CN109023307A - 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 - Google Patents
一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109023307A CN109023307A CN201811029372.1A CN201811029372A CN109023307A CN 109023307 A CN109023307 A CN 109023307A CN 201811029372 A CN201811029372 A CN 201811029372A CN 109023307 A CN109023307 A CN 109023307A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- plasma
- vacuum
- cavity
- gas
- vacuum cavity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
- C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明公开了一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法,该设备包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置,等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部,运动装置设置在等离子真空腔体的内部。该设备的使用方法包括以下步骤:等离子真空腔体进行抽真空对待镀膜产品进行预处理、镀膜等。本发明采取等离子体化学气相沉积方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率,镀膜的均匀性和一致性得到改善,同时也提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果,可用于各种PCB、PCBA、电子产品、电器零部件、电子半成品、金属、电子元器件、半导体、集成电路板、塑胶制品等镀膜的场合。
Description
技术领域
本发明涉及等离子体化学气相沉积技术领域,特别是涉及一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法。
背景技术
等离子体增强化学气相沉PECVD:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)。实验机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
现有的镀膜设备和方法存在着沉降速率低、生产效率低下,镀膜均匀性和一致性差,涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等效果差等缺点,镀膜中使用的化学物质等也容易对环境造成污染,这也不符合国家对绿色发展的要求。
发明内容
本发明的目的在于提供一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法,微波等离子真空镀膜方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率,且增加运动装置使镀膜的均匀性和一致性得到改善,进而提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果。
为达到上述目的,本发明采用如下技术方案:
一种微波等离子真空镀膜设备,包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置,等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部,运动装置设置在等离子真空腔体的内部。
所述的等离子体发生系统,包括进气口、出气口、微波放电的等离子场发生装置,进气口通过进气管道与外部气体相连,出气口和等离子真空腔体相连。
所述的等离子体发生系统的进气口有一个或一个以上进气管道。
所述的微波等离子真空镀膜设备设置有一个或一个以上等离子发生系统,每个等离子体发生系统通过管道连结到真空等离子腔体。
所述的真空排气装置包括真空泵和排气管,真空泵分一级二级,真空排气装置通过管道和等离子真空腔体相连。
所述的等离子真空腔体为圆筒形腔室、立方体形腔室或球形体腔室,容积为20-1200L。
所述的运动装置可承载放置的一个或一个以上待镀膜产品并可在等离子真空腔体内按设定的运动方式运动,其运动方式包括:空间往复运动、圆周运动、椭圆周运动、球面运动、行星运动、平面往复运到或其它不规则路线。
所述的等离子真空腔体接有真空压力检测计。
一种微波等离子真空镀膜设备的使用方法,包括以下步骤:
A、打开等离子真空腔体,将待镀膜产品放置于运动装置上,关闭等离子真空腔体;
B、启动运行程序,真空排气装置的真空泵连续对等离子真空腔体进行抽真空,当等离子真空腔体内压力达到5-200毫托时,开启运动装置;
C、进气管道通入氧气、氩气、氦气中的一种,经过等离子体发生系统形成等离子体后,然后进入真空等离子腔体对待镀膜产品进行预处理;
D、预处理完成后,由进气管道通入载气气体和配方气体或载气气体和配方蒸汽,经过等离子体发生系统形成等离子体后经过出气口进入等离子真空腔体,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜;
E、镀膜周期结束后,停止通入载气气体和配方气体或载气气体和配方蒸汽,通入惰性气体或空气对等离子真空腔体进行吹扫稀释,然后继续通入空气,使等离子真空腔体的压力与外部大气压相同;运动装置停止,打开等离子真空腔体,将完成镀膜产品取出。
