CN108962941B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；发光元件，位于显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于像素电极与共电极之间的发射构件；共电压传输线，位于非显示区域中并电连接到共电极；第二基底，与第一基底相对；密封件，在第一基底与第二基底之间位于非显示区域中，密封件围绕显示区域，其中，共电压传输线包括与密封件叠置的第一部分和位于密封件与显示区域之间的第二部分，其中，第二部分具有至少一个开口或切除部。

Description

显示装置
本申请要求于2017年5月19日在韩国知识产权局提交的第10-2017-0062446号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本公开的各方面涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种有机发光二极管显示器。
背景技术
有机发光二极管显示器包括由有机发光二极管实现的像素，所述有机发光二极管均包括两个电极和设置在两个电极之间的有机发射层。从作为有机发光二极管的一个电极的阴极注入的电子和从作为另一个电极的阳极注入的空穴在有机发射层中彼此结合以形成激子，并在激子释放能量的同时发射光。有机发光二极管显示器可以通过控制亮度来显示图像，所述亮度为每个有机发光二极管的发射的程度。
元件(特别是构成有机发光二极管显示器的有机发射层和电极)易受湿气、氧等的影响，因此隔绝来自外部的湿气和/或氧等是重要的。已经使用了这样的技术作为具有高气密性的密封方法：通过在封装基底与形成有机发光二极管的元件基底之间设置熔料并向熔料照射激光束，由熔化并硬化的熔料(密封件)将封装基底和元件基底结合在一起。
近来，对减小边框的宽度的需求已日益增加，边框的宽度的减小减小了显示区域与密封件之间的距离，并导致由密封工艺产生的热量对显示器的其它元件的影响。
在该背景技术部分公开的上述信息仅是为了加强对本发明的背景技术的理解，因此其可能包含不构成现有技术的信息。
发明内容
本发明的实施例的多个方面涉及一种能够减小或防止由在密封工艺中产生的热导致的损坏的显示装置。
根据本发明的一些示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，具有显示区域和围绕显示区域的非显示区域；发光元件，位于显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于像素电极与共电极之间的发射构件；共电压传输线，位于非显示区域中并电连接到共电极；第二基底，与第一基底相对；密封件，在第一基底与第二基底之间位于非显示区域中，密封件围绕显示区域，其中，共电压传输线包括与密封件叠置的第一部分和位于密封件与显示区域之间的第二部分，其中，第二部分具有至少一个开口或切除部。
在一些实施例中，第一基底包括位于第一基底的相对侧处的第一端部和第二端部，所述显示区域设置在第一端部与第二端部之间，显示装置还包括位于第一端部处的焊盘部，至少一个开口或切除部位于第一基底的与第二端部的相对端部对应的角部分处。
在一些实施例中，至少一个开口具有在共电压传输线的厚度方向上延伸贯穿共电压传输线的狭缝形状。
在一些实施例中，至少一个开口具有弯曲的平面形状。
在一些实施例中，共电压传输线包括在平面图中在所述角部分处弯曲地形成的部分。
在一些实施例中，显示装置还包括与共电压传输线和共电极连接的连接构件。
在一些实施例中，连接构件与像素电极的层位于同一层处，显示装置还包括位于第一基底上并且在连接构件和像素电极下方的平坦化层。
在一些实施例中，平坦化层在第二端部处不与共电压传输线叠置。
在一些实施例中，显示装置还包括位于共电极下方并且在连接构件和像素电极上方的像素限定层。
在一些实施例中，连接构件在所述角部分处不与共电压传输线连接。
在一些实施例中，显示装置还包括位于第二基底上的触摸电极和触摸信号线，其中，触摸信号线与连接构件叠置。
在一些实施例中，密封件的面对显示装置的外部的表面从第一基底和第二基底的边缘突出。
在一些实施例中，共电压传输线的第一部分具有至少一个开口。
在一些实施例中，显示装置还包括位于显示区域中并与发光元件的像素电极连接的晶体管，其中，共电压传输线与晶体管的源电极和漏电极的层位于同一层处。
在一些实施例中，显示装置还包括位于显示区域中并与发光元件的像素电极连接的晶体管，其中，共电压传输线与晶体管的栅电极的层设置在同一层处。
根据本发明的一些示例性实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底，包括显示区域和围绕显示区域的非显示区域，非显示区域包括位于第一基底的相对侧处的第一端部和第二端部，显示区域设置在第一端部与第二端部之间；发光元件，位于显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于像素电极与共电极之间的发射构件；共电压传输线，位于非显示区域中并电连接到共电极；连接构件，位于非显示区域中并且与共电极和共电压传输线连接；焊盘部，位于第一端部处；第二基底，面对第一基底；密封件，在第一基底与第二基底之间位于非显示区域中，密封件围绕显示区域，其中，连接构件在第一基底的与第二端部的相对端部对应的角部分处与共电压传输线电断开。
在一些实施例中，连接构件在平面图中在所述角部分处与共电压传输线分开。
在一些实施例中，连接构件与像素电极的层位于同一层处，显示装置还包括位于第一基底上并且在连接构件和像素电极下方的平坦化层。
在一些实施例中，平坦化层在第二端部处不与共电压传输线叠置。
在一些实施例中，显示装置还包括位于共电极下方并且在连接构件和像素电极上方的像素限定层。
根据示例性实施例，抑制或基本防止密封工艺中产生的热传导到有机绝缘层，从而可以减小或防止因有机绝缘层的排气而导致的像素的收缩。
附图说明
图1是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。
图2是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。
图3是示出沿着图1中的线III-III'截取的剖面的示例的剖视图。
图4是示出沿着图1中的线IV-IV'截取的剖面的示例的剖视图。
图5是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。
图6是示出沿着图5中的线VI-VI'截取的剖面的示例的剖视图。
图7是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。
图8是示出沿着图7中的线VIII-VIII'截取的剖面的示例的剖视图。
图9是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。
图10是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。
具体实施方式
在下文中将参照附图更充分地描述本发明，在附图中示出了发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在均未脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种适合的方式对描述的实施例进行修改。
为了清楚地描述本发明，可以省略对描述不重要的部件。这里，在整个说明书中，同样的标号表示同样或相似的构成元件。
此外，因为为了更好地理解和便于描述，任意地给出了附图中示出的构成构件的尺寸和厚度，所以本发明不限于示出的尺寸和厚度。在附图中，为了清楚可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。
接下来，将参照附图来描述根据本发明的示例性实施例的显示装置。尽管将有机发光二极管显示器作为示例进行描述，但是根据本发明的显示装置不限于此。
图1是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。图2是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。图3是示出沿着图1中的线III-III'截取的剖面的示例的剖视图。图4是示出沿着图1中的线IV-IV'截取的剖面的示例的剖视图。
参照图1至图4，显示装置10包括用于显示图像的显示区域DA(也称为有效区域)和位于显示区域DA的外周围(例如，外周边)处的非显示区域NDA(也称为外围区域)，所述非显示区域NDA中设置有用于产生和/或传输施加到显示区域DA的各种信号的元件和/或布线。在附图中，由虚线示出的四边形边界线BL的内部区域对应于显示区域DA，外部区域对应于非显示区域NDA。在非显示区域NDA中，第一基底110的下部区域被称为显示装置10的下端部(例如，第一端部)，第一基底110的上部区域被称为显示装置10的上端部(例如，第二端部)。
在显示区域DA中，像素以矩阵形式设置在第一基底110上。在显示区域DA中，诸如栅极线和数据线的信号线设置在第一基底110上。栅极线可以主要在第一方向上(例如，在行方向上)延伸，数据线可以主要在与第一方向交叉的第二方向上(例如，在列方向上)延伸。栅极线和数据线连接到每个像素以从信号线接收栅极信号和数据信号。在有机发光二极管显示器中，用于将驱动电压传输到像素的驱动电压线可以设置在第一基底110上以在显示区域DA中沿第二方向延伸。
用于感测用户的接触或非接触触摸的触摸电极420可以设置在显示区域DA中。例如，触摸电极420可以设置在第二基底210上；然而，本发明不限于此。
在非显示区域NDA中，包括用于从显示装置10的外部接收信号的焊盘的焊盘部PP设置在第一基底110上。如其中所示，焊盘部PP可以设置在作为显示装置10的第一端部的下端部中。焊盘部PP的焊盘与设置在非显示区域NDA中的布线连接。用于从外部传输电压和信号的柔性印刷电路膜可以结合到焊盘部PP。在平面图中，第一基底110的三个边缘(例如，上边缘、左边缘和右边缘)可以与第二基底210的三条边重合。然而，第一基底110在设置有焊盘部PP的区域(例如，第一端部)中比第二基底210长，使得焊盘部PP可以暴露于外部用于结合柔性印刷电路膜。
产生和/或处理用于驱动显示区域DA的像素的各种合适信号的驱动器件可以设置在非显示区域NDA中，并且可以设置在结合到焊盘部PP的柔性印刷电路膜中。驱动器件可以包括将数据信号施加到数据线的数据驱动器、将栅极信号施加到栅极线的栅极驱动器和控制栅极驱动器和数据驱动器的信号控制器。栅极驱动器可以集成在位于显示区域DA的左侧和/或右侧处的非显示区域NDA中。
用于向像素提供共电压的共电压传输线177设置在非显示区域NDA中。共电压传输线177可被提供有设定或预定的电平的共电压，并且通过焊盘部PP将共电压施加到像素的共电极270。共电压传输线177具有电连接到焊盘部PP的第一端和第二端，并且形成为围绕显示区域DA。与示出的示例性实施例不同，例如，共电压传输线177可以仅形成在显示区域DA的左侧和/或右侧。用于将信号传输到触摸电极420和/或从触摸电极420传输信号的触摸信号线410也可以设置在非显示区域NDA中。
非显示区域NDA包括密封区域SA。密封区域SA与显示区域DA分开，并设置在第二基底210的上侧以及左侧和右侧。然而，密封区域SA可以设置成稍微远离第二基底210的下边缘。这是因为在密封区域SA到达下侧时，会难以切割比第一基底110短的第二基底210。在密封区域SA中，密封件50设置在第一基底110与作为封装基底的第二基底210之间。密封件50形成为完全围绕显示区域DA，并形成为在平面图中与密封区域SA叠置。密封件50用于粘合第一基底110与第二基底210以减少或防止诸如湿气和氧的杂质从外部渗入第一基底110与第二基底210之间。因此，显示区域DA可以通过第一基底110、第二基底210以及第一基底110与第二基底210之间的密封件50来气密密封。
密封件50包括面对显示区域DA(例如，与显示区域DA分隔开且相对)的内表面51和面对显示装置10的外部的外表面52。当显示装置10具有四边形形状时，密封件50的内表面在平面图中可以具有基本上四边形的形状。在这种情况下，密封件50的四个角可以是弯曲的。密封件50的外表面52可以与第一基底110和第二基底210的边缘重合。但是，如图2所示，密封件50的外表面52可以形成为凸出的，即，形成为突出超过第一基底110和第二基底210的边缘。在后一种情况下，可以降低由冲击等导致的第一基底110和第二基底210的边缘损坏的风险。
例如，密封件50可以通过在第二基底210上涂覆密封材料、布置第一基底110使得密封材料设置在第一基底110与第二基底210之间并且将激光照射到涂覆有密封材料的部分来形成。又例如，密封件50可以通过在第一基底110上涂覆密封材料、布置第二基底210并且将激光照射到涂覆有密封材料的部分来形成。涂覆的密封材料可以是例如玻璃料的熔料。当通过对密封材料照射激光来加热密封材料时，密封材料熔化并像粘合剂一样粘附到第一基底110和第二基底210。然后，密封材料在粘附的状态下被固化以形成气密地粘附第一基底110和第二基底210的密封件50。例如，激光可以朝向密封材料照射到第二基底210上。
由激光施加到密封材料的热可以是例如至少300℃，并且可以通过诸如金属、金属合金等的热导体传导到靠近显示区域DA设置的层。随着显示区域DA与密封区域SA之间的距离根据用于减小边框宽度的设计而减小，被传导到显示区域DA的热量会增加。在这种情况下，气体会从有机绝缘层(例如，稍后将描述的平坦化层180、像素限定层360等)排出，排出的气体会导致由于发射构件260劣化而使发光区域减小的收缩。换言之，形成密封件50的激光的热会传导到有机绝缘层从而导致从有机绝缘层排气，因而导致收缩缺陷。
共电压传输线177可以具有与密封件50叠置的第一部分177a和不与密封件50叠置的第二部分177b。狭缝形状的开口71可以形成在共电压传输线177的第一部分177a中以增大密封件50的下端部的接触面积，从而增大粘附力。开口71可以以设定或预定的宽度、长度和间隔来形成，并且可以规则地或不规则地形成。开口71可以在平面图中以基本上直线来形成，但是不限于此。例如，显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR可以是弯曲的。显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR对应于显示装置10上端部(例如，第二端部)的相对端部。显示装置10的平面形状对应于第一基底110的平面形状，因此显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR对应于第一基底110的左上角部分和右上角部分。在左上角部分CL和右上角部分CR中，共电压传输线177可以形成为以曲线延伸。共电压传输线177的第一部分177a可以用作用于增强在形成密封件50时照射的激光的利用效率的反射层。
共电压传输线177的第二部分177b设置在显示区域DA与密封区域SA之间。共电压传输线177的第二部分177b未被密封件50覆盖，并且与连接构件195连接，所述连接构件195与像素的共电极270连接。参照图3和图4，共电极270通过连接构件195电连接到共电压传输线177。参照图2，在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR中，开口72形成在共电压传输线177的第二部分177b处。开口72可以具有狭缝状形式，或者可以具有能够基于开口72使共电压传输线177的第二部分177b物理断开的任何形式。因此，开口72形成为在厚度方向上延伸贯穿共电压传输线177的第二部分177b。开口72可以以与设置在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR处的密封件50的内表面51类似的平面曲线形成；然而，本发明不限于此。
当激光照射到密封材料时，激光的路线(例如，移动方向)在显示装置10的上角部分CL和CR处改变，因此激光照射时间相对长。在除了上角部分CL和CR以外(例如，左上角部分CL与右上角部分CR之间)的区域中，激光照射装置可以在一个方向上线性移动的同时照射激光。然而，在上角部分CL和CR处，激光照射装置可以像台阶一样在两个方向上交替移动的同时照射激光。因此，因为激光施加到显示装置10的上角部分CL和CR期间的时间增加，因此施加到位于上角部分CL和CR处的密封材料的热也大于施加到位于其它区域中的密封材料的热。施加到密封件50的热会通过共电压传输线177传导到显示区域DA。更多的热被施加到位于上角部分CL和CR处的密封件50，使得更多的热会在上角部分CL和CR处被传导。然而，在上角部分CL和CR处，开口72形成在共电压传输线177的第二部分177b中，因此能够防止或基本上防止用于形成密封件50而施加的热直接传导到显示区域DA。
在示出的示例性实施例中，在显示装置10的设置有焊盘部PP的下侧处，在共电压传输线177的第二部分177b处的左右角部分和与其相邻的部分中不形成开口。与显示装置10的上侧不同，在显示装置10的下侧处在显示区域DA与密封区域SA之间利用用于形成诸如数据扇出部、多路复用器和包括供电电压传输线的布线的各种适合的电路的区域。因此，传导到显示区域DA的热量可以减少。然而，根据显示装置的设计，开口也可以形成在共电压传输线177的与显示装置10的左下角部分和右下角部分相邻的第二部分177b中。
将更详细地描述显示装置10的堆叠结构。第一基底110是由玻璃、石英和/或陶瓷等制成的绝缘基底，并且可以是光学透明的。
晶体管的半导体层154设置在第一基底110上。半导体层154包括沟道区以及设置在沟道区的相对侧处的源区和漏区。半导体层154可以包括多晶硅、非晶硅和/或氧化物半导体等。
光阻挡电极可以设置在第一基底110与半导体层154之间。光阻挡电极可以防止或基本上防止外部光到达半导体层154，从而防止或基本上防止半导体层154的特性劣化并使晶体管的漏电流减小或最小化。缓冲层可以设置在第一基底110与半导体层154之间以减少或防止使半导体层154的特性劣化的杂质扩散并且减少或防止湿气等的渗透。
栅极绝缘层140设置在半导体层154上。栅极绝缘层140可以包括诸如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)等的无机绝缘材料。
包括晶体管的栅电极124、栅极线等的栅极导体设置在栅极绝缘层140上。栅电极124可以与半导体层154的沟道区叠置。栅极导体可以包括诸如钼(Mo)、铜(Cu)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等的金属或者它们的金属合金，并且可以由单层形成或者可以是多层。
包括无机绝缘材料的层间绝缘层160设置在栅极导体上。
包括晶体管的源电极173和漏电极175、数据线、驱动电压线和共电压传输线177的数据导体设置在层间绝缘层160上。数据导体可以在同一工艺或基本相同的工艺中由相同或基本相同的材料形成。例如，可以在层间绝缘层160上形成导电层，并且通过光刻工艺将导电层图案化以形成源电极173、漏电极175、共电压传输线177、数据线、驱动电压线等。源电极173和漏电极175可以通过形成在层间绝缘层160中的接触孔(或接触开口)连接到半导体层154的源区和漏区。在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR中，开口72可以形成在共电压传输线177的第二部分177b中，以阻断热传导路径。数据导体可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等的金属或它们的金属合金，并且可以由单层形成或者可以是多层(例如，Ti/Al/Ti、Mo/Al/Mo、Mo/Cu/Mo等)。在示出的示例性实施例中，共电压传输线177由数据导体形成；然而，本发明不限于此。例如，共电压传输线177可以由栅极导体形成。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体层154一起构成晶体管。其中示出的晶体管可以是有机发光二极管显示器的像素中的驱动晶体管。示出的晶体管可被称为栅电极124设置在半导体层154上方的顶栅晶体管。晶体管的结构不限于此，并且可以以适合的方式进行各种修改。例如，示出的晶体管可以是栅电极设置在半导体层下方的底栅晶体管，并且可以是栅电极设置在半导体层的侧表面中的垂直晶体管。
平坦化层180设置在层间绝缘层160和数据导体上。平坦化层180用于去除台阶并使台阶平坦化以增大将要形成在其上的有机发光元件的发射效率。平坦化层180可以包括有机绝缘材料。有机绝缘材料可以包括聚酰亚胺、聚酰胺、聚丙烯酸酯、聚苯醚、聚苯硫醚、不饱和聚酯、环氧树脂和/或酚醛树脂等；然而，其不限于此。例如，在与显示区域DA相邻的驱动器区域RA中，构成诸如栅极驱动器的驱动器的元件(晶体管、电容器等)可以形成在第一基底110与平坦化层180之间。
通过在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR处形成在共电压传输线177的第二部分177b中的开口72，可以防止或基本上防止当形成密封件50时施加的热被传导到层间绝缘层160。因此，减少或防止层间绝缘层160的排气以减少或防止收缩缺陷。
参照图4，可以在显示装置10的上侧处从与密封件50邻近的非显示区域NDA去除平坦化层180。当照射激光以形成密封件50时，热会被施加或传递到平坦化层180。在这种情况下，气体会从平坦化层180排出。排出的气体会使发射构件260劣化而导致收缩。可以通过在能够去除平坦化层180的区域中去除平坦化层180来减少或防止平坦化层180的排气，以减少或防止收缩的发生。去除平坦化层180的区域可以是显示装置10的左上角部分CL与右上角部分CR之间的区域，并且可以包括左上角部分CL和右上角部分CR。当数据导体设置在平坦化层180下方时，数据导体可以被平坦化层180等覆盖，因此可以在不与数据导体叠置的区域中去除平坦化层180。然而，虽然共电压传输线177是数据导体，但是可以在与共电压传输线177叠置的区域中去除平坦化层180。
像素电极191和连接构件195设置在平坦化层180上。像素电极191和连接构件195可以在同一工艺或基本相同的工艺中由相同或基本相同的材料形成。例如，可以通过在平坦化层180中形成导电层并且通过光刻工艺将导电层图案化来形成像素电极191和连接构件195。像素电极191通过形成在平坦化层180中的接触孔(或接触开口)与晶体管的漏电极175连接。与示出的不同，像素电极191可以连接到晶体管的源电极173。连接构件195与未被平坦化层180覆盖的共电压传输线177连接。像素电极191和连接构件195可以由反射导电材料或半透射导电材料形成，或者可以由透明导电材料形成。例如，像素电极191和连接构件195可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料，或者包括锂(Li)、钙(Ca)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)和/或金(Au)等的金属。
像素限定层360设置在平坦化层180、像素电极191和连接构件195上。
像素限定层360包括与像素电极191叠置的开口。像素限定层360的开口可以限定与像素对应的区域。像素限定层360可以包括诸如聚酰亚胺、聚丙烯酸酯和/或聚酰胺等的有机绝缘材料。
通过在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR处形成在共电压传输线177的第二部分177b中的开口72，可以防止或基本上防止当形成密封件50时施加的热被传导到像素限定层360。
因此，减少或防止像素限定层360的排气以减少或防止收缩缺陷。与平坦化层180类似，可以在显示装置10的上侧处从与密封件50邻近的非显示区域NDA去除像素限定层360，以减少或防止由排气导致的收缩。例如，在图4中，像素限定层360与共电压传输线177和连接构件195叠置的一部分可被去除。
发射构件260设置在像素电极191上。发射构件260可以包括依次堆叠的第一有机公共层、发射层和第二有机公共层。第一有机公共层可以包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。发射层可以由特定发射诸如红色、绿色和蓝色的原色中的一种的光的有机材料制成，或者可以具有堆叠有发射不同颜色的光的多种有机材料层的结构。第二有机公共层可以包括电子传输层和电子注入层中的至少一种。
用于传输共电压的共电极270设置在发射构件260上。共电极270可以包括诸如氧化铟锡(ITO)和/或氧化铟锌(IZO)等的透明导电材料。共电极270可以通过薄地堆叠包括钙(Ca)、钡(Ba)、镁(Mg)、铝(Al)和/或银(Ag)等的金属来形成，以具有透光性。共电极270通过形成在像素限定层360中的接触孔(或接触开口)61与连接构件195连接。因为连接构件195与共电压传输线177连接，所以共电极270可以通过连接构件195电连接到共电压传输线177，并且可以从共电压传输线177接收共电压。参照图2，在与上角部分CL和CR邻近的区域中，在共电压传输线177的不与密封件50叠置的第二部分177b中形成开口72。通过开口72可以防止或基本上防止施加到密封件50的热传导到显示区域DA。参照图3和图4，在不与上角部分CL和CR邻近的区域中，不在共电压传输线177的不与密封件50叠置的第二部分177b中形成开口。因此，由于施加到密封件50的热比上角部分CL和CR处的热小，所以会传导到显示区域DA的热也较小。
在示出的示例性实施例中，显示装置10可以不包括连接构件195，共电极270可以直接连接到共电压传输线177。至少一个钝化层或功能层可以设置在共电极270上。
每个像素的像素电极191、发射构件260和共电极270构成作为有机发光二极管的发光元件。这里，像素电极191可以是作为空穴注入电极的阳极，共电极270可以是作为电子注入电极的阴极。相反，在一些示例中，像素电极191可以是阴极，共电极270可以是阳极。空穴和电子从像素电极191和共电极270注入到发射构件260中，当在发射层中注入的空穴和电子形成的激子从激发态降至基态时发射光。
面对第一基底110的第二基底210可以是由玻璃、石英和/或陶瓷等制成的绝缘基底，并且可以是光学透明的。第二基底210通过密封件50结合到第一基底110。
触摸信号线410和触摸电极420设置在第二基底210上。触摸信号线410可以布置在非显示区域NDA中，触摸电极420可以布置在显示区域DA中；然而，本发明不限于此。触摸信号线410可以由金属和/或金属合金等形成，触摸电极420可以由透明导电材料、金属网和/或导电聚合物等形成。诸如绝缘层的保护层430可以设置在触摸信号线410和触摸电极420上。
触摸信号线410可以布置在显示区域DA与密封区域SA之间。这样做使得，当触摸信号线410布置到密封区域SA(例如，靠近密封区域SA)时，可以防止或基本上防止用于形成密封件50的激光被触摸信号线410吸收或反射并且可以将用于形成密封件50的激光更有效地照射到密封材料。然而，在不与密封区域SA叠置的区域中，触摸信号线410可以与共电压传输线177、连接构件195、共电极270和像素限定层360叠置，以防止或基本上防止激光直接施加到共电压传输线177、连接构件195、共电极270和像素限定层360，或者使激光的施加减少或最少化。因此，触摸信号线410可以防止或基本上防止当形成密封件50时施加的热传递到显示区域DA，从而减少或防止收缩的发生。与示出的示例性实施例不同，触摸信号线410可以布置到密封区域SA(例如，靠近密封区域SA)。
触摸电极420被示出为至少部分地设置在触摸信号线410上。在一些示例中，触摸信号线410和触摸电极420可以完全处于同一层。与示出的示例性实施例不同，触摸信号线410和触摸电极420可以设置在第二基底210的内表面(即，面对第一基底110的表面)上，或者可以形成在单独的基底上以粘附到第二基底210。
在下文中，将参照图5至图9以与前述的示例性实施例的差异为重点来描述一些示例性实施例。对相同或相似的构成元件给出相同的附图标记。
图5是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。图6是示出沿着图5中的线VI-VI'截取的剖面的示例的剖视图。
参照图5和图6，共电压传输线177的不与密封件50叠置的第二部分177b在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR中被去除，并且连接构件195在左上角部分CL和右上角部分CR中不与共电压传输线177连接。在下文中，第二部分177b的靠近密封件50的被去除部分将被称为切除部73。在左上角部分CL和右上角部分CR处，连接构件195通过共电压传输线177的切除部73与共电压传输线177断开(例如，电断开或隔离)，因此可以阻断热从共电压传输线177传递到显示区域DA的路径。因此，能够减少或防止当形成密封件50时由于施加的热导致的收缩的发生。作为参考，狭缝形状的开口71形成在共电压传输线177的如前述的图1和图2的示例性实施例的相应部分中。
图7是示意性示出根据本发明的示例性实施例的显示装置的布局图。图8是示出沿着图7中的线VIII-VIII'截取的剖面的示例的剖视图。
参照图7和图8，在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR处，不在共电压传输线177的不与密封件50叠置的第二部分177b处形成开口。然而，连接构件195形成为不连接到共电压传输线177。例如，连接构件195可以在平面图中在上角部分CL和CR处与共电压传输线177分开。因此，可以防止或者基本上防止当形成密封件50时施加的热通过连接构件195传导到平坦化层180或像素限定层360，从而抑制平坦化层180或像素限定层360的排气。例如，如图3所示，连接构件195在除了左上角部分CL和右上角部分CR之外的区域中与共电压传输线177连接，以将共电压施加到共电极270。
类似地，例如，在除了左上角部分CL和右上角部分CR之外的区域中，如图3所示，连接构件195可以与共电压传输线177连接以接收共电压。例如，如图4所示，可以在显示装置10的上侧处与密封件50相邻的区域中去除平坦化层180。
图9是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。
参照图9，与图2的示例性实施例不同，根据一些实施例的显示装置10不包括连接构件195，共电极270直接与共电压传输线177连接。因为在显示装置10的左上角部分CL和右上角部分CR处，开口72形成在共电压传输线177的第二部分177b处，所以可以抑制由激光施加的热传导到共电极270或平坦化层180。
图10是示出沿着图1中的线II-II'截取的剖面的示例的剖视图。
参照图10，与前述示例性实施例不同，根据一些示例，共电压传输线177可以由栅极导体形成。因此，共电压传输线177可以与晶体管的栅电极124的层设置在同一层处，以具有接触栅极绝缘层140的下表面。例如，共电压传输线177可以通过在栅极绝缘层140上形成导电层然后通过光刻工艺将导电层图案化来与栅电极124一起形成。
此外，在说明书中，短语“在平面图中”意为从上方观看目标部分的情况，短语“在剖面中”意为从侧面观看通过竖直地切割目标部分而获得的剖面的情况。
将理解的是，尽管在这里可使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语限制。这些术语用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了易于描述，这里可以使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……下面”“在……上方”和“上”等的空间相对术语来描述如图中示出的一个元件或特征与另外的元件或特征的关系。将理解的是，除了在附图中描绘的方位之外，空间相对术语意在包含装置在使用中或操作中的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”、“之下”或“下面”的元件将随后被定位为“在”所述其它元件或特征的“上方”。因而，示例术语“在……下方”和“在……下面”可以包含上方和下方两种方位。装置可以被另外定向(例如，旋转90度或在其它方位)，并且应该对在此使用的空间相对描述语做出相应的解释。另外，还将理解的是，当层被称为“在”两个层“之间”时，该层可以是这两个层之间的唯一的层，或者也可以存在一个或更多个中间层。
这里使用的术语是用于描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一”和“一个(种/者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当术语“包含”、“包括”和/或它们的变型在本说明书中使用时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里所用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种/者)”的表述位于一列元件(要素)之后时，修饰整列的元件(要素)，而不是修饰该列中的个别元件(要素)。另外，在描述发明构思的实施例时“可以”的使用指的是“发明构思的一个或更多个实施例”。另外，术语“示例性”意指示例或图示。
将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”、“结合到”或者“邻近”另一元件或层时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到、结合到或者邻近所述另一元件或层，或者可以存在一个或更多个中间元件或层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”、“直接结合到”或“直接邻近”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。
如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和类似的术语被用作近似的术语而不是程度的术语，并意图说明本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值中的固有偏差。此外，在本说明书或权利要求中叙述的具体的数量或范围还可以包含本领域普通技术人员将认可的测量值或计算值中的固有偏差。
如这里使用的，可认为术语“使用”及其变型分别与术语“利用”及其变形同义。
尽管已经结合目前被认为是实践的示例性实施例描述了本发明，但是将理解的是，发明不限于公开的实施例，而是相反，发明意图覆盖包括在如由权利要求及其等同物限定的发明的精神和范围内的各种合适的修改和等同布置。

Claims (17)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，具有显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域；
发光元件，位于所述显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于所述像素电极与所述共电极之间的发射构件；
共电压传输线，位于所述非显示区域中并电连接到所述共电极，所述共电压传输线包括靠近所述显示区域的内侧以及与所述内侧相对的外侧；
第二基底，与所述第一基底相对；
密封件，在所述第一基底与所述第二基底之间位于所述非显示区域中，所述密封件围绕所述显示区域；以及
连接构件，与所述共电压传输线和所述共电极连接，
其中，所述共电压传输线包括与所述密封件叠置的第一部分和位于所述密封件与所述显示区域之间并且不与所述密封件叠置的第二部分，并且
其中，所述第二部分具有从所述共电压传输线的所述内侧凹陷的切除部，
其中，在平面图中，所述连接构件在第一基底的存在切除部的角部分处与所述共电压传输线分开。
2.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一基底包括位于所述第一基底的相对侧处的第一端部和第二端部，所述显示区域设置在所述第一端部与所述第二端部之间，
其中，所述显示装置还包括位于所述第一端部处的焊盘部，以及
其中，所述第一基底的所述角部分与所述第二端部的相对端部对应。
3.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述切除部具有弯曲的平面形状。
4.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述共电压传输线包括在平面图中在所述角部分处弯曲地形成的部分。
5.如权利要求2所述的显示装置，其中，所述连接构件与所述像素电极的层位于同一层处，以及
其中，所述显示装置还包括位于所述第一基底上并且在所述连接构件和所述像素电极下方的平坦化层。
6.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述平坦化层在所述第二端部处不与所述共电压传输线叠置。
7.如权利要求5所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，位于所述共电极下方，并且在所述连接构件和所述像素电极上方。
8.如权利要求5所述的显示装置，其中，所述连接构件在所述角部分处不与所述共电压传输线连接。
9.如权利要求2所述的显示装置，所述显示装置还包括：
触摸电极和触摸信号线，位于所述第二基底上，
其中，所述触摸信号线与所述连接构件叠置。
10.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述密封件的面对所述显示装置的外部的表面从所述第一基底和所述第二基底的边缘突出。
11.如权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电压传输线的所述第一部分具有至少一个开口。
12.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
晶体管，位于所述显示区域中，并且与所述发光元件的所述像素电极连接，
其中，所述共电压传输线与所述晶体管的源电极和漏电极的层位于同一层处。
13.如权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括：
晶体管，位于所述显示区域中，并且与所述发光元件的所述像素电极连接，
其中，所述共电压传输线与所述晶体管的栅电极的层设置在同一层处。
14.一种显示装置，所述显示装置包括：
第一基底，包括显示区域和围绕所述显示区域的非显示区域，所述非显示区域包括位于所述第一基底的相对侧处的第一端部和第二端部，所述显示区域设置在所述第一端部与所述第二端部之间；
发光元件，位于所述显示区域中并包括像素电极、共电极以及位于所述像素电极与所述共电极之间的发射构件；
共电压传输线，位于所述非显示区域中并电连接到所述共电极；
连接构件，位于所述非显示区域中并且与所述共电极和所述共电压传输线连接；
焊盘部，位于所述第一端部处；
第二基底，面对所述第一基底；以及
密封件，在所述第一基底与所述第二基底之间位于所述非显示区域中，所述密封件围绕所述显示区域，
其中，所述连接构件在所述第一基底的与所述第二端部的相对端部对应的角部分处与所述共电压传输线电断开，
其中，所述连接构件在平面图中在所述角部分处与所述共电压传输线分开。
15.如权利要求14所述的显示装置，其中，所述连接构件与所述像素电极的层位于同一层处，以及
其中，所述显示装置还包括位于所述第一基底上并且在所述连接构件和所述像素电极下方的平坦化层。
16.如权利要求15所述的显示装置，其中，所述平坦化层在所述第二端部处不与所述共电压传输线叠置。
17.如权利要求15所述的显示装置，所述显示装置还包括：
像素限定层，位于所述共电极下方，并且在所述连接构件和所述像素电极上方。
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