CN108906018B - 一种光催化还原反应器及其催化还原二氧化碳的方法 - Google Patents
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- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 42
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 21
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 21
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000010531 catalytic reduction reaction Methods 0.000 title claims abstract description 7
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 203
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims abstract description 194
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 65
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 65
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 65
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims abstract description 18
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000002052 molecular layer Substances 0.000 claims abstract description 11
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 32
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 21
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 14
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 14
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 14
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 10
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 8
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 claims description 5
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 4
- 239000012188 paraffin wax Substances 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 4
- DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N (R)-camphor Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C DSSYKIVIOFKYAU-XCBNKYQSSA-N 0.000 claims description 3
- 241000723346 Cinnamomum camphora Species 0.000 claims description 3
- 229960000846 camphor Drugs 0.000 claims description 3
- 229930008380 camphor Natural products 0.000 claims description 3
- HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 1,5-bis(chloromethyl)naphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(CCl)=CC=CC2=C1CCl HJTAZXHBEBIQQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 2
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N arsenic trioxide Inorganic materials O1[As]2O[As]1O2 GOLCXWYRSKYTSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LUTSRLYCMSCGCS-BWOMAWGNSA-N [(3s,8r,9s,10r,13s)-10,13-dimethyl-17-oxo-1,2,3,4,7,8,9,11,12,16-decahydrocyclopenta[a]phenanthren-3-yl] acetate Chemical compound C([C@@H]12)C[C@]3(C)C(=O)CC=C3[C@@H]1CC=C1[C@]2(C)CC[C@H](OC(=O)C)C1 LUTSRLYCMSCGCS-BWOMAWGNSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N methane;hydrate Chemical compound C.O VUZPPFZMUPKLLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J21/00—Catalysts comprising the elements, oxides, or hydroxides of magnesium, boron, aluminium, carbon, silicon, titanium, zirconium, or hafnium
- B01J21/18—Carbon
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/123—Ultra-violet light
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/122—Incoherent waves
- B01J19/128—Infra-red light
-
- B01J35/39—
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/02—Preparation of oxygen
- C01B13/0203—Preparation of oxygen from inorganic compounds
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/40—Carbon monoxide
Abstract
本发明公开了一种光催化还原反应器及其催化还原二氧化碳的方法，光催化还原反应器包括透明的柱状绝缘壳体，水平布置于柱状绝缘壳体内的石墨烯/硅复合膜，以及安装在所述柱状绝缘壳体顶面和底面上的电极板，两个电极板分别连接电源的正极和负极；所述柱状绝缘壳体的侧壁开有注气孔，所述石墨烯/硅复合膜包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成，所述石墨烯膜层间交联，石墨烯/硅复合膜与上下两个电极板平行，且硅纳米层位于低电势一侧；在光照射下，石墨烯硅界面层会产生光生载流子；在外电场作用下，形成电子界面和空穴界面。电子层和空穴层持续的作用下，催化二氧化碳形成一氧化碳以及氧气。
Description
技术领域
本发明涉及涉及光催化还原反应器，尤其涉及一种光催化还原反应器及其催化还原二氧化碳的方法。
背景技术
2010年，英国曼彻斯特大学的两位教授Andre GeiM和Konstantin Novoselov因为首次成功分离出稳定的石墨烯获得诺贝尔物理学奖，掀起了全世界对石墨烯研究的热潮。石墨烯有优异的电学性能(室温下电子迁移率可达2×105cM2/Vs)，突出的导热性能(5000W/(MK)，超常的比表面积(2630M2/g)，其杨氏模量(1100GPa)和断裂强度(125GPa)。石墨烯优异的导电导热性能完全超过金属，同时石墨烯具有耐高温耐腐蚀的优点，而其良好的机械性能和较低的密度更让其具备了在电热材料领域取代金属的潜力。
宏观组装氧化石墨烯或者石墨烯纳米片的石墨烯膜是纳米级石墨烯的主要应用形式，常用的制备方法是抽滤法、刮膜法、旋涂法、喷涂法和浸涂法等。通过进一步的高温处理，能够修补石墨烯的缺陷，能够有效的提高石墨烯膜的导电性和热导性，可以广泛应用于电池材料、导热材料、导电材料等领域。
目前，光催化还原二氧化碳和水的催化剂主要是二氧化钛等半导体，但是其带隙大，只能吸收紫外光，对光的利用效率极低，催化效率也不高。还未有石墨烯催化这类反应的报导。主要原因有一下几点：
其一，石墨烯吸光率低，光催化效率低；
其二，石墨烯不能大面积独立自支撑存在；
其三，石墨烯绝对力学较差，不能耐受金属喷涂。
其四，石墨烯为零带隙结构，且层数只有一层电子孔穴耦合作用较大。
为此，我们设计了高强度独立自支撑的膜，此薄膜具有层间交联结构，有一定的带隙，可以增加电子孔穴耦合时间；薄膜有一定厚度，极大地增加了光吸收率；薄膜有层间交联结构，强度很高。为此，可以在外电场作用下实现电子和空穴层的分离，为光催化提供条件。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术的不足，提供一种光催化还原反应器及其催化还原二氧化碳的方法。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：一种光催化还原反应器，包括透明的柱状绝缘壳体，水平布置于柱状绝缘壳体内的石墨烯/硅复合膜，以及安装在所述柱状绝缘壳体顶面和底面上的电极板，两个电极板分别连接电源的正极和负极；所述柱状绝缘壳体的侧壁开有注气孔，注气孔通过一绝缘橡胶塞密封。所述石墨烯/硅复合膜包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成，所述石墨烯膜层间交联，交联度在1-5％，所述石墨烯膜的厚度为10-100nm，缺陷密度ID/IG≤0.01。石墨烯/硅复合膜与上下两个电极板平行，且硅纳米层接地，且位于低电势一侧。
进一步地，连接电源的正极的正极板固定于柱状绝缘壳体顶面，连接电源的负极的负极板固定于柱状绝缘壳体底面，所述石墨烯/硅复合膜位于柱状绝缘壳体底部，硅纳米层朝下。
进一步地，连接电源的正极的正极板固定于柱状绝缘壳体底面，连接电源的负极的负极板固定于柱状绝缘壳体顶面，所述石墨烯/硅复合膜位于柱状绝缘壳体顶部，硅纳米层朝上。
进一步地，所述柱状绝缘壳体内具有水平的网格状支架，网格状支架的边缘固定于柱状绝缘壳体的内侧壁，石墨烯/硅复合膜铺设于所述网格状支架上。
进一步地，所述石墨烯/硅复合膜的边缘黏贴于柱状绝缘壳体的内侧壁。
进一步地，所述石墨烯/硅复合膜通过以下方法制备得到：
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液，抽滤成膜。
(2)将贴附于抽滤基底上的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h。
(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下冷却，直至薄膜和AAO膜基底分离。
(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；
(5)将还原氧化石墨烯膜以1℃/min升温300℃(缓慢加热，增加石墨烯膜表面褶皱扩展单位空间内石墨烯膜的面积)；然后10℃/min升温置于2000℃，保温6-12小时，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。
(6)采用磁控溅射的方式在步骤5处理后的石墨烯膜表面喷涂一层金属纳米粒子。金属纳米粒子选自钛、钨、铁、镁、钼，溅射的金属纳米粒子的摩尔量不大于石墨烯膜中碳原子摩尔量的30％。然后在800-1200℃下将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜进行氯化处理，金属纳米粒子以氯化物形式逸散。
(7)将氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，以5-20摄氏度每分钟升温至1500摄氏度；以2-5摄氏度每分钟升温至2000℃，得到层间交联的石墨烯膜。
(8)将层间交联的石墨烯膜表面喷涂一层厚度为5-40nm的硅纳米粒子。
进一步地，所述的固体转移剂，选自如下物质，例如石蜡、萘、三氧化二砷、樟脑、硫、降冰片烯、松香等可在某种条件下升华或者挥发的不溶于水的小分子固态物质。
进一步地，所述的固体转移剂的升华温度要控制在320度以下。
进一步地，所述氯化处理是指：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为0.5-10％的环境中进行加热处理，时间为0.1-4h。
如上所述的光催化反应器催化还原二氧化碳的方法，该方法为：通过注气孔5向反应器中注入二氧化碳，然后密封；将两个电极板接通电源的正极和负极，同时对石墨烯面进行光照。上下两个电极板使得电子和空穴分离，分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上，其中，喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子，并导出至大地，另一面集结空穴，形成空穴层，还原二氧化碳，形成一氧化碳以及氧气。
本发明的有益效果在于：本发明基于具有光生电子效应的石墨烯/硅复合膜，设计出一种催化反应器，可用于二氧化碳的催化还原。其中石墨烯/硅复合膜由石墨烯膜和硅纳米膜组成，在光照条件下，石墨烯吸收光，形成电子空穴对，根据浓度逸散原理，电子空穴对从石墨烯层向硅层移动，并在界面处发生电子-空穴分离，这种结构有利于扩展光的吸收波段(紫外到远红外0-10um)以及吸收率，进而提高光利用效率；所述石墨烯纳米膜层间交联，有利于提高石墨烯膜的强度，进而提升石墨烯膜的可操作性，还可以提高电子孔穴对复合时间，提高内量子效率，进而提高光利用率；所述石墨烯膜的厚度为10-100nm，有利于电子孔穴对向石墨烯/硅硝基节的有效扩散，提高内量子效率，进而提高光利用率；缺陷密度ID/IG≤0.01，有利于光的宽频饱和吸收。
附图说明
图1为石墨烯/硅复合膜光还原二氧化碳的装置示意图；
图中，1为柱状绝缘壳体，2为石墨烯/硅复合膜，其中阴影部分为硅纳米层，3为正极板，4为负极板，5为注气孔。
具体实施方式
实施例1：
如图1所示，一种光催化还原反应器，包括由亚克力制成的柱状绝缘壳体1，水平布置于柱状绝缘壳体1内底部的网格状支架，石墨烯/硅复合膜2铺设于网格状支架上，柱状绝缘壳体1顶面安装有正极板3，底面上固定负极板4，两个电极板分别连接电源的正极和负极；柱状绝缘壳体1的侧壁开有注气孔5，注气孔5通过一绝缘橡胶塞密封。
所述石墨烯/硅复合膜2包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成，所述石墨烯膜层间交联。石墨烯/硅复合膜2与上下两个电极板平行，且硅纳米层朝下接地。石墨烯/硅复合膜2的制备方法如下：
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5ug/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜。
(2)将贴附于AAO膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80度HI高温从底部往上熏蒸1h。
(3)将融化的固体转移剂石蜡均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下冷却，直至薄膜和AAO膜基底分离。
(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜在200℃下加热处理，使得固体转移剂挥发；
(5)将还原氧化石墨烯膜以1℃/min升温300℃(缓慢加热，增加石墨烯膜表面褶皱扩展单位空间内石墨烯膜的面积)；然后10℃/min升温置于2000℃，保温6小时，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。
(6)采用磁控溅射的方式在步骤5处理后的石墨烯膜表面喷涂一层钛纳米粒子，通过控制溅射参数，最终溅射的金属纳米粒子的摩尔量为石墨烯膜中碳原子摩尔量的29.0％。然后在800℃下将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜进行氯化处理，钛纳米粒子以氯化物形式逸散。具体为：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为0.5％的环境中进行加热处理，时间为0.1h。
(7)将氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，5摄氏度每分钟升温至1500摄氏度；2摄氏度每分钟升温至2000摄氏度，得到层间交联的石墨烯膜。
(8)将层间交联的石墨烯膜表面喷涂一层厚度为5nm的硅纳米粒子。
本发明首先通过缓慢升温(1℃/min)处理，增加石墨烯膜表面褶皱，扩展单位空间内石墨烯膜的面积；然后以10℃/min升温至2000℃，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。进一步通过在超薄石墨烯膜表面溅射金属粒子，高温下，金属粒子与石墨烯反应，形成金属碳化物；进一步地，金属碳化物在氯气的作用下，形成金属氯化物，同时，碳结构向金刚石结构转变，大大提升了膜的强度和热稳定性；2000度高温处理，使得石墨烯膜结构得到极大程度的恢复，但是不会影响层间交联结构以及不会形成AB堆积结构，为石墨烯高光吸收高导电提供了基础。经测试，硅纳米颗粒负载在石墨烯膜表面，形成硅纳米膜；所述石墨烯膜的厚度为11nm，缺陷密度ID/IG≤0.01。经拉曼测试，该石墨烯膜具有众多交联结构的石墨烯膜具有更强的sp3碳键接峰(1360cm-1)，通过ID/IG面积比测得，其交联度(所述交联度为sp3碳的含量-质量百分数)为1.3％；有交联结构的石墨烯膜电子衍射条纹层间距比正常石墨烯膜电子衍射层间距要小。
通过注气孔4向反应器中注入二氧化碳，直到系统压力达到70kPa，然后密封；将两个电极板接通电源的正极和负极，分别以紫外光、红外光作为光源对反应体系进行照射石墨烯面。上下两个电极板使得电子和空穴分离，分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上，其中，喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子，构成电子层，另一面集结空穴，形成空穴层；电子层和空穴层之间形成电势差，还原二氧化碳，形成一氧化碳以及氧气。每隔10分钟从反应器中各取0.5mL的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014)的有机、无机分析通道中分析一氧化碳；另取0.5ml的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014C)检测氧气的产出。
在紫外光照反应条件下，0.9小时后测得有大量CO产出。在红外光照反应条件下，2.5小时后测得有大量CO产出。
实施例2
一种光催化还原反应器，包括由亚克力制成的柱状绝缘壳体1，水平布置于柱状绝缘壳体1内顶部网格状支架，石墨烯/硅复合膜2铺设于网格状支架上，柱状绝缘壳体1顶面安装有负极板4，底面上固定正极板3，两个电极板分别连接电源的正极和负极；柱状绝缘壳体1的侧壁开有注气孔5，注气孔5通过一绝缘橡胶塞密封。
所述石墨烯/硅复合膜2包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成，所述石墨烯膜层间交联。石墨烯/硅复合膜2与上下两个电极板平行，且硅纳米层朝上接地。石墨烯/硅复合膜2的制备方法如下：
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为10ug/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜。
(2)将贴附于AAO膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，100度HI高温从底部往上熏蒸0.1h。
(3)将融化的固体转移剂樟脑均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下冷却，直至薄膜和AAO膜基底分离。
(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜在80摄氏度下进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；
(5)将还原氧化石墨烯膜以1℃/min升温300℃(缓慢加热，增加石墨烯膜表面褶皱扩展单位空间内石墨烯膜的面积)；然后10℃/min升温置于2000℃，保温8小时，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。
(6)采用磁控溅射的方式在步骤5处理后的石墨烯膜表面喷涂一层铁纳米粒子，通过控制溅射参数，最终溅射的金属纳米粒子的摩尔量为石墨烯膜中碳原子摩尔量的11.8％。然后在1200℃下将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜进行氯化处理，铁纳米粒子以氯化物形式逸散。具体为：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为10％的环境中进行加热处理，时间为4h。
(7)将氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，20摄氏度每分钟升温至1500摄氏度；5摄氏度每分钟升温至2000摄氏度，保温1h，得到层间交联的石墨烯膜。
(8)将层间交联的石墨烯膜表面喷涂一层厚度为40nm的硅纳米粒子。
硅纳米颗粒负载在石墨烯膜表面，形成硅纳米膜；所述石墨烯膜的厚度为98nm，缺陷密度ID/IG≤0.01。经拉曼测试，该石墨烯膜具有众多交联结构的石墨烯膜具有更强的sp3碳键接峰(1360cm-1)，通过ID/IG面积比测得，其交联度(所述交联度为sp3碳的含量-质量百分数)为2.8％；有交联结构的石墨烯膜电子衍射条纹层间距比正常石墨烯膜电子衍射层间距要小。
通过注气孔4向反应器中注入二氧化碳，直到系统压力达到70kPa，然后密封；将两个电极板接通电源的正极和负极，分别以紫外光、红外光作为光源对反应体系进行照射石墨烯面。上下两个电极板使得电子和空穴分离，分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上，其中，喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子，构成电子层，另一面集结空穴，形成空穴层；电子层和空穴层之间形成电势差，还原二氧化碳，形成一氧化碳以及氧气。每隔10分钟从反应器中各取0.5mL的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014)的有机、无机分析通道中分析一氧化碳；另取0.5ml的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014C)检测氧气的产出。
在紫外光照反应条件下，0.7小时后测得有大量CO产出。在红外光照反应条件下，2小时后测得有大量CO产出。
实施例3
一种光催化还原反应器，包括由亚克力制成的柱状绝缘壳体1，水平布置于柱状绝缘壳体1内中部的网格状支架，石墨烯/硅复合膜2铺设于网格状支架上，柱状绝缘壳体1顶面安装有正极板3，底面上固定负极板4，两个电极板分别连接电源的正极和负极；柱状绝缘壳体1的侧壁开有注气孔5，注气孔5通过一绝缘橡胶塞密封。
所述石墨烯/硅复合膜2包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成，所述石墨烯膜层间交联。石墨烯/硅复合膜2与上下两个电极板平行，且硅纳米层朝下接地。石墨烯/硅复合膜2的制备方法如下：
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为5ug/mL氧化石墨烯水溶液，以AAO膜为基底抽滤成膜。
(2)将贴附于AAO膜的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，100度HI高温从底部往上熏蒸1h。
(3)将融化的固体转移剂石蜡均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下冷却，直至薄膜和AAO膜基底分离。
(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜在200℃下加热处理，使得固体转移剂挥发；
(5)将还原氧化石墨烯膜以1℃/min升温300℃(缓慢加热，增加石墨烯膜表面褶皱扩展单位空间内石墨烯膜的面积)；然后10℃/min升温置于2000℃，保温12小时，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构。
(6)采用磁控溅射的方式在步骤5处理后的石墨烯膜表面喷涂一层钼纳米粒子，通过控制溅射参数，最终溅射的金属纳米粒子的摩尔量为石墨烯膜中碳原子摩尔量的23.6％。然后在1000℃下将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜进行氯化处理，钼纳米粒子以氯化物形式逸散。具体为：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为5％的环境中进行加热处理，时间为1h。
(7)将氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，10摄氏度每分钟升温至1500摄氏度；2摄氏度每分钟升温至2000摄氏度，得到层间交联的石墨烯膜。
(8)将层间交联的石墨烯膜表面喷涂一层厚度为10nm的硅纳米粒子。
经测试，硅纳米颗粒负载在石墨烯膜表面，形成硅纳米膜；所述石墨烯膜的厚度为29nm，缺陷密度ID/IG≤0.01。经拉曼测试，该石墨烯膜具有众多交联结构的石墨烯膜具有更强的sp3碳键接峰(1360cm-1)，通过ID/IG面积比测得，其交联度(所述交联度为sp3碳的含量-质量百分数)为4.6％；有交联结构的石墨烯膜电子衍射条纹层间距比正常石墨烯膜电子衍射层间距要小。
通过注气孔4向反应器中注入二氧化碳，直到系统压力达到70kPa，然后密封；将两个电极板接通电源的正极和负极，分别以紫外光、红外光作为光源对反应体系进行照射石墨烯面。上下两个电极板使得电子和空穴分离，分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上，其中，喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子，构成电子层，另一面集结空穴，形成空穴层；电子层和空穴层之间形成电势差，还原二氧化碳，形成一氧化碳以及氧气。每隔10分钟从反应器中各取0.5mL的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014)的有机、无机分析通道中分析一氧化碳；另取0.5ml的气体注入气相色谱仪(岛津GC-2014C)检测氧气的产出。
在紫外光照反应条件下，60分钟后测得有大量CO产出。在红外光照反应条件下，150分钟后测得有大量CO产出。
Claims (9)
1.一种光催化还原反应器，其特征在于，包括透明的柱状绝缘壳体(1)，水平布置于柱状绝缘壳体(1)内的石墨烯/硅复合膜(2)，以及安装在所述柱状绝缘壳体(1)顶面和底面上的电极板，两个电极板分别连接电源的正极和负极；所述柱状绝缘壳体(1)的侧壁开有注气孔(5)，注气孔(5)通过一绝缘橡胶塞密封；所述石墨烯/硅复合膜(2)包括石墨烯膜和位于石墨烯膜正面的硅纳米膜，硅纳米膜由硅纳米颗粒组成；所述石墨烯膜层间交联，交联度在1-5％，所述石墨烯膜的厚度为10-100nm，缺陷密度ID/IG≤0.01；石墨烯/硅复合膜(2)与上下两个电极板平行，且硅纳米层接地，且位于低电势一侧；
所述石墨烯/硅复合膜(2)通过以下方法制备得到：
(1)将氧化石墨烯配制成浓度为0.5-10ug/mL氧化石墨烯水溶液，抽滤成膜；
(2)将贴附于抽滤基底上的氧化石墨烯膜置于密闭容器中，80-100度HI高温从底部往上熏蒸0.1-1h；
(3)将融化的固体转移剂均匀涂敷在还原氧化石墨烯膜表面，并于室温下冷却，直至薄膜和抽滤基底分离；
(4)对步骤3处理后的还原氧化石墨烯膜进行加热处理，使得固体转移剂升华或者挥发；
(5)将还原氧化石墨烯膜以1℃/min升温至300℃；然后10℃/min升温置于2000℃，保温6-12小时，以去除石墨烯内部绝大部分原子缺陷，但不恢复石墨烯内部堆叠结构；
(6)采用磁控溅射的方式在步骤5处理后的石墨烯膜表面喷涂一层金属纳米粒子；所述金属纳米粒子选自钛、钨、铁、镁或钼，溅射的金属纳米粒子的摩尔量不大于石墨烯膜中碳原子摩尔量的30％，然后在800-1200℃下将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜进行氯化处理，金属纳米粒子以氯化物形式逸散；
(7)将氯化后的石墨烯膜置于高温炉中，先以5-20摄氏度每分钟升温至1500摄氏度；再以2-5摄氏度每分钟升温至2000℃，得到层间交联的石墨烯膜；
(8)将层间交联的石墨烯膜表面喷涂一层厚度为5-40nm的硅纳米粒子。
2.根据权利要求1所述的光催化还原反应器，其特征在于，连接电源的正极的正极板固定于柱状绝缘壳体(1)顶面，连接电源的负极的负极板固定于柱状绝缘壳体(1)底面，所述石墨烯/硅复合膜(2)位于柱状绝缘壳体(1)底部，硅纳米层朝下。
3.根据权利要求1所述的光催化还原反应器，其特征在于，连接电源的正极的正极板固定于柱状绝缘壳体(1)底面，连接电源的负极的负极板固定于柱状绝缘壳体(1)顶面，所述石墨烯/硅复合膜(2)位于柱状绝缘壳体(1)顶部，硅纳米层朝上。
4.如权利要求2或3所述的光催化还原反应器，其特征在于，所述柱状绝缘壳体(1)内具有水平的网格状支架，网格状支架的边缘固定于柱状绝缘壳体(1)的内侧壁，石墨烯/硅复合膜(2)铺设于所述网格状支架上。
5.如权利要求2或3所述的光催化还原反应器，其特征在于，所述石墨烯/硅复合膜(2)的边缘黏贴于柱状绝缘壳体(1)的内侧壁。
6.如权利要求1所述的光催化还原反应器，其特征在于，所述的固体转移剂，选自石蜡、萘、三氧化二砷、樟脑、硫、降冰片烯或松香。
7.如权利要求1所述的光催化还原反应器，其特征在于，所述的固体转移剂的升华温度要控制在320度以下。
8.如权利要求1所述的光催化还原反应器，其特征在于，所述氯化处理是指：将溅射有金属纳米粒子的石墨烯膜置于氯气含量为0.5-10％的环境中进行加热处理，时间为0.1-4h。
9.如权利要求1所述的光催化还原反应器催化还原二氧化碳的方法，其特征在于，该方法为：通过注气孔(5)向反应器中注入二氧化碳，然后密封；将两个电极板接通电源的正极和负极，同时对石墨烯面进行光照；上下两个电极板使得电子和空穴分离，分离后的电子和空穴分别位于复合膜的两个表面上，其中，喷涂有硅纳米粒子的一面集结电子，并导出至大地，另一面集结空穴，形成空穴层，还原二氧化碳，形成一氧化碳以及氧气。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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| Country | Link |
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| CN (1) | CN108906018B (zh) |
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Legal Events
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| GR01 | Patent grant | ||
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