚乙烯醇(PVA)或聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、或PVA与PVP的组合，通过将强磁性粉末A分散于水溶性高分子化合物B中，对溶剂的分散性变良好。

在用于将磁记录介质中的Hc/Hc’调整为0.6以上且1.0以下的步骤中，对强磁性粉末A的分散液进行离心处理的条件优选为以1961330m/s²的离心力进行20分钟～30分钟。通过以1961330m/s²的离心力进行20分钟～30分钟离心分离，沉淀物中所包含的超微强磁性粉末粒子(例如5nm以下的一次粒径)变少，制作磁记录介质时的磁性层中的膜强度变得更良好。

在磁记录介质中，能够在非磁性支撑体的至少一面上具有磁性层，优选在非磁性支撑体的一面上具有磁性层。磁记录介质根据需要可以具有其他层。作为磁记录介质能够具有的其他层，可以举出非磁性层、背涂层等。关于其他层，将进行后述。

[非磁性支撑体]

本发明的磁记录介质具有非磁性支撑体。非磁性支撑体是指不具有磁性的支撑体。以下，有时将非磁性支撑体简称为“支撑体”。

其中，“非磁性”是指剩余磁通密度为10mT以下或矫顽力为7.98kA/m(100Oe)以下、或者剩余磁通密度为10mT以下且矫顽力为7.98kA/m(100Oe)以下，优选指不具有剩余磁通密度和矫顽力。

非磁性支撑体能够举出由不具有磁性的材料、例如不包含磁性材料的树脂材料、不具有磁性的无机材料等材料形成的基材。形成非磁性支撑体的材料能够从满足磁记录介质所需的成型性等物性、所形成的非磁性支撑体的耐久性等要求的材料中适当选择使用。

非磁性支撑体可以根据磁记录介质的使用方式进行选择。例如，当磁记录介质为磁带、柔性磁盘等时，作为非磁性支撑体，能够使用具有可挠性的树脂薄膜。当磁记录介质为硬盘等时，作为非磁性支撑体，能够使用盘状且比柔性磁盘用支撑体硬的树脂成型体、无机材料成型体、金属材料成型体等。

作为形成非磁性支撑体的树脂材料，可以举出聚对苯二甲酸乙二酯(PE T)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)等聚酯、聚乙烯、聚丙烯等聚烯烃、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、包括聚芳酰胺的芳香族聚酰胺等酰胺类树脂、聚酰亚胺、三乙酸纤维素(TAC)、聚碳酸酯(PC)、聚砜、聚苯并噁唑等树脂材料。能够从已叙述的树脂材料中适当选择来形成非磁性支撑体。

其中，从强度和耐久性良好、容易加工的观点而言，优选聚酯、酰胺类树脂等，更优选聚对苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯及聚酰胺。

当将树脂材料用于磁带等的非磁性支撑体时，将树脂材料成型为薄膜状。将树脂材料成型为薄膜状的方法能够使用公知的方法。

树脂薄膜可以为未拉伸薄膜，也可以为单轴拉伸、双轴拉伸等拉伸薄膜。例如，当使用聚酯时，为了提高尺寸稳定性，能够使用经双轴拉伸的聚酯薄膜。

并且，根据目的也能够使用具有2层以上的层叠结构的薄膜。即，例如如日本特开平3-224127号公报所示，也能够使用以为了改变形成磁性层的面与不具有磁性层的面的表面粗糙度等目的而层叠了不同的2层薄膜的非磁性支撑体等。

当磁记录介质为硬盘时，能够将已叙述的树脂材料成型为盘状的树脂成型体、将玻璃等无机材料或铝等金属材料成型为盘状的无机材料成型体用作非磁性支撑体。

例如，以提高与非磁性支撑体的表面上所具备的磁性层的密接性等目的，非磁性支撑体根据需要可以预先进行电晕放电、等离子体处理、易粘接处理、热处理等表面处理。并且，为了抑制异物混入到磁性层中，可以对非磁性支撑体进行防尘处理等表面处理。

已叙述的各表面处理能够通过公知的方法来实施。

非磁性支撑体的厚度并没有特别限定，能够根据磁记录介质的用途适当设定。非磁性支撑体的厚度优选为3.0μm～80.0μm。例如，当磁记录介质为磁带时，非磁性支撑体的厚度优选为3.0μm～6.5μm，更优选为3.0μm～6.0μm，进一步优选为4.0μm～5.5μm。

就非磁性支撑体及以下说明的磁记录介质的各层的厚度而言，通过离子束、切片机等公知的方法使磁记录介质的厚度方向的截面露出之后，在露出的截面上通过扫描型电子显微镜进行截面观察，在截面观察时，能够作为厚度方向的1个部位的厚度，或者作为在随机抽取的2个部位以上的多个部位(例如2个部位)求出的厚度的算术平均而求出。

[磁性层]

磁性层为有助于磁记录的层。磁性层包含作为磁性体的强磁性粉末及作为膜形成成分的粘结剂，根据目的可以进一步包含添加剂。磁性层优选包含具有与固化剂进行反应而形成的交联结构的粘结剂。通过磁性层包含具有交联结构的粘结剂，磁性层的膜强度得到提高。

(强磁性粉末)

强磁性粉末为含有选自由ε-Fe₂O₃及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物的粉末。

[化学式3]

ε-A_aFe_2-aO₃ (1)

式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，a优选为0＜a＜1.8，更优选为0.1＜a＜1.2。

式(1)中的A优选为选自包括Ga、Al、In、Nb、Co、Zn、Ni、Mn、Ti及Sn的组中的至少1种金属元素。在式(1)所表示的化合物中，通过A为选自包括Ga、Al、In、Nb、Co、Zn、Ni、Mn、Ti及Sn的组中的至少1种金属元素，能够优选控制磁特性。

当式(1)所表示的化合物包含Ga时，Ga原子的原子组成百分比相对于Fe原子，优选为1原子％～50原子％，相对于Fe原子，更优选为5原子％～50原子％。通过以上述原子组成百分比包含Ga原子，能够调整饱和磁化或矫顽力。

强磁性粉末的粒子的形状能够通过使用透射型电子显微镜(TEM)进行观察来确认。并且，其晶体结构能够通过分析X射线衍射(XRD)图案来确认。

作为式(1)所表示的化合物的例子，可以举出下述式(2)所表示的化合物、下述式(3)所表示的化合物、下述式(4)所表示的化合物、下述式(5)所表示的化合物及下述式(6)所表示的化合物。

[化学式4]

ε-Z_zFe_2-zO₃ (2)

式(2)中，Z表示选自包括Ga、Al、In及Nb的组中的至少1种3价金属元素。z满足0＜z＜2。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，z优选为0＜z＜1.8，更优选为0.1＜z＜1.2。

作为式(2)所表示的化合物的具体例，可以举出ε-Ga_0.25Fe_1.75O₃、ε-Ga_0.5Fe_1.50O₃等。

[化学式5]

ε-X_xY_yFe_2-x-yO₃ (3)

式(3)中，X表示选自包括Co、Ni、Mn及Zn的组中的至少1种2价金属元素，Y表示选自Ti及Sn中的至少1种4价金属元素。x满足0＜x＜1，y满足0＜y＜1。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，x优选为0＜x＜0.5。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，y优选为0＜y＜0.5。

作为式(3)所表示的化合物的具体例，可以举出ε-Co_0.05Ti_0.05Fe_1.9O₃、ε-Co_0.07Ti_0.07Fe_1.86O₃等。

[化学式6]

ε-X_xZ_zFe_2-x-zO₃ (4)

式(4)中，X表示选自包括Co、Ni、Mn及Zn的组中的至少1种2价金属元素，Z表示选自包括Ga、Al、In及Nb的组中的至少1种3价金属元素。x满足0＜x＜1，z满足0＜z＜1。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，x优选为0＜x＜0.5。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，z优选为0＜z＜1.0。

作为式(4)所表示的化合物的具体例，可以举出ε-Ga_0.25Co_0.05Fe_1.7O₃、ε-Ga_0.3Co_0.05Fe_1.65O₃等。

[化学式7]

ε-Y_yZ_zFe_2-y-zO₃ (5)

式(5)中，Y表示选自Ti及Sn中的至少1种4价金属元素，Z表示选自包括Ga、Al、In及Nb的组中的至少1种3价金属元素。y满足0＜y＜1，z满足0＜z＜1。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，y优选为0＜y＜0.5。从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，z优选为0＜z＜1.2。

作为式(5)所表示的化合物的具体例，可以举出ε-Ga_0.3Ti_0.05Fe_1.65O₃、ε-Ga_0.25Ti_0.05Fe_1.7O₃等。

[化学式8]

ε-X_xY_yZ_zFe_2-x-y-zO₃ (6)

式(6)中，X表示选自包括Co、Ni、Mn及Zn的组中的至少1种2价金属元素，Y表示选自Ti及Sn中的至少1种4价金属元素，Z表示选自包括Ga、Al、In及Nb的组中的至少1种3价金属元素。x满足0＜x＜1，y满足0＜y＜1，z满足0＜z＜1，且为x+y+z＜2。分别从磁特性和ε相的稳定形成的观点而言，x优选为0＜x＜1.5，更优选为0＜x＜1.0，y优选为0＜y＜0.5，更优选为0＜y＜0.3，z优选为0＜z＜0.5，更优选为0＜z＜0.3。

作为式(6)所表示的化合物的具体例，可以举出ε-Ga_0.24Co_0.05Ti_0.05Fe_1.66O₃、ε-Ga_0.3Co_0.05Ti_0.05Fe_1.6O₃、ε-Ga_0.2Co_0.05Ti_0.05Fe_1.7O₃、ε-Ga_0.5Co_0.01Ti_0.01Fe_1.48O₃等。

另外，以下有时将ε-Fe₂O₃及上述式(1)～式(6)所表示的ε型氧化铁系化合物统称为“特定ε型氧化铁系化合物”。

通过分析X射线衍射(XRD)图案，能够确认特定ε型氧化铁系化合物具有ε型晶体结构。

(强磁性粉末中能够包含的其他化合物)

强磁性粉末中根据需要可以包含其他化合物。

作为其他化合物，例如可以举出选自α-Fe₂O₃、β-Fe₂O₃及γ-Fe₂O₃中的至少1种氧化铁。

并且，作为其他化合物，可以包含Fe₃O₄、FeO等。

另外，其他化合物的含量相对于特定ε型氧化铁系化合物的含量100质量份，优选为20质量份以下。

强磁性粉末的平均一次粒径优选为2nm～60nm，进一步优选为3nm～30nm，最优选为5nm～25nm。

强磁性粉末的平均一次粒径能够通过以下步骤进行测定。

强磁性粉末的一次粒径能够使用透射型电子显微镜(TEM)进行测定。作为TEM，例如能够使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的透射型电子显微镜H-9000型。

就强磁性粉末的一次粒径而言，使用TEM以50000倍～80000倍的摄影倍率拍摄强磁性粉末，并以总倍率成为500000倍的方式打印在印相纸而得到强磁性粉末粒子的照片，从所得到的照片选出任意的粒子，用数字转换器对粒子的轮廓进行跟踪，能够计算为作为与跟踪的区域相同面积的圆的直径(圆面积当量直径)而计算的值。圆面积当量直径的计算中的图像分析中能够使用公知的图像分析软件、例如Carl Zeiss公司制造的图像分析软件KS-400。另外，一次粒径是指未凝聚的独立粒子的粒径。

并且，将对多个(例如500个)粒子的一次粒径的算术平均值作为“平均一次粒径”。

用于测定平均一次粒径的强磁性粉末的试样粒子可以为原料粉末，也可以为从磁性层采集的试样粉末。

从磁性层的试样粉末的采集例如能够通过以下方法来进行。

1.在YAMATO SCIENTIFIC CO.，LTD.制造的等离子体反应器中，对磁性层表面进行1分钟～2分钟表面处理，使磁性层表面的有机物成分(粘结剂成分等)灰化并去除。

2.将浸了环己酮或丙酮等有机溶剂的滤纸贴附于金属棒的边缘部，然后摩擦上述1.的处理后的磁性层表面而将磁性层成分从磁记录介质转印并剥离到滤纸上。

3.将上述2.中剥离的成分抖落在环己酮或丙酮等有机溶剂中(连同滤纸放入溶剂中，并用超声波分散机抖落)，并使有机溶剂干燥，取出剥离成分。

4.将上述3.中刮落的成分放入充分清洗的玻璃试验管中，向其中加入磁性层成分的20ml左右的正丁胺，并密封玻璃试验管。(加入能够溶解未灰化而残留的粘结剂的量的正丁胺。)

5.将玻璃试验管在170℃下加热20小时以上，分解粘结剂及固化剂成分。

6.用纯水充分清洗上述5.的分解后的沉淀物之后使其干燥，并取出粉末。

通过以上工序，能够从磁性层采集试样粉末并用于平均一次粒径的测定。

(ε型氧化铁系化合物的组成)

通过高频电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)发光分光分析法确认ε型氧化铁系化合物的组成。具体而言，将放入有含有ε型氧化铁系化合物的强磁性粉末试样12mg及4mol/L的盐酸水溶液10ml的容器在设定温度80℃的加热板上保持3小时而得到溶解液。接着，使用0.1μm的膜过滤器对所得到的溶解液进行。使用高频电感耦合等离子体(ICP：Inductive ly Coupled Plasma)发光分光分析装置对如此得到的滤液进行元素分析。基于所得到的元素分析的结果，求出各金属原子相对于铁原子100原子％的含有率。

(粘结剂)

粘结剂可以从对形成包含已叙述的强磁性粉末的磁性层有用的膜形成性树脂中进行选择。

粘结剂中所使用的树脂只要能够形成满足目标强度、耐久性等诸多物性的树脂层，则并没有特别限制。能够从公知的膜形成性树脂中根据目的适当选择而用作粘结剂。

粘结剂中所使用的树脂可以为均聚物(homopolymer)，也可以为共聚物(copolymer)。粘结剂中所使用的树脂也可以为公知的电子射线固化型树脂。

作为粘结剂中能够使用的树脂，可以举出选自聚氨酯、聚酯、聚酰胺、氯乙烯树脂、聚苯乙烯、聚丙烯腈、将甲基丙烯酸酯等进行(共)聚合而成的丙烯酸树脂、硝基纤维素等纤维素树脂、环氧树脂、苯氧树脂、聚乙烯醇缩乙醛、聚乙烯醇缩丁醛等聚乙烯基烷基(polyvinyl alkyral)树脂等中的树脂。粘结剂中所使用的树脂可以单独使用已叙述的树脂，也可以使用多种。在这些之中优选的是聚氨酯、丙烯酸树脂、纤维素树脂及氯乙烯树脂。

为了进一步提高磁性层中所包含的强磁性粉末的分散性，优选作为粘结剂的树脂在分子内具有能够吸附于粉体表面的官能团例如极性基团。关于作为粘结剂的树脂能够具有的优选的官能团，例如可以举出-SO₃M、-SO₄M、-PO(OM)2、-OPO(OM)2、-COOM、＝NSO₃M、＝NRSO₃M、-NR¹R²、-N⁺R¹R²R³X等。其中，M表示氢原子或Na、K等碱金属原子。R表示亚烷基，R¹、R²及R³分别独立地表示氢原子、烷基或羟基烷基。X表示Cl、Br等卤素原子。

当作为粘结剂的树脂具有上述官能团时，树脂中的官能团的含量优选0.01meq/g以上且2.0meq/g以下，更优选0.3meq/g以上且1.2meq/g以下。通过树脂中的官能团的含量在上述范围内，强磁性粉体等在磁性层中的分散性变得更良好，磁通密度进一步得到提高，因此优选。

在这些之中，作为粘结剂中所使用的树脂，更优选包含-SO₃Na基的聚氨酯。当聚氨酯包含-SO₃Na基时，相对于聚氨酯，优选以0.0lmeq/g～1.0meq/g包含-SO₃Na基。

粘结剂能够适当使用市售的树脂。

就用作粘结剂的树脂的平均分子量而言，作为重均分子量计例如能够设为10,000以上且200,000以下。

本发明中的重均分子量为将通过凝胶渗透色谱(GPC)测定的值进行聚苯乙烯换算而求出的值。作为测定条件，能够举出下述条件。

GPC装置：HLC-8120(TOSOH CORPORATION制造)

柱：TSK ge1 Mu1tipore HXL-M(TOSOH CORPORATION制造，7.8mmID(Inn erDiameter(内径))×30.0cm)

洗脱液：四氢呋喃(THF)

试样浓度：0.5质量％

样品注入量：10μl

流速：0.6ml/min

测定温度：40℃

检测器：RI检测器

磁性层中的粘结剂(包括具有交联结构的粘结剂)的含量相对于强磁性粉末100质量份，例如能够设在1质量份～50质量份的范围内，优选设在3质量份～40质量份的范围内，更优选设在5质量份～30质量份的范围内。通过磁性层中的粘结剂的含量在上述范围内，本发明的磁记录介质的磁性层中的强磁性粉末和粘结剂的量成为适当的范围，在磁性层形成牢固的膜而提高磁记录介质的磁性层中的膜强度。

(其他添加剂)

磁性层除了已叙述的强磁性粉体及粘结剂以外，在不损害磁性层的效果的范围内根据目的能够含有各种添加剂。

作为添加剂，例如能够举出研磨剂、润滑剂、分散剂、分散助剂、防霉剂、抗静电剂、抗氧化剂、炭黑等。并且，作为添加剂，根据需要能够使用作为无机填料的胶体粒子。

添加剂根据所希望的性质能够适当使用市售品。

-研磨剂-

磁性层能够包含研磨剂。通过磁性层包含研磨剂，能够去除在磁记录介质的使用中附着于磁头的附着物。

作为研磨剂，例如优选单独使用或者组合使用α化率90％以上的α-氧化铝、β-氧化铝、碳化硅、氧化铬、氧化铈、α-氧化铁、刚玉、人造金刚石、氮化硅、碳化硅、碳化钛、氧化钛、二氧化硅、氮化硼等主要是莫氏硬度为6以上的公知的材料。并且，也可以使用这些研磨剂彼此的复合物(将研磨剂用其他研磨剂进行表面处理而得到的复合物)。

有时在研磨剂中包含作为已叙述的主成分的金属化合物粒子以外的化合物或元素，但只要主成分为90质量％以上，则效果没有变化。

并且，研磨剂也可以使用对上述粒子进行表面处理而得到的材料。

研磨剂能够适当使用市售品。

具体而言，作为研磨剂的市售品，可以举出Sumitomo Chemical Co.，Ltd.制造的AKP-12、AKP-15、AKP-20、AKP-30、AKP-50、HIT20、HIT30、HIT55、HIT60A、HIT70、HIT80、HIT100；Reynolds公司制造的ERC-DBM、HP-DBM、HPS-DBM；FujimiIncorporated.制造的WA10000；Uyemura&Co.，Ltd.制造的UB20；NIPPON CHEMICAL INDUSTRIAL CO.，LTD.制造的G-5、Chromex U2、Chrom ex U1；TODA KOGYO CORP.制造的TF100、TF140；IBIDEN CO.，LTD.制造的Bet a random ultra-fine；SHOWA KOGYO CO.，LTD.制造的B-3；等。

这些研磨剂的粒子尺寸优选为0.01μm～2μm，更优选为0.05μm～1.0μm，进一步优选为0.05μm～0.5μm。

尤其，为了提高磁记录介质的电磁转换特性，优选研磨剂的粒度分布窄。并且，为了提高行走耐久性，根据需要通过组合粒子尺寸不同的研磨剂，或者在单独的研磨剂中扩大粒径分布，也能够带来同样的效果。研磨剂的振实密度优选为0.3g/ml～2g/ml，含水率优选为0.1％～5％，pH优选为2～11，BET比表面积(S_BET)优选为lm²/g～30m²/g。

研磨剂的形状可以为针状、球状、立方体状中的任意一种，在形状的一部分具有角的粒子的研磨性高，因此优选。

磁性层包含研磨剂时的含量相对于强磁性粉末100质量份，优选在1质量份～10质量份的范围内。

-润滑剂-

磁性层能够包含润滑剂。

通过磁性层包含润滑剂，例如能够提高磁记录介质的行走耐久性。

作为润滑剂，能够使用公知的烃类润滑剂及氟类润滑剂等。

润滑剂也可以适当使用市售品。

作为润滑剂，能够使用公知的烃类润滑剂、氟类润滑剂、极压添加剂等。

作为烃类润滑剂，可以举出硬脂酸、油酸等羧酸类；硬脂酸丁酯等酯类；十八烷基磺酸等磺酸类；磷酸单十八烷基酯等磷酸酯类；硬脂醇、油醇等醇类；硬脂酸酰胺等羧酸酰胺类；硬脂胺等胺类；等。

作为氟类润滑剂，可以举出上述烃类润滑剂的烷基的一部分或全部被氟烷基或全氟聚醚基取代的润滑剂。

作为全氟聚醚基，为全氟甲醛聚合物、全氟环氧乙烷聚合物、全氟正环氧丙烷聚合物(CF₂CF₂CF₂O)_n、全氟异环氧丙烷聚合物(CF(CF₃)CF₂O)_n或它们的共聚物等。

并且，在烃类润滑剂的烷基的末端或分子内具有羟基、酯基、羧基等极性官能团的化合物降低摩擦力的效果高，因此优选。

另外，其分子量为500～5000，优选为1000～3000。通过设为500～5000，能够抑制挥发，并且抑制润滑性的降低。具体而言，该全氟聚醚例如以Aud imond公司制造的FOMBLIN、DU PONT公司制造的KRYTOX等商品名市售。

作为极压添加剂，可以举出磷酸三月桂酯等磷酸酯类；亚磷酸三月桂酯等亚磷酸酯类；三硫代亚磷酸三月桂酯等硫代亚磷酸酯或硫代磷酸酯类；二苄基二硫等硫类极压剂；等。

当磁性层包含润滑剂时，润滑剂可以单独使用1种，或者也可以使用2种以上。

磁性层包含润滑剂时的润滑剂的含量相对于强磁性粉末100质量份，优选在0.1质量份～5质量份的范围内。

-非磁性填料-

磁性层能够包含非磁性填料。从分散性及表面粗糙度的观点而言，非磁性填料优选为胶体粒子。

作为胶体粒子，从易获得性的观点而言，优选无机胶体粒子，更优选无机氧化物胶体粒子。作为无机氧化物胶体粒子，还能够举出SiO₂/Al₂O₃、SiO₂/B₂O₃、TiO₂/CeO₂、SnO₂/Sb₂O₃、SiO₂/Al₂O₃/TiO₂、TiO₂/CeO₂/SiO₂等复合无机氧化物胶体粒子。作为优选的无机氧化物胶体粒子，能够举出SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZrO₂、Fe₂O₃等无机氧化物胶体粒子，从单分散的胶体粒子的易获得性的观点而言，尤其优选二氧化硅胶体粒子(胶态二氧化硅)。

当磁性层包含非磁性填料时，非磁性填料可以为单独1种，也可以为2种以上。

非磁性填料能够适当使用市售品。

磁性层包含非磁性填料时的含量相对于强磁性粉末100质量份，优选在1质量份～10质量份的范围内。

磁性层的厚度能够根据所使用的磁头的饱和磁化量、磁头间隙长度、记录信号的带宽等进行最优化。磁性层的厚度优选为10nm～350nm，从使磁记录介质中的电磁转换特性及磁性层的膜强度变良好的观点而言，更优选为15nm～200nm，进一步优选为20nm～150nm。

磁性层有至少一层即可，也可以将磁性层分离成具有不同的磁特性的两层以上，能够适用与公知的多层磁性层有关的结构。关于多层磁性层，磁性层的厚度是指多个磁性层的合计厚度。

在磁性层中，不挥发成分的质量相对于强磁性粉末的质量的质量比(不挥发成分/强磁性粉末)优选0.15～1.8，更优选0.3～1.8，进一步优选0.6～1.0。通过不挥发成分/强磁性粉末为0.15～1.8，磁性层的膜强度优异。并且，通过不挥发成分/强磁性粉末为0.3～1.8，磁性层的膜强度更优异，通过不挥发成分/强磁性粉末为0.6～1.0，磁性层的膜强度特别优异。

其中，磁性层中的“不挥发成分”是指干燥磁性层形成用组合物之后从不挥发的成分中去除强磁性粉末的成分。在此，“磁性层形成用组合物”中包含强磁性粉末、粘结剂及溶剂，根据需要还包含添加剂。因此，磁性层中的“不挥发成分”为磁性层中所包含的粘结剂及添加剂。

以下，对作为磁记录介质中的任意的层的非磁性层及背涂层进行说明。

[非磁性层]

非磁性层为有助于磁性层的薄层化等的层。非磁性层优选为包含作为填料的非磁性粉末及作为膜形成成分的粘结剂的层，根据目的还可以包含添加剂。

非磁性层能够设置于非磁性支撑体与磁性层之间。非磁性层中包含不具有磁性的层、及包含少量作为杂质的或未意图的强磁性粉末的实质上非磁性的层。

其中，“非磁性”如同已叙述的“非磁性支撑体”中的说明。

(非磁性粉末)

非磁性粉末为作为填料发挥功能的不具有磁性的粉末。非磁性层中所使用的非磁性粉末可以为无机粉末，也可以为有机粉末。并且，也能够使用炭黑等。作为无机粉末，例如可以举出金属、金属氧化物、金属碳酸盐、金属硫酸盐、金属氮化物、金属碳化物、金属硫化物等粉末。非磁性粉末能够单独使用1种，或者也能够组合使用2种以上。非磁性粉末能够以市售品获得，也能够利用公知的方法进行制造。

具体而言，能够将二氧化钛等钛氧化物、氧化铈、氧化锡、氧化钨、ZnO、ZrO₂、SiO₂、Cr₂O₃、α化率90～100％的α-氧化铝、β-氧化铝、γ-氧化铝、α-氧化铁、针铁矿、刚玉、氮化硅、碳化钛、氧化镁、氮化硼、二硫化钼、氧化铜、MgCO₃、CaCO₃、BaCO₃、SrCO₃、BaSO₄、碳化硅、碳化钛等单独使用或者组合使用2种以上。优选的是α-氧化铁、氧化钛。

非磁性粉末的形状可以为针状、球状、多面体状、板状等中的任意一种。非磁性粉末的微晶尺寸优选4nm～500nm，进一步优选40nm～100nm。若微晶尺寸在4nm～500nm的范围内，则也不会存在难以分散的情况，并且具有优选的表面粗糙度，因此优选。这些非磁性粉末的平均粒径优选5nm～500nm，根据需要通过组合平均粒径不同的非磁性粉末，或者在单独的非磁性粉末中扩大粒径分布，也能够带来同样的效果。尤其优选的非磁性粉末的平均粒径为10nm～200nm。若在5nm～500nm的范围内，则分散也良好，且具有优选的表面粗糙度，因此优选。

非磁性层中的非磁性粉末的含有率(填充率)优选在50质量％～90质量％的范围内，更优选在60质量％～90质量％的范围内。

非磁性层中的“粘结剂”及“添加剂”的含义与在“磁性层”项中说明的“粘结剂”及“添加剂”相同，优选的方式也相同。

非磁性层的厚度优选为0.05μm～3.0μm，更优选为0.05μm～2.0μm，进一步优选为0.05μm～1.5μm。

[背涂层]

背涂层为有助于经时稳定性、行走稳定性等的层。背涂层优选为含有作为填料的非磁性粉末及作为膜形成成分的粘结剂的层，根据目的还可以包含添加剂。

背涂层能够设置于非磁性支撑体的与磁性层侧相反一侧的表面。

背涂层中的“非磁性粉末”含义与在“非磁性层”项中说明的“非磁性粉末”相同，优选的方式也相同。并且，背涂层中的“粘结剂”及“添加剂”的含义与在“磁性层”项中说明的“粘结剂”及“添加剂”相同，优选的方式也相同。

背涂层的厚度优选为0.9μm以下，更优选为0.1μm～0.7μm。

<磁记录介质的制造方法>

本发明的磁记录介质的制造方法并没有特别限制，能够适用公知的制造方法。

作为磁记录介质的制造方法，例如可以举出包括以下步骤的制造方法：制备磁性层形成用组合物的工序(工序(A))；在非磁性支撑体上赋予磁性层形成用组合物而形成磁性层形成用组合物层的工序(工序(B))；对所形成的磁性层形成用组合物层进行磁场取向处理的工序(工序(C))；及干燥经磁场取向处理的磁性层形成用组合物层而形成磁性层的工序(工序(D))。

另外，磁记录介质的制造方法根据需要还能够包括：对具有磁性层的非磁性支撑体进行压光处理的工序；形成非磁性层及背涂层等任意的层的工序等。

各个工序也可以分别分为2个阶段以上。

[工序(A)]

磁记录介质的制造方法优选包括制备磁性层形成用组合物的工序(工序(A))。

工序(A)包括将强磁性粉末、粘结剂及根据所需的添加剂添加到溶剂中并进行分散的步骤。

本发明的强磁性粉末、粘结剂、非磁性粉末、添加剂等所有原料可以在工序(A)中的任意时期进行添加。

各个原料可以同时添加，或者也可以分为2次以上而进行添加。例如，粘结剂能够在分散工序中添加之后，为了调整分散后的粘度而进一步进行添加。

磁性层形成用组合物的原料的分散中例如能够使用批次式的立式砂磨机、卧式珠磨机等公知的分散装置。作为分散珠，例如能够使用玻璃珠、二氧化锆珠、二氧化钛珠及钢珠(steel beas)等。能够将分散珠的粒径(珠径)及填充率最优化后使用。

并且，磁性层形成用组合物的原料的分散例如也能够使用公知的超声波装置来进行。

并且，也能够在分散前，例如使用敞开式捏合机混炼磁性层形成用组合物的原料的至少一部分。

磁性层形成用组合物的原料也可以按各原料制备溶液之后进行混合。例如，能够分别制备包含强磁性粉末的磁性液及包含研磨剂的研磨液之后，混合并进行分散。

(磁性层形成用组合物)

磁性层形成用组合物包含强磁性粉末、粘结剂及溶剂，根据需要可以包含固化剂及添加剂。

用于制备磁性层形成用组合物的“强磁性粉末”、“粘结剂”及“添加剂”的含义与在“磁性层”项中说明的“强磁性粉末”、“粘结剂”及“添加剂”相同，优选的方式也相同。

磁性层形成用组合物中的强磁性粉末的含量相对于磁性层形成用组合物的总质量，优选5质量％～50质量％，更优选10质量％～30质量％。

磁性层形成用组合物中的粘结剂的含量相对于强磁性粉末100质量份，优选1质量份～30质量份的范围，更优选设在2质量份～20质量份的范围内。

-溶剂-

溶剂为用于使强磁性粉末及粘结剂、根据所需的添加剂分散的介质。

溶剂可以仅为1种，或者也可以为2种以上的混合溶剂。作为溶剂，优选有机溶剂。

作为有机溶剂，能够使用丙酮、甲乙酮、甲基异丁基酮、二异丁基酮、环己酮、异佛尔酮、四氢呋喃等酮类化合物；甲醇、乙醇、丙醇、丁醇、异丁醇、异丙醇、甲基环己醇等醇类化合物；乙酸甲酯、乙酸丁酯、乙酸异丁酯、乙酸异丙酯、乳酸乙酯、乙酸乙二醇酯(glycolacetate)等酯类化合物；乙二醇二甲醚、乙二醇单乙醚、二噁烷等二醇醚类化合物；苯、甲苯、二甲苯、甲酚、氯苯等芳香族烃类化合物；二氯甲烷、二氯乙烷、四氯化碳、氯仿、氯乙醇、二氯苯等氯化烃类化合物；N，N-二甲基甲酰胺、己烷等。优选的有机溶剂能够举出甲乙酮、环己酮及以任意的比例包含它们的混合溶剂。

为了提高分散性，优选在一定程度上极性强的溶剂，相对于溶剂总质量，优选包含50质量％以上的介电常数为15以上的溶剂。并且，溶解参数优选为8～11。

-固化剂-

磁性层形成用组合物能够包含固化剂。

通过磁性层形成用组合物包含固化剂，在形成磁性层时，磁性层中所包含的粘结剂与固化剂进行反应而形成具有交联结构的粘结剂，磁性层的膜强度进一步得到提高。

作为固化剂，优选异氰酸酯类化合物。作为异氰酸酯类化合物，例如可以举出甲苯二异氰酸酯、4，4’-二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、苯二甲撑二异氰酸酯、亚萘基-1，5-二异氰酸酯、邻甲苯胺二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、三苯基甲烷三异氰酸酯等异氰酸酯类化合物，能够使用通过这些异氰酸酯类化合物与多元醇的产物及异氰酸酯类化合物的缩合而生成的2官能以上的聚异氰酸酯。

将具有交联结构的粘结剂含浸于磁性层形成用组合物中所使用的溶剂中，用擦拭布擦拭，以肉眼观察该擦拭布，确认没有附着，由此确认具有交联结构的粘结剂的存在。并且，将擦拭过的擦拭布在上述溶剂中加热至40℃～80℃之后，去除擦拭布，对残液进行FT-IR、气相色谱、凝胶渗透色谱测定，未检测出源自所添加的粘结剂的成分，由此也能够进行确认。

固化剂能够适当使用市售品。作为市售的异氰酸酯类化合物的商品名，例如可以举出Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造的Coronate(注册商标)L、Coronate(注册商标)HL、Coronate(注册商标)2030、Coronate(注册商标)2031、Coronate(注册商标)3041、Millionate(注册商标)MR、Millionate(注册商标)MTL、Takeda PharmaceuticalCompany Limited.制造的Takenate(注册商标)D-102、Takenate(注册商标)D-110N、Takenat e(注册商标)D-200、Takenate(注册商标)D-202、Sumitomo Byer Urethan e Co.，Ltd.制造的Desmodule L、DesmoduleIL、Desmodule N、Desmodule HL等。

当磁性层形成用组合物包含固化剂时，固化剂可以单独使用1种，也可以使用2种以上。

磁性层形成用组合物包含固化剂时的固化剂的含量相对于强磁性粉末100.0质量份，可以添加0.1质量份～20质量份，从提高磁性层的强度的观点而言，能够添加优选0.5质量份～15质量份、进一步优选1质量份～10质量份。

磁性层形成用组合物包含固化剂时的固化剂的含量相对于粘结剂100.0质量份，可以添加1质量份～50质量份，从提高磁性层的强度的观点而言，能够添加优选4质量份～40质量份、进一步优选6质量份～30质量份。

另外，根据需要，在形成其他层时，固化剂能够以提高其他层的膜强度为目的而含于其他层形成用组合物中。

[工序(B)]

本发明的磁记录介质的制造方法优选包括在组合物制备工序之后，在非磁性支撑体上赋予磁性层形成用组合物而形成磁性层形成用组合物层的工序(工序(B))。

工序(B)例如能够通过将磁性层形成用组合物以成为规定的膜厚的方式涂布于行走中的非磁性支撑体上来进行。磁性层的优选的膜厚如同“磁性层”项中的记载。

作为将磁性层形成用组合物涂布于非磁性支撑体的面上的涂布方法，能够利用气刮刀涂布、刀片涂布、棒条涂布、挤出涂布、气刀涂布、挤压涂布、含浸涂布、反转辊涂布、转移涂布、凹版涂布、吻合涂布、铸涂、喷涂、旋涂等公知的方法。关于涂布方法，例如能够参考(株)综合技术中心发行的《最新涂层技术》(昭和58年5月31日)。

[工序(C)]

本发明的磁记录介质的制造方法优选包括在组合物层形成工序之后，对所形成的磁性层形成用组合物层进行磁场取向处理的工序(工序(C))。

所形成的磁性层形成用组合物层在非磁性支撑体为磁带等薄膜状时，能够使用钴磁铁或螺线管等，对磁性层形成用组合物中所包含的强磁性粉末进行磁场取向处理。当非磁性支撑体为硬盘用支撑体时，有时即使不使用取向装置而为无取向也可以充分得到各向同性的取向性，但优选使用基于倾斜地交替配置钴磁铁或者用螺线管施加交流磁场等的公知的随机取向装置。并且，也能够使用利用异极对置磁铁等的公知的方法进行垂直取向而沿圆周方向赋予各向同性的磁特性。尤其进行高密度记录时，优选垂直取向。并且，也能够使用旋涂来进行圆周取向。

磁场取向处理优选在所形成的磁性层形成用组合物层充分干燥之前进行。

磁场取向处理能够通过对所形成的磁性层形成用组合物层的表面沿垂直方向施加磁场强度0.1T～10T的磁场的垂直取向处理来进行。

[工序(D)]

本发明的磁记录介质的制造方法优选包括在进行磁场取向处理的工序(C)之后，干燥经磁场取向处理的磁性层形成用组合物层而形成磁性层的工序(工序(D))。

在干燥磁性层形成用组合物层时，通过控制干燥风的温度、风量、涂布速度，能够控制磁性层形成用组合物层的干燥。例如，优选涂布速度为20m/分钟～1000m/分钟、干燥风的温度为60℃以上。并且，在施加磁场之前，能够对组合物适当进行预干燥。

[压光处理工序]

本发明的磁记录介质的制造方法优选在经工序(A)、工序(B)、工序(C)及工序(D)在非磁性支撑体上形成磁性层之后，实施对具有磁性层的非磁性支撑体进行压光处理的工序。

用卷取辊暂时卷取具有磁性层的非磁性支撑体之后，能够从该卷取辊上卷出而供压光处理。通过压光处理，表面平滑性得到提高，并且消除因干燥时的溶剂的去除而产生的空孔，磁性层中的强磁性粉末的填充率得到提高，因此能够得到电磁转换特性高的磁记录介质。优选根据磁性层的表面的平滑性一边改变压光处理条件一边进行压光处理。

压光处理中例如能够利用超级压光辊等。

作为压光辊，能够使用环氧、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺等耐热性塑料辊。并且，也能够用金属辊进行处理。

作为压光处理条件，将压光辊的温度例如能够设在60℃～120℃的范围内，优选设在80℃～100℃的范围内，压力例如能够设在100kg/cm～500kg/cm(98kN/m～490kN/m)的范围内，优选设在200～450kg/cm(196～441kN/m)的范围内。

[形成非磁性层及背涂层等任意的层的工序]

本发明的磁记录介质的制造方法根据需要能够包括形成非磁性层及背涂层等任意的层的工序。

非磁性层及背涂层能够在制备用于形成各层的组合物之后进行与形成磁性层时的工序(B)、工序(C)及工序(D)相同的工序来形成。

另外，如“非磁性层”及“背涂层”项中所记载，非磁性层能够设置于非磁性支撑体与磁性层之间，背涂层能够设置于非磁性支撑体的与具有磁性层的一侧相反一侧的面。

非磁性层的形成用组合物及背涂层的形成用组合物能够以“非磁性层”及“背涂层”项中所记载的成分及含量进行制备。

实施例

以下，利用实施例对本发明进行更具体的说明，但本发明只要不超出其宗旨，则并不限定于以下实施例。另外，只要没有特别指定，“份”及“％”为质量基准。

[实施例1]

使用磁力搅拌器，一边搅拌在纯水92g中溶解硝酸铁(III)9水合物8.2g、硝酸镓(III)8水合物1.2g、硝酸钴(II)6水合物187mg、硫酸钛(IV)151mg、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)1.1g而得到的溶液，一边在大气环境中、25℃的条件下添加3.7g的25质量％氨水溶液A，并以该状态搅拌了2小时。向其中加入将柠檬酸0.8g溶解于水9.2g而得到的溶液，并搅拌了1小时。通过离心分离而采集沉淀的粉料，用纯水清洗之后，在80℃下使其干燥。接下来，向所得到的粉料中加入纯水800g，再次使粉料水分散。将其升温至50℃，一边搅拌一边滴加了39g的25质量％氨水溶液B。以该状态搅拌1小时之后，滴加四乙氧基硅烷(TEOS)13.4mL，搅拌了24小时。向其中加入硫酸铵51g，通过离心分离而采集沉淀的粉料，并用纯水清洗，在80℃下使其干燥，由此得到了成为ε型氧化铁系化合物的前体的粉末。

将所得到的前体的粉末装填于炉内，在大气环境下，在1028℃下实施4小时的热处理而制成热处理粉。将其投入到4摩尔/L的氢氧化钠(NaOH)水溶液中，在液温70℃下搅拌24小时，由此从热处理粉中去除了硅氧化物。通过离心分离处理而采集该粉料，并用纯水进行清洗，得到了包含存在ε-Fe₂O₃相的ε型氧化铁系化合物(ε-Ga_0.24Co_0.05Ti_0.05Fe_1.66O₃)的强磁性粉末。

通过高频电感耦合等离子体(ICP)发光分光分析法确认了上述ε型氧化铁系化合物的组成。具体而言，将放入有上述强磁性粉末12mg及4mol/L的盐酸水溶液10ml的容器在设定温度80℃的加热板上保持3小时而得到了溶解液。接着，使用0.1μm的膜过滤器对所得到的溶解液进行了过滤。使用高频电感耦合等离子体(ICP：Inductively Coupled Plasma)发光分光分析装置(产品名称：ICPS-8100，SHIMADZU CORPORATION)对如此得到的滤液进行了元素分析。基于所得到的元素分析的结果，求出了各金属原子相对于铁原子100原子％的含有率。

并且，通过X射线衍射(XRD)确认了上述ε型氧化铁系化合物具有ε型晶体结构。另外，使用X’Pert PRO(PANanalytical公司制造)分析了XRD。

并且，利用后述的方法计算出的强磁性粉末的平均一次粒径为13.3nm。

(平均一次粒径)

使用Hitachi High-Technologies Corporation制造的透射型电子显微镜H-9000型，以80000倍的摄影倍率拍摄ε型氧化铁系化合物的粉末，并以总倍率成为500000倍的方式打印在印相纸而得到ε型氧化铁系化合物的照片。

从所得到的粒子的照片选出目标粒子，用数字转换器对粒子的轮廓进行跟踪，计算与跟踪的区域相同面积的圆的直径(圆面积当量直径)，由此求出了“一次粒径”。一次粒径的测定能够使用公知的图像分析软件、例如Carl Zei ss公司制造的图像分析软件KS-400来进行。一次粒径是指未凝聚的独立粒子的粒径。

并且，将多个(例如500个)粒子的一次粒径的算术平均作为“平均一次粒径”。

(磁记录介质(磁带)的制作)

(1)磁性层形成用组合物配方

(磁性液)

强磁性粉末(实施例1中制作出的ε型氧化铁系化合物的粉末)：100.0份

含有SO₃Na基的聚氨酯树脂(粘结剂)：14.0份

(重均分子量：70,000、SO₃Na基：0.4meq/g)

环己酮：150.0份

甲乙酮：150.0份

(研磨剂液)

-研磨剂液A-

氧化铝研磨剂(平均粒子尺寸：100nm)：3.0份

含有磺酸基的聚氨酯树脂：0.3份

(重均分子量：70,000、SO₃Na基：0.3meq/g)

环己酮：26.7份

-研磨剂液B-

金刚石研磨剂(平均粒子尺寸：100nm)：1.0份

含有磺酸基的聚氨酯树脂：0.1份

(重均分子量：70,000、SO₃Na基：0.3meq/g)

环己酮：26.7份

(二氧化硅溶胶)

胶态二氧化硅(平均粒子尺寸：100nm)：0.2份

甲乙酮：1.4份

(其他成分)

硬脂酸：2.0份

硬脂酸丁酯：6.0份

聚异氰酸酯(Nippon PolyurethaneIndustry Co.，Ltd.制造的Coronate(注册商标)3041；固化剂)：2.5份

(精加工添加溶剂)

环己酮：200.0份

甲乙酮：200.0份

(2)非磁性层形成用组合物配方

非磁性无机粉末α-氧化铁：100.0份

平均粒子尺寸：10nm

平均针状比：1.9

BET比表面积：75m²/g

炭黑(平均粒子尺寸：20nm)：25.0份

含有SO₃Na基的聚氨酯树脂：18.0份

(重均分子量：70,000、SO₃Na基：0.2meq/g)

硬脂酸：1.0份

环己酮：300.0份

甲乙酮：300.0份

(3)背涂层形成用组合物配方

非磁性无机粉末α-氧化铁：80.0份

平均粒子尺寸：0.15μm

平均针状比：7

BET比表面积：52m²/g

炭黑(平均粒子尺寸：20nm)：20.0份

氯乙烯共聚物：13.0份

含有磺酸基的聚氨酯树脂：6.0份

苯基膦酸：3.0份

环己酮：155.0份

甲乙酮：155.0份

硬脂酸：3.0份

硬脂酸丁酯：3.0份

聚异氰酸酯：5.0份

环己酮：200.0份

(4)磁带的制作

使用批次式的立式砂磨机，将上述磁性液的配方中所记载的成分分散24小时而制作出磁性液。作为分散珠，使用了粒径0.5mmΦ的二氧化锆珠。用批次型超声波装置(20kHz、300W)将上述研磨剂液的配方中所记载的成分分散24小时而制作出研磨剂液。将这些分散液与其他成分(二氧化硅溶胶、其他成分及精加工添加溶剂)混合之后，用批次型超声波装置(20kHz、300W)进行了30分钟处理。然后，使用具有0.5μm的平均孔径的过滤器进行过滤而制作出磁性层形成用组合物。

对于非磁性层形成用组合物，使用批次式的立式砂磨机将各成分分散了24小时。作为分散珠，使用了粒径0.1mmΦ的二氧化锆珠。使用具有0.5μm的平均孔径的过滤器对所得到的分散液进行过滤而制作出非磁性层形成用组合物。

通过敞开式捏合机，将背涂层形成用组合物与除润滑剂(硬脂酸及硬脂酸丁酯)和聚异氰酸酯、环己酮200.0份以外的各成分进行混炼及稀释之后，通过卧式珠磨分散机并使用粒径1mmΦ的二氧化锆珠，以珠填充率80体积％、转子前端的圆周速度10m/秒，将单道次的滞留时间设为2分钟而进行了12道次的分散处理。然后，将剩余的成分添加到分散液中，并用溶解器进行了搅拌。使用具有1μm的平均孔径的过滤器对所得到的分散液进行过滤而制作出背涂层形成用组合物。

然后，在厚度5μm的聚萘二甲酸乙二酯制非磁性支撑体上以干燥后的厚度成为100nm的方式涂布非磁性层形成用组合物并使其干燥之后，在其上以干燥后的厚度成为70nm的方式涂布了磁性层形成用组合物。

在该磁性层形成用组合物处于未干状态的期间，对涂布面沿垂直方向施加磁场强度0.6T的磁场而进行垂直取向处理之后使其干燥，由此形成了磁性层。然后，在上述非磁性支撑体的相反面上以干燥后的厚度成为0.4μm的方式涂布背涂层形成用组合物并使其干燥。

然后，通过仅由金属辊构成的压光器，在速度100m/分钟、线压300kg/cm(294kN/m)、压光辊的表面温度100℃下进行表面平滑化处理(压光处理)之后，在环境温度70℃的环境中进行了36小时热处理。热处理后，将具有磁性层、非磁性层及背涂层的非磁性支撑体切割成1/2英寸(0.0127米)的宽度而得到了磁带。

另外，确认到磁性层中包含具有交联结构的含有SO₃Na基的聚氨酯树脂。将0.05ml的甲乙酮滴加到磁带的磁性层表面之后，用擦拭布擦拭磁性层表面，以目视确认磁性层的成分未附着于擦拭布，由此确认了磁性层中具有交联结构。

[实施例2]

除了将添加氨水溶液A时的温度由25℃变更为4℃以外，以与实施例1相同的方式制作出磁带。

[实施例3]

除了将添加氨水溶液A时的温度由25℃变更为40℃以外，以与实施例1相同的方式制作出磁带。

[实施例4]

除了将添加氨水溶液A时的温度由25℃变更为60℃以外，以与实施例1相同的方式制作出磁带。

[实施例5]

将实施例1中所得到的强磁性粉末1g加入到5质量％的聚乙烯醇(PVA)水溶液32g中。向其中加入直径100μm的二氧化锆(Zr)珠，利用振荡器在室温下振荡6小时，由此使强磁性粉末分散于PVA水溶液中。

使用离心分离机，以1961330m/s²(200000G)的离心力对该分散液处理了45分钟。用纯水清洗沉降的沉淀物，并在80℃下使其干燥而得到了实施例5的强磁性粉末。

使用实施例5的强磁性粉末，通过与实施例1相同的步骤制作出磁带。

[实施例6]

将离心分离的条件变更为以1961330m/s²的离心力进行30分钟，除此以外，以与实施例5相同的方式制作出磁带。

[实施例7]

将离心分离的条件变更为以1961330m/s²的离心力进行20分钟，除此以外，以与实施例5相同的方式制作出磁带。

[实施例8]

以磁性层中的强磁性粉末与其以外的干燥后未挥发的成分(不挥发成分)的质量比(不挥发成分/强磁性粉末)由0.3成为0.15的方式变更含有SO₃Na基的聚氨酯树脂量，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例8的磁带。

[实施例9]

以磁性层中的强磁性粉末与其以外的干燥后未挥发的成分(不挥发成分)的质量比(不挥发成分/强磁性粉末)由0.3成为0.6的方式变更含有SO₃Na基的聚氨酯树脂量，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例9的磁带。

[实施例10]

以磁性层中的强磁性粉末与其以外的干燥后未挥发的成分(不挥发成分)的质量比(不挥发成分/强磁性粉末)由0.3成为1.0的方式变更含有SO₃Na基的聚氨酯树脂量，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例10的磁带。

[实施例11]

以磁性层中的强磁性粉末与其以外的干燥后未挥发的成分(不挥发成分)的质量比(不挥发成分/强磁性粉末)由0.3成为1.8的方式变更含有SO₃Na基聚氨酯树脂量，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例11的磁带。

[实施例12]

在实施例3中，将磁性层的膜厚由70nm变更为40nm，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例12的磁带。

[实施例13]

在实施例3中，将磁性层的膜厚由70nm变更为150nm，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例13的磁带。

[实施例14]

在实施例3中，将磁性层的膜厚由70nm变更为300nm，除此以外，以与实施例3相同的方式进行而得到了实施例14的磁带。

[比较例1]

使用磁力搅拌器，一边搅拌在纯水90g中溶解硝酸铁(III)9水合物8.2g、硝酸镓(III)8水合物1.2g、硝酸钴(II)6水合物187mg、硫酸钛(IV)142mg而得到的溶液，一边在大气环境中、40℃的条件下添加25％氨水溶液4.0g，并以该状态搅拌了2小时。向其中加入将柠檬酸478mg溶解于水4.5g而得到的溶液，接下来添加6.2g的10％氨水溶液，并搅拌了1小时。用超滤膜(截留分子量50000)对所得到的溶液进行超滤至滤液的导电率成为50mS/m以下。

向所得到的液体中加入水至总容量成为120mL之后，一边在30℃下搅拌一边加入了6.7g的25％氨。向其中添加15.8mL的TEOS，并以该状态继续搅拌了24小时。然后，添加了在纯水4.5mL中溶解硫酸铵2.9g而得到的溶液。通过离心分离而采集沉淀的粉料，用纯水清洗之后，在80℃下使其干燥，由此得到了成为ε型氧化铁系化合物的前体的粉末。

由成为ε型氧化铁系化合物的前体的粉末得到强磁性粉末的步骤、强磁性粉末的平均一次粒径的测定及制作磁带的步骤以与实施例1相同的方式进行而得到了比较例1的磁带。

[比较例2]

基于日本专利5130534号公报中所记载的实施例制作出强磁性粉末。

〔步骤1〕

制备出胶束溶液I和胶束溶液II这2种胶束溶液。

·胶束溶液I的制作

向特氟龙(注册商标)制的烧瓶中放入了纯水6mL、正辛烷18.3mL及1-丁醇3.7mL。向其中添加硝酸铁(III)9水合物0.0024摩尔、硝酸镓(III)n水合物(使用Wako PureChemical Industries，Ltd.制造的纯度为99.9％且n＝7～9的水合物，使用时事先进行定量分析而确定n之后，计算出加入量)0.0006摩尔，一边在室温下充分搅拌一边使其溶解。另外，以纯水/表面活性剂的摩尔比成为30的量添加作为表面活性剂的溴化十六烷基三甲铵，通过搅拌使其溶解而得到了胶束溶液I。关于此时的加入组成，若将Ga与Fe的摩尔比表示为Ga∶Fe＝x：(2-x)，则x＝0.40。

·胶束溶液II的制作

将25％氨水2mL混合于纯水4mL中进行搅拌，向该液体中进一步加入正辛烷18.3mL和1-丁醇3.7mL充分进行了搅拌。向该溶液中以(纯水+氨中的水分)/表面活性剂的摩尔比成为30的量添加作为表面活性剂的溴化十六烷基三甲铵，并使其溶解而得到了胶束溶液II。

〔步骤2〕

一边充分搅拌胶束溶液I，一边对胶束I溶液滴加了胶束溶液II。滴加结束后，将混合液继续搅拌了30分钟。

〔步骤3〕

一边搅拌步骤2中所得到的混合液，一边向该混合液中加入了四乙氧基硅烷6.1mL。以该状态继续搅拌了约1天。

〔步骤4〕

将步骤3中所得到的溶液设置于离心分离机并进行了离心分离处理。回收了通过该处理而得到的沉淀物。使用氯仿与甲醇的混合溶液对回收的沉淀物进行多次清洗。

〔步骤5〕

干燥步骤4中所得到的沉淀物之后，在大气环境的炉内，在1100℃下实施了4小时的热处理。

〔步骤6-1〕

通过玛瑙制乳钵捣碎步骤5中所得到的热处理粉之后，放入10摩尔/L的NaOH水溶液1L(公升)中，在液温70℃下搅拌24小时，进行了存在于粒子表面的二氧化硅的去除处理。接着，进行过滤并充分水洗。

〔步骤6-2〕

将经水洗的粉末放入纯水1L中使其分散，一边在室温下搅拌一边监测pH并一点一点添加稀硝酸，调整为pH2.5～3.0，并实施1小时搅拌，得到了干燥后的粉末作为强磁性粉末。对于干燥后的粉末，通过与实施例1相同的步骤测定了平均一次粒径。

以与实施例1相同的方式进行由强磁性粉末制作磁带的步骤而得到了比较例2的磁带。

[比较例3]

基于日本专利5966064号公报中所记载的实施例制作出强磁性粉末。

在40L反应槽中，在纯水31369g中一边利用搅拌叶片在大气环境中、40℃的条件下机械搅拌纯度99.5％硝酸铁(III)9水合物2910g、Ga浓度10.3质量％的硝酸Ga(III)溶液786g、纯度97％硝酸钴(II)6水合物66g、Ti浓度15.2质量％的硫酸钛(IV)69g一边进行溶解。该加入溶液中的金属离子的摩尔比为Fe：Ga：Co：Ti＝1.64：0.27∶0.05：0.05。另外，试剂名称后面的括号内的数字表示金属元素的价数。

一边利用搅拌叶片在大气环境中、40℃下机械搅拌一边添加22质量％的氨溶液1596g，并继续搅拌了2小时。添加初期为茶色的浑浊的液体，但2小时后成为有透明感的茶色的反应液，其pH为1.73。

接着，在40℃的条件下，历经1小时连续添加柠檬酸浓度10质量％的柠檬酸溶液1684g之后，一次性添加10质量％的氨溶液2000g，使pH成为8.5之后，在温度40℃的条件下搅拌并保持1小时，生成了包含作为中间产物的前体的取代元素的羟基氧化铁的晶体(步骤1)。另外，本实施例中相对于3价铁离子量的柠檬酸的摩尔比为0.12。

回收步骤1中所得到的浆料，利用超滤膜、UF截留分子量50,000的膜清洗至滤液的导电率成为50mS/m以下。并且，清洗浆料的导电率为100mS/m(步骤2)。

在5L反应槽中分取步骤2中所得到的清洗浆料液3163g(含有ε-Fe₂O₃(局部取代物)60g)，加入纯水至液体量成为4000mL之后，一边在大气中、30℃下进行搅拌一边添加相对于ε-Fe₂O₃为0.8质量％的氨、相对于ε-Fe₂O₃为7.0质量％的四乙氧基硅烷。添加22质量％的氨溶液212.5g之后，在35分钟内向浆料液中添加四乙氧基硅烷429g。以该状态继续搅拌约1天，用通过水解而生成的硅烷醇衍生物进行了包覆。然后，添加在纯水300g中溶解硫酸铵203g而得到的溶液，对所得到的溶液进行清洗/固液分离而以滤饼形态回收(步骤3)。

干燥步骤3中所得到的沉淀物(被凝胶状SiO₂涂布的前体)之后，在大气环境的炉内，在1066℃以上且1079℃以下对该干燥粉实施4小时的热处理而得到了被硅氧化物包覆的铁系氧化物磁性粒子粉。另外，硅烷醇衍生物在大气环境中进行热处理时变为氧化物(步骤4)。

在20质量％NaOH水溶液中，将步骤4中所得到的热处理粉在约70℃下搅拌24小时而进行了粒子表面的硅氧化物的去除处理。接着，利用超滤膜、UF截留分子量50,000的膜清洗至清洗浆料的导电率成为1.5mS/m以下，并使其干燥而得到强磁性粉末，并通过与实施例1相同的步骤测定了强磁性粉末的平均一次粒径。

所得到的铁系氧化物磁性粒子粉的化学组成与加入时的组成大致相同。虽未图示XRD测定的结果，但示出包含ε-Fe₂O₃的一部分的晶体结构。

以与实施例1相同的方式进行由所得到的强磁性粉末制作磁带的步骤而得到了比较例3的磁带。

通过已叙述的方法求出了Hc/Hc’。

(行走耐久性)

用线性测试仪使各磁带以3m/sec的速度行走，以行走耐久性评价了磁性层的膜强度。

使100m长度的磁带行走1000次之后，用光学显微镜(Nikon Co.，Ltd.制造的EclipseLV150)观察了从磁带的末端起至20m、40m、60m及80m的部位的磁性层表面的磨削程度。对上述4个部位，以下述观点评价磨削程度，并赋予分数。

-评价-

A：未观察到滑动痕。

B：虽然有微弱的滑动痕，但未达到磁性层表面磨削。

C：磁性层表面被磨削，但实际使用时没有问题。

D：磁性层表面被磨削，存在多处磁性层表面剥离或磁性层脱落的部位，实际使用时有问题。

E：磁性层表面整个面被削去，实际使用时有问题。

(SNR(Signal-to-noise ratio：信噪比))

对于制作出的各磁带，在下述条件下沿磁带长度方向记录磁信号，并用磁阻效应型(MR；Magnetoresistive)磁头进行再生。用Shibasoku Co.，Ltd.制造的频谱分析器对再生信号进行频率分析，将300kfci的输出与在0～600kfci范围内积分的噪声之比设为SNR，并以SNR评价了磁带的电磁转换特性。

-记录再生条件-

记录：记录磁道宽度5μm

记录间隙0.17μm

磁头饱和磁通密度Bs1.8T

再生：再生磁道宽度0.4μm

屏蔽间距离(sh-sh距离)0.08μm

记录波长：300kfci

-评价-

5：几乎没有噪声，信号良好，且感觉不到有误差，实际使用时没有问题。

4：噪声小，信号良好，实际使用时没有问题。

3：能感觉到噪声，但信号良好，因此实际使用时没有问题。

2：噪声大，信号不清晰，实际使用时有问题。

1：无法区分噪声和信号或者未能记录，实际使用时有问题。

由实施例1～14的结果表示，当Hc/Hc’为0.6以上且1.0以下时，磁记录介质的SNR及磁性层中的行走耐久性良好。

相对于此，在Hc/Hc’小于0.6的比较例1～3中，表示磁记录介质的SNR及磁性层中的行走耐久性不良。

产业上的可利用性

本发明的磁记录介质能够优选利用于行走耐久性优异的磁带等。

Claims

1.一种磁记录介质，其具有：非磁性支撑体；及所述非磁性支撑体上的磁性层，所述磁性层包含强磁性粉末及粘结剂，所述强磁性粉末含有选自由ε-Fe₂O₃及下述式(1)所表示的化合物组成的组中的至少1种ε型氧化铁系化合物，

在最大施加磁场359kA/m、温度296K、磁场扫描速度1.994kA/m/s下测定而得到磁场-磁化曲线，由磁场-磁化曲线求出磁化M，在将用施加的磁场H对所述磁化M进行二阶微分的下述式(I)的值成为零的磁场设为Hc’、将在所述磁场-磁化曲线中磁化成为零的磁场的值设为Hc时，Hc相对于Hc’的值为0.6以上且1.0以下，且Hc’满足下述式(II)，其中，Hc为表示作为测定对象的所述磁记录介质的矫顽力的值，

d²M/dH² 式(I)

119kA/m＜Hc’＜2380kA/m 式(II)

[化学式1]

ε-A_aFe_2-aO₃ (1)

式(1)中，A表示Fe以外的至少1种金属元素，a满足0＜a＜2。

2.根据权利要求1所述的磁记录介质，其中，

所述粘结剂包含具有交联结构的粘结剂。

3.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述Hc相对于所述Hc’的值为0.65以上且1.0以下。

4.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述Hc相对于所述Hc’的值为0.71以上且1.0以下。

5.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述粘结剂的含量相对于所述强磁性粉末100质量份为5质量份～30质量份。

6.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

在所述磁性层中，不挥发成分的质量相对于所述强磁性粉末的质量的质量比为0.15～1.8。

7.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述磁性层的厚度为10nm～350nm。

8.根据权利要求1或2所述的磁记录介质，其中，

所述式(1)中的A包含选自由Ga、Al、In、Nb、Co、Zn、Ni、Mn、Ti及Sn组成的组中的至少1种金属元素。

9.根据权利要求8所述的磁记录介质，其中，

所述式(1)所表示的化合物包含Ga，Ga原子的原子组成百分比相对于Fe原子为5原子％～50原子％。