所述的配方气体或配方蒸汽为一种或一种以上,可分别通入,达到多层效果;根据不同产品的镀膜厚度及效果要求,镀膜时间持续30s-9000s。
本发明与其他设备及方法相比具有下述优点:
1、本发明采取等离子体增强化学气相沉方法提高了镀膜物质的沉降速率和镀膜生产效率,镀膜的均匀性和一致性得到改善,同时也提高涂层的防水、防汗液、防潮、耐腐蚀、耐溶剂等防护效果。
2、该发明腔体内带有运动装置,运动装置与设备联动且速度可以调节,带动待镀膜产品运动,腔体内不含有电极,采用微波放电方式,在进行等离子体化学气相沉积过程中,待镀膜产品在运动装置的带动下在腔体内运动,通入等离子体、等离子体化学反应产生的聚合产物沉积在标的物表面,生成纳米级膜层,膜层交替沉积,达到防水防潮、耐酸碱盐雾等特性。
3、真空泵由系统软件控制转速以调节腔体内的压力。
4、所述待镀膜产品广泛,为PCB、PCBA、电子产品、电器零部件、电子半成品、金属、电子元器件、半导体、集成电路板、塑胶制品等。
5、如果产品不需要预处理,配方气体、蒸汽和载气气体通入进气管道,经过等离子体发生系统形成等离子体,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜。
6、根据标的物的实际需要,几种配方气体、蒸汽需要交替通入,达到多层效果。
附图说明
以下结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
图1是本发明的结构示意图;
具体实施方式
实施例1
一种微波等离子真空镀膜设备,用于给手机主板镀膜,包括等离子体发生系统1、真空排气装置2、等离子真空腔体3和运动装置4,等离子体发生系统1、真空排气装置2设置在等离子真空腔体3的外部,运动装置4设置在等离子真空腔体3的内部。
所述的等离子体发生系统1,包括进气口11、出气口12、微波放电的等离子场发生装置13,进气口11通过进气管道14与外部气体相连,出气口12和等离子真空腔体3相连。
所述的等离子体发生系统1的进气口11有两个进气管道14。
所述的微波等离子真空镀膜设备设置有一个等离子发生系统1,每个等离子体发生系统1通过管道连结到真空等离子腔体3。
所述的真空排气装置2包括真空泵21和排气管,真空泵21分一级二级,真空排气装置2通过管道和等离子真空腔体3相连。
所述的等离子真空腔体3为圆筒形腔室,容积为300L。
将准备好的100个待镀膜手机主板放置运动装置4上,并设置好在等离子真空腔体3内按圆周运动路线运动。
所述的等离子真空腔体3接有真空压力检测计5。
一种微波等离子真空镀膜设备的使用方法,包括以下步骤:
A、打开等离子真空腔体3,将待镀膜手机主板放置于运动装置4上,关闭等离子真空腔体3;
B、启动运行程序,真空排气装置2的真空泵21连续对等离子真空腔体3进行抽真空,当等离子真空腔体3内压力达到5-200毫托时,开启运动装置4;
C、进气管道14通入氧气,经过等离子体发生系统13形成等离子体后,然后进入真空等离子腔体3对待镀膜手机主板进行预处理,通气时间1分钟;
D、预处理完成后,由进气管道14通入载气气体和配方气体(镀膜物质气化),经过等离子体发生系统13形成等离子体后经过出气口12进入等离子真空腔体3,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜;
E、镀膜周期结束后,停止通入载气气体和配方气体,通入空气对等离子真空腔体3进行吹扫稀释,然后继续通入空气,使等离子真空腔体3的压力与外部大气压相同;运动装置4停止,打开等离子真空腔体4,将完成镀膜手机主板取出。
所述的配方气体为一种,镀膜时间持续6000s。
实施例2
一种微波等离子真空镀膜设备,用于给汽车控制主板镀膜,包括等离子体发生系统1、真空排气装置2、等离子真空腔体3和运动装置4,等离子体发生系统1、真空排气装置2设置在等离子真空腔体3的外部,运动装置4设置在等离子真空腔体3的内部。
所述的等离子体发生系统1,包括进气口11、出气口12、微波放电的等离子场发生装置13,进气口11通过进气管道14与外部气体相连,出气口12和等离子真空腔体3相连。
所述的等离子体发生系统1的进气口11有五个进气管道14。
所述的微波等离子真空镀膜设备设置有六个等离子发生系统1,每个等离子体发生系统1通过管道连结到真空等离子腔体3。
所述的真空排气装置2包括真空泵21和排气管,真空泵21分一级二级,真空排气装置2通过管道和等离子真空腔体3相连。
所述的等离子真空腔体3为立方体形腔室,容积为1000L。
将准备好的10个待镀膜汽车控制主板放置运动装置4上,并设置好在等离子真空腔体3内按空间往复运动路线运动。
所述的等离子真空腔体3接有真空压力检测计5。
一种微波等离子真空镀膜设备的使用方法,包括以下步骤:
A、打开等离子真空腔体3,将待镀膜汽车控制主板放置于运动装置4上,关闭等离子真空腔体3;
B、启动运行程序,真空排气装置2的真空泵21连续对等离子真空腔体3进行抽真空,当等离子真空腔体3内压力达到5-200毫托时,开启运动装置4;
C、进气管道14通入氦气,经过等离子体发生系统13形成等离子体后,然后进入真空等离子腔体3对待镀膜汽车控制主板进行预处理,通气时间5分钟;
D、预处理完成后,由进气管道14通入载气气体和第一层镀膜配方气体(镀膜物质气化),经过等离子体发生系统13形成等离子体后经过出气口12进入等离子真空腔体3,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜;第一层镀膜完毕后,由进气管道14通入载气气体和第二层镀膜配方气体(镀膜物质气化),经过等离子体发生系统13形成等离子体后经过出气口12进入等离子真空腔体3,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜;依次完成第三层镀膜;
E、镀膜周期结束后,停止通入载气气体和配方气体,通入惰性气体对等离子真空腔体3进行吹扫稀释,然后继续通入空气,使等离子真空腔体3的压力与外部大气压相同;运动装置4停止,打开等离子真空腔体4,将完成镀膜汽车控制主板取出。
所述的配方气体为三种,镀膜时间持续9000s。
虽然以上描述了本发明的具体工艺和实施方式,但是本领域的技术人员应当理解,本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下,可以对这些实施方式做出多种变更或修改,但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:包括等离子体发生系统、真空排气装置、等离子真空腔体和运动装置,等离子体发生系统、真空排气装置设置在等离子真空腔体的外部,运动装置设置在等离子真空腔体的内部。
2.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的等离子体发生系统,包括进气口、出气口、微波放电的等离子场发生装置,进气口通过进气管道与外部气体相连,出气口和等离子真空腔体相连。
3.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的等离子体发生系统的进气口有一个或一个以上进气管道。
4.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的微波等离子真空镀膜设备设置有一个或一个以上等离子发生系统,每个等离子体发生系统通过管道连结到真空等离子腔体。
5.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的真空排气装置包括真空泵和排气管,真空泵分一级二级,真空排气装置通过管道和等离子真空腔体相连。
6.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的等离子真空腔体为圆筒形腔室、立方体形腔室或球形体腔室,容积为20-1200L。
7.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的运动装置可承载放置的一个或一个以上待镀膜产品并可在等离子真空腔体内按设定的运动方式运动,其运动方式包括:空间往复运动、圆周运动、椭圆周运动、球面运动、行星运动、平面往复运到或其它不规则路线。
8.根据权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备,其特征在于:所述的等离子真空腔体外部接有真空压力检测计。
9.一种使用权利要求1所述的一种微波等离子真空镀膜设备的方法,其特征在于:包括以下步骤:
A、打开等离子真空腔体,将待镀膜产品放置于运动装置上,关闭等离子真空腔体;
B、启动运行程序,真空排气装置的真空泵连续对等离子真空腔体进行抽真空,当等离子真空腔体内压力达到5-200毫托时,开启运动装置;
C、进气管道通入氧气、氩气、氦气中的一种,经过等离子体发生系统形成等离子体后,进入真空等离子腔体对待镀膜产品进行预处理;
D、预处理完成后,由进气管道通入载气气体和配方气体或载气气体和配方蒸汽,经过等离子体发生系统形成等离子体后经过出气口进入等离子真空腔体,然后进行化学气相沉积,开始进行镀膜;
E、镀膜周期结束后,停止通入载气气体和配方气体或载气气体和配方蒸汽,通入惰性气体或空气对等离子真空腔体进行吹扫稀释,然后继续通入空气,使等离子真空腔体的压力与外部大气压相同;运动装置停止,打开等离子真空腔体,将完成镀膜产品取出。
10.一种使用权利要求1所述的微波等离子真空镀膜设备的方法,其特征在于:所述的配方气体或蒸汽为一种或一种以上,可分别通入,达到多层效果;根据不同产品的镀膜厚度及效果要求,镀膜时间持续30s-9000s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811029372.1A CN109023307A (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201811029372.1A CN109023307A (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109023307A true CN109023307A (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=64623257
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201811029372.1A Pending CN109023307A (zh) | 2018-09-05 | 2018-09-05 | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN109023307A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109457215A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-12 | 苏州凯瑞纳米科技有限公司 | 一种清洗镀膜机及清洗镀膜方法 |
CN109554690A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-04-02 | 朱广智 | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101010787A (zh) * | 2004-08-31 | 2007-08-01 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质 |
CN101481793A (zh) * | 2008-12-26 | 2009-07-15 | 上海拓引数码技术有限公司 | 一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置 |
CN101641783A (zh) * | 2007-03-26 | 2010-02-03 | 东京毅力科创株式会社 | 氮化硅膜和非易失性半导体存储器件 |
CN102171799A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体cvd装置 |
CN104726850A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 朱雨 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
-
2018
- 2018-09-05 CN CN201811029372.1A patent/CN109023307A/zh active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101010787A (zh) * | 2004-08-31 | 2007-08-01 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜的形成方法、半导体装置的制造方法及计算机存储介质 |
CN101641783A (zh) * | 2007-03-26 | 2010-02-03 | 东京毅力科创株式会社 | 氮化硅膜和非易失性半导体存储器件 |
CN102171799A (zh) * | 2008-09-30 | 2011-08-31 | 东京毅力科创株式会社 | 氧化硅膜、氧化硅膜的形成方法及等离子体cvd装置 |
CN101481793A (zh) * | 2008-12-26 | 2009-07-15 | 上海拓引数码技术有限公司 | 一种大面积微波等离子体化学气相沉积装置 |
CN104726850A (zh) * | 2013-12-23 | 2015-06-24 | 朱雨 | 一种微波等离子体化学气相沉积设备 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109554690A (zh) * | 2019-01-04 | 2019-04-02 | 朱广智 | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 |
CN109457215A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-03-12 | 苏州凯瑞纳米科技有限公司 | 一种清洗镀膜机及清洗镀膜方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109183002A (zh) | 一种电极及工件运动的等离子真空镀膜设备及使用方法 | |
CN113369107B (zh) | 电子设备的纳米涂层保护方法 | |
TWI717870B (zh) | 一種高粘附性耐老化奈米塗層及其製備方法 | |
JP5360963B2 (ja) | 誘電体基材表面の触媒フリー金属化方法及び金属膜付き誘電体基材 | |
CN105925960B (zh) | 一种用于太阳能电池片生产的原子层沉积真空镀膜装置 | |
CN109023307A (zh) | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 | |
CN101921994B (zh) | 一种原子层沉积超薄氧化铝薄膜的装置及方法 | |
CN108697008A (zh) | 一种防止高纵横比pcb孔无铜的电镀方法 | |
CN111304602B (zh) | 超疏水类金刚石复合层结构及其制备方法 | |
CN107400878A (zh) | 一种原子层沉积设备的进气系统及其方法 | |
TW201311365A (zh) | 表面塗層 | |
CN103882412A (zh) | 采用等离子体射流制备高阻隔薄膜的方法 | |
US11339477B2 (en) | Plasma polymerization coating apparatus and process | |
CN109554690A (zh) | 一种微波等离子真空镀膜设备及使用方法 | |
CN112239856A (zh) | 一种用于镀防指纹膜的卷对卷真空镀膜设备 | |
CN111519171B (zh) | 一种膜层致密的等离子化学气相沉积法镀疏水膜方法 | |
CN110055513B (zh) | 一种粉末原子层沉积设备及其沉积方法与应用 | |
CN205635764U (zh) | 一种物理化学气相沉积系统 | |
CN107937885A (zh) | 一种蜂窝状载体表面原子层涂层装置 | |
CN104409692A (zh) | 一种锂离子电池电极材料的改性方法 | |
CN111188032A (zh) | 一种膜间结合方式的等离子化学气相沉积法镀疏水膜方法 | |
CN106086822B (zh) | 适于批处理的卷对卷真空镀膜反应装置 | |
CN105908151A (zh) | 一种纳米薄膜的原子层沉积定量建模方法 | |
CN209260202U (zh) | 化学水浴镀膜装置 | |
TW202235666A (zh) | 前驅物循環式原子層沉積設備與方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181218 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |