CN109001515A - 电流传感器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供提高电流的检测精度的电流传感器。包括：磁芯部件(10)，具有相对于在内部隔开间隔地包围通电对象物即导电部件(101)的筒体形成有沿着筒轴方向的狭缝状的缝隙部(12)的磁芯主体(11)，产生与所述导电部件(101)中流通的电流相对应的磁通量；磁传感器(20)，输出与所述缝隙部(12)中的磁通量密度相对应的信号；以及磁屏蔽部件(30)，具有从外部侧隔开间隙地包围所述磁芯主体(11)的屏蔽主体(31)，利用所述屏蔽主体(31)将所述屏蔽主体(31)的内部与外部之间的磁力遮蔽。

Description

电流传感器
技术领域
本发明涉及电流传感器。
背景技术
现有技术中，已知对导电部件(汇流条等)中流通的电流进行测定的电流传感器。电流传感器具备：磁芯部件，在内部包围导电部件，产生与该导电部件中流通的电流对应的磁通量；以及磁检测元件(霍尔元件等)，输出与该磁芯部件的磁通量对应的信号。这种电流传感器例如被下述专利文献1公开。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：特开2014-109518号公报
发明内容
发明欲解决的技术问题
然而，磁检测元件周围的磁通量密度可能因导电部件中流通的电流以外的外部因素而导致变化。因此，在电流传感器中，在由于这样的外部因素而使磁通量密度发生变化的情况下，有可能导致导电部件中流通的电流的检测精度下降，因此，在这一点上存在改善的余地。
因此，本发明的目的在于提供能够使电流的检测精度提高的电流传感器。
用于解决问题的技术手段
为了实现上述目的，本发明的特征在于，包括：磁芯部件，具有相对于在内部隔开间隔地包围通电对象物即导电部件的筒体，形成有沿着筒轴方向的狭缝状的缝隙部的磁芯主体，产生与所述导电部件中流通的电流对应的磁通量；磁传感器，输出与所述缝隙部中的磁通量密度对应的信号；以及磁屏蔽部件，具有从外部侧隔着间隙地包围所述磁芯主体的屏蔽主体，并且用所述屏蔽主体将所述屏蔽主体的内部与外部之间的磁力遮蔽。
此处，优选地，包括将所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件包含在其中的传感器收纳部件，所述传感器收纳部件具有：收纳室，收纳所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件；以及定位保持机构，将所述磁芯部件和所述磁屏蔽部件相互隔开间隙地保持。
另外，优选地，所述定位保持机构包括：芯位置限制部，从所述磁芯部件的内部侧限制所述收纳室中的所述磁芯部件的相对位置；屏蔽保持部，为了确定所述收纳室中的所述磁屏蔽部件的相对位置，从所述磁屏蔽部件的外部侧夹持所述磁屏蔽部件；以及屏蔽位置限制部，在相对于所述屏蔽保持部的夹持方向的交叉方向，限制所述收纳室中的所述磁屏蔽部件的相对位置。
另外，优选地，在具有多个所述导电部件的交流电路中，针对每个所述导电部件而设置所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件的组合。
另外，优选地，所述磁传感器是具有作为磁检测元件的霍尔元件的霍尔IC。
发明效果
本发明所涉及的电流传感器由于将磁芯部件和磁屏蔽部件以相互隔开间隙的状态配置，因此，能够抑制磁饱和的产生。因此，该电流传感器中，磁屏蔽部件的磁通量密度减少，能够抑制因外部因素而引起的磁检测元件周边的磁通量密度的变化，因此，能够提高导电部件中流通的电流的检测精度。
附图说明
图1是示出实施方式的电流传感器的立体图。
图2是在筒轴方向观察实施方式的电流传感器的平面图。
图3是实施方式的电流传感器的分解立体图。
图4是针对无间隙时的磁通量的相位滞后和磁通量密度的衰减进行说明的图。
图5是比较了有无间隙情况下的磁通量密度的衰减特性的说明图。
图6是实施方式的电流传感器的适用例之一的说明图，是示出PCU用的电流传感器装置的立体图。
图7是电流传感器装置的分解立体图。
图8是图6的X-X线截面图。
符号说明
1、1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P 电流传感器
5 电流传感器装置
10 磁芯部件
11 磁芯主体
12 缝隙部
20 磁传感器
30 磁屏蔽部件
31 屏蔽主体
50 传感器收纳部件
51 收纳室
51a 壁面
60 定位保持机构
61 芯位置限制部
62 屏蔽保持部
63 屏蔽位置限制部
101、101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P 导电部件
D、D1、D2、D3、D4 间隙
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明所涉及的电流传感器的实施方式进行详细说明。需要说明的是，本发明不限于该实施方式。
[实施方式]
根据图1～图8，对本发明所涉及的电流传感器的实施方式之一进行说明。
图1和图2的符号1表示本实施方式的电流传感器。该电流传感器1是检测在通电对象物即导电部件101(图1和图2)中流通的电流的传感器。此处，作为该导电部件101，例举了由金属等导电性材料板状地成形的汇流条。该电流传感器1具备：磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30。
磁芯部件10是产生与导电部件101中流通的电流相对应的磁通量的部件，由铁氧体等磁性材料成形。该磁芯部件10具有芯主体11。芯主体11是在内部隔开间隔地包围导电部件101的以筒体为主要形状并且相对于该筒体形成有沿着筒轴方向的狭缝状的缝隙部12的部件。
该示例的芯主体11在方管状筒体的4个壁(第1至第4的壁11a-11d)中的1个设置有缝隙部12(图2和图3)。该芯主体11具有：平面彼此被相互隔开间隔地对置配置的矩形状的第1壁11a和第2壁11b；以及在相对于该对置配置方向的正交方向，平面彼此相互隔开间隔地对置配置的矩形状的第3壁11c和第4壁11d。在该芯主体11中，在第2壁11b的中央设有矩形状的缝隙部12。因此，第2壁11b以该缝隙部12为界，被划分为第3壁11c侧的第1片部11b1和第4壁11d侧的第2片部11b2。
在磁芯部件10中，使导电部件101在芯主体11的内部沿着筒轴方向插通，并且使导电部件101在该芯主体11的内部与缝隙部12对置配置。此处，使导电部件101的一个平面与缝隙部12对置配置。在导电部件101中，与缝隙部12对置配置的部分成为电流的测定对象的部位(以下，称为“电流测定对象部”)101a(图1)。
磁传感器20输出与缝隙部12中的磁通量密度相对应的信号。该磁传感器20包括：具有磁检测元件的传感器主体21；以及负责信号输出的导电性的导线22(图1至图3)。
在该示例中，使用霍尔IC(Integrated Circuit，集成电路)作为磁传感器20。霍尔IC虽未图示，但包括：作为磁检测元件的霍尔元件；和使该霍尔元件的输出信号放大的放大器电路。传感器主体21内含有该霍尔元件和放大器电路。霍尔元件输出与磁通量密度相对应的霍尔电压的信号(输出信号)。例如，该霍尔元件设置在从导电部件101的电流测定对象部101a的宽度方向上的大致中央向相对应导电部件101的平面的正交方向间隔了预定间隔的位置。此处，为了这样配置霍尔元件，在缝隙部12配置有磁传感器20的传感器主体21。在该磁传感器20中，霍尔元件输出与缝隙部12的磁通量密度相对应的霍尔电压的信号，并且用放大器电路放大该输出信号。在该磁传感器20中，将该放大后的输出信号从导线22输出。
磁屏蔽部件30具有将磁芯部件10的芯主体11从外部侧隔开间隙D地包围的屏蔽主体31，并且用该屏蔽主体31将屏蔽主体31的内部与外部之间的磁力遮蔽。该磁屏蔽部件30由铁氧体等磁性材料成形。
屏蔽主体31至少具有：矩形状的第1壁31a，相对于芯主体11的第1壁11a在外部侧对置配置；矩形状的第2壁31b，相对于芯主体11的第3壁11c在外部侧对置配置；以及矩形状的第3壁31c，相对于芯主体11的第4壁11d在外部侧对置配置(图2和图3)。第1壁11a和第1壁31a以平面彼此成为相互隔开间隙D1的状态的方式对置配置。该示例的第1壁31a以能够从外部侧遮盖第1壁11a的方式形成并配置。第3壁11c和第2壁31b以平面彼此成为相互隔开间隙D2的状态的方式对置配置。该示例的第2壁31b以能够从外部侧遮盖第3壁11c的方式形成并配置。第4壁11d和第3壁31c以平面彼此成为相互隔开间隙D3的状态的方式对置配置。该示例的第3壁31c以能够从外部侧遮盖第4壁11d的方式形成并配置。在该屏蔽主体31中，从第1壁31a的对置配置的2个边部分别垂直设置有第2壁31b和第3壁31c。而且，该由3个壁形成的屏蔽主体31中，在第2壁31b和第3壁31c各自的自由端的边部彼此所形成的矩形的开口部配置磁传感器20。该开口部相对于磁芯部件10的缝隙部12在芯主体11的外部侧隔开间隔地对置配置。
该示例的屏蔽主体31还具有：矩形状的第1片部31d，相对于芯主体11中的第1片部11b1在外部侧对置配置；以及矩形状的第2片部31e，相对于芯主体11中的第2片部11b2在外部侧对置配置(图2和图3)。第1片部11b1和第1片部31d以平面彼此成为相互隔开间隙D4的状态的方式对置配置。第2片部11b2和第2片部31e以平面彼此成为相互隔开间隙D4的状态的方式对置配置。该第1片部31d和第2片部31e是使上述第2壁31b和第3壁31c所形成的开口部缩小的部分，并且是降低外部磁场经由该开口部而向屏蔽主体31内部的入侵的部分。即，在屏蔽主体31的内部，对置配置的缝隙部12的开口部越大，越容易受到外部磁场的影响。然而，与上述第2壁31b和第3壁31c所构成的开口部相比，该示例的第1片部31d和第2片部31e能够使开口部变窄，因此，能够减轻外部磁场对屏蔽主体31内部的影响。该示例的屏蔽主体31在考虑了该外部磁场的影响之后，使第1片部31d从第2壁31b的端部朝向第3壁31c(第2片部31e)垂直设置，并且使第2片部31e从第3壁31c的端部朝向第2壁31b(第1片部31d)垂直设置。
然而，在该电流传感器1中，磁芯部件10与磁屏蔽部件30接触的情况下，在该接触部产生磁饱和，有可能因为该外部因素而使传感器主体21(霍尔元件)周边的磁通量密度变化。特别是，在该接触部，在高频率的交流电路中，在导电部件101流通大电流时，容易产生磁饱和。在图4中，示出磁饱和会产生何种影响。本图的实线表示因交流电路中在导电部件101流通的电流而产生的磁通量。另外，本图的虚线表示发生磁饱和时传感器主体21(霍尔元件)周边的磁通量。根据本图，在磁饱和发生时，会发生磁通量的相位滞后、或者磁通量密度会衰减。因此，在磁饱和发生时，有可能无法确保传感器主体21(霍尔元件)周边的磁通量密度和电流的线性。该示例的磁传感器20利用该线性，来检测导电部件101中流通的电流。因此，电流传感器1在使磁芯部件10与磁屏蔽部件30接触后，由于接触部的磁饱和，有可能导致电流的检测精度下降。
然而，本实施方式的电流传感器1由于如前所示地使磁芯部件10和磁屏蔽部件30以相互隔开间隙D的状态配置，因此，能够抑制磁饱和的产生。因此，该电流传感器1中，磁屏蔽部件30的磁通量密度减少，能够抑制因外部因素而导致的传感器主体21(霍尔元件)周边的磁通量密度的变化，因此，能够使导电部件101中流通的电流的检测精度提高。图5示出传感器主体21(霍尔元件)周边的磁通量密度的衰减特性。本图的实线表示以隔开间隙D的状态配置了磁芯部件10和磁屏蔽部件30的电流传感器1。本图的虚线表示以无间隙D的状态配置了磁芯部件10和磁屏蔽部件30的电流传感器1。根据本图，与后者即无间隙D的情况相比，在前者即有间隙D的情况下，衰减特性提高。另外，与后者相比，在前者的情况下，导电部件101中流通的电流越是高频率，衰减特性的提高量越大。
此处，为了得到这样的效果，优选使间隙D(特别是间隙D1-D3)尽可能地窄。在确定该间隙D时，考虑电流传感器1的生产性。例如，如果是应用到后述的具体例，则在考虑了定位保持机构60从成形模具脱模等的基础上，在该定位保持机构60能够生产的范围内使间隙D变窄。
该电流传感器1针对每个电流测定对象即导电部件101进行设置。例如，在具有多个导电部件101的交流电路中，也可以对该导电部件101的每个设置磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30的组合。
以下，示出该电流传感器1的一个适用例。此处，虽然未图示，但以适用于具有转动机(电动机)作为驱动源的车辆(混合动力车辆、电磁汽车等)的电力控制单元(PCU)的情况进行说明。该PCU具有：驱动转动机的逆变器(省略图示)；以及测定该逆变器中的3相交流电路的每相(每个导电部件101)中的电流的电流传感器(以下，为了便于说明，称为“电流传感器装置”)5(图6和图7)。需要说明的是，在图7中，省略后述的保持体64。
在电流传感器装置5中，对每个相分别设置有电流传感器1。该电流传感器装置5例如具有：分别设置在第1转动机(电动机)侧的U相、V相和W相的3个电流传感器1Um、1Vm、1Wm；以及分别设置在第2转动机(发电机)侧的U相、V相和W相的3个电流传感器1Uj、1Vj、1Wj，作为电流传感器1。
第1转动机侧的电流传感器1Um、1Vm、1Wm分别测定第1转动机侧的作为导电部件101的导电部件101Um、101Vm、101Wm中流通的电流。该导电部件101Um、101Vm、101Wm分别与第1转动机侧的U相、V相和W相电连接，并且与逆变器侧的U相、V相和W相电连接。例如，导电部件101Um、101Vm、101Wm利用螺钉固定等分别被固定在第1转动机侧的U相的导电部件(省略图示)、V相的导电部件(省略图示)和W相的导电部件(省略图示)。另一方面，导电部件101Um、101Vm、101Wm利用焊接等分别被固定在逆变器侧的U相的导电部件(省略图示)、V相的导电部件(省略图示)和W相的导电部件(省略图示)。
第2转动机侧的电流传感器1Uj、1Vj、1Wj分别测定在第2转动机侧的作为导电部件101的导电部件101Uj、101Vj、101Wj中流通的电流。该导电部件101Uj、101Vj、101Wj分别与第2转动机侧的U相、V相和W相电连接，并且与逆变器侧的U相、V相和W相电连接。例如，导电部件101Uj、101Vj、101Wj利用螺钉固定等分别被固定在第2转动机侧的U相的导电部件(省略图示)、V相的导电部件(省略图示)和W相的导电部件(省略图示)。另一方面，导电部件101Uj、101Vj、101Wj利用焊接等分别被固定在逆变器侧的U相的导电部件(省略图示)、V相的导电部件(省略图示)和W相的导电部件(省略图示)。
需要说明的是，该电流传感器装置5具有设置在控制器用电源(省略图示)的正极侧的电流传感器1P，作为电流传感器1。该电流传感器1P与电连接于控制器用电源的正极的导电部件101(导电部件101P)相关，测定该导电部件101P中流通的电流。
电流传感器装置5具有各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P，并且具有其的各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P。另外，在该电流传感器装置5中，也具有与控制器用电源的负极电连接的导电部件102。各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P、102分别被形成为板状的汇流条。在该电流传感器装置5中，对各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P、102使用同一物品。
此处，电流传感器1具备输入来自磁传感器20的导线22的输出信号的电路基板40(图7)。该电路基板40输出基于磁传感器20的输出信号的输出信号，例如，根据磁传感器20的输出信号(霍尔电压的信号)，计算电流值，输出该电流值所涉及的输出信号。例如，电路基板40具备：形成有电路的矩形且板状的主体41；以及已与该电路电连接的输出端子42，将已生成的输出信号从输出端子42输出。对方连接器110(图6)的对方端子被嵌合并电连接在该输出端子42。来自电路基板40的输出信号经由该对方连接器而被输送到例如电子控制装置(省略图示)等信号发送对象。
该电路基板40也可以针对每个电流传感器1而设置。但是，在该示例的电流传感器装置5中，电路基板40仅准备一片，将该一片电路基板40与各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P电连接。在该一张电路基板40中，沿着长边方向，各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P经由导线22而逐个电连接。电路基板40相对于各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P而言被配置在磁屏蔽部件30的屏蔽主体31的外部侧，并且与第1片部31d和第2片部31e对置配置。电路基板40和第1和第2片部31d、31e以该平面彼此相互隔开间隔的状态对置配置。
另外，电流传感器1具备将磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30包在其中的传感器收纳部件50(图6和图7)。该传感器收纳部件50由合成树脂等绝缘性材料成形。在该传感器收纳部件50中设置有收纳磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30的收纳室51。进一步地，在传感器收纳部件50设置有相互隔开间隙D地保持磁芯部件10和磁屏蔽部件30的定位保持机构60(图6至图8)。该传感器收纳部件50利用螺钉固定等被固定在逆变器。需要说明的是，在图8中，省略后述的保持体64。
该传感器收纳部件50也可以针对每个电流传感器1而设置。但是，在该示例的电流传感器装置5中，只准备了1个传感器收纳部件50。在该传感器收纳部件50的收纳室51中，收纳各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P的磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30。进一步地，在该收纳室51也收纳各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P。在该示例的传感器收纳部件50，形成有一个将各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P的磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30收纳在一起的收纳室51。在该一个收纳室51中，将各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P也与各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P一并收纳在一起。另外，在该示例的传感器收纳部件50也形成有收纳负极用的导电部件102的收纳室52。例如，该传感器收纳部件50在方管状的主体50A的内部并排地配置各个收纳室51、52。
另一方面，相对于各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P，逐个准备定位保持机构60。各个定位保持机构60在收纳室51中，与传感器收纳部件50一体地成形。
此处，该电流传感器装置5中，磁芯部件10、磁传感器20和磁屏蔽部件30的形状和配置以及定位保持机构60的构造、形状和配置对各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P大体上是共同的。因此，此处，将1个部位的定位保持机构60列举为适用于各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P的要素的代表。
定位保持机构60具备位置限制部(以下，称为“芯位置限制部”)61，该位置限制部61确定磁芯部件10在收纳室51中的相对位置，并且从磁芯部件10的内部侧限制该相对位置(图8)。该芯位置限制部61具有与磁芯部件10的内部形状(长方体状的形状)一致的外部形状，并且从收纳室51的壁面沿着磁芯部件10的筒轴方向突出。
该示例的芯位置限制部61与磁芯部件10的筒轴同轴地形成为方管状。该芯位置限制部61具有相对于芯主体11的第1壁11a而言在内部侧对置配置的矩形状的第1壁61a。该第1壁11a和第1壁61a按照设计值(不考虑设计公差的中值等)，以成为相互隔开间隙Dc1的状态的方式对置配置。在该示例中，第1壁11a和第1壁61a的各个平面彼此隔开间隙Dc1地配置。另外，芯位置限制部61具有相对于芯主体11的第1片部11b1和第2片部11b2而言在内部侧对置配置的矩形状的第2壁61b。该第1和第2片部11b1、11b2和第2壁61b按照设计值以成为相互隔开间隙Dc2的状态的方式对置配置。在该示例中，第1和第2片部11b1、11b2和第2壁61b的各个平面彼此隔开间隙Dc2地配置。另外，芯位置限制部61具有相对于芯主体11的第3壁11c而言在内部侧对置配置的矩形状的第3壁61c。该第3壁11c和第3壁61c按照设计值，以成为相互隔开间隙Dc3的状态的方式对置配置。在该示例中，第3壁11c和第3壁61c的各个平面彼此隔开间隙Dc3地配置。另外，芯位置限制部61具有相对于芯主体11的第4壁11d而言在内部侧对置配置的矩形状的第4壁61d。该第4壁11d和第4壁61d按照设计值，以成为相互隔开间隙Dc4的状态的方式对置配置。在该示例中，第4壁11d和第4壁61d的各个平面彼此隔开间隙Dc4地配置。
该示例的芯位置限制部61的内部成为长方体状的空间。在该芯位置限制部61的内部空间，使导电部件101沿着筒轴方向插通，并且保持该导电部件101的电流测定对象部101a。在该芯位置限制部61的内部空间设置有保持电流测定对象部101a的保持部61e。
在芯位置限制部61中，对电流测定对象部101a的每个平面设置了多个保持部61e。各个保持部61e是相对于芯位置限制部61的筒轴方向的正交截面成为三角形的肋状的部件，并且被配置为其顶点彼此在相对于电流测定对象部101a的各个平面的夹持方向面对面。此处，也可以在电流测定对象部101a的各个平面的每个设置有2个保持部61e。
进一步地，在芯位置限制部61中，在电流测定对象部101a的各个端面(相对于芯位置限制部61的筒轴方向来说位于正交方向的端面)也设置有保持部61e。各个保持部61e是相对于芯位置限制部61的筒轴方向的正交截面成为三角形的肋状的部件，并且被配置为其顶点彼此在相对于电流测定对象部101a的各个端面的夹持方向面对面。
导电部件101一边将各个保持部61e的顶点压变形，一边被压入到芯位置限制部61。芯位置限制部61的各个保持部61e从电流测定对象部101a中的各个平面和各个端面的四个方向保持导电部件101。这样，该示例的芯位置限制部61也兼具作确定收纳室51中的导电部件101的相对位置的位置限制部的功能。
进一步地，定位保持机构60具有为了确定收纳室51中的磁屏蔽部件30的相对位置而将磁屏蔽部件30从磁屏蔽部件30的外部侧夹持的保持部(以下，称为“屏蔽保持部”)62(图8)。与磁屏蔽部件30的被保持位置的间隔一致的2个该屏蔽保持部62被对置配置，且该屏蔽保持部62被形成为肋状。各个屏蔽保持部62从收纳室51的壁面沿着磁芯部件10的筒轴方向延伸。各个屏蔽保持部62被形成为相对于其筒轴方向的正交截面成为三角形，其顶点彼此在磁屏蔽部件30的夹持方向面对面。磁屏蔽部件30一边将各个屏蔽保持部62的顶点压变形，一边被压入到收纳室51。该示例的屏蔽保持部62在各个电流传感器1的排列方向夹持磁屏蔽部件30。因此，此处，使一个屏蔽保持部62与磁屏蔽部件30的第2壁31b抵接，并且使另一个屏蔽保持部62与磁屏蔽部件30的第3壁31c抵接。
进一步地，定位保持机构60具有在相对于屏蔽保持部62的夹持方向的交叉方向限制收纳室51中的磁屏蔽部件30的相对位置的位置限制部(以下，称为“屏蔽位置限制部”)63(图8)。该示例的屏蔽位置限制部63在相对于其夹持方向的正交方向限制磁屏蔽部件30的相对位置。
该示例的屏蔽位置限制部63从磁屏蔽部件30的外部侧限制磁屏蔽部件30的第1壁31a侧以及第1和第2片部31d、31e侧。
在第1壁31a侧，将相对于第1壁31a而言在磁屏蔽部件30的外部侧对置配置的收纳室51的壁面51a用作屏蔽位置限制部63。在收纳室51中，按照设计值，以成为第1壁31a的平面相对于壁面51a隔开间隙Ds1的状态的方式对置配置。
在第1和第2片部31d、31e侧，作为屏蔽位置限制部63而设置有：相对于第1片部31d而言在磁屏蔽部件30的外部侧对置配置的第1位置限制体63A；以及相对于第2片部31e而言在磁屏蔽部件30的外部侧对置配置的第2位置限制体63B。第1片部31d和第1位置限制体63A按照设计值以成为相互隔开间隙Ds2的状态的方式对置配置。该示例的第1位置限制体63A被形成为片状，并且从收纳室51的壁面沿着磁芯部件10的筒轴方向突出。在该示例中，第1片部31d和第1位置限制体63A的各个平面彼此隔开间隙Ds2地配置。第2片部31e和第2位置限制体63B按照设计值以成为相互隔开间隙Ds3的状态的方式对置配置。该示例的第2位置限制体63B被形成为片状，并且从收纳室51的壁面沿着磁芯部件10的筒轴方向突出。在该示例中，第2片部31e和第2位置限制体63B的各个平面彼此隔开间隙Ds3地配置。
在定位保持机构60中，芯位置限制部61和屏蔽位置限制部63形成为满足如下第1要件：即使在相对于屏蔽保持部62的夹持方向的交叉方向(此处，正交方向)，磁芯部件10与磁屏蔽部件30在设计公差的范围内最大限度地接近，也不使磁芯部件10和磁屏蔽部件30在该相对于夹持方向的交叉方向(此处，正交方向)抵接。进一步地，芯位置限制部61形成为满足如下第2要件：即使磁芯部件10在屏蔽保持部62的夹持方向最大限度地接近磁屏蔽部件30，也不使磁芯部件10在该夹持方向抵接磁屏蔽部件30。之前示出的各种各样的间隙Dc1-Dc4、Ds1-Ds3设定为满足这些第1和第2要件的大小。
在电流传感器1中，将磁芯部件10和磁屏蔽部件30按照以上示出的位置关系配置在收纳室51，并且磁传感器20和电路基板40也以相互电连接的状态配置在收纳室51。定位保持机构60具备用于确保磁芯部件10、磁传感器20、磁屏蔽部件30和电路基板40在该收纳室51的配置的保持体64(图6)。该示例的保持体64是将收纳室51的各种各样的间隙填满的埋设体，是在收纳室51中填充的液状的灌封剂(环氧树脂等)的固化物。在收纳室51中，通过在配置磁芯部件10等之后填充灌封剂，使该灌封剂固化，从而形成保持体64。
利用芯位置限制部61、屏蔽保持部62和屏蔽位置限制部63，即使在向收纳室51组装时在磁芯部件10和磁屏蔽部件30发生组装偏差，该定位保持机构60也能够将磁芯部件10和磁屏蔽部件30以相互隔开间隙D的状态配置。另外，该定位保持机构60能够利用保持体64来保持该间隙D。进一步地，即使从车辆侧向电流传感器1施加了外部输入，由于保持体64使抗震性、抗冲击性提高，因此，该定位保持机构60能够将磁芯部件10和磁屏蔽部件30以相互隔开间隙D的状态保持。
在电流传感器1中，利用这样的定位保持机构60，由于磁芯部件10和磁屏蔽部件30以相互隔开间隙D的状态配置，抑制产生磁饱和，因此，能够提高导电部件101中流通的电流的检测精度。而且，在电流传感器装置5中，这样的电流传感器1被形成作为第1转动机用、第2转动机用和控制器用电源的正极用(电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P)。因此，在该电流传感器装置5中，能够提高各个电流传感器1Um、1Vm、1Wm、1Uj、1Vj、1Wj、1P对各个导电部件101Um、101Vm、101Wm、101Uj、101Vj、101Wj、101P中流通的电流的检测精度。

Claims (5)

1.一种电流传感器，其特征在于，包括：
磁芯部件，具有相对于在内部隔开间隔地包围通电对象物即导电部件的筒体，形成有沿着筒轴方向的狭缝状的缝隙部的磁芯主体，产生与所述导电部件中流通的电流对应的磁通量；
磁传感器，输出与所述缝隙部中的磁通量密度对应的信号；以及
磁屏蔽部件，具有从外部侧隔着间隙地包围所述磁芯主体的屏蔽主体，并且用所述屏蔽主体将所述屏蔽主体的内部与外部之间的磁力遮蔽。
2.根据权利要求1所述的电流传感器，其特征在于，
包括将所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件包含在其中的传感器收纳部件，
所述传感器收纳部件具有：收纳室，收纳所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件；以及定位保持机构，将所述磁芯部件和所述磁屏蔽部件相互隔开间隙地保持。
3.根据权利要求2所述的电流传感器，其特征在于，
所述定位保持机构包括：芯位置限制部，从所述磁芯部件的内部侧限制所述收纳室中的所述磁芯部件的相对位置；屏蔽保持部，为了确定所述收纳室中的所述磁屏蔽部件的相对位置，从所述磁屏蔽部件的外部侧夹持所述磁屏蔽部件；以及屏蔽位置限制部，在相对于所述屏蔽保持部的夹持方向的交叉方向，限制所述收纳室中的所述磁屏蔽部件的相对位置。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的电流传感器，其特征在于，
在具有多个所述导电部件的交流电路中，针对每个所述导电部件而设置所述磁芯部件、所述磁传感器和所述磁屏蔽部件的组合。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的电流传感器，其特征在于，
所述磁传感器是具有作为磁检测元件的霍尔元件的霍尔IC。
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