CN108922966A - 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
一种有机薄膜晶体管及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108922966A CN108922966A CN201810628677.8A CN201810628677A CN108922966A CN 108922966 A CN108922966 A CN 108922966A CN 201810628677 A CN201810628677 A CN 201810628677A CN 108922966 A CN108922966 A CN 108922966A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- thin film
- organic
- film transistors
- organic thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 20
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 6
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 abstract description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013043 chemical agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- -1 derivative of perfluoroalkyl vinyl ether Chemical compound 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/80—Constructional details
- H10K10/82—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制备方法，包括如下步骤：S1.在基板上形成源极、漏极和像素电极；所述源极、漏极和像素电极的材料均为ITO；S2.在上步得到的基板上滴满异丙醇溶液，静置一定时间，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理；S3.在基板上依次形成有源层、有机绝缘层、栅极。本发明中，源极、漏极和像素电极的材料均为低成本的ITO，同时将源极、漏极和像素电极利用异丙醇溶液进行处理以提高功函数，不仅可以降低成本，而且能匹配有机半导体材料的HOMO能级，提高迁移率。
Description
技术领域
本发明涉及晶体管技术领域，特别是涉及了一种有机薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
有机薄膜晶体管(OTFT，Organic Thin Film Transistor)是一种使用有机物作为半导体材料的薄膜晶体管，多用于塑料基板，因其具有可卷曲、制程成本低等特点，成为当前最具潜力的下一代柔性显示器的新型阵列板技术。有机薄膜晶体管制作方法相对传统无机薄膜晶体管更为简单，其对成膜气氛的条件及纯度的要求都很低，因此其制作成本更低；有机薄膜晶体管有优异的柔韧性，适用于柔性显示、电子皮肤、柔性传感器等领域。目前有机薄膜晶体管的源漏极的电极材料一般选择功函数较高的金属金或金属银，以匹配有机半导体材料的HOMO（最高占据分子轨道）能级，减小空穴传输势垒，但金属金和金属银成本过高。
发明内容
为了弥补已有技术的缺陷，本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法。
本发明所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：
一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
S1.在基板上形成源极、漏极和像素电极；所述源极、漏极和像素电极的材料均为ITO；
S2.在上步得到的基板上滴满异丙醇溶液，静置一定时间，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理；
S3.在基板上依次形成有源层、有机绝缘层、栅极。
进一步地，所述异丙醇溶液的质量分数为10％-40％。
进一步地，过程S2中，静置1-10分钟，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理90s。
进一步地，在过程S1中，在所述基板上还形成数据线。
进一步地，过程S1的具体操作过程为：（1）在基板上沉积一金属层，通过第一道光罩制程在基板上形成数据线；（2） 在步骤（1）的基础上沉积导电层，通过第二道光罩制程形成源极、漏极和像素电极。
进一步地，过程S1的具体操作过程为：（1）在基板上沉积导电层，通过第一道光罩制程形成源极、漏极和像素电极。
进一步地，在过程S2和S3之间还包括：在过程S2所形成的基板上沉积金属层，以第二道光罩制程形成数据线。
进一步地，过程S3的具体操作过程为：（1）在基板上涂布有机半导体层和有机绝缘层；（2）在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程同时形成有源层、有机绝缘层和栅极，形成顶栅结构的有机薄膜晶体管。
本发明还提供一种有机薄膜晶体管，其采用上述制备方法制备得到，所述有机薄膜晶体管包括：
基板；
形成在所述基板上的数据线；
连接到所述数据线的源极；
形成在所述基板上，且与所述源极以预定距离间隔开的漏极；
与所述漏极相连接的像素电极；
与所述源极和所述漏极部分交叠的有源层，所述有源层为有机半导体材料；
形成在所述有源层上的有机绝缘层；
形成在所述有机绝缘层上的栅极。
本发明具有如下有益效果：
本发明中，源极、漏极和像素电极的材料均为低成本的ITO，同时将源极、漏极和像素电极利用异丙醇溶液进行处理以提高功函数，不仅可以降低成本，而且能匹配有机半导体材料的HOMO能级，提高迁移率。
附图说明
图1为本发明一实施例中有机薄膜晶体管的结构示意图。
图中：1、基板，2、数据线，3、源极，4、漏极，5、有源层，6、有机绝缘层，7、栅极。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明进行详细的说明，实施例仅是本发明的优选实施方式，不是对本发明的限定。
实施例1
一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
S1.在基板上沉积第一金属层，通过第一道光罩制程在基板上形成数据线；在经过第一道光罩制程的基板上沉积导电层，通过第二道光罩制程形成源极、漏极和像素电极；所述源极、漏极和像素电极的材料均为ITO。
本实施例中，对所述第一金属层的材料不作特别限定，作为举例，可为Au、Ag、 Cu、Al或其任何合金。
本实施例中，所述第一道光罩制程包括利用第一道光罩对所述第一金属层进行图案化处理。
本实施例中，所述第二道光罩制程包括利用第二道光罩对所述导电层进行图案化处理。
本实施例中，所述源极、所述漏极、和所述像素电极在同一光罩制程中形成，在制备过程中，能够有效减少光罩制程，降低成本。
S2. 在上步得到的基板上滴满质量分数为10％-40％的异丙醇溶液，静置1-10分钟，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理90s。
S3. 在基板上涂布有机半导体层和有机绝缘层；在有机绝缘层上沉积第二金属层，该层作为栅极，通过第三道光罩制程同时形成有源层、有机绝缘层和栅极，形成顶栅结构的有机薄膜晶体管。
本实施例中，涂布的方式可为但不限于旋涂、刮涂或喷涂打印等方式。
本实施例中，对所述有机半导体层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，其可包括在有机溶剂中可溶解的低分子化合物或高分子化合物，作为举例，可以是并五苯基材料、聚噻吩基材料以及聚芳胺基材料中的至少一种。
本实施例中，对所述有机绝缘层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，优选地，可由聚丙烯酰、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、 聚对二甲苯、全氟环丁烷、全氟乙烯基醚或苯并环丁烷的衍生物制成。
本实施例中，对所述第二金属层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，作为优选，所述第二金属层的材料可以为铝(Al)系金属、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或铜(Cu)金属。
本实施例中，第三道光罩制程包括利用第三道光罩对所述有机半导体层、有机绝缘层和第二金属层进行图案化处理。
本实施例中，通过依次沉积有机半导体层、有机绝缘层和第二金属层，并通过第三道光罩中一起完成图案化，形成有源层、有机绝缘层、和栅极，能够有效减少光罩次数，减少光罩制程流程，从而降低生产成本。另外，有机半导体层在图案化过程中，因被有机绝缘层和第二金属层覆盖，能够有效避免有机半导体层在图案化过程中接触化学药剂 (如显影液、剥离液、光阻等)而造成损害。
参阅图1，由上述制备方法制备得到的有机薄膜晶体管包括：
基板；
形成在所述基板上的数据线；
连接到所述数据线的源极；
形成在所述基板上，且与所述源极以预定距离间隔开的漏极；
与所述漏极相连接的像素电极；
与所述源极和所述漏极部分交叠的有源层，所述有源层为有机半导体材料；
形成在所述有源层上的有机绝缘层；
形成在所述有机绝缘层上的栅极。
实施例2
一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
S1. 在基板上沉积导电层，通过第一道光罩制程形成源极、漏极和像素电极；所述源极、漏极和像素电极的材料均为ITO。
本实施例中，所述第一道光罩制程包括利用第一道光罩对所述导电层进行图案化处理。
本实施例中，所述源极、所述漏极、和所述像素电极在同一光罩制程中形成，在制备过程中，能够有效减少光罩制程，降低成本。
S2. 在上步得到的基板上滴满质量分数为10％-40％的异丙醇溶液，静置1-10分钟，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理90s。
S3. 在过程S2所形成的基板上沉积第一金属层，以第二道光罩制程形成数据线。
本实施例中，对所述第一金属层的材料不作特别限定，作为举例，可为Au、Ag、 Cu、Al或其任何合金。
本实施例中，所述第二道光罩制程包括利用第二道光罩对所述第一金属层进行图案化处理。
S4. 在基板上涂布有机半导体层和有机绝缘层；在有机绝缘层上沉积第二金属层，该层作为栅极，通过第三道光罩制程同时形成有源层、有机绝缘层和栅极，形成顶栅结构的有机薄膜晶体管。
本实施例中，涂布的方式可为但不限于旋涂、刮涂或喷涂打印等方式。
本实施例中，对所述有机半导体层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，其可包括在有机溶剂中可溶解的低分子化合物或高分子化合物，作为举例，可以是并五苯基材料、聚噻吩基材料以及聚芳胺基材料中的至少一种。
本实施例中，对所述有机绝缘层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，优选地，可由聚丙烯酰、聚苯乙烯、聚酰亚胺、聚乙烯醇、 聚对二甲苯、全氟环丁烷、全氟乙烯基醚或苯并环丁烷的衍生物制成。
本实施例中，对所述第二金属层的材料不作特别限定，可以采用现有技术中的常规材料，作为优选，所述第二金属层的材料可以为铝(Al)系金属、钼(Mo)、铬(Cr)、钽(Ta)或铜(Cu)金属。
本实施例中，第三道光罩制程包括利用第三道光罩对所述有机半导体层、有机绝缘层和第二金属层进行图案化处理。
本实施例中，通过依次沉积有机半导体层、有机绝缘层和第二金属层，并通过第三道光罩中一起完成图案化，形成有源层、有机绝缘层、和栅极，能够有效减少光罩次数，减少光罩制程流程，从而降低生产成本。另外，有机半导体层在图案化过程中，因被有机绝缘层和第二金属层覆盖，能够有效避免有机半导体层在图案化过程中接触化学药剂 (如显影液、剥离液、光阻等)而造成损害。
以上所述实施例仅表达了本发明的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：
S1.在基板上形成源极、漏极和像素电极；所述源极、漏极和像素电极的材料均为ITO；
S2.在上步得到的基板上滴满异丙醇溶液，静置一定时间，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理；
S3.在基板上依次形成有源层、有机绝缘层、栅极。
2.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述异丙醇溶液的质量分数为10％-40％。
3.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，过程S2中，静置1-10分钟，之后用异丙醇冲洗并干燥，再用氧气等离子体处理90s。
4.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在过程S1中，在所述基板上还形成数据线。
5.如权利要求4所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，过程S1的具体操作过程为：（1）在基板上沉积一金属层，通过第一道光罩制程在基板上形成数据线；（2） 在步骤（1）的基础上沉积导电层，通过第二道光罩制程形成源极、漏极和像素电极。
6.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，过程S1的具体操作过程为：（1）在基板上沉积导电层，通过第一道光罩制程形成源极、漏极和像素电极。
7.如权利要求6所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，在过程S2和S3之间还包括：在过程S2所形成的基板上沉积金属层，以第二道光罩制程形成数据线。
8.如权利要求1所述的有机薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，过程S3的具体操作过程为：（1）在基板上涂布有机半导体层和有机绝缘层；（2）在有机绝缘层上沉积一金属层，通过第三道光罩制程同时形成有源层、有机绝缘层和栅极，形成顶栅结构的有机薄膜晶体管。
9.一种有机薄膜晶体管，其采用权利要求1-8任一项所述制备方法制备得到，所述有机薄膜晶体管包括：
基板；
形成在所述基板上的数据线；
连接到所述数据线的源极；
形成在所述基板上，且与所述源极以预定距离间隔开的漏极；
与所述漏极相连接的像素电极；
与所述源极和所述漏极部分交叠的有源层，所述有源层为有机半导体材料；
形成在所述有源层上的有机绝缘层；
形成在所述有机绝缘层上的栅极。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810628677.8A CN108922966A (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201810628677.8A CN108922966A (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108922966A true CN108922966A (zh) | 2018-11-30 |
Family
ID=64420465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810628677.8A Pending CN108922966A (zh) | 2018-06-19 | 2018-06-19 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108922966A (zh) |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020003587A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-10 | Ibm | Active matrix substrate and manufacturing method thereof |
| US20080146011A1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Konkuk University Industrial Cooperation Corp. | Method of forming self-assembled monolayer on ito film |
| CN101953231A (zh) * | 2008-02-15 | 2011-01-19 | 昭和电工株式会社 | 电极的表面处理方法和电极、以及有机电致发光元件的制造方法 |
| CN102110775A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-06-29 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 实现半导体聚合物图形化的方法及其应用器件 |
| CN102227486A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-10-26 | 葛来西雅帝史派有限公司 | 使用电致发光化合物的有机电致发光器件 |
| CN102244166A (zh) * | 2011-07-27 | 2011-11-16 | 天津理工大学 | 一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件 |
| CN102723334A (zh) * | 2012-06-07 | 2012-10-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器 |
| US20140117372A1 (en) * | 2012-02-23 | 2014-05-01 | Boe Technology Group Co, Ltd. | Thin film transistor array substrate and producing method thereof |
| CN104388089A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-03-04 | 北京理工大学 | 一种高荧光量子产率杂化钙钛矿量子点材料及其制备方法 |
| US20150372021A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-12-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device, array substrate and method for manufacturing the same |
| CN105482083A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-04-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于吡咯并吡咯二酮结构有机共轭聚合物、其制法及应用 |
| CN105514172A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 河南大学 | 一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105633100A (zh) * | 2016-03-17 | 2016-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 |
| CN107316875A (zh) * | 2017-08-15 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板 |
| CN107644936A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-30 | 信利半导体有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN107731882A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN107978608A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Ips型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
-
2018
- 2018-06-19 CN CN201810628677.8A patent/CN108922966A/zh active Pending
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020003587A1 (en) * | 2000-07-10 | 2002-01-10 | Ibm | Active matrix substrate and manufacturing method thereof |
| US20080146011A1 (en) * | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Konkuk University Industrial Cooperation Corp. | Method of forming self-assembled monolayer on ito film |
| CN101953231A (zh) * | 2008-02-15 | 2011-01-19 | 昭和电工株式会社 | 电极的表面处理方法和电极、以及有机电致发光元件的制造方法 |
| CN102227486A (zh) * | 2008-11-26 | 2011-10-26 | 葛来西雅帝史派有限公司 | 使用电致发光化合物的有机电致发光器件 |
| CN102110775A (zh) * | 2010-12-03 | 2011-06-29 | 哈尔滨工业大学深圳研究生院 | 实现半导体聚合物图形化的方法及其应用器件 |
| CN102244166A (zh) * | 2011-07-27 | 2011-11-16 | 天津理工大学 | 一种具有发光和存储双重功能的无机光电器件 |
| US20140117372A1 (en) * | 2012-02-23 | 2014-05-01 | Boe Technology Group Co, Ltd. | Thin film transistor array substrate and producing method thereof |
| CN102723334A (zh) * | 2012-06-07 | 2012-10-10 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物薄膜晶体基板及其制造方法和液晶显示器 |
| US20150372021A1 (en) * | 2014-01-03 | 2015-12-24 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display device, array substrate and method for manufacturing the same |
| CN105482083A (zh) * | 2014-09-19 | 2016-04-13 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 基于吡咯并吡咯二酮结构有机共轭聚合物、其制法及应用 |
| CN104388089A (zh) * | 2014-11-04 | 2015-03-04 | 北京理工大学 | 一种高荧光量子产率杂化钙钛矿量子点材料及其制备方法 |
| CN105514172A (zh) * | 2015-12-18 | 2016-04-20 | 河南大学 | 一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN105633100A (zh) * | 2016-03-17 | 2016-06-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 |
| CN107316875A (zh) * | 2017-08-15 | 2017-11-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板 |
| CN107644936A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-01-30 | 信利半导体有限公司 | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 |
| CN107731882A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-02-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法、显示装置 |
| CN107978608A (zh) * | 2017-11-22 | 2018-05-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Ips型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105097948B (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法、显示面板和装置 | |
| CN106129122B (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| TW200524012A (en) | Method for forming metal single-layer film, method for forming wiring, and method for producing field effect transistors | |
| US7241652B2 (en) | Method for fabricating organic thin film transistor | |
| CN107146809A (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN105762195B (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN105742369A (zh) | 一种新型底栅结构的柔性薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN108091674A (zh) | Oled背板结构及oled背板制作方法 | |
| CN103985764B (zh) | 氧化物tft及其制备方法、阵列基板、显示器件 | |
| US10204922B2 (en) | Thin film transistor, array substrate and manufacturing method thereof, and display device | |
| US20200035774A1 (en) | Organic thin film transistor array substrate and manufacture method thereof, display device | |
| TW201034269A (en) | Organic thin film transistor which contains azole complex to dielectric insulating layer | |
| CN109712930A (zh) | 显示基板及其制作方法、显示装置 | |
| CN110233156A (zh) | 薄膜晶体管基板的制作方法及薄膜晶体管基板 | |
| CN104485420B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN107204377A (zh) | 一种薄膜晶体管的制备方法、阵列基板和液晶显示面板 | |
| CN107644936B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN105633100B (zh) | 薄膜晶体管阵列面板及其制作方法 | |
| CN108922966A (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法 | |
| CN102646792A (zh) | 有机薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 | |
| CN107204289A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、显示面板 | |
| CN110223990A (zh) | 顶栅结构及其制备方法、阵列基板、显示设备 | |
| CN1670598A (zh) | 一种图案化有源层的有源矩阵液晶显示装置的制备方法 | |
| US10141530B2 (en) | Thin film transistor and manufacturing method thereof, array substrate, and display apparatus | |
| CN106410030A (zh) | 有机薄膜晶体管的制作方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20181130 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |