CN108933160B - 显示设备 - Google Patents
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- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 145
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 170
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 29
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 27
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920003223 poly(pyromellitimide-1,4-diphenyl ether) Polymers 0.000 description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002430 Fibre-reinforced plastic Polymers 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 101000672911 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) 60S acidic ribosomal protein P1-beta Proteins 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000002355 dual-layer Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000011151 fibre-reinforced plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N indium;oxozinc;tin Chemical compound [In].[Sn].[Zn]=O HRHKULZDDYWVBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006337 unsaturated polyester resin Polymers 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1216—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being capacitors
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
- H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
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- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
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- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/126—Shielding, e.g. light-blocking means over the TFTs
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Abstract
本发明涉及一种显示设备。该显示设备包括:包括第一侧和第二侧的基板;连接至不同扫描线的第一像素和第二像素;限定第一像素的第一发光区域和第二像素的第二发光区域的光阻挡层;以及与第一发光区域和第二发光区域重叠并且在像素电极与基板之间的不同层上的图案。每个发光区域被分成第一分区和第二分区,在第一分区与第二分区之间,第一分区更靠近第一侧。在第一发光区域中,第二分区与第一图案之间的重叠区域大于第一分区与第一图案之间的重叠区域。在第二发光区域中,第一分区与第一图案之间的重叠区域大于第二分区与第一图案之间的重叠区域。
Description
本申请要求享有2017年5月25日提交的韩国专利申请第10-2017-0064460号的优先权,该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。
技术领域
本发明的实施例涉及一种显示设备,并且更具体地,涉及一种取决于观看方向而具有基本上最小化白角差(“WAD”)的显示设备。
背景技术
平板显示(“FPD”)设备由于其期望的特性而广泛用于各种领域,期望的特性诸如与阴极射线管(“CRT”)相比的轻重量和减小的体积。FPD设备可以包括液晶显示(“LCD”)设备、场发射显示(“FED”)设备、等离子体显示面板(“PDP”)设备、有机发光二极管(“OLED”)显示设备等。
在FPD设备之中,OLED显示设备使用可以通过电子和空穴的复合生成光的OLED而显示图像。
发明内容
本发明的实施例针对一种取决于观看方向具有基本上最小化白角差(“WAD”)的显示设备。
根据示例性实施例,一种显示设备,包括:包括彼此面对的第一侧和第二侧的基板;分别连接至不同扫描线的第一像素和第二像素,其中第一像素包括在基板上的第一像素电极,并且第二像素包括在基板上的第二像素电极;限定与第一像素对应的第一发光区域和与第二像素对应的第二发光区域的光阻挡层;以及与第一发光区域和第二发光区域重叠并且分别在第一像素电极与基板之间的不同层上的多个图案,其中,多个图案中的第一图案最靠近第一像素电极或第二像素电极。在该实施例中,第一发光区域和第二发光区域中的每一个被分成第一分区和第二分区,第一分区比起靠近第二侧更靠近第一侧,第一发光区域的第二分区与第一图案之间的重叠区域大于第一发光区域的第一分区与第一图案之间的重叠区域,并且第二发光区域的第一分区与第一图案之间的重叠区域大于第二发光区域的第二分区与第一图案之间的重叠区域。
在示例性实施例中,显示设备可以进一步包括:连接至第一像素的第一发光控制线;以及连接至第二像素的第二发光控制线。
在示例性实施例中,第一发光控制线和第二发光控制线可以彼此相邻。
在示例性实施例中,第一发光控制线可以是奇数编号的发光控制线,并且第二发光控制线可以是偶数编号的发光控制线。
在示例性实施例中,第一像素和第二像素可以发出彼此具有基本上相同颜色的光。
在示例性实施例中,第一像素可以发出红光或蓝光。
在示例性实施例中,第一像素和第二像素可以分别连接至不同数据线。
在示例性实施例中,显示设备可以进一步包括布置在分别连接至第一像素和第二像素的不同数据线之间的另一数据线。
在示例性实施例中,第一发光区域的尺寸可以基本上等于第二发光区域的尺寸。
在示例性实施例中,第一像素和第二像素可以发出彼此具有不同颜色的光。
在示例性实施例中,第一像素可以发出红光或蓝光,并且第二像素可以发出红光或蓝光。
在示例性实施例中,第一像素和第二像素可以连接至相同数据线。
在示例性实施例中,第一发光区域的尺寸可以不同于第二发光区域的尺寸。
在示例性实施例中,第一图案可以包括:连接至包括第一像素和第二像素的多个像素的多条数据线;连接至包括第一像素和第二像素的多个像素的电源线;连接至包括第一像素电极和第二像素电极的多个像素电极的多个第一连接电极;以及与不同扫描线重叠的第二连接电极和第三连接电极。
在示例性实施例中,第一发光区域可以和与连接至第一像素的数据线相邻的另一数据线重叠。
在示例性实施例中,第二发光区域可以和与连接至第二像素的数据线相邻的另一数据线重叠。
在示例性实施例中,第一侧和第二侧可以平行于多条数据线。
在示例性实施例中,第一分区的尺寸可以基本上等于第二分区的尺寸。
在示例性实施例中,第一分区和第二分区可以相对于与第一发光区域或第二发光区域的中心交叉的假想分隔线具有对称形状。
在示例性实施例中,第一发光区域和第二发光区域中的每一个可以具有菱形形状或四边形形状。
在示例性实施例中,显示设备可以进一步包括:连接至与第一像素连接至的扫描线相同的扫描线的第三像素;连接至与第一像素连接至的扫描线相同的扫描线的第四像素;以及连接至与第二像素连接至的扫描线相同的扫描线的第五像素。在该实施例中,光阻挡层可以进一步限定与第三像素对应的第三发光区域、与第四像素对应的第四发光区域、以及与第五像素对应的第五发光区域。
在示例性实施例中,第一发光区域和第五发光区域可以在第一对角线方向上彼此面对,第四发光区域置于第一发光区域与第五发光区域之间,并且第二发光区域和第三发光区域可以在与第一对角线方向交叉的第二对角线方向上彼此面对,第四发光区域置于第二发光区域与第三发光区域之间。
在示例性实施例中,第四发光区域与第一发光区域之间的距离可以基本上等于第四发光区域与第五发光区域之间的距离;并且第四发光区域与第二发光区域之间的距离可以基本上等于第四发光区域与第三发光区域之间的距离。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明的示例性实施例,本发明的以上和其他特征将变得更明显,其中:
图1是图示根据示例性实施例的显示设备的框图;
图2是图示图1中所图示的像素的等效电路图;
图3是图示图1中所图示的显示设备的一个像素和连接至所述一个像素的线的平视图;
图4A至图4G是仅图示图3的部件的一部分的视图;
图5是沿着图3的线I-I’截取的剖视图;
图6是图示图1中所图示的包括多个像素和连接至所述多个像素的线的显示设备的详细平视图;
图7A至图7G是仅图示图6的部件的一部分的视图;
图8是图示图7的发光区域之间的距离的视图;
图9是图示图7的发光区域的尺寸的视图;
图10是图示发光区域的另一形状的视图;以及
图11A和图11B是图示根据示例性实施例的显示设备的效果的曲线图。
具体实施方式
现在将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施例。尽管可以以各种方式修改本发明并且本发明可以具有若干示例性实施例,但是示例性实施例在附图中被图示并且将主要在说明书中被描述。然而,本发明的范围不限于示例性实施例并且应该理解为包括在本发明的精神和范围内所包含的所有改变、等同物和替换。
在附图中,为了清晰和便于多个层和区域的描述,以放大方式图示多个层和区域的厚度。当层、区域或板被称作在另一层、区域或板“上”时,其可以直接在该另一层、区域或板上,或者可以在它们之间存在中间的层、区域或板。相反地,当层、区域或板被称作“直接”在另一层、区域或板上时,在它们之间可以不存在中间的层、区域或板。进一步,当层、区域或板被称作在另一层、区域或板“下”时,其可以直接在该另一层、区域或板下,或者可以在它们之间存在中间的层、区域或板。相反地,当层、区域或板被称作“直接”在另一层、区域或板下时,在它们之间可以不存在中间的层、区域或板。
为了便于描述,本文可使用空间相对术语“之下”、“下方”、“下部”、“之上”、“上部”等,以如附图中所图示来描述一个元件或部件与另一元件或部件之间的关系。应该理解的是,空间相对术语意在包括除了附图中所描绘的朝向之外在使用或操作中设备的不同朝向。例如,在附图中所图示的设备翻转的情况下,位于另一设备“之下”或“下方”的设备可以被置于另一设备“之上”。因此,说明性术语“之下”可以包括下部和上部两者的位置。设备也可以朝向另一方向,并且因此空间相对术语可以取决于朝向而不同地解释。
贯穿说明书,当元件被称作“连接”至另一元件时,该元件“直接连接”至该另一元件,或者该元件“电连接”至该另一元件,一个或多个中间元件置于它们之间。应该进一步理解的是,当在本说明书中使用时,术语“包括”、“正包括”、“包含”和/或“正包含”规定了所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。
应该理解的是,尽管本文可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等以描述各种元件,但是这些元件不应受限于这些术语。这些术语仅用于区分一个元件与另一个元件。因此,以下所讨论的“第一元件”可以被称作“第二元件”或“第三元件”,并且“第二元件”和“第三元件”可以被同样称呼而不脱离本文的教导。
考虑到所讨论的测量以及与特定量的测量相关联的误差(即,测量系统的限制),如本文所使用的“大约”或“近似”在对于如由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差内包括所述值和平均数。
除非另外限定,本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属技术领域的人员通常所理解的含义相同的含义。应该进一步理解的是,术语(诸如在通常使用的词典中所限定的那些)应该解释为具有与在相关领域上下文中它们的含义一致的含义,并且不应以理想的或过分正式的意义解释,除非在说明书中明确限定。
为了例如描述本发明的实施例,可不提供与描述不相关联的一些部件,并且贯穿说明书,相同的附图标记指代相同的元件。
在下文中,将参照图1至图11B详细描述根据本发明的显示设备的示例性实施例。
图1是图示根据示例性实施例的显示设备100的框图。
在示例性实施例中,如图1中所示,显示设备100包括显示面板101、扫描驱动器102、发光控制驱动器103、数据驱动器104和供电单元105。
显示面板101可以包括“i+2”条扫描线SL0至SLi+1、“k”条发光控制线EL1至ELk、“j”条数据线DL1至DLj、以及“i×j”个像素PX,其中i、j和k中的每一个是大于1的自然数。
扫描线SL0至SLi+1沿着Y轴方向设置,并且扫描线SL0至SLi+1中的每一条沿着x轴方向延伸。发光控制线EL1至ELk沿着Y轴方向设置,并且发光控制线EL1至ELk中的每一条沿着x轴方向延伸。数据线DL1至DLj沿着x轴方向设置,并且数据线DL1至DLj中的每一条沿着Y轴方向延伸。
在示例性实施例中,扫描线SL0至SLi+1的最靠近数据驱动器104的扫描线SL0被限定为第一虚设扫描线SL0,并且扫描线SL0至SLi+1的距离数据驱动器104最远的扫描线SLi+1被限定为第二虚设扫描线SLi+1。在该实施例中,第一虚设扫描线SL0与第二虚设扫描线SLi+1之间的扫描线SL1至SLi从靠近数据驱动器104的扫描线顺序地分别被限定为第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。
扫描驱动器102基于从时序控制器(未图示)提供的扫描控制信号而生成扫描信号,并且将扫描信号顺序地施加至多条扫描线SL0至SLi+1。扫描驱动器102输出第一扫描信号至第i扫描信号、第一虚设扫描信号以及第二虚设扫描信号。从扫描驱动器102输出的第一扫描信号至第i扫描信号分别施加至第一扫描线SL1至第i扫描线SLi。在一个示例性实施例中,例如,第n扫描信号施加至第n扫描线SLn,其中n是大于或等于1并且小于或等于i的自然数。在该实施例中,从扫描驱动器102输出的第一虚设扫描信号施加至第一虚设扫描线SL0,并且从扫描驱动器102输出的第二虚设扫描信号施加至第二虚设扫描线SLi+1。
在一个帧时段期间,扫描驱动器102顺序地从第一扫描信号输出第一扫描信号至第i扫描信号。在该实施例中,扫描驱动器102在第一扫描信号之前输出第一虚设扫描信号,并且晚于第i扫描信号而输出第二虚设扫描信号。在该实施例中,扫描驱动器102在所述一个帧时段期间,首先输出第一虚设扫描信号,并且在所述一个帧时段期间,最后输出第二虚设扫描信号。因此,在一个帧时段期间,顺序地从第一虚设扫描线SL0驱动包括虚设扫描线SL0和SLi+1的整个扫描线SL0至SLi+1。
发光控制驱动器103基于从时序控制器(未图示)提供的控制信号而生成发光控制信号,并且将发光控制信号顺序地施加至多条发光控制线EL1至ELk。从发光控制驱动器103输出的第一发光控制信号至第k发光控制信号分别施加至第一发光控制线EL1至第k发光控制线ELk。在一个示例性实施例中,例如,第m发光控制信号施加至第m发光控制线ELm,其中m是大于或等于1并且小于或等于k的自然数。在一个帧时段期间,发光控制驱动器103顺序地从第一发光控制信号输出第一发光控制信号至第k发光控制信号。因此,在一个帧时段期间,顺序地从第一发光控制线EL1驱动整个发光控制线EL1至ELk。
在示例性实施例中,发光控制驱动器103可以嵌入在扫描驱动器102中。在一个示例性实施例中,例如,扫描驱动器102可以充当发光控制驱动器103。在该实施例中,扫描线SL0至SLi+1和发光控制线EL1至ELk由扫描驱动器102一起驱动。
数据驱动器104分别将第一数据电压至第j数据电压施加至第一数据线DL1至第j数据线DLj。在一个示例性实施例中,例如,数据驱动器104从时序控制器(未图示)接收图像数据信号以及数据控制信号。在该实施例中,数据驱动器104基于数据控制信号对图像数据信号进行采样,在每个水平时段中锁存与一条水平线对应的采样后的图像数据信号,并且基本上同时将锁存后的图像数据信号施加至数据线DL1至DLj。
像素PX以矩阵形式设置在显示面板101中。像素PX可以布置在显示面板101的显示区域中。像素PX发出彼此具有不同颜色的光。在一个示例性实施例中,例如,在图1中所图示的像素PX之中,由附图标记“R”指示的像素是发红光的红色像素,由附图标记“G”指示的像素是发绿光的绿色像素,并且由附图标记“B”指示的像素是发蓝光的蓝色像素。
在示例性实施例中,尽管未图示,但是显示面板101可以进一步包括发白光的白色像素。
一个像素连接至至少一条扫描线。在如图1中所图示的示例性实施例中,在连接至第一数据线DL1的多个像素PX之中,最靠近数据驱动器104的蓝色像素连接至接收具有不同输出时序的扫描信号的三条扫描线,例如第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1和第二扫描线SL2。在该实施例中,在连接至第二数据线DL2的多个像素PX之中,第三靠近数据驱动器104的绿色像素连接至接收具有不同输出时序的扫描信号的三条扫描线,例如第四扫描线SL4、第五扫描线SL5和第六扫描线SL6。
在示例性实施例中,共同连接至相同数据线并且彼此相邻定位的像素共同连接至至少一条扫描线。在该实施例中,连接至相同数据线的像素中在Y轴方向上彼此相邻的两个相邻像素共享至少一条扫描线。在一个示例性实施例中,例如,连接至第二数据线DL2并且最靠近数据驱动器104的绿色像素(在下文中,称作“第一绿色像素”)以及连接至第二数据线DL2并且第二靠近数据驱动器104的绿色像素(在下文中,称作“第二绿色像素”)彼此相邻定位,并且第一绿色像素和第二绿色像素共同连接至第二扫描线SL2。在该实施例中,当将连接至第二数据线DL2并且第三靠近数据驱动器104的绿色像素限定为第三绿色像素时,第三绿色像素和第二绿色像素共同连接至第四扫描线SL4。
共同连接至相同数据线的像素中的每一个像素独立地连接至至少一条不同扫描线。在一个示例性实施例中,例如,以上所述第一绿色像素独立地连接至第一扫描线SL1,以上所述第二绿色像素独立地连接至第三扫描线SL3,并且以上所述第三绿色像素独立地连接至第五扫描线SL5。
同样,连接至相同数据线的像素中的每一个像素独立地连接至至少一条扫描线。在下文中,分别连接至不同扫描线的至少两个像素(例如第一像素PX1和第二像素PX2)的含义是,连接至第一像素PX1的扫描线中的至少一条扫描线不同于连接至第二像素PX2的扫描线中的至少一条扫描线。因此,连接至相同数据线的像素分别连接至不同扫描线。
在本文中,连接至相同扫描线的至少两个像素(例如第一像素PX1和第二像素PX2)的含义是,连接至第一像素PX1的扫描线与连接至第二像素PX2的扫描线完全相同。相应地,连接至相同发光控制线的像素中的每一个像素连接至相同扫描线。在示例性实施例中,例如,共同连接至第二发光控制线EL2的像素共同连接至第二扫描线SL2、第三扫描线SL3和第四扫描线SL4。
红色像素和蓝色像素连接至第(2p-1)数据线,并且绿色像素连接至第2p数据线,其中p是自然数。在一个示例性实施例中,例如,红色像素和蓝色像素连接至第一数据线DL1,并且绿色像素连接至第二数据线DL2。
连接至第(2p-1)数据线(例如第一数据线DL1)的一个像素(在下文中,“第一预定像素”)以及连接至第(2p+1)数据线(例如第三数据线DL3)的一个像素(在下文中,“第二预定像素”)可以连接至相同扫描线,并且在该实施例中,第一预定像素发出具有与从第二预定像素所发出的光的颜色不同的颜色的光。在一个示例性实施例中,例如,第一预定像素是连接至第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第一数据线DL1的蓝色像素,并且第二预定像素可以是连接至第一虚设扫描线SL0、第一扫描线SL1、第二扫描线SL2和第三数据线DL3的红色像素。
连接至相同数据线(例如第(2p-1)数据线)并且发出具有不同颜色的光的两个相邻像素、以及与两个相邻像素中的一个像素相邻的至少一个绿色像素共同限定用于显示单元颜色图像的单元像素。在一个示例性实施例中,例如,连接至第三数据线DL3和第一扫描线SL1的红色像素、连接至第三数据线DL3和第三扫描线SL3的蓝色像素、连接至第二数据线DL2和第一扫描线SL1的绿色像素、以及连接至第四数据线DL4和第一扫描线SL1的绿色像素可以共同限定单元像素。
每个像素PX从供电单元105共同接收高电势驱动电压ELVDD、低电势驱动电压ELVSS以及初始化电压Vinit。在该实施例中,每个像素PX接收全部高电势驱动电压ELVDD、低电势驱动电压ELVSS和初始化电压Vinit。
图2是图示图1中所图示的像素的等效电路图。
在示例性实施例中,如图2中所图示,像素包括第一开关元件T1、第二开关元T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6、第七开关元件T7、存储电容器Cst以及发光元件(在下文中,称作发光二极管(“LED”))。
第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每一个可以是P型晶体管,如图2中所图示。然而,示例性实施例不限于此,并且在可替代的示例性实施例中,第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7中的每一个可以是N型晶体管。
第一开关元件T1包括连接至第一节点n1的栅电极并且连接在第二节点n2与第三节点n3之间。第一开关元件T1的源电极和漏电极中的一个连接至第二节点n2,并且第一开关元件T1的源电极和漏电极中的另一个连接至第三节点n3。
第二开关元件T2包括连接至第n扫描线SLn的栅电极并且连接在数据线DL与第二节点n2之间。第二开关元件T2的源电极和漏电极中的一个连接至数据线DL,并且第二开关元件T2的源电极和漏电极中的另一个连接至第二节点n2。第n扫描信号SSn施加至第n扫描线SLn。
第三开关元件T3包括连接至第n扫描线SLn的栅电极并且连接在第一节点n1与第三节点n3之间。第三开关元件T3的源电极和漏电极中的一个连接至第一节点n1,并且第三开关元件T3的源电极和漏电极中的另一个连接至第三节点n3。
第四开关元件T4包括连接至第(n-1)扫描线SLn-1的栅电极并且连接在第一节点n1与初始化线IL之间。第四开关元件T4的源电极和漏电极中的一个连接至第一节点n1,并且第四开关元件T4的源电极和漏电极中的另一个连接至初始化线IL。图1中所示的初始化电压Vinit施加至初始化线IL,并且第(n-1)扫描信号SSn-1施加至第(n-1)扫描线SLn-1。
第五开关元件T5包括连接至发光控制线EL的栅电极并且连接在高电势线VDL与第二节点n2之间,高电势线VDL是电源线中的一条。第五开关元件T5的源电极和漏电极中的一个连接至高电势线VDL,并且第五开关元件T5的源电极和漏电极中的另一个连接至第二节点n2。图1中所示的高电势驱动电压ELVDD施加至高电势线VDL。
第六开关元件T6包括连接至发光控制线EL的栅电极并且连接在第三节点n3与第四节点n4之间。第六开关元件T6的源电极和漏电极中的一个连接至第三节点n3,并且第六开关元件T6的源电极和漏电极中的另一个连接至第四节点n4。发光控制信号ES施加至发光控制线EL。
第七开关元件T7包括连接至第(n+1)扫描线SLn+1的栅电极并且连接在初始化线IL与第四节点n4之间。第七开关元件T7的源电极和漏电极中的一个连接至初始化线IL,并且第七开关元件T7的源电极和漏电极中的另一个连接至第四节点n4。第(n+1)扫描线SSn+1施加至第(n+1)扫描线SLn+1。
存储电容器Cst连接在高电势线VDL与第一节点n1之间。存储电容器Cst针对一个帧时段而存储施加至第一开关元件T1的栅电极的信号。
LED发出与通过第一开关元件T1施加的驱动电流对应的光。LED发出具有取决于驱动电流的幅度的亮度的光。LED的阳极连接至第四节点n4,并且LED的阴极连接至低电势线VSL,低电势线VSL是电源线中的另一条。低电势驱动电压ELVSS施加至该低电势线VSL。LED可以是有机发光二极管(“OLED”)。LED的阳极对应于以下要描述的像素电极,并且LED的阴极对应于以下要描述的公共电极。
当第(n-1)扫描信号SSn-1施加至第(n-1)扫描线SLn-1时,第四开关元件T4导通。初始化电压Vinit通过导通的第四开关元件T4施加至第一节点n1(即第一开关元件T1的栅电极)。因此,初始化了第一开关元件T1的栅电极的电压。
当第n扫描信号SSn施加至第n扫描线SLn时,第二开关元件T2和第三开关元件T3导通。数据电压DA通过导通的第二开关元件T2施加至第一节点n1(即第一开关元件T1的栅电极),并且因此,第一开关元件T1导通。因此,检测第一开关元件T1的阈值电压并且在存储电容器Cst中存储阈值电压。
当发光控制信号ES施加至发光控制线EL时,第五开关元件T5和第六开关元件T6导通。通过导通的第五开关元件T5、导通的第一开关元件T1以及导通的第六开关元件T6施加驱动电流至LED,使得LED发光。
当第(n+1)扫描信号SSn+1施加至第(n+1)扫描线SLn+1时,第七开关元件T7导通。初始化电压Vinit通过导通的第七开关元件T7施加至第四节点n4(即LED的阳极)。因此,在相反方向上偏置LED使得LED关断。
图3是图示图1中所图示的显示设备的一个像素和连接至所述一个像素的线的平视图,图4A至图4G是仅图示图3的部件的一部分的视图,并且图5是沿着图3的线I-I’截取的剖视图。
更具体地,图4A是图示图3的半导体层321的视图,图4B是图示图3的第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发光控制线EL的视图,图4C是图示图3的初始化线IL和电容器电极201的视图,图4D示出图3的数据线DL和高电势线VDL,图4E是图示图3的像素电极PE的视图,图4F是图示图3的半导体层321、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发光控制线EL的视图,并且图4G是图示图3的第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、数据线DL、高电势线VDL以及光阻挡层190的视图。
在示例性实施例中,如图3和图4A至图5所图示,显示设备包括基板110、缓冲层120、半导体层321、栅极绝缘层140、第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6、第七栅电极GE7、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1、发光控制线EL、第一层间绝缘层150、初始化线IL、电容器电极201、第二层间绝缘层160、第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、数据线DL、高电势线VDL、平坦化层180、像素电极PE、光阻挡层190、发光层512、公共电极613以及密封构件750。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第一开关元件T1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第二开关元件T2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第三开关元件T3包括第三栅电极GE3、第三源电极SE3和第三漏电极DE3。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第四开关元件T4包括第四栅电极GE4、第四源电极SE4和第四漏电极DE4。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第五开关元件T5包括第五栅电极GE5、第五源电极SE5和第五漏电极DE5。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第六开关元件T6包括第六栅电极GE6、第六源电极SE6和第六漏电极DE6。
在该实施例中,如图3和图4F中所图示,第七开关元件T7包括第七栅电极GE7、第七源电极SE7和第七漏电极DE7。
在该实施例中,基板110可以是包括玻璃或透明塑料的透明绝缘基板。在一个示例性实施例中,例如,基板110可以包括从以下中选择的一种:卡普顿(kapton)、聚醚砜(“PES”)、聚碳酸酯(“PC”)、聚酰亚胺(“PI”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚萘二甲酸乙二醇酯(“PEN”)、聚丙烯酸酯(“PAR”)、纤维增强塑料(“FRP”)等。
在示例性实施例中,如图5中所图示,缓冲层120布置在基板110上。缓冲层120可以布置在基板110的整个表面上。缓冲层120可以有效地防止不期望元素的渗透并且为其下的层提供平坦化的表面,并且可以包括用于平坦化和/或防止渗透的预定材料。在一个示例性实施例中,例如,缓冲层120可以包括氮化硅(SiNx)层、氧化硅(SiO2)层和氮氧化硅(SiOxNy)层中的至少一个。在可替代的示例性实施例中,取决于基板110的种类以及基板110的工艺条件,可以省略缓冲层120。
在示例性实施例中,如图5中所图示,半导体层321布置在缓冲层120上。
在该实施例中,如图4A中所图示,半导体层321提供第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7的各自沟道区CH1、CH2、CH3、CH4、CH5、CH6和CH7。此外,半导体层321提供第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7的各自源电极SE1、SE2、SE3、SE4、SE5、SE6和SE7以及各自漏电极DE1、DE2、DE3、DE4、DE5、DE6和DE7。
在该实施例中,半导体层321可以包括第一沟道区CH1、第二沟道区CH2、第三沟道区CH3、第四沟道区CH4、第五沟道区CH5、第六沟道区CH6、第七沟道区CH7、第一源电极SE1、第二源电极SE2、第三源电极SE3、第四源电极SE4、第五源电极SE5、第六源电极SE6、第七源电极SE7、第一漏电极DE1、第二漏电极DE2、第三漏电极DE3、第四漏电极DE4、第五漏电极DE5、第六漏电极DE6和第七漏电极DE7。
第一源电极SE1、第二漏电极DE2和第五漏电极DE5彼此连接。在一个示例性实施例中,例如,第一源电极SE1、第二漏电极DE2和第五漏电极DE5可以整体形成为单个单一且不可分的单元。
第一漏电极DE1、第三源电极SE3和第六源电极SE6彼此连接。在一个示例性实施例中,例如,第一漏电极DE1、第三源电极SE3和第六源电极SE6可以整体形成为单个单一且不可分的单元。
第三漏电极DE3和第四漏电极DE4彼此连接。在一个示例性实施例中,例如,第三漏电极DE3和第四漏电极DE4可以整体形成为单个单一且不可分的单元。
第六漏电极DE6和第七源电极SE7彼此连接。在一个示例性实施例中,例如,第六漏电极DE6和第七源电极SE7可以整体形成为单个单一且不可分的单元。
半导体层321可以包括多晶硅薄膜、非晶硅薄膜和氧化物半导体中的至少一种,氧化物半导体诸如氧化铟镓锌(“IGZO”)或氧化铟锌锡(“IZTO”)。在一个示例性实施例中,例如,在半导体层321包括多晶硅薄膜的情况下,半导体层321可以包括未采用杂质掺杂的沟道区以及在沟道区的相对侧上采用杂质掺杂的源电极和漏电极。
在示例性实施例中,如图5中所图示,栅极绝缘层140布置在半导体层321和缓冲层120上。栅极绝缘层140可以包括正硅酸乙酯(“TEOS”)、氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiO2)中的至少一种。在一个示例性实施例中,例如,栅极绝缘层140可以具有双层结构,其中具有大约40纳米(nm)厚度的SiNx层和具有大约80nm厚度的TEOS层顺序地彼此层叠。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第一栅电极GE1布置在栅极绝缘层140上。在一个示例性实施例中,例如,第一栅电极GE1布置在栅极绝缘层140与第一层间绝缘层150之间。
尽管图5中未图示,但是第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7也布置在栅极绝缘层140上。在一个示例性实施例中,例如,第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7布置在栅极绝缘层140与第一层间绝缘层150之间。
尽管图5中未图示,但是扫描线和发光控制线也布置在栅极绝缘层140上。在一个示例性实施例中,例如,第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和发光控制线EL布置在栅极绝缘层140与第一层间绝缘层150之间。
在示例性实施例中,如图3和图4F中所图示,第一栅电极GE1与半导体层321的第一沟道区CH1重叠,第二栅电极GE2与半导体层321的第二沟道区CH2重叠,第三栅电极GE3与半导体层321的第三沟道区CH3重叠,第四栅电极GE4与半导体层321的第四沟道区CH4重叠,第五栅电极GE5与半导体层321的第五沟道区CH5重叠,第六栅电极GE6与半导体层321的第六沟道区CH6重叠,并且第七栅电极GE7与半导体层321的第七沟道区CH7重叠。
在示例性实施例中,如图4B和图4F中所图示,第四栅电极GE4连接至第(n-1)扫描线SLn-1,并且第四栅电极GE4可以由第(n-1)扫描线SLn-1的一部分限定。在一个示例性实施例中,例如,第(n-1)扫描线SLn-1与半导体层321重叠的一部分可以限定第四栅电极GE4。
在示例性实施例中,如图4B和图4F中所图示,第三栅电极GE3连接至第n扫描线SLn,并且第三栅电极GE3可以由第n扫描线SLn的一部分限定。在一个示例性实施例中,例如,第n扫描线SLn与半导体层321重叠的一部分可以限定第三栅电极GE3。
在示例性实施例中,如图4B和图4F中所图示,第七栅电极GE7连接至第(n+1)扫描线SLn+1,并且第七栅电极GE7可以由第(n+1)扫描线SLn+1的一部分限定。在一个示例性实施例中,例如,第(n+1)扫描线SLn+1与半导体层321重叠的一部分可以限定第七栅电极GE7。
在示例性实施例中,如图4B和图4F中所图示,第五栅电极GE5和第六栅电极GE6共同连接至一个发光控制线EL,并且第五栅电极GE5和第六栅电极GE6可以分别由发光控制线EL的一部分限定。在一个示例性实施例中,例如,发光控制线EL与半导体层321重叠的两个部分可以分别限定第五栅电极GE5和第六栅电极GE6。
扫描线(例如,第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn和第(n+1)扫描线SLn+1中的至少一条)可以包括以下中的至少一种:铝(Al)或其合金、银(Ag)或其合金、铜(Cu)或其合金、以及钼(Mo)或其合金。可替代地,扫描线可以包括铬(Cr)、钽(Ta)、和/或钛(Ti)。在示例性实施例中,扫描线可以具有包括至少两个导电层的多层结构,至少两个导电层彼此具有不同的物理特性。
第一栅电极GE1、第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7可以包括与以上所述扫描线的材料基本上相同的材料,并且具有与以上所述扫描线的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7中的每一个以及扫描线可以以基本上相同的工艺基本上同时形成。
在示例性实施例中,发光控制线EL可以包括与以上所述扫描线的材料基本上相同的材料,并且具有与以上所述扫描线的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。发光控制线EL和扫描线可以以基本上相同的工艺基本上同时形成。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第一层间绝缘层150布置在第一栅电极GE1和栅极绝缘层140上。第一层间绝缘层150可以具有比栅极绝缘层140的厚度大的厚度。第一层间绝缘层150可以包括与上述栅极绝缘层140中所包括的材料基本上相同的材料。
尽管图5中未图示,但是第一层间绝缘层150也布置在第二栅电极GE2、第三栅电极GE3、第四栅电极GE4、第五栅电极GE5、第六栅电极GE6和第七栅电极GE7、每条扫描线(例如扫描线SLn-1、SLn、SLn+1)以及发光控制线EL上。
在示例性实施例中,如图5中所图示,电容器电极201布置在第一层间绝缘层150上。在一个示例性实施例中,例如,电容器电极201布置在第一层间绝缘层150与第二层间绝缘层160之间。电容器电极201与上述第一栅电极GE1一起形成存储电容器Cst。在一个示例性实施例中,例如,第一栅电极GE1与存储电容器Cst的第一电极对应,并且电容器电极201与存储电容器Cst的第二电极对应。在一个示例性实施例中,例如,第一栅电极GE1与电容器电极201重叠的一部分与存储电容器Cst的第一电极对应,并且电容器电极201与第一栅电极GE1重叠的一部分与存储电容器Cst的第二电极对应。
尽管图5中未图示,但是初始化线IL(参见图3和图4C)也布置在第一层间绝缘层150上。在一个示例性实施例中,例如,初始化线IL布置在第一层间绝缘层150与第二层间绝缘层160之间。
在该实施例中,如图3和图4C中所图示,孔30穿过电容器电极201而被限定。孔30可以具有四边形形状。然而,孔的形状不限于四边形。在一个可替代的示例性实施例中,例如,孔30可以具有诸如圆形或三角形形状的各种形状中的至少一种。
在示例性实施例中,如图3和图4C中所图示,彼此相邻的像素的电容器电极201可以彼此连接。在该实施例中,在x轴方向上相邻的像素的电容器电极201可以整体形成为单个单一且不可分的单元。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第二层间绝缘层160布置在电容器电极201、初始化线IL和第一层间绝缘层150上。第二层间绝缘层160可以具有比栅极绝缘层104的厚度大的厚度。第二层间绝缘层160可以包括与上述栅极绝缘层140中所包括的材料基本上相同的材料。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第一连接电极701、第二连接电极702、高电势线VDL和数据线DL布置在第二层间绝缘层160上。在一个示例性实施例中,例如,第一连接电极701、第二连接电极702、高电势线VDL和数据线DL布置在第二层间绝缘层160与平坦化层180之间。
尽管图5中未图示,但是第三连接电极703(参见图3和图4D)也布置在第二层间绝缘层160上。在一个示例性实施例中,例如,第三连接电极703布置在第二层间绝缘层160与平坦化层180之间。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第一连接电极701通过穿过第二层间绝缘层160、第一层间绝缘层150和栅极绝缘层140而被限定的第一接触孔11连接至第一源电极SE1。
在示例性实施例中,如图5中所图示,第二连接电极702通过穿过第二层间绝缘层160和第一层间绝缘层150而被限定的第二接触孔12连接至第一栅电极GE1。在该实施例中,如图3、图4A和图4D中所图示,第二连接电极702通过第三接触孔13连接至第三漏电极DE3。第三接触孔13穿过第二层间绝缘层160、第一层间绝缘层150和栅极绝缘层140而被限定,以暴露第三漏电极DE3。
在示例性实施例中,如图3、图4A和图4D中所图示,第三连接电极703通过第四接触孔14连接至第四源电极SE4。第四接触孔14穿过第二层间绝缘层160、第一层间绝缘层150和栅极绝缘层140而被限定,以暴露第四源电极SE4。在该实施例中,如图3、图4C和图4D中所图示,第三连接电极703通过第五接触孔15连接至初始化线IL。第五接触孔15穿过第二层间绝缘层160而被限定,以暴露初始化线IL。
在该实施例中,如图5中所图示,高电势线VDL通过穿过第二层间绝缘层160限定的第六接触孔16连接至电容器电极201。在该实施例中,如图3、图4A和图4D中所图示,高电势线VDL通过第七接触孔17连接至第五源电极SE5。第七接触孔17穿过第二层间绝缘层160、第一层间绝缘层150和栅极绝缘层140而被限定,以暴露第五源电极SE5。
在示例性实施例中,如图3、图4A和图4D中所图示,数据线DL通过第八接触孔18连接至第二源电极SE2。第八接触孔18穿过第二层间绝缘层160、第一层间绝缘层150和栅极绝缘层140而被限定,以暴露第二源电极SE2。
数据线DL可以包括难熔金属,诸如钼、铬、钽和钛、或者其合金。数据线DL可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。在该实施例中,具有多层结构的数据线DL可以具有包括铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层结构,或者可以具有包括钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层结构。在示例性实施例中,数据线DL可以包括除了前述材料之外的任何合适的金属或导体。
第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703和高电势线VDL可以包括与数据线DL的材料基本上相同的材料,并且具有与数据线DL的结构基本上相同的结构(例如多层结构)。第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703和高电势线VDL中的每一个可以以基本上相同的工艺基本上同时形成。
在该实施例中,如图5中所图示,平坦化层180布置在第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、高电势线VDL和数据线DL上。
平坦化层180可以通过消除基板110上的台阶差而使其下方的表面平坦化,以提高布置在其上的LED的发光效率。平坦化层180可以包括聚丙烯酸酯树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯醚树脂、聚苯硫醚树脂以及苯并环丁烯(“BCB”)中的至少一种。
在该实施例中,如图5中所图示,像素电极PE布置在平坦化层180上。像素电极PE的一部分或全部布置在发光区域900中。在该实施例中,像素电极PE与由以下要描述的光阻挡层190限定的发光区域900对应布置。像素电极PE通过穿过平坦化层180而被限定的第九接触孔19连接至第一连接电极701。
在示例性实施例中,如图3和图4E中所图示,像素电极PE可以具有菱形形状。可替代地,像素电极PE可以具有除了菱形形状之外的各种形状中的一种,例如四边形形状。
在示例性实施例中,如图5中所图示,光阻挡层190布置在像素电极PE和平坦化层180上。在该实施例中,通过光阻挡层190限定开口900,并且开口900与发光区域900对应。在该实施例中,如图3和图4G中所图示,发光区域900可以具有菱形形状。发光区域900可以具有除了菱形形状之外的各种形状中的一种,例如四边形形状。发光区域900的尺寸可以小于上述像素电极PE的尺寸。像素电极PE的至少一部分布置在发光区域900中。在该实施例中,整个发光区域900与像素电极PE重叠。
光阻挡层190可以包括树脂,诸如聚丙烯酸酯树脂和聚酰亚胺树脂。
发光层512布置在发光区域900中的像素电极PE上,并且公共电极613布置在光阻挡层190和发光层512上。像素电极PE、发光层512和公共电极613构成发光元件(例如图2中的LED),并且在该实施例中,像素电极PE与LED的阳极对应并且公共电极613与LED的阴极对应。
发光层512可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。尽管未图示,但是空穴注入层和空穴传输层中的至少一个可以进一步提供在像素电极PE与发光层512之间,并且电子传输层和电子注入层中的至少一个可以进一步提供在发光层512与公共电极613之间。
像素电极PE和公共电极613可以是透射电极、半透射式电极和反射电极中的一种。
