CN108892512A - 一种采用废纸制备碳化硅的方法 - Google Patents

一种采用废纸制备碳化硅的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108892512A
CN108892512A CN201811044256.7A CN201811044256A CN108892512A CN 108892512 A CN108892512 A CN 108892512A CN 201811044256 A CN201811044256 A CN 201811044256A CN 108892512 A CN108892512 A CN 108892512A
Authority
CN
China
Prior art keywords
waste paper
silicon carbide
sic
paper according
sintered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201811044256.7A
Other languages
English (en)
Inventor
王志江
兰晓琳
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harbin Institute of Technology
Original Assignee
Harbin Institute of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Harbin Institute of Technology filed Critical Harbin Institute of Technology
Priority to CN201811044256.7A priority Critical patent/CN108892512A/zh
Publication of CN108892512A publication Critical patent/CN108892512A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
    • C04B35/56—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides
    • C04B35/565—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide
    • C04B35/573—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on carbides or oxycarbides based on silicon carbide obtained by reaction sintering or recrystallisation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B38/00—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof
    • C04B38/0022—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof obtained by a chemical conversion or reaction other than those relating to the setting or hardening of cement-like material or to the formation of a sol or a gel, e.g. by carbonising or pyrolysing preformed cellular materials based on polymers, organo-metallic or organo-silicon precursors
    • C04B38/0032—Porous mortars, concrete, artificial stone or ceramic ware; Preparation thereof obtained by a chemical conversion or reaction other than those relating to the setting or hardening of cement-like material or to the formation of a sol or a gel, e.g. by carbonising or pyrolysing preformed cellular materials based on polymers, organo-metallic or organo-silicon precursors one of the precursor materials being a monolithic element having approximately the same dimensions as the final article, e.g. a paper sheet which after carbonisation will react with silicon to form a porous silicon carbide porous body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/34—Non-metal oxides, non-metal mixed oxides, or salts thereof that form the non-metal oxides upon heating, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3418—Silicon oxide, silicic acids, or oxide forming salts thereof, e.g. silica sol, fused silica, silica fume, cristobalite, quartz or flint
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/42—Non metallic elements added as constituents or additives, e.g. sulfur, phosphor, selenium or tellurium
    • C04B2235/428—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

一种采用废纸制备碳化硅的方法。本发明属于环保、能源、催化、吸波、生物传感、半导体材料领域，具体涉及一种采用废纸制备碳化硅的方法。本发明是要解决现有废纸利用率低、制备SiC材料成本高的问题。方法：一、纸浆回收；二、碳化处理；三、烧结，即得到由废纸制备的SiC。本发明主要用于纸张高效回收以及碳化硅生产。

Description

一种采用废纸制备碳化硅的方法
技术领域
本发明属于环保、能源、催化、吸波、生物传感、半导体材料领域，具体涉及一种采用废纸制备碳化硅的方法。
背景技术
宽带隙的碳化硅(SiC)是具有一系列优异性能的半导体材料，其优良的热传导率、低热 膨胀系数、高机械性能、耐腐蚀和抗氧化性、良好的热稳定性和化学稳定性等使碳化硅广 泛应用于汽车、航空航天、化工、石油钻探、雷达隐身等领域。现阶段，特殊形貌的SiC材料普遍价格昂贵。寻找能够生产成本低廉、性能优异的SiC材料制备方法的需求越来越广泛和迫切。探索了一种绿色途径，用废纸作为原材料，制备出了高附加值的碳化硅粉体。
发明内容
本发明是要解决现有废纸利用率低、制备SiC材料成本高的问题，而提供一种采用废 纸制备碳化硅的方法。
本发明一种采用废纸制备碳化硅的方法具体是按以下步骤完成的：
一、纸浆回收：将废纸依次进行分离、漂洗、过滤和干燥，回收废纸纤维素并制浆，得到废纸浆；
二、碳化处理：将废纸浆在惰性气体保护下进行炭化处理，得到纤维素基碳骨架；
三、烧结：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，然后烧结，再冷却至室温，得到碳化硅。
本发明的有益效果：
一、本发明开发了一种废纸资源化、变废为宝的方法，赋予废纸高附加值，实现生物 质纤维素资源的高效利用。
二、本发明提供一种新型SiC的制备方法，该SiC材料采用废纸纤维素作为碳源、硅粉和二氧化硅为硅源，然后在惰性气体环境下进行高温烧结，最终制备出由废纸生产的SiC材料，制备的SiC材料吸波性能优异。
三、通过改变烧结温度可调节由废纸生产的SiC材料的形貌、纳米线数量以及长度； 四、通过改变由废纸生产的SiC材料的形貌、纳米线数量以及长度可以制备出具有优异吸 波性能的SiC。
附图说明
图1为实施例1步骤一得到的废纸浆的SEM图。图中回收后纸张纤维素以层状结构搭 接，纤维素的平均厚度为10μm。
图2为实施例1制备的SiC的SEM图，1400℃下制备的SiC基本保持回收处理后纸张的微观形貌。
图3为实施例1、实施例2和实施例3制备的SiC的XRD对比图；
图4为实施例2制备的SiC的SEM图；
图5为实施例3制备的SiC的SEM图；
图6是实施例3制备的SiC的反射损耗与频率、厚度的关系图；
图7为实施例3制备的SiC的HRTEM图；
图8为实施例3制备的SiC的选区电子衍射图。
具体实施方式
具体实施方式一：本实施方式一种采用废纸制备碳化硅的方法具体是按以下步骤完成 的：
一、纸浆回收：将废纸依次进行分离、漂洗、过滤和干燥，回收废纸纤维素并制浆，得到废纸浆；
二、碳化处理：将废纸浆在惰性气体保护下进行炭化处理，得到纤维素基碳骨架；
三、烧结：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，然后烧结，再冷却至室温，得到碳化硅。
本实施方式在SiC生成的过程中，体系中会发生如下化学反应：
固-气反应:
C(s)+Si(s)＝SiC(s) (1)
SiO(g)+2C(s)＝SiC(s)+CO(g) (2)
气相反应:
SiO2(s)+Si(s)＝2SiO(g) (3)
SiO2(s)+C(s)＝SiO(g)+CO(g) (4)
C(s)+CO2(g)＝2CO(g) (5)
SiO(g)+3CO(g)＝SiC(s)+2CO2(g) (6)
本实施方式开发了一种废纸资源化、变废为宝的方法，赋予废纸高附加值，实现生物 质纤维素资源的高效利用。
本实施方式提供一种新型SiC的制备方法，该SiC材料采用废纸回收纤维素作为碳源、 硅粉和二氧化硅为硅源，然后在惰性气体环境下进行高温烧结，最终制备出由废纸生产的 SiC材料，制备的SiC材料吸波性能优异；
本实施方式通过改变烧结温度可调节由废纸生产的SiC材料的形貌、纳米线数量以及 长度；
本实施方式通过改变由废纸生产的SiC材料的形貌、纳米线数量以及长度可以制备出 具有优异吸波性能的SiC。
具体实施方式二：本实施方式与具体实施方式一不同的是：步骤一中所述废纸为普通 文化用纸废纸。其它与具体实施方式一相同。
具体实施方式三：本实施方式与具体实施方式一或二不同的是：步骤一中所述分离过 是将废纸切成碎片加入到蒸馏水中，以2000r/min转速搅拌分散20～40h；所述废纸的质量 与蒸馏水的体积比为1g:(45～55)mL。其它与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四：本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是：步骤一中所述漂 洗是通过蒸馏水反复冲洗。其它与具体实施方式一至三之一相同。
本实施方式的目的是除去分散液中的污垢和填料。
具体实施方式五：本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是：步骤一中所述过 滤为真空抽滤。其它与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六：本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是：步骤一中所述干 燥是在温度为100～120℃下进行干燥。其它与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七：本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是：步骤二中所述炭 化处理是在温度为750～850℃下处理2～3h。其它与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八：本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是：步骤二中所述所 述惰性气体为氮气或氩气。其它与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九：本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是：步骤二中所述干 燥的温度为40～100℃，时间为0.2～4h。其它与具体实施方式一至八之一相同。
具体实施方式十：本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是：步骤三中所述反 应硅源为硅粉，所述纤维素基碳骨架中C元素与反应硅源硅源中Si元素的摩尔比(1.5～2.5):1。其它与具体实施方式一至九之一相同。
具体实施方式十一：本实施方式与具体实施方式一至十之一不同的是：步骤三中将纤 维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，然后烧结，再冷却至室温，得到碳化硅具体是按以下 步骤进行的：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，得到盛有反应物的刚玉坩埚；以氩 气作保护气，将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400～1600℃下烧结3h，冷却至室温，得 到碳化硅。其它与具体实施方式一至十之一相同。
通过以下实施例验证本发明的有益效果：
实施例1：一种采用废纸制备碳化硅的方法具体是按以下步骤完成的：
一、纸浆回收：将2g普通文化用纸废纸切成碎片加入到100mL蒸馏水中，以每分钟2000转转速搅拌分散20h，由大量蒸馏水反复冲洗掉分散液中的污垢和填料，采用真空抽滤方法进行过滤收集回收纤维素，将过滤后纤维素于105℃下干燥处理，得到废纸浆；
二、碳化处理：将废纸浆在氮气或氩气保护下在温度为800℃下处理2h，得到纤维素 基碳骨架；
三、烧结：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，得到盛有反应物的刚玉坩埚；以 氩气作保护气，将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400℃下烧结3h，冷却至室温，得到碳 化硅；所述纤维素基碳骨架中C元素与反应硅源硅源中Si元素的摩尔比2:1。
实施例2：本实施例与实施例1的不同之处在于：步骤三中将盛有反应物的刚玉坩埚 在温度为1500℃下烧结3h。其他与实施例1相同。
实施例3：本实施例与实施例1的不同之处在于：步骤三中将盛有反应物的刚玉坩埚 在温度为1600℃下烧结3h。其他与实施例1相同。
图1为实施例1步骤一得到的废纸浆的SEM图。图中回收后纸张纤维素以层状结构搭 接，纤维素的平均厚度为10μm。
图2为实施例1制备的SiC的SEM图，1400℃下制备的SiC基本保持回收处理后纸张的微观形貌。
图3为实施例1、实施例2和实施例3制备的SiC的XRD对比图，从实施例1曲线看 出衍射峰均为SiC特征峰；在衍射角2θ为33.6°处为SiC的堆垛层错。此曲线显示制备的 SiC多孔陶瓷为立方相3C-SiC陶瓷。1500℃下，制备的SiC多孔陶瓷仍为立方相3C-SiC 陶瓷，碳化硅的堆垛层错特征峰较1400℃下升高。
图4为实施例2制备的SiC的SEM图；从图中可以看出1500℃下制备的SiC保持回 收处理后纸张的微观形貌的同时在纤维素表面有密集的SiC纳米线生成。
图5为实施例3制备的SiC的SEM图；图示表明1600℃时已经有大量较长的SiC纳 米线生成。
图6是实施例3制备的SiC的反射损耗与频率、厚度的关系图；由图可知，1600℃下产物的最大反射损耗值最大为22dB，对应频段为12.8～18GHz，厚度2.2mm。
图7为实施例3制备的SiC的HRTEM图；图片中黑线和阴影区域代表1600℃下制备的SiC晶体内部具有大量的堆垛层错缺陷，与XRD结果分析吻合。
图8为实施例3制备的SiC的选区电子衍射图；图中亮点和亮条纹同样说明1600℃下 制备的SiC晶体内部具有大量的堆垛层错缺陷。

Claims (10)

1.一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于采用废纸制备碳化硅的方法具体是按以下步骤完成的：
一、纸浆回收：将废纸依次进行分离、漂洗、过滤和干燥，回收废纸纤维素并制浆，得到废纸浆；
二、碳化处理：将废纸浆在惰性气体保护下进行炭化处理，得到纤维素基碳骨架；
三、烧结：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，然后烧结，再冷却至室温，得到碳化硅。
2.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤一中所述废纸为普通文化用纸废纸。
3.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤一中所述分离过是将废纸切成碎片加入到蒸馏水中，以2000r/min转速搅拌分散20～40h；所述废纸的质量与蒸馏水的体积比为1g:(45～55)mL。。
4.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤一中所述漂洗是通过蒸馏水反复冲洗。
5.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤一中所述过滤为真空抽滤。
6.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤一中所述干燥是在温度为100～120℃下进行干燥。
7.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤二中所述炭化处理是在温度为750～850℃下处理2～3h。
8.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤二中所述干燥的温度为40～100℃，时间为0.2～4h。
9.根据权利要求1所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤三中所述反应硅源为硅粉，所述纤维素基碳骨架中C元素与反应硅源硅源中Si元素的摩尔比(1.5～2.5):1。
10.根据权利要求9所述的一种采用废纸制备碳化硅的方法，其特征在于步骤三中将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，然后烧结，再冷却至室温，得到碳化硅具体是按以下步骤进行的：将纤维素基碳骨架包裹在反应硅源内部，得到盛有反应物的刚玉坩埚；以氩气作保护气，将盛有反应物的刚玉坩埚在温度为1400～1600℃下烧结3h，冷却至室温，得到碳化硅。
CN201811044256.7A 2018-09-07 2018-09-07 一种采用废纸制备碳化硅的方法 Pending CN108892512A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811044256.7A CN108892512A (zh) 2018-09-07 2018-09-07 一种采用废纸制备碳化硅的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201811044256.7A CN108892512A (zh) 2018-09-07 2018-09-07 一种采用废纸制备碳化硅的方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108892512A true CN108892512A (zh) 2018-11-27

Family

ID=64359958

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811044256.7A Pending CN108892512A (zh) 2018-09-07 2018-09-07 一种采用废纸制备碳化硅的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108892512A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113788701A (zh) * 2021-09-07 2021-12-14 华中科技大学 3d打印木质纤维素衍生碳化硅陶瓷的制备方法及产品

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1887794A (zh) * 2006-07-13 2007-01-03 西安交通大学 一种SiC基层状复合陶瓷的制备方法
CN101058512A (zh) * 2007-04-06 2007-10-24 西安交通大学 一种SiC基多层管状复合陶瓷的制备方法
CN101134674A (zh) * 2006-07-13 2008-03-05 西安交通大学 一种SiC/BN层状复合陶瓷的制备方法
CN103011166A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 哈尔滨工业大学 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法
CN104961493A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 哈尔滨工业大学 一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1887794A (zh) * 2006-07-13 2007-01-03 西安交通大学 一种SiC基层状复合陶瓷的制备方法
CN101134674A (zh) * 2006-07-13 2008-03-05 西安交通大学 一种SiC/BN层状复合陶瓷的制备方法
CN101058512A (zh) * 2007-04-06 2007-10-24 西安交通大学 一种SiC基多层管状复合陶瓷的制备方法
CN103011166A (zh) * 2012-12-27 2013-04-03 哈尔滨工业大学 一种SiC/SiO2纳米线增强体的合成方法
CN104961493A (zh) * 2015-06-30 2015-10-07 哈尔滨工业大学 一种生物质基多孔碳化硅吸波材料的制备方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
XIAOLIN LAN等: "Facile Synthesis of Highly Defected Silicon Carbide Sheets for Efficient Absorption of Electromagnetic Waves", 《JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY》 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113788701A (zh) * 2021-09-07 2021-12-14 华中科技大学 3d打印木质纤维素衍生碳化硅陶瓷的制备方法及产品

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6998879B2 (ja) グラフェン強化無機マトリックス複合物のケミカルフリー製造
CN109721370A (zh) 氮化硅、陶瓷浆料及制备方法
CN105752962B (zh) 三维石墨烯宏观体材料及其制备方法
US20050209088A1 (en) Silicon carbide thermostable porous structural material and process for producing the same
CN101514105B (zh) 一种碳化硅微粉的制备方法
CN110124691A (zh) 一种花粉碳骨架负载生长二硫化铼光电材料的制备方法
Ding et al. Preparation and characterisation of porous biomorphic SiC/C ceramic from molten salt
CN111944482A (zh) 海胆状碳纳米管包覆Co粒子复合吸波材料的制备方法
CN109251049A (zh) 一种限制复合材料基体内部裂纹扩展的方法
CN108892512A (zh) 一种采用废纸制备碳化硅的方法
CN113264556A (zh) 一种基于膨胀石墨的碳基复合材料及其制备方法和用途
US20230073650A1 (en) Carbon nanotube (cnt)-based three-dimensional ordered macroporous (3dom) material and preparation method thereof
CN112521177B (zh) 一种低熔点多孔陶瓷材料及其制备方法
WO2021172141A1 (ja) 炭素膜
JP2007015901A (ja) カーボンナノチューブ又はナノファイバーを用いたＳｉＣ／ＳｉＣ複合材料の高熱伝導化
CN104085873A (zh) 一种在纤维表面高密度制备碳纳米管的方法
CN107298439B (zh) 一种利用飞秒激光制备石墨烯片的方法
Zhang et al. Self-assembling of versatile Si3N4@ SiO2 nanofibre sponges by direct nitridation of photovoltaic silicon waste
CN104888708B (zh) 玉米皮基三维多级孔结构碳材料及其制备方法
CN107188181B (zh) 一种低温合成高比表面介孔碳化硅的方法及碳化硅产品
CN108502886A (zh) 一种纳米片状碳化硅的制备方法
CN114315374A (zh) 一种新型的氮化硅基复合陶瓷材料及其制备方法和应用
CN110845241A (zh) 一种多孔氮化铝陶瓷材料的制备方法
CN110845242A (zh) 一种多孔氮化硅陶瓷材料的制备方法
Liu et al. Preparation of porous Fe from biomorphic Fe2O3 precursors with wood templates

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20181127

RJ01 Rejection of invention patent application after publication