CN108981940A - 一种温度传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种温度传感器,所述温度传感器包括:温度感应电路,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;信号转换电路,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;模数转换器,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种温度传感器。
背景技术
随着电子产品发展的多样和便携化,芯片和热控制系统中的温度传感器研发日趋灼热化,相关存储器的设计中,温度要求较高分辨率,然而,相关技术中通过调节已有的无源电阻并不能满足分辨率的要求。
发明内容
为解决现有存在的技术问题,本发明实施例提供一种温度传感器,能够提高温度传感器的分辨率和测温精度。
本发明实施例的技术方案是这样实现的:
本发明实施例提供了一种温度传感器,包括:
温度感应电路,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;
信号转换电路,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;
模数转换器,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
上述方案中,所述信号转换电路包括:
第一调节电路,用于对所述模拟电流信号进行分流,并基于分流后的支路得到第一电压信号,输出第一电压信号至第二调节电路;
所述第二调节电路,用于基于所述第一电压信号,对所述模拟电压信号的斜率进行调节。
相应的,所述第一调节电路包括:
第一支路,由至少一个第一电阻及至少一个第一晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;
第二支路,与所述第一支路并联,由至少一个第二电阻、至少一个第二晶体三极管、以及第一运算放大器组成,用于产生第二电压信号;
其中,所述第一运算放大器,用于基于输入的第一参考电压信号,对所述第二电压信号进行调节。
相应地,所述第一电压信号基于至少一个所述第一电阻的对地电压所生成;所述第二电压信号基于至少一个所述第二电阻的对地电压所生成。
本发明实施例还提供了一种第一调节电路包括:
第三支路,由至少一个第三电阻及至少一个第三晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;
第四支路,与所述第三支路并联,由至少一个第四电阻及至少一个第四晶体三极管组成,用于产生第三电压信号;
差分放大器,所述差分放大器的两个输出端分别连接所述第三支路及所述第四支路,用于动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
相应地,所述第一电压信号基于至少一个所述第三电阻的对地电压所生成;所述第三电压信号基于至少一个所述第四电阻的对地电压所生成。
相应地,所述差分放大器的输入包括:第二参考电压信号及所述第一电压信号;所述差分放大器,用于根据所述第二参考电压信号及所述第一电压信号的差值,动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
上述方案中,所述第二调节电路,由至少一个第五电阻、至少一个第六电阻、至少一个第五晶体三极管,以及第二运算放大器组成;
其中,所述第二运算放大器的输入包括:所述至少一个第五电阻的对地电压信号以及所述第一电压信号;
所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻,用于对所述信号转换电路输出的所述模拟电压信号进行分压。
相应地,所述第二运算放大器,用于根据所述至少一个第五电阻的对地电压信号以及所述第一电压信号,生成用于调节所述模拟电压信号的斜率的负反馈电压;所述模拟电压信号的斜率由所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻计算得到。
上述方案中,所述模数转换器,用于根据适配所述温度传感器的温度测量范围的量化极差,对所述模拟电压信号进行量化及编码,得到相应的数字信号。
应用本发明实施例提供的温度传感器具有以下技术效果:
由于连接温度感应电路的信号转换电路能够将输出的模拟电流信号转换为适配模数转换器(ADC,Analog-to-Digital Converter)输入的模拟电压信号,使得输入ADC的电压范围得到相应的调整,通过ADC输出的数字信号得到的温度分辨率和精度都得到改善。
附图说明
图1为相关技术提供的温度传感器的组成结构示意图;
图2为相关技术提供的温度传感器的电路示意图;
图3为本发明实施例提供的温度传感器的组成结构示意图;
图4a为本发明实施例提供的温度传感器的电路示意图;
图4b为本发明实施例提供的温度传感器的输出电压的斜率调整示意图;
图5a为本发明实施例提供的温度传感器的一种电路示意图;
图5b为本发明实施例提供的温度传感器的输出电压斜率与ADC输出温度分辨率的关系示意图;
图5c为本发明实施例提供的温度传感器的输出电压斜率与ADC输出温度精度的关系示意图;
图6为本发明实施例提供的温度传感器的另一种电路示意图。
具体实施方式
以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所提供的实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。另外,以下所提供的实施例是用于实施本发明的部分实施例,而非提供实施本发明的全部实施例,在不冲突的情况下,本发明实施例记载的技术方案可以任意组合的方式实施。
需要说明的是,在本发明实施例中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的方法或者装置不仅包括所明确记载的要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为实施方法或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的方法或者装置中还存在另外的相关要素(例如方法中的步骤或者装置中的单元,例如的单元可以是部分电路、部分处理器、部分程序或软件等等)。
首先对相关技术提供的温度传感器进行说明。如图1所示,集成温度传感器包括两个部分,如图1所示:1)传感器(sensor),通过两个双级结型晶体管(Bipolar JunctionTransistor,BJT)的△VBE来构建和绝对温度成正比(Proportional ToabsoluteTemperature,PTAT)的电压或电流输出;2)模数转换器ADC将生成的电压或电流转换为数字代码(Digital Codes)。
相关温度传感器电路示意图如图2所示,温度感应电路由两组电流镜构成,MP7,MP8和MP6组成了一组电流镜,MN1和MN2组成了另一组电流镜,因为MP7和MP8的MOS管性能一致,MN1和MN2的MOS管性能一致,所以从MN1和MN2出来的电压是一样的,通过MN3,MN4即两个BJT产生了与绝对温度成正比的电流,通过电阻R0产生与绝对温度成正比的电压,MN3与MN4的三极管的数量比为8:1是为了产生所需要的电流Iptat设计出来的,也可以是其他的数量比例,MP7,MP8和MP6组成的电流镜使电流Iptat放大m倍,即输出放大后的电流为mIptat,该电流乘以无源电阻R1转变为与绝对温度成正比的电压Vptat,将Vptat输入到模数转换电路器12后得到精确的温度。以下公式(0)和(1)说明了输入电流Iptat和输出电压Vptat的电路关系:
Iptat=△VBE/R0=VTln8/R0=(ln8/R0)*(KTk/q) (0)
Vptat=(mIptat)*R1=(m ln8)*(R1/R0)*(KTk/q) (1)
其中K为玻尔兹曼常数,Tk为绝对温度值,q为电子电荷,m为图2中MP7,MP8和MP6电流镜比例,△VBE为两个双级结型晶体管的基极-发射极电压的差值,从(1)可以看出,通过调节无源电阻(R1/R0)来调整输出电压Vptat的斜率,相关电路结构生成的电压输入到ADC电路,由于温度传感对分辨率,精度要求较高,为了满足分辨率,ADC的输入范围需要被全部利用到,基于温度曲线和ADC输入范围,通过调节无源电阻(R1/R0)并不能满足分辨率的要求,且电路工作在备用模式下时,不能通过额外的电路带来的小电流改善分辨率,所以本发明通过对无源电阻R1改变为有源器件运算放大器和MOS管以及电阻组成的电流转换为电压的电路,来达到生成较宽范围的电压作为ADC的输入。
图3是本发明实施例提供的温度传感器的组成结构示意图,参见图3,本发明实施例中的温度传感器包括:
温度感应电路10,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;
信号转换电路11,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;
模数转换器12,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
在一实施例中,温度感应电路10的电路结构可以为如图2中编号1部分所示,然而,在实际应用中并不限于此种电路结构,可以为能够实现本发明实施例的根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号的任意电路结构。
本发明一实施例中提供的温度传感器电路示意图,如图4a所示,包含温度感应电路和信号转换电路,方框中标有a*Iptat–b是信号转换电路的函数表征,信号转换电路从无源器件电阻R1变成有源器件运算放大器和MOS管以及电阻组成,该信号转换电路的函数关系(2)为:
Vtemp2=a*Iptat–b (2)
Vtemp2为ADC的输入电压,公式(2)可以看出信号转换电路有两部分,一个是输出电压的斜率调整电路,另一部分是输出电压的截距调整电路,分别对应着公式(2)中的a和b。温度传感器输出电压斜率的调整示意图如图4b所示,通过改变a来改变输出电压Vtemp2的斜率,在一定温度范围内,Vtemp2的斜率改变后,输出电压的范围也产生了改变,来适配后级接入模数转换器的输入。
所述信号转换电路包括:
第一调节电路,对从温度感应电路中输出的模拟电流信号进行分流,并基于分流后的支路得到第一电压信号,输出第一电压信号作为第二调节电路的输入;
所述第二调节电路,第一电压信号作为输入信号,对所述模拟电压信号的斜率进行调节。
所述第一调节电路包括:
第一支路,由至少一个第一电阻及至少一个第一晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;实际应用中,第一电阻的数量可以是一个或多个,第一个晶体三极管可以是一个或多个,具体可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,从温度感应电路输出的电流在第一支路先连接第一晶体三极管,然后再连接第一电阻,电流流经第一晶体三极管,再流经第一电阻后,将第二电阻接地;
第二支路,与所述第一支路并联,由至少一个第二电阻、至少一个第二晶体三极管、以及及第一运算放大器组成,用于产生第二电压信号;实际应用中,第二电阻的数量可以是一个或多个,第二个晶体三极管可以是一个或多个,具体可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,从温度感应电路输出的电流在第二支路先连接第二晶体三极管,然后再连接第二电阻,电流流经第二晶体三极管,再流经第二电阻后,将第二电阻接地;其中,所述第一运算放大器的输出端连接所述第二晶体三极管的基极,用于基于输入的第一参考电压信号,对所述第二电压信号进行调节。
相应地,所述第一电压信号基于至少一个所述第一电阻的对地电压所生成;所述第二电压信号基于至少一个所述第二电阻的对地电压所生成。
所述第二调节电路,由至少一个第五电阻、至少一个第六电阻、至少一个第五晶体三极管,以及第二运算放大器组成;实际应用中,第五电阻和第六电阻的数量可以是一个或多个,第五晶体三极管的数量可以是一个或多个,具体可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,其中,所述第二运算放大器的输入包括:所述至少一个第五电阻的对地电压信号以及所述第一电压信号;
所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻,用于对所述信号转换电路输出的所述模拟电压信号进行分压。实际应用中,第五电阻和第六电阻的数量若是多个,具体某个实际电阻的分压反馈电压可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,相应地,所述第二运算放大器,所述第一电压信号,生成用于调节所述模拟电压信号的斜率的负反馈电压;所述模拟电压信号的斜率由所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻计算得到。
所述第一调节电路还可以是:第三支路,由至少一个第三电阻及至少一个第三晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;实际应用中,第三电阻的数量可以是一个或多个,第三个晶体三极管可以是一个或多个,具体可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,从温度感应电路输出的电流在第三支路先连接第三晶体三极管,然后再连接第三电阻,电流流经第三晶体三极管,再流经第三电阻后,将第三电阻接地;
第四支路,与所述第三支路并联,由至少一个第四电阻及至少一个第四晶体三极管组成,用于产生第三电压信号;实际应用中,第四电阻的数量可以是一个或多个,第四个晶体三极管可以是一个或多个,具体可依据实际电阻的大小及实际需要进行设定,从温度感应电路输出的电流在第四支路先连接第四晶体三极管,然后再连接第四电阻,电流流经第四晶体三极管,再流经第四电阻后,将第四电阻接地;
差分放大器,所述差分放大器的两个输出端分别连接所述第三支路及所述第四支路,用于动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
相应地,所述第一电压信号基于至少一个所述第三电阻的对地电压所生成;所述第三电压信号基于至少一个所述第四电阻的对地电压所生成。
相应地,所述差分放大器的输入包括:第二参考电压信号及所述第一电压信号;所述差分放大器,用于根据所述第二参考电压信号及所述第一电压信号的差值,动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
采用第三支路和第四支路组成的第一调节电路,和采用第一支路和第二支路组成的第一调节电路相适应的第二调节电路的结构是相同的;
从第二调节电路输出的经过调整的与绝对温度成正比的电压输入模数转换器,所述模数转换器,用于根据适配所述温度传感器的温度测量范围的量化极差,对所述模拟电压信号进行量化及编码,得到相应的数字信号。本实施例增加了输入到ADC的电压的斜率,并且所述电压的截距可调整;这两点带来了较宽范围的输入电压,增加了ADC也就是温度传感器的分辨率和精度。
在一实施例中,温度传感器的一种电路如图5a所示,本发明实施例中的温度传感器包括:
温度感应电路10,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;
信号转换电路11,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;
模数转换器12,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
所述信号转换电路包括:
第一调节电路,用于对所述模拟电流信号进行分流,并基于分流后的支路得到第一电压信号,输出第一电压信号至第二调节电路;
所述第二调节电路,用于基于所述第一电压信号,对所述模拟电压信号的斜率进行调节。
如图5a所示,第一调节电路和第二调节电路相当于一个缓冲器buffer,第一调节电路包括晶体管MP1、晶体管MP2、电阻R1、电阻R2和运算放大器Amp1,分为两个支路,其中,第一支路,由电阻R1及晶体三极管MP2组成,用于产生R1处的电压信号INN1,该电压信号为第二调节电路中运算放大器Amp2的一个输入;第二支路,与第一支路并联,由电阻R2、晶体三极管MP1、以及运算放大器Amp1组成,用于产生R2处的电压信号;运算放大器Amp1的输入的Vref为电路的参考电压,该放大器Amp1相当于一个缓冲器(buffer),输入端两端的电压相等,Vref等于负反馈的输入端,当运算放大器Amp1工作时,它的输出将MP1打开,从MP6漏极端A点输出的电流m Iptat被分为两路,即电流m Iptat被分流了,一路流向MP2,另一路流向MP1,Vtemp2=a*Iptat-b中的减法功能就体现在第一调节电路中。第一调节电路中R1处的电压为公式(3)和(4)所示:
Iptat=△VBE/R0=VTln8/R0=(ln8/R0)*(KTk/q) (3)
VR1=(mIptat-Vref/R2)*R1=(m(ln8/R0)*(KTk/q)-Vref/R2)*R1 (4)
其中,运算放大器Amp1的输出端连接晶体三极管MP1的基极,R2的电流为参考电压与R2的比值,通过参考电压的改变对R2上的电压信号进行调节。R1上的电压通过A点输出的电流m Iptat减去R2上的电流,再乘以R1所得到的,图中电压信号INN1对应公式(4)中的VR1。
所述第二调节电路,在本实施例中如图5a所示,包括晶体管MP5、运算放大器Amp2、电阻R3和R4组成,第一调节电路输出的R1上的电压值为运算放大器Amp2的输入,另一个输入为电压负反馈电路在R3上的电压值;R3和R4对信号转换电路输出的模拟电压信号进行分压。
运算放大器Amp2工作时,生成用于调节模拟电压信号的斜率的负反馈电压,该斜率从第二调节电路可以看出至少由R3和R4调节,根据公式(5)和(6),可以得到,输出电压Vtemp2的斜率被R1、R3和R4共同调整,来适应ADC的输入,第二调节电路得到输出电压Vtemp2如公式(5)和(6)所示:
Vtemp2=((R3+R4)/R3)*VR1=((R3+R4)/R3)*(m(ln8/R0)*(KTk/q)-Vref/R2)*R1(5)
Vtemp2=((R3+R4)/R3)*(m(Kln8/q)*(R1/R0)Tk-Vref*(R1/R2)) (6)
(R3+R4)/R3使相关技术生成的与绝对温度成正比的放大后的输出电压的斜率值增大了;输出电压的截距由R1、R2、R3和R4共同调节。
所述模数转换器,用于根据适配所述温度传感器的温度测量范围的量化极差,对所述模拟电压信号进行量化及编码,得到相应的数字信号。本实施例增加了输入到ADC的电压的斜率,并且所述电压的截距可调整;这两点带来了较宽范围的输入电压,增加了ADC也就是温度传感器的分辨率和精度。如图5b所示,在-40~125℃范围内,输出电压Vtemp2斜率增加后,电压范围也改变了,从每增加1℃,输出电压改变4mV变为每增加1℃,输出电压改变10mV,输出电压经过这样调整后输入ADC,输出的数字代码的温度分辨率从3℃/LSB提高到1℃/LSB。如图5c所示,输出电压Vtemp2斜率增加后,相应的ADC输入的最大值也增加了,则ADC输出的数字代码也随之增加,即编码精度增加。本实施例的温度传感器的电路和传统的温度传感器的电路相比,Vtemp2可以使ADC的输入范围更加有效,但是有一个潜在的问题,处理时间由于分支电流受到MP1和MP2的限制,基于图5a的实施例中的处理时间问题,电路进行优化后,得到下面的实施例,如图6。
在一实施例中,温度传感器另一种电路如图6所示,本发明实施例中的温度传感器包括:
温度感应电路10,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;
信号转换电路11,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;
模数转换器12,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
所述信号转换电路包括:
第一调节电路,用于对所述模拟电流信号进行分流,并基于分流后的支路得到第一电压信号,输出第一电压信号至第二调节电路;
所述第二调节电路,用于基于所述第一电压信号,对所述模拟电压信号的斜率进行调节。
如图6中第一调节电路包括晶体管MP3、晶体管MP4、电阻R1、电阻R2和差分放大器Amp1,该调节电路分为两个支路,第三支路由电阻R2及晶体三极管MP3组成,产生输入到第二调节电路的输入电压信号INN;第四支路,与第三支路并联,由电阻R1及晶体三极管MP4组成,用于产生R1上的电压信号;差分放大器Amp1的输入包括:参考电压信号Vref及R2上的电压信号INN,两个输出端分别连接MP3和MP4的基极,根据参考电压信号Vref及R2上的电压信号INN的差值,动态平衡两支路上R1和R2上的电压。
图5a对应的实施例处理时间慢的主要原因是图5a中A点的阻抗并不小,被放大器Amp1分流后摆幅增大。图6优化的电路中运算放大器变为一个差分放大器,可以有效的平衡MP3和MP4,图6中的B点出来的摆幅要比图5a中A点出来的摆幅小很多,因此处理时间得到改善。
本实施例中图6的第二调节电路结构与上一实施例图5a中第二调节电路是相同的,由电阻R3、电阻R4、晶体三级管MP5以及运算放大器Amp2组成;第一调节电路输出的R2上的电压值为运算放大器Amp2的输入,另一个输入为电压负反馈电路在R3上的电压值;R3和R4对信号转换电路输出的模拟电压信号进行分压。运算放大器Amp2工作时,生成用于调节模拟电压信号的斜率的负反馈电压,输出电压Vtemp3的斜率被R1、R3和R4共同调整,输出电压的截距由R1、R2、R3和R4共同调节。
本实施例中所述模数转换器,用于根据适配所述温度传感器的温度测量范围的量化极差,对所述模拟电压信号进行量化及编码,得到相应的数字信号。
以上所述,仅为本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种温度传感器,其特征在于,包括:
温度感应电路,用于根据温度的变化输出成比例变化的模拟电流信号;
信号转换电路,连接所述温度感应电路,用于将输出的所述模拟电流信号转换为模拟电压信号,所述模拟电压信号适配所述信号转换电路后级接入的模数转换器的输入;
模数转换器,连接所述信号转换电路,用于将所述模拟电压信号转换为对应的数字信号并输出。
2.如权利要求1所述的温度传感器,其特征在于,所述信号转换电路包括:
第一调节电路,用于对所述模拟电流信号进行分流,并基于分流后的支路得到第一电压信号,输出第一电压信号至第二调节电路;
所述第二调节电路,用于基于所述第一电压信号,调节所述模拟电压信号随温度变化的幅度。
3.如权利要求1或2所述的温度传感器,其特征在于,所述第一调节电路包括:
第一支路,由至少一个第一电阻及至少一个第一晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;
第二支路,与所述第一支路并联,由至少一个第二电阻、至少一个第二晶体三极管、以及第一运算放大器组成,用于产生第二电压信号;
其中,所述第一运算放大器,用于基于输入的第一参考电压信号,对所述第二电压信号进行调节。
4.如权利要求3所述的温度传感器,其特征在于,
所述第一电压信号基于至少一个所述第一电阻的对地电压所生成;
所述第二电压信号基于至少一个所述第二电阻的对地电压所生成。
5.如权利要求2所述的温度传感器,其特征在于,所述第一调节电路包括:
第三支路,由至少一个第三电阻及至少一个第三晶体三极管组成,用于产生所述第一电压信号;
第四支路,与所述第三支路并联,由至少一个第四电阻及至少一个第四晶体三极管组成,用于产生第三电压信号;
差分放大器,所述差分放大器的两个输出端分别连接所述第三支路及所述第四支路,用于动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
6.如权利要求5所述的温度传感器,其特征在于,
所述第一电压信号基于至少一个所述第三电阻的对地电压所生成;
所述第三电压信号基于至少一个所述第四电阻的对地电压所生成。
7.如权利要求5所述的温度传感器,其特征在于,
所述差分放大器的输入包括:第二参考电压信号及所述第一电压信号;
所述差分放大器,用于根据所述第二参考电压信号及所述第一电压信号的差值,动态平衡所述第一电压信号及所述第三电压信号。
8.如权利要求2所述的温度传感器,其特征在于,
所述第二调节电路,由至少一个第五电阻、至少一个第六电阻、至少一个第五晶体三极管,以及第二运算放大器组成;
其中,所述第二运算放大器的输入包括:所述至少一个第五电阻的对地电压信号以及所述第一电压信号;
所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻,用于对所述信号转换电路输出的所述模拟电压信号进行分压。
9.如权利要求8所述的温度传感器,其特征在于,
所述第二运算放大器,用于根据所述至少一个第五电阻的对地电压信号以及所述第一电压信号,生成用于调节所述模拟电压信号的斜率的负反馈电压;所述模拟电压信号随温度变化的幅度由所述至少一个第五电阻及所述至少一个第六电阻计算得到。
10.如权利要求1至9任一项所述的温度传感器,其特征在于,
所述模数转换器,用于根据适配所述温度传感器的温度测量范围的量化极差,对所述模拟电压信号进行量化及编码,得到相应的数字信号。
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