在示例性实施例中,透明导电氧化物(“TCO”)可以用于形成透射电极。这种TCO可以包括从以下中选择的至少一种:氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化锌(ZnO)和氧化铟(In2O3)。
在示例性实施例中,金属可以用于形成半透射式电极和反射电极,金属例如镁(Mg)、银(Ag)、金(Au)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、铝(Al)和铜(Cu)或其合金。在该实施例中,电极是半透射式类型还是反射类型取决于电极的厚度。通常,半透射式电极具有大约200nm或更小的厚度,并且反射电极具有大约300nm或更大的厚度。当半透射式电极的厚度减小时,透光率和电阻增大。相反,当半透射式电极的厚度增大时,透光率降低。
在该实施例中,半透射式电极和反射电极可以具有多层结构,该多层结构包括包含金属或金属合金的金属层以及堆叠在金属层上的TCO层。
在示例性实施例中,如图5中所图示,密封构件750布置在公共电极613上。密封构件750可以包括透明绝缘基板,透明绝缘基板包括玻璃、透明塑料等。在该实施例中,密封构件750可以形成为具有薄膜封装结构,在薄膜封装结构中,一个或多个无机层和一个或多个有机层沿着与x轴方向和Y轴方向垂直的z轴方向交替层叠。
在示例性实施例中,如图5中所图示,多个图案限定在基板110与像素电极PE之间的垂直不同层上。在一个示例性实施例中,例如,多个图案布置在沿着基板110与像素电极PE之间的z轴方向的不同层上,这将在下面详细描述。
在示例性实施例中,图4A的半导体层321被限定为第一图案;图4B的扫描线SLn-1、SLn、SLn+1中的每一条,栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7中的每一个,以及发光控制线EL被限定为第二图案;图4C的初始化线IL和电容器电极201被限定为第三图案;并且图4D的连接电极701、702和703中的每一个,高电势线VDL以及数据线DL被限定为第四图案。
在该实施例中,第一图案包括半导体层321;第二图案包括扫描线SLn-1、SLn、SLn+1中的每一条,栅电极GE1、GE2、GE3、GE4、GE5、GE6和GE7中的每一个,以及发光控制线EL;第三图案包括初始化线IL和电容器电极201;并且第四图案包括连接电极701、702和703中的每一个,高电势线VDL以及数据线DL。
相同图案中所包括的部件均包括基本上相同的材料并且直接布置在基本上相同的层上。不同图案中所包括的部件分别布置在不同层上。在一个示例性实施例中,例如,第一图案中所包括的半导体层321布置在与第二图案中所包括的发光控制线EL布置在其上的层不同的层上。在一个示例性实施例中,例如,发光控制线EL布置在比半导体层321布置在其上的层更高的层(例如更靠近像素电极PE的层)上。
上述第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的第四图案最靠近像素电极PE。在该实施例中,第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的第四图案布置在最高层上。因此,第一图案、第二图案、第三图案和第四图案中的第四图案最靠近光阻挡层190的发光区域900。
在示例性实施例中,如图4G中所图示,第四图案中所包括的部件的至少一部分与发光区域900重叠。在该实施例中,第四图案的部件的至少一部分布置在发光区域900中。
发光区域900可以被分成多个分区。在一个示例性实施例中,例如,如图4G中所图示,发光区域900可以包括第一分区900a和第二分区900b。第一分区900a和第二分区900b可以彼此具有基本上相等的尺寸。
在示例性实施例中,如图4G中所图示,发光区域900可以被假想分隔线L分成两个分区900a和900b。假想分隔线L平行于数据线DL并且穿过发光区域900的中心。在一个示例性实施例中,例如,假想分隔线L平行于y轴并且穿过发光区域900的中心。第一分区900a和第二分区900b可以相对于假想分隔线L具有对称形状。在示例性实施例中,第一分区900a和第二分区900b可以具有不同形状。
在示例性实施例中,如图4G中所图示,基板110的面对的侧可以分别被限定为第一侧110a和第二侧110b。如本文所使用的,第一侧110a和第二侧110b是基本上平行于数据线DL的侧,并且第一侧110a和第二侧110b中的每一个在Y轴方向上延伸。
第一分区900a位于假想分隔线L与第一侧110a之间,并且第二分区900b位于假想分隔线L与第二侧110b之间。在该实施例中,第一分区900a和第二分区900b中的第一分区900a可以更靠近第一侧110a。
在一个示例性实施例中,例如,当从第一分区900a的特定点(在下文中,称作“第一点”)至第一侧110a的最短距离被限定为第一距离、并且从第二分区900b的特定点(在下文中,称作“第二点”)至第一侧110a的最短距离被限定为第二距离时,第一距离短于第二距离。在该实施例中,第一点和第二点位于除了第一分区900a与第二分区900b之间的边界部分之外的部分处。在该实施例中,第一距离和第二距离是沿着x轴方向测量的距离。
在示例性实施例中,第一分区900a和第二分区900b中的第二分区900b更靠近第二侧110b。在一个示例性实施例中,例如,当从第一分区900a的特定点(在下文中,称作“第三点”)至第二侧110b的最短距离被限定为第三距离、并且从第二分区900b的特定点(在下文中,称作“第四点”)至第二侧110b的最短距离被限定为第四距离时,第四距离短于第三距离。在该实施例中,第三点和第四点位于除了第一分区900a与第二分区900b之间的边界部分之外的部分处。在该实施例中,第三距离和第四距离是沿着x轴方向测量的距离。
发光区域900的第一分区900a与第四图案之间的重叠区域(在下文中,称作“第一重叠区域”)不同于发光区域900的第二分区900b与第四图案之间的重叠区域(在下文中,称作“第二重叠区域”)。在一个示例性实施例中,例如,如图4G中所图示,第二重叠区域可以大于第一重叠区域。可替代地,尽管未图示,第一重叠区域可以大于第二重叠区域。在本文中,两个元件之间的重叠区域是当在基板110的厚度方向或z轴方向上从平视图观看时彼此重叠的部分的区域。
在示例性实施例中,如图4G中所图示,数据线DL’的一部分位于发光区域900的第一分区900a中,并且第二连接电极702的一部分和高电势线VDL的一部分位于发光区域900的第二分区900b中。在该实施例中,第二连接电极702与第二分区900b重叠的一部分和高电势线VDL与第二分区900b重叠的一部分具有比数据线DL’与第一分区900a重叠的一部分的平面面积大的平面面积。
图6是图示包括图1中所图示的多个像素和连接至所述多个像素的线的显示设备的平视图,并且图7A至图7G是仅图示图6的部件的一部分的视图。
更具体地,图7A是图示图6的半导体层321的视图;图7B是图示图6的第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1、第(n+2)扫描线SLn+2、第m发光控制线ELm和第(m+1)发光控制线ELm+1的视图;图7C是图示图6的初始化线IL和电容器电极201的视图;图7D是图示图6的第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、第(r-2)数据线DLr-2、第(r-1)数据线DLr-1、第r数据线DLr、第(r+1)数据线DLr+1、第(r+2)数据线DLr+2和高电势线VDL的视图;图7E是图示图6的第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4、第五像素电极PE5、第六像素电极PE6、第七像素电极PE7和第八像素电极PE8的视图;图7F是图示图6的半导体层321、第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1、第(n+2)扫描线SLn+2、第m发光控制线ELm和第(m+1)发光控制线ELm+1的视图;并且图7G是图示第一连接电极701、第二连接电极702、第三连接电极703、第(r-2)数据线DLr-2、第(r-1)数据线DLr-1、第r数据线DLr、第(r+1)数据线DLr+1、第(r+2)数据线DLr+2、高电势线VDL和光阻挡层190的视图。
在示例性实施例中,在图6中所示的多个像素之中,共同连接至第m发光控制线ELm的四个像素分别称作第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4。在该实施例中,共同连接至第(m+1)发光控制线ELm+1的四个像素分别称作第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8。
图6的第二像素PX2与上述图3的像素PX基本上相同。第一像素PX1、第三像素PX3、第四像素PX4、第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8可以具有与图3的像素PX的配置基本上相同的配置。
第一像素PX1、第三像素PX3、第五像素PX5和第七像素PX7可以发出彼此具有基本上相同颜色的光。在一个示例性实施例中,例如,第一像素PX1、第三像素PX3、第五像素PX5和第七像素PX7中的每一个可以是发绿光的绿色像素。
第二像素PX2和第八像素PX8可以发出彼此具有基本上相同颜色的光。在一个示例性实施例中,例如,第二像素PX2和第八像素PX8中的每一个可以是发红光的红色像素。
第四像素PX4和第六像素PX6可以发出彼此具有基本上相同颜色的光。在一个示例性实施例中,例如,第四像素PX4和第六像素PX6中的每一个可以是发蓝光的蓝色像素。
四个相邻像素可以限定一个单元像素。在一个示例性实施例中,例如,彼此相邻设置的第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第六像素PX6共同地限定单元像素(在下文中,称作“第一单元像素”)。在该实施例中,彼此相邻设置的第三像素PX3、第四像素PX4、第八像素PX8和未图示的另一绿色像素共同限定另一单元像素(在下文中,称作“第二单元像素”)。在该实施例中,未图示的另一绿色像素连接至第m发光控制线ELm并且与第四像素PX4和第八像素PX8相邻布置。以这种方式彼此相邻的第一单元像素和第二单元像素共享布置在它们之间的绿色像素(例如,第三像素PX3)。在该实施例中,第一单元像素的第二像素PX2和与其上侧相邻的另外三个像素一起限定另一单元像素,并且第一单元像素的第六像素PX6和与其下侧相邻的又另外三个像素一起限定又另一单元像素。在该实施例中,显示设备包括五片瓦(pentile)结构的像素。
在示例性实施例中,如图6和图7E中所图示,每个像素包括像素电极。在一个示例性实施例中,例如,第一像素PX1包括第一像素电极PE1,第二像素PX2包括第二像素电极PE2,第三像素PX3包括第三像素电极PE3,第四像素PX4包括第四像素电极PE4,第五像素PX5包括第五像素电极PE5,第六像素PX6包括第六像素电极PE6,第七像素PX7包括第七像素电极PE7,并且第八像素PX8包括第八像素电极PE8。
发出具有基本上相同颜色光的像素中所包括的像素电极可以彼此具有基本上相等的尺寸(例如面积)。在一个示例性实施例中,例如,如图6和图7E中所图示,绿色像素的第一像素电极PE1、第三像素电极PE3、第五像素电极PE5和第七像素电极PE7可以彼此具有基本上相等的尺寸。在该实施例中,红色像素的第二像素电极PE2和第八像素电极PE8可以彼此具有基本上相等的尺寸。在该实施例中,蓝色像素的第四像素电极PE4和第六像素电极PE6可以彼此具有基本上相等的尺寸。
像素电极中的绿色像素的像素电极可以具有最小的尺寸。在一个示例性实施例中,例如,如图6和图7E中所图示,第一像素电极PE1、第二像素电极PE2、第三像素电极PE3、第四像素电极PE4、第五像素电极PE5、第六像素电极PE6和第七像素电极PE7中的第一像素电极PE1、第三像素电极PE3、第五像素电极PE5和第七像素电极PE7可以具有最小的尺寸。
在该实施例中,蓝色像素的像素电极可以具有比红色像素的像素电极的尺寸大的尺寸。在一个示例性实施例中,例如,如图6和图7E中所图示,第四像素电极PE4可以具有比第二像素电极PE2的尺寸大的尺寸。在该实施例中,第四像素电极PE4可以具有比第八像素电极PE8的尺寸大的尺寸。在该实施例中,第六像素电极PE6可以具有比第二像素电极PE2的尺寸大的尺寸。在该实施例中,第六像素电极PE6可以具有比第八像素电极PE8的尺寸大的尺寸。
在示例性实施例中,如图7F中所图示,像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5、PX6、PX7和PX8中的每一个进一步包括第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7以及存储电容器Cst。像素PX1、PX2、PX3、PX4、PX5、PX6、PX7和PX8中的每一个的第一开关元件T1、第二开关元件T2、第三开关元件T3、第四开关元件T4、第五开关元件T5、第六开关元件T6和第七开关元件T7以及存储电容器Cst与以上参照图3至图6所述的那些基本上相同,并且在下文中将省略或简化它们的任何重复详细描述。
在示例性实施例中,如图6中所图示,第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4连接至相同扫描线和相同发光控制线。在一个示例性实施例中,例如,第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4共同连接至第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1以及第m发光控制线ELm。
在该实施例中,如图6中所图示,第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8连接至相同扫描线和相同发光控制线。在一个示例性实施例中,例如,第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8共同连接至第(n+1)扫描线SLn+1、第(n+2)扫描线SLn+2、第(n+3)扫描线SLn+3以及第(m+1)发光控制线ELm+1。
第一像素PX1和第五像素PX5共同连接至相同数据线。在一个示例性实施例中,例如,第一像素PX1和第五像素PX5共同连接至第(r-1)数据线DLr-1。
第二像素PX2和第六像素PX6共同连接至相同数据线。在一个示例性实施例中,例如,第二像素PX2和第六像素PX6共同连接至第r数据线DLr。
第三像素PX3和第七像素PX7共同连接至相同数据线。在一个示例性实施例中,例如,第三像素PX3和第七像素PX7共同连接至第(r+1)数据线DLr+1。
第四像素PX4和第八像素PX8共同连接至相同数据线。在一个示例性实施例中,例如,第四像素PX4和第八像素PX8共同连接至第(r+2)数据线DLr+2。
在下文中,共同连接至第(n-1)扫描线SLn-1、第n扫描线SLn、第(n+1)扫描线SLn+1和第m发光控制线ELm的第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3和第四像素PX4被限定为第一像素组,并且共同连接至第(n+1)扫描线SLn+1、第(n+2)扫描线SLn+2、第(n+3)扫描线SLn+3和第(m+1)发光控制线ELm+1的第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8被限定为第二像素组。
在示例性实施例中,第一像素组和第二像素组连接至不同的发光控制线。在该实施例中,不同的发光控制线彼此相邻布置。在一个示例性实施例中,例如,第一像素组连接至第m发光控制线ELm,并且第二像素组连接至第(m+1)发光控制线ELm+1。
在示例性实施例中,如上所述,每个像素的发光区域900可以被分成多个分区。在一个示例性实施例中,例如,如图7G中所图示,第一像素PX1、第二像素PX2、第三像素PX3、第四像素PX4、第五像素PX5、第六像素PX6、第七像素PX7和第八像素PX8分别包括第一发光区域901、第二发光区域902、第三发光区域903、第四发光区域904、第五发光区域905、第六发光区域906、第七发光区域907和第八发光区域908。在该实施例中,第二发光区域902、第四发光区域904、第六发光区域906和第八发光区域908中的每一个可以包括第一分区902a、904a、906a或908a以及第二分区902b、904b、906b或908b。
一个发光区域的第一分区和第二分区可以彼此具有基本上相等的尺寸。在一个示例性实施例中,例如,第二像素PX2的第一分区902a和第二像素PX2的第二分区902b可以彼此具有基本上相等的尺寸,第四像素PX4的第一分区904a和第四像素PX4的第二分区904b可以彼此具有基本上相等的尺寸,第六像素PX6的第一分区906a和第六像素PX6的第二分区906b可以彼此具有基本上相等的尺寸,并且第八像素PX8的第一分区908a和第八像素PX8的第二分区908b可以彼此具有基本上相等的尺寸。
在示例性实施例中,如图7G中所图示,发光区域902、904、906和908中的每一个可以被假想分隔线分成两个分区。在一个示例性实施例中,例如,第二发光区域902可以被第二假想分隔线L2分成两个分区902a和902b,第四发光区域904可以被第四假想分隔线L4分成两个分区904a和904b,第六发光区域906可以被第六假想分隔线L6分成两个分区906a和906b,并且第八发光区域908可以被第八假想分隔线L8分成两个分区908a和908b。
假想分隔线L2、L4、L6和L8中的每一条平行于数据线DL并且与对应的发光区域的中心交叉。在一个示例性实施例中,例如,假想分隔线L2、L4、L6和L8中的每一条平行于y轴并且穿过对应的发光区域的中心。
在示例性实施例中,一个发光区域中所包括的第一分区和第二分区相对于假想分隔线具有对称形状。可替代地,一个发光区域中所包括的第一分区和第二分区可以具有不同形状。
在示例性实施例中,如图7G中所图示,基板110的面对的侧可以分别被限定为第一侧110a和第二侧110b。如本文所使用的,第一侧110a和第二侧110b是基本上平行于数据线DL的侧,并且第一侧110a和第二侧110b中的每一个在Y轴方向上延伸。
在一个像素中所包括的发光区域之中,第一分区位于发光区域的假想分隔线与第一侧110a之间,并且第二分区位于发光区域的假想分隔线与第二侧110b之间。在示例性实施例中,第二发光区域902的第一分区902a位于第二假想分隔线L2与第一侧110a之间,并且第二发光区域902的第二分区902b位于第二假想分隔线L2与第二侧110b之间。在该实施例中,第四发光区域904的第一分区904a位于第四假想分隔线L4与第一侧110a之间,并且第四发光区域904的第二分区904b位于第四假想分隔线L4与第二侧110b之间。在该实施例中,第六发光区域906的第一分区906a位于第六假想分隔线L6与第一侧110a之间,并且第六发光区域906的第二分区906b位于第六假想分隔线L6与第二侧110b之间。在该实施例中,第八发光区域908的第一分区908a位于第八假想分隔线L8与第一侧110a之间,并且第八发光区域908的第二分区908b位于第八假想分隔线L8与第二侧110b之间。
一个发光区域的第一分区和第二分区中的第一分区更靠近第一侧110a。在一个示例性实施例中,例如,从第二发光区域902中所包括的第一分区902a的特定点(在下文中,称作“第一点”)至第一侧110a的最短距离被限定为第一距离,并且从第二发光区域902中所包括的第二分区902b的特定点(在下文中,称作“第二点”)至第一侧110a的最短距离被限定为第二距离,第一距离短于第二距离。在该实施例中,第一点和第二点位于除了第一分区902a与第二分区902b之间的边界部分之外的部分处。在该实施例中,第一距离和第二距离是沿着x轴方向测量的距离。
在示例性实施例中,一个发光区域的第一分区和第二分区中的第二分区更靠近第二侧110b。
第二发光区域902的第一分区902a与第四图案之间的重叠区域(在下文中,称作“第一重叠区域”)不同于第二发光区域902的第二分区902b与第四图案之间的重叠区域(在下文中,称作“第二重叠区域”)。在一个示例性实施例中,例如,如图7G中所图示,第二重叠区域可以大于第一重叠区域。在示例性实施例中,如图7G中所图示,第(r-1)数据线DLr-1的一部分位于第二发光区域902的第一分区902a中,并且第二连接电极702的一部分和高电势线VDL的一部分位于第二发光区域902的第二分区902b中。在该实施例中,第二连接电极702与第二分区902b重叠的一部分和高电势线VDL与第二分区902b重叠的一部分可以具有比第(r-1)数据线DLr-1与第一分区902a重叠的一部分的平面面积大的平面面积。
在该实施例中,第四发光区域904的第一分区904a与第四图案之间的重叠区域不同于第四发光区域904的第二分区904b与第四图案之间的重叠区域。
在该实施例中,第六发光区域906的第一分区906a与第四图案之间的重叠区域不同于第六发光区域906的第二分区906b与第四图案之间的重叠区域。
在该实施例中,第八发光区域908的第一分区908a与第四图案之间的重叠区域不同于第八发光区域908的第二分区908b与第四图案之间的重叠区域。
在示例性实施例中,连接至相同扫描线(或发光控制线)的像素的发光区域以与如上所述的方式基本上相同的方式与第四图案重叠。在一个示例性实施例中,例如,在第二发光区域902的第二分区902b与第四图案之间的重叠区域大于第二发光区域902的第一分区902a与第四图案之间的重叠区域的情况下,第四发光区域904的第二分区904b与第四图案之间的重叠区域大于第四发光区域904的第一分区904a与第四图案之间的重叠区域。在示例性实施例中,如图7G中所图示,第(r+1)数据线DLr+1的一部分和高电势线VDL的一部分位于第四发光区域904的第一分区904a中,并且第二连接电极702的一部分和高电势线VDL的一部分位于第四发光区域904的第二分区904b中。在该实施例中,第二连接电极702与第二分区904b重叠的一部分和高电势线VDL与第二分区904b重叠的一部分具有比第(r+1)数据线DLr+1与第一分区904a重叠的一部分和高电势线VDL与第一分区904a重叠的一部分的平面面积大的平面面积。
尽管未图示,但是在其中第二发光区域902的第一分区902a与第四图案之间的重叠区域大于第二发光区域902的第二分区902b与第四图案之间的重叠区域的示例性实施例中,第四发光区域904的第一分区904a与第四图案之间的重叠区域大于第四发光区域904的第二分区904b与第四图案之间的重叠区域。
在示例性实施例中,如图7G中所图示,在第六发光区域906的第一分区906a与第四图案之间的重叠区域大于第六发光区域906的第二分区906b与第四图案之间的重叠区域的情况下,第八发光区域908的第一分区908a与第四图案之间的重叠区域大于第八发光区域908的第二分区908b与第四图案之间的重叠区域。
尽管未图示,但是在其中第六发光区域906的第二分区906b与第四图案之间的重叠区域大于第六发光区域906的第一分区906a与第四图案之间的重叠区域的示例性实施例中,第八发光区域908的第二分区908b与第四图案之间的重叠区域大于第八发光区域908的第一分区908a与第四图案之间的重叠区域。
在示例性实施例中,连接至不同扫描线(或发光控制线)并且发出彼此具有基本上相同颜色的光的像素的发光区域以彼此不同的方式与第四图案重叠。在一个示例性实施例中,例如,在发出彼此具有基本上相同颜色的光的像素中,连接至奇数编号的发光控制线的像素的发光区域与连接至偶数编号的发光控制线的像素的发光区域可以以彼此不同的方式与第四图案重叠。在示例性实施例中,当第m发光控制线ELm是奇数编号的发光控制线并且第(m+1)发光控制线ELm+1是偶数编号的发光控制线时,如图7中所图示,第二发光区域902的第二分区902b与第四图案之间的重叠区域大于第二发光区域902的第一分区902a与第四图案之间的重叠区域,并且第八发光区域908的第一分区908a与第四图案之间的重叠区域大于第八发光区域908的第二分区908b与第四图案之间的重叠区域。
在该实施例中,如图7G中所图示,在第四发光区域904的第二分区904b与第四图案之间的重叠区域大于第四发光区域904的第一分区904a与第四图案之间的重叠区域的情况下,第六发光区域906的第一分区906a与第四图案之间的重叠区域大于第六发光区域906的第二分区906b与第四图案之间的重叠区域。
在示例性实施例中,如上所述,连接至奇数编号的发光控制线ELm的像素(在下文中,称作“奇数编号的像素”)的第二分区与第四图案的重叠多于第一分区与第四图案的重叠。因此,当用户(或观众)从显示设备的右侧倾斜地观看显示设备的屏幕时,奇数编号的像素的白角差(“WAD”)大于用户从显示设备的左侧倾斜地观看显示设备的屏幕的情况。在一个示例性实施例中,例如,当用户从第二侧110b(即右侧)倾斜地观看显示设备的屏幕时,奇数编号的像素的WAD大于用户从图7G中的第一侧110a(即左侧)倾斜地观看显示设备的屏幕的情况。这是因为具有相对大的平面面积的第四图案位于奇数编号的像素中发光区域的右侧(即第二分区)处。
在该实施例中,连接至偶数编号的发光控制线ELm的像素(在下文中,称作“偶数编号的像素”)的第一分区与第四图案的重叠多于第二分区与第四图案的重叠。因此,当用户(或观众)从显示设备的左侧倾斜地观看显示设备的屏幕时,偶数编号的像素的WAD大于用户从显示设备的右侧倾斜地观看显示设备的屏幕的情况。在一个示例性实施例中,例如,当用户从第一侧110a(即左侧)倾斜地观看显示设备时,偶数编号的像素的WAD大于用户从图7G中的第二侧110b(即右侧)倾斜地观看显示设备的情况。这是因为具有相对大的平面面积的第四图案位于偶数编号的像素中发光区域的左侧(即第一分区)处。
在示例性实施例中,如上所述,当从右侧观看时,奇数编号的像素的发光区域具有比从左侧观看大的WAD值,而当从左侧观察时,偶数编号的像素的发光区域具有比从右侧观察大的WAD值。在一个示例性实施例中,例如,当从左侧观察时,奇数编号的像素的发光区域具有相对小的WAD值,并且当从右侧观察时,奇数编号的像素的发光区域具有相对大的WAD值。在该实施例中,当从左侧观察时,偶数编号的像素的发光区域具有相对大的WAD值,并且当从右侧观察时,偶数编号的像素的发光区域具有相对小的WAD值。
因此,在示例性实施例中,当用户从显示设备的左侧观看显示设备的屏幕时,奇数编号的像素的发光区域的小WAD值和偶数编号的像素的发光区域的大WAD值彼此抵消,使得可以观看到具有中间WAD值的图像。在该实施例中,当用户从显示设备的右侧观看显示设备的屏幕时,奇数编号的像素的发光区域的大WAD值和偶数编号的像素的发光区域的小WAD值彼此抵消,使得可以观看到具有中间WAD值的图像。
因此,在根据本发明的显示设备的示例性实施例中,从显示设备的左侧观看到的图像与从显示设备右侧观看到的图像可以彼此具有基本上相等的WAD值,并且因此,可以基本上最小化取决于观看方向的WAD。因此,可以提高显示设备的图像质量。
在示例性实施例中,绿色像素的第一发光区域901、第三发光区域903、第五发光区域905以及第七发光区域907可以以和其中第二发光区域902、第四发光区域904、第六发光区域906以及第八发光区域908与第四图案重叠的方式基本上相同的方式而与第四图案重叠。在一示例性实施例中,例如,第一发光区域901的第一分区与第四图案之间的重叠区域不同于第一发光区域901的第二分区与第四图案之间的重叠区域。在该实施例中,当第一发光区域901的第二分区与第四图案之间的重叠区域大于第一发光区域901的第一分区与第四图案之间的重叠区域时,第三发光区域903的第二分区与第四图案之间的重叠区域大于第三发光区域903的第一分区与第四图案之间的重叠区域。在该实施例中,当第一发光区域901的第二分区与第四图案之间的重叠区域大于第一发光区域901的第一分区与第四图案之间的重叠区域时,第七发光区域907的第一分区与第四图案之间的重叠区域大于第七发光区域907的第二分区与第四图案之间的重叠区域。
图8是图示图7的发光区域900之间的距离的视图。
在示例性实施例中,如图8中所图示,四个发光区域902、904、906和908布置在发蓝光的第三像素PX3的第三发光区域903周围。
发出具有基本上相同颜色光的像素的发光区域彼此面对,它们之间具有第三发光区域903。在一个示例性实施例中,例如,第二发光区域902和第八发光区域908彼此面对,它们之间具有第三发光区域903。在该实施例中,第四发光区域904和第六发光区域906彼此面对,它们之间具有第三发光区域903。在该实施例中,第二发光区域902和第八发光区域908在第一对角线方向上彼此面对,并且第四发光区域904和第六发光区域906在与第一对角线方向交叉的第二对角线方向上彼此面对。第一对角线方向和第二对角线方向可以彼此垂直地交叉。
彼此面对而它们之间具有第三发光区域903的、并且发出具有基本上相同颜色光的像素的发光区域以彼此基本上相等的距离而与第三发光区域903间隔开。在示例性实施例中,如图8中所图示,第三发光区域903与第二发光区域902之间的距离d1可以基本上等于第三发光区域903与第八发光区域908之间的距离d1’。在该实施例中,第三发光区域903与第四发光区域904之间的距离d2基本上等于第三发光区域903与第六发光区域906之间的距离d2’。
在示例性实施例中,第三发光区域903与第二发光区域902之间的距离d1可以基本上等于或不同于第三发光区域903与第四发光区域904之间的距离d2。在该实施例中,第三发光区域903与第八发光区域908之间的距离d1’可以基本上等于或不同于第三发光区域903与第六发光区域906之间的距离d2’。第三发光区域903与第二发光区域902之间的距离d1可以基本上等于或不同于第三发光区域903与第六发光区域906之间的距离d2’。第三发光区域903与第八发光区域908之间的距离d1’可以基本上等于或不同于第三发光区域903与第四发光区域904之间的距离d2。
图9是图示图7的发光区域900的尺寸的视图。
在示例性实施例中,如图9中所图示,第一发光区域901、第二发光区域902、第三发光区域903、第四发光区域904、第五发光区域905、第六发光区域906、第七发光区域907和第八发光区域908中的每一个可以具有八边形形状。在该实施例中,第二发光区域902、第四发光区域904、第六发光区域906和第八发光区域908中的每一个可以具有类似于菱形的八边形形状。
从第二发光区域902的中心点在x轴方向和Y轴方向上至第二发光区域902的四个侧的距离基本上彼此相等。在一个示例性实施例中,例如,从第二发光区域902的中心点至第二发光区域902的第一侧的距离L11、从第二发光区域902的中心点至第二发光区域902的第二侧的距离L22、从第二发光区域902的中心点至第二发光区域902的第三侧的距离L33、以及从第二发光区域902的中心点至第二发光区域902的第四侧的距离L44基本上彼此相等。
在该实施例中,从第八发光区域908的中心点在x轴方向和Y轴方向上至第八发光区域908的四个侧的距离基本上彼此相等。在一个示例性实施例中,例如,从第八发光区域908的中心点至第八发光区域908的第一侧的距离L11’、从第八发光区域908的中心点至第八发光区域908的第二侧的距离L22’、从第八发光区域908的中心点至第八发光区域908的第三侧的距离L33’、以及从第八发光区域908的中心点至第八发光区域908的第四侧的距离L44’基本上彼此相等。
在该实施例中,第二发光区域902的中心点与第二发光区域902的四个侧之间的距离可以基本上分别等于第八发光区域908的中心点与第八发光区域908的四个侧之间的距离(即L11=L11’、L22=L22’、L33=L33’以及L44=L44’)。
从第四发光区域904的中心点在x轴方向和Y轴方向上至第四发光区域904的四个侧的距离基本上彼此相等。在一个示例性实施例中,例如,从第四发光区域904的中心点至第四发光区域904的第一侧的距离L111、从第四发光区域904的中心点至第四发光区域904的第二侧的距离L222、从第四发光区域904的中心点至第四发光区域904的第三侧的距离L333、以及从第四发光区域904的中心点至第四发光区域904的第四侧的距离L444基本上彼此相等。
在该实施例中,从第六发光区域906的中心点在x轴方向和Y轴方向上至第六发光区域906的四个侧的距离基本上彼此相等。在一个示例性实施例中,例如,从第六发光区域906的中心点至第六发光区域906的第一侧的距离L111’、从第六发光区域906的中心点至第六发光区域906的第二侧的距离L222’、从第六发光区域906的中心点至第六发光区域906的第三侧的距离L333’、以及从第六发光区域906的中心点至第六发光区域906的第四侧的距离L444’基本上彼此相等。
在该实施例中,第四发光区域904的中心点与第四发光区域904的四个侧之间的距离可以基本上分别等于第六发光区域906的中心点与第六发光区域906的四个侧之间的距离(即L111=L111’、L222=L222’、L333=L333’以及L444=L444’)。
图10是图示发光区域的另一形状的视图。
在示例性实施例中,如图10中所图示,发光区域900可以具有矩形或菱形形状。
在一个示例性实施例中,例如,红色像素或蓝色像素的第二发光区域902、第四发光区域904、第六发光区域906以及第八发光区域908中的每一个可以具有四边形(例如矩形)形状,并且发绿光的绿色像素的第一发光区域901、第三发光区域903、第五发光区域905和第七发光区域907可以具有菱形形状。在该实施例中,当发光区域具有如上所述的四边形(例如矩形)形状时,与发光区域对应的像素电极也具有四边形(例如矩形)形状。
图11A和图11B是图示根据示例性实施例的显示设备的效果的曲线图。
图11A中所图示的曲线图的x轴坐标表示视角。视角包括0度、10度、20度、30度、40度、50度、60度、70度和80度。每个角意味着观察装置与显示设备的屏幕之间的角。在一个示例性实施例中,例如,0度指的是当观察装置从前面观看显示设备的屏幕时的角度。此外,剩余的角度(例如10度、20度、30度、40度、50度、60度、70度和80度)是当观察装置相对于屏幕的前面移动至左侧或右侧并且从移动后的位置观看屏幕时的角度。
图11A中所图示的曲线图的y轴示出WAD的x坐标值。WAD的x轴坐标意味着在颜色规范的国际照明委员会(“CIE”)系统的x轴上Δx的值。如本文所使用的,Δx的值意味着通过从正面上x轴颜色坐标值减去侧面上x轴颜色坐标值而获得的值。
图11A的第一曲线C1表示当观察装置相对于0度以上述角度旋转至显示设备的右侧时从观察装置测得的WAD的x轴坐标值,并且第二曲线C2表示当观察装置相对于0度以上述角度旋转至显示设备的左侧时从观察装置测得的WAD的x轴坐标值。
如图11A中所示,第一曲线C1的WAD的x轴坐标值基本上示出与第二曲线C2的WAD的x轴坐标值没有差别。如图11A中所示,根据示例性实施例,从显示设备的左侧观看的图像和从显示设备的右侧观看的图像可以具有基本上相等的WAD值,并且因此,可以基本上最小化取决于观看方向的WAD值(即WAD的x轴坐标值)。
图11B中所图示的曲线图的x轴坐标表示视角。视角包括0度、10度、20度、30度、40度、50度、60度、70度和80度。该视角的详细描述将参照图11A和相关描述。
图11B中所图示的曲线图的y轴示出WAD的Y坐标值。WAD的y轴坐标意味着在颜色规范的CIE系统的y轴上Δy的值。如本文所使用的,Δy的值意味着通过从正面上y轴颜色坐标值减去侧面上y轴颜色坐标值而获得的值。
图11B的第一曲线C11表示当观察装置相对于0度以上述角度旋转至显示设备的右侧时从观察装置测得的WAD的y轴坐标值,并且第二曲线C22表示当观察装置相对于0度以上述角度旋转至显示设备的左侧时从观察装置测得的WAD的y轴坐标值。
如图11B中所示,第一曲线C11的WAD的y轴坐标值基本上示出与第二曲线C22的WAD的y轴坐标值基本上没有差别。如图11B中所示,根据示例性实施例,从显示设备的左侧观看的图像和从显示设备的右侧观看的图像可以具有基本上相等的WAD值,并且因此,可以基本上最小化取决于观看方向的WAD值(即WAD的y轴坐标值)。
在根据本发明的显示设备的示例性实施例中,如本文所阐述的,从显示设备的左侧观察的图像和从显示设备的右侧观察的图像可以具有基本上相等的WAD值。因此,可以基本上最小化取决于观看方向的偏差,即WAD值。结果,可以提高显示设备的图像质量。
尽管已经参照本发明的示例性实施例图示并且描述了本发明,但是对于本领域普通技术人员明显的是,可以对本发明形成形式和细节上的各种变化而不脱离本发明的精神和范围。
Claims (23)
1.一种显示设备,包括:
基板,所述基板包括彼此面对的第一侧和第二侧;
分别连接至不同扫描线的第一像素和第二像素,其中所述第一像素包括在所述基板上的第一像素电极,并且所述第二像素包括在所述基板上的第二像素电极;
光阻挡层,所述光阻挡层限定与所述第一像素对应的第一发光区域和与所述第二像素对应的第二发光区域;以及
多个图案,所述多个图案与所述第一发光区域和所述第二发光区域重叠,并且分别布置在所述第一像素电极与所述基板之间的不同层上,其中所述多个图案中的第一图案最靠近所述第一像素电极或所述第二像素电极,
其中所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每一个被分成第一分区和第二分区,
所述第一发光区域或所述第二发光区域的所述第一分区比起靠近所述第二侧更靠近所述第一侧,
所述第一发光区域的所述第二分区与所述第一图案之间的重叠区域大于所述第一发光区域的所述第一分区与所述第一图案之间的重叠区域,并且
所述第二发光区域的所述第一分区与所述第一图案之间的重叠区域大于所述第二发光区域的所述第二分区与所述第一图案之间的重叠区域。
2.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
连接至所述第一像素的第一发光控制线;以及
连接至所述第二像素的第二发光控制线。
3.根据权利要求2所述的显示设备,其中,所述第一发光控制线和所述第二发光控制线彼此相邻。
4.根据权利要求2所述的显示设备,其中:
所述第一发光控制线是奇数编号的发光控制线,并且
所述第二发光控制线是偶数编号的发光控制线。
5.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一像素和所述第二像素发出彼此具有相同颜色的光。
6.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一像素发出红光或蓝光。
7.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一像素和所述第二像素分别连接至不同数据线。
8.根据权利要求7所述的显示设备,进一步包括:
另一数据线,所述另一数据线布置在分别连接至所述第一像素和所述第二像素的不同数据线之间。
9.根据权利要求5所述的显示设备,其中,所述第一发光区域的尺寸等于所述第二发光区域的尺寸。
10.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一像素和所述第二像素发出彼此具有不同颜色的光。
11.根据权利要求10所述的显示设备,其中
所述第一像素发出红光或蓝光,并且
所述第二像素发出红光或蓝光。
12.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述第一像素和所述第二像素连接至相同数据线。
13.根据权利要求10所述的显示设备,其中,所述第一发光区域的尺寸不同于所述第二发光区域的尺寸。
14.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一图案包括:
多条数据线,所述多条数据线连接至包括所述第一像素和所述第二像素的多个像素;
电源线,所述电源线连接至包括所述第一像素和所述第二像素的所述多个像素;
多个第一连接电极,所述多个第一连接电极连接至包括所述第一像素电极和所述第二像素电极的多个像素电极;以及
与所述不同扫描线重叠的第二连接电极和第三连接电极。
15.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述第一发光区域和与连接至所述第一像素的数据线相邻的另一数据线重叠。
16.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述第二发光区域和与连接至所述第二像素的数据线相邻的另一数据线重叠。
17.根据权利要求14所述的显示设备,其中,所述第一侧和所述第二侧平行于所述多条数据线。
18.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一分区的尺寸等于所述第二分区的尺寸。
19.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一分区和所述第二分区相对于与所述第一发光区域或所述第二发光区域的中心交叉的假想分隔线具有对称形状。
20.根据权利要求1所述的显示设备,其中,所述第一发光区域和所述第二发光区域中的每一个具有四边形形状。
21.根据权利要求1所述的显示设备,进一步包括:
第三像素,所述第三像素连接至与所述第一像素连接至的扫描线相同的扫描线;
第四像素,所述第四像素连接至与所述第一像素连接至的扫描线相同的扫描线;以及
第五像素,所述第五像素连接至与所述第二像素连接至的扫描线相同的扫描线,
其中,所述光阻挡层进一步限定与所述第三像素对应的第三发光区域、与所述第四像素对应的第四发光区域、以及与所述第五像素对应的第五发光区域。
22.根据权利要求21所述的显示设备,其中
所述第一发光区域和所述第五发光区域在第一对角线方向上彼此面对,所述第四发光区域置于所述第一发光区域与所述第五发光区域之间,并且
所述第二发光区域和所述第三发光区域在与所述第一对角线方向交叉的第二对角线方向上彼此面对,所述第四发光区域置于所述第二发光区域与所述第三发光区域之间。
23.根据权利要求22所述的显示设备,其中:
所述第四发光区域与所述第一发光区域之间的距离等于所述第四发光区域与所述第五发光区域之间的距离;并且
所述第四发光区域与所述第二发光区域之间的距离等于所述第四发光区域与所述第三发光区域之间的距离。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2017-0064460 | 2017-05-25 | ||
KR1020170064460A KR102515814B1 (ko) | 2017-05-25 | 2017-05-25 | 표시 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN108933160A CN108933160A (zh) | 2018-12-04 |
CN108933160B true CN108933160B (zh) | 2023-05-09 |
Family
ID=64400293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201810515980.7A Active CN108933160B (zh) | 2017-05-25 | 2018-05-25 | 显示设备 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10411082B2 (zh) |
KR (1) | KR102515814B1 (zh) |
CN (1) | CN108933160B (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101943995B1 (ko) | 2012-06-27 | 2019-01-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
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2017
- 2017-05-25 KR KR1020170064460A patent/KR102515814B1/ko active IP Right Grant
-
2018
- 2018-05-22 US US15/985,834 patent/US10411082B2/en active Active
- 2018-05-25 CN CN201810515980.7A patent/CN108933160B/zh active Active
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---|---|
KR102515814B1 (ko) | 2023-03-31 |
US20180342571A1 (en) | 2018-11-29 |
KR20180130024A (ko) | 2018-12-06 |
US10411082B2 (en) | 2019-09-10 |
CN108933160A (zh) | 2018-12-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |