CN108878347B - 一种不锈钢晶片载体及其制备方法 - Google Patents

一种不锈钢晶片载体及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108878347B
CN108878347B CN201810720891.6A CN201810720891A CN108878347B CN 108878347 B CN108878347 B CN 108878347B CN 201810720891 A CN201810720891 A CN 201810720891A CN 108878347 B CN108878347 B CN 108878347B
Authority
CN
China
Prior art keywords
stainless steel
wafer carrier
steel wafer
flat
quenched
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810720891.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108878347A (zh
Inventor
姚力军
潘杰
王学泽
张林桥
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Original Assignee
Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd filed Critical Ningbo Jiangfeng Electronic Material Co Ltd
Priority to CN201810720891.6A priority Critical patent/CN108878347B/zh
Publication of CN108878347A publication Critical patent/CN108878347A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108878347B publication Critical patent/CN108878347B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

一种不锈钢晶片载体及其制备方法,涉及晶片制造领域,该不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,在加热过程中,其下表面受热膨胀的速率大于上表面受热膨胀的速率,微拱型的构造最终会趋于平整,从而能够保证晶片加工过程中的精度。同时,其采用不锈钢材质,材料价格是因瓦合金的1/4,大大降低了生产成本,并且其硬度高,耐磨损,具有更长的使用寿命。一种不锈钢晶片载体的制备方法,该制备方法的操作简单,并且对设备要求不高,能够快速高效地得到上述不锈钢晶片载体。

Description

一种不锈钢晶片载体及其制备方法
技术领域
本发明涉及晶片制造领域,具体而言,涉及一种不锈钢晶片载体及其制备方法。
背景技术
晶片载体是在晶片加工过程中用于对晶片进行承载的薄片,其在使用过程中,需要承受一定程度的高温。由于晶片加工过程中,对于精度的要求较高,这就要求晶片载体在高温下能够保持较好的平整性。
热膨胀是所有材料都存在的一种特性,当晶片载体在受热的时候,或多或少都会因受热膨胀而导致变形。并且,由于热量的传递是由晶片载体的下表面传递至上表面,因此下表面的膨胀变形比上表面严重,导致晶片载体的边缘翘起,严重影响晶片加工过程的精度。
为了解决上述问题,现有技术中,采用热膨胀系数小的因瓦合金(俗称不变钢)来加工制成晶片载体,但这种材料的价格高昂,价格大约是不锈钢的4倍。同时,因瓦合金相比与不锈钢来说,其硬度仅为不锈钢的1/4,制成的晶片载体在反复使用的过程中,容易划伤,使用寿命较短。
发明内容
本发明的目的在于提供一种不锈钢晶片载体,其成本低、硬度高、使用寿命长,并且其在受热情况下能够保持平整,不影响晶片加工的精度。
本发明的另一目的在于提供一种上述不锈钢晶片载体的制备方法,其操作简单,对设备要求不高,能够快速高效地得到上述不锈钢晶片载体。
本发明的实施例是这样实现的:
一种不锈钢晶片载体,该不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,其具有相对的上表面和下表面,不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷,不锈钢晶片载体的上表面的中部向外凸起。
一种上述不锈钢晶片载体的制备方法,其包括:
在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片;
失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
本发明实施例的有益效果是:
本发明实施例提供了一种不锈钢晶片载体,该不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,其具有相对的上表面和下表面,不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷,不锈钢晶片载体的上表面的中部向外凸起。该不锈钢晶片在加热过程中,下表面受热膨胀的速率大于上表面受热膨胀的速率,微拱型的构造最终会趋于平整,从而能够保证晶片加工过程中的精度。同时,其采用不锈钢材质,材料价格是因瓦合金的1/4,大大降低了生产成本,并且其硬度高,耐磨损,具有更长的使用寿命。
本发明实施例还提供了一种上述不锈钢晶片载体的制备方法,其在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。由于加工余量的不同,失衡不锈钢薄片的上表面和下表面的应力大小不一致,导致失衡不锈钢薄片在自然状态下会拱起,形成微拱型的不锈钢晶片载体。该制备方法的操作简单,并且对设备要求不高,能够快速高效地得到上述不锈钢晶片载体。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本发明的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为表面平整的不锈钢晶片载体在受热状态下的形变过程示意图;
图2为本发明实施例所采用的微拱型的不锈钢晶片载体在受热状态下的形变过程示意图;
图3为本发明实施例所采用的平整的淬火态不锈钢的内部应力分布示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。实施例中未注明具体条件者,按照常规条件或制造商建议的条件进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者,均为可以通过市售购买获得的常规产品。
下面对本发明实施例的一种不锈钢晶片载体及其制备方法进行具体说明。
本发明实施例提供了一种不锈钢晶片载体,该不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,其具有相对的上表面和下表面,不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷,不锈钢晶片载体的上表面的中部向外凸起。
热膨胀是所有材料都存在的一种特性,当晶片载体在受热的时候,或多或少都会因受热膨胀而导致变形。为了解决上述问题,现有技术中,采用热膨胀系数小的因瓦合金来加工制成晶片载体,但这种材料的价格高昂,价格大约是不锈钢的4倍。同时,因瓦合金相比与不锈钢来说,其硬度仅为不锈钢的1/4,制成的晶片载体在反复使用的过程中,容易划伤,使用寿命较短。
因瓦合金的热膨胀系数通常为1.5×10-6K-1,而在本发明实施例中,采用的不锈钢晶片载体热膨胀系数为10×10-6~15×10-6K-1,不锈钢的热膨胀系数数倍于因瓦合金。如图1所示,当采用平整的不锈钢晶片载体时,在加热过程中,由于热量的传递是由晶片载体的下表面传递至上表面,因此下表面的膨胀变形比上表面严重,导致晶片载体的边缘翘起,严重影响晶片加工过程的精度。而采用本发明实施例所提供的微拱型的不锈钢晶片载体,如图2所示,在加热过程中,由于下表面的膨胀变形比上表面严重,最终会微拱型的表面会趋于平整,从而能更好地保证晶片加工的精度。
可选地,本发明实施例所采用的不锈钢晶片载体的直径为300~500mm,厚度为1~2mm。不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷的深度为0.05~0.3mm。在上述尺寸范围内的不锈钢晶片载体均能在热膨胀后保持较好的平整性,保证晶片加工的精度。
本发明实施例所提供的不锈钢晶片载体在表面温度为125~150℃的工作台上进行加热时,上表面和下表面膨胀由于膨胀程度的差异会趋于形成平面;其中,不锈钢晶片载体的下表面为不锈钢晶片载体面向工作台的一侧,其膨胀变形的程度大于上表面。
本发明实施例还提供了一种上述不锈钢晶片载体的制备方法,其包括:
在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片;
失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
如图3所示,平整的淬火态不锈钢,其内部的应力处于平衡状态。并且,由于淬火冷却时表面会先冷却,然后再是逐步向内部冷却,因此,在不同的厚度区域,应力大小不一样,相对来说,淬火态不锈钢的表层应力最大,中间应力最小。当在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量时,原本的应力平衡状态被打破,得到平整的失衡不锈钢薄片的上表面和下表面应力不一致,就会自然拱起,形成微拱型的不锈钢晶片载体。
可选地,淬火态不锈钢的上表面和下表面的加工余量之比为1:0.4~0.6。淬火态不锈钢的上表面加工余量更多,得到的失衡不锈钢薄片的上表面更接近原淬火态不锈钢的中间层,应力更小。相反的,淬火态不锈钢的下表面加工余量更少,得到的失衡不锈钢薄片的下表面更接近原淬火态不锈钢的表层,应力更大。在这种不均衡的应力作用下,失衡不锈钢薄片的下表面内凹,上表面外凸,得到微拱型的不锈钢晶片载体。可选地,淬火态不锈钢的上表面的加工余量为0.8~1.2mm。淬火态不锈钢的下表面的加工余量为0.3~0.7mm。
以下结合实施例对本发明的特征和性能作进一步的详细描述。
实施例1
本实施例提供了一种不锈钢晶片载体,其制备方法为:
S1.在平整的淬火态不锈钢的上表面去除1.2mm的加工余量,在平整的淬火态不锈钢的下表面去除0.7mm的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。
S2.失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
该不锈钢晶片载体的直径为500mm,厚度为2mm,其下表面的中部向内凹陷的深度为0.3mm。其热膨胀系数为10.62×10-6K-1,在125℃下加热一段时间后表面基本平整。
实施例2
本实施例提供了一种不锈钢晶片载体,其制备方法为:
S1.在平整的淬火态不锈钢的上表面去除0.8mm的加工余量,在平整的淬火态不锈钢的下表面去除0.35mm的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。
S2.失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
该不锈钢晶片载体的直径为300mm,厚度为1mm,其下表面的中部向内凹陷的深度为0.05mm。其热膨胀系数为13.87×10-6K-1,在150℃下加热一段时间后表面基本平整。
实施例3
本实施例提供了一种不锈钢晶片载体,其制备方法为:
S1.在平整的淬火态不锈钢的上表面去除1mm的加工余量,在平整的淬火态不锈钢的下表面去除0.5mm的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。
S2.失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
该不锈钢晶片载体的直径为350mm,厚度为1.5mm,其下表面的中部向内凹陷的深度为0.2mm。其热膨胀系数为11.25×10-6K-1,在125℃下加热一段时间后表面基本平整。
实施例4
本实施例提供了一种不锈钢晶片载体,其制备方法为:
S1.在平整的淬火态不锈钢的上表面去除1.1mm的加工余量,在平整的淬火态不锈钢的下表面去除0.6mm的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。
S2.失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
该不锈钢晶片载体的直径为400mm,厚度为1.8mm,其下表面的中部向内凹陷的深度为0.2mm。其热膨胀系数为12.63×10-6K-1,在150℃下加热一段时间后表面基本平整。
实施例5
本实施例提供了一种不锈钢晶片载体,其制备方法为:
S1.在平整的淬火态不锈钢的上表面去除0.8mm的加工余量,在平整的淬火态不锈钢的下表面去除0.4mm的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。
S2.失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成不锈钢晶片载体。
该不锈钢晶片载体的直径为300mm,厚度为1.6mm,其下表面的中部向内凹陷的深度为0.12mm。其热膨胀系数为14.16×10-6K-1,在125℃下加热一段时间后表面基本平整。
综上所述,本发明实施例提供了一种不锈钢晶片载体,该不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,其具有相对的上表面和下表面,不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷,不锈钢晶片载体的上表面的中部向外凸起。该不锈钢晶片在加热过程中,下表面受热膨胀的速率大于上表面受热膨胀的速率,微拱型的构造最终会趋于平整,从而能够保证晶片加工过程中的精度。同时,其采用不锈钢材质,材料价格是因瓦合金的1/4,大大降低了生产成本,并且其硬度高,耐磨损,具有更长的使用寿命。
本发明实施例还提供了一种上述不锈钢晶片载体的制备方法,其在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片。由于加工余量的不同,失衡不锈钢薄片的上表面和下表面的应力大小不一致,导致失衡不锈钢薄片在自然状态下会拱起,形成微拱型的不锈钢晶片载体。该制备方法的操作简单,并且对设备要求不高,能够快速高效地得到上述不锈钢晶片载体。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不用于限制本发明,对于本领域的技术人员来说,本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种不锈钢晶片载体,其特征在于,所述不锈钢晶片载体整体为微拱的圆片状,其具有相对的上表面和下表面,所述不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷,所述不锈钢晶片载体的上表面的中部向外凸起;
所述不锈钢晶片载体的制备方法包括:在平整的淬火态不锈钢的上表面和下表面分别去除不同的加工余量,得到平整的失衡不锈钢薄片;
所述失衡不锈钢薄片在自然状态下拱起,形成所述不锈钢晶片载体。
2.根据权利要求1所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述不锈钢晶片载体热膨胀系数为10×10-6~15×10-6K-1
3.根据权利要求2所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述不锈钢晶片载体的直径为300~500mm。
4.根据权利要求3所述的不锈钢晶片载体X,其特征在于,所述不锈钢晶片载体的厚度为1~2mm。
5.根据权利要求4所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述不锈钢晶片载体的下表面的中部向内凹陷的深度为0.05~0.3mm。
6.根据权利要求5所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述不锈钢晶片载体在表面温度为125~150℃的工作台上进行加热时,所述不锈钢晶片载体的上表面和下表面膨胀形成平面;其中,所述不锈钢晶片载体的下表面为所述不锈钢晶片载体面向所述工作台的一侧。
7.根据权利要求1所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述淬火态不锈钢的上表面和下表面的加工余量之比为1:0.4~0.6。
8.根据权利要求1所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述淬火态不锈钢的上表面的加工余量为0.8~1.2mm。
9.根据权利要求8所述的不锈钢晶片载体,其特征在于,所述淬火态不锈钢的下表面的加工余量为0.3~0.7mm。
CN201810720891.6A 2018-07-03 2018-07-03 一种不锈钢晶片载体及其制备方法 Active CN108878347B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810720891.6A CN108878347B (zh) 2018-07-03 2018-07-03 一种不锈钢晶片载体及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810720891.6A CN108878347B (zh) 2018-07-03 2018-07-03 一种不锈钢晶片载体及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108878347A CN108878347A (zh) 2018-11-23
CN108878347B true CN108878347B (zh) 2020-11-27

Family

ID=64298799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810720891.6A Active CN108878347B (zh) 2018-07-03 2018-07-03 一种不锈钢晶片载体及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108878347B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110961489B (zh) * 2019-12-20 2021-06-15 芜湖通潮精密机械股份有限公司 一种气体扩散器的平面度热整形处理工艺

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1359469A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
CN101339926A (zh) * 2003-10-30 2009-01-07 住友电气工业株式会社 半导体用氮化物衬底及其制备方法
CN103871837A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善晶圆翘曲度的方法
CN205452236U (zh) * 2016-03-28 2016-08-10 厦门市三安集成电路有限公司 一种平坦化的晶片结构
CN107785244A (zh) * 2017-09-27 2018-03-09 厦门三安光电有限公司 一种半导体外延生长方法及其石墨承载盘

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1359469A1 (en) * 2002-05-01 2003-11-05 ASML Netherlands B.V. Chuck, lithographic projection apparatus, method of manufacturing a chuck and device manufacturing method
CN101339926A (zh) * 2003-10-30 2009-01-07 住友电气工业株式会社 半导体用氮化物衬底及其制备方法
CN103871837A (zh) * 2012-12-18 2014-06-18 上海华虹宏力半导体制造有限公司 改善晶圆翘曲度的方法
CN205452236U (zh) * 2016-03-28 2016-08-10 厦门市三安集成电路有限公司 一种平坦化的晶片结构
CN107785244A (zh) * 2017-09-27 2018-03-09 厦门三安光电有限公司 一种半导体外延生长方法及其石墨承载盘

Also Published As

Publication number Publication date
CN108878347A (zh) 2018-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3033307B1 (en) Methods of manufacturing glass articles using anisothermal temperature profiles
JP4556962B2 (ja) ブランク材の残留応力を低減する方法、ブランク材及び情報記録媒体用ガラス基板の製造方法
CN108878347B (zh) 一种不锈钢晶片载体及其制备方法
WO2017188145A1 (ja) サセプタ
JP5033768B2 (ja) 薄板状ガラス成形体の製造方法及びディスク状磁気記録媒体の製造方法
JP5449938B2 (ja) ガラスブランク、ガラスブランク製造方法、情報記録媒体用基板製造方法および情報記録媒体製造方法
CN206337164U (zh) 一种使用于3d玻璃的退火窑陶瓷辊
JP4508955B2 (ja) 材料複合体ウェーハの製造方法
JP2010265124A (ja) ガラス光学部材の熱処理方法およびガラス光学素子の製造方法
JP2002308631A (ja) ガラス成形体の製造方法、基板の製造方法、及び情報記録媒体の製造方法
Harner et al. After 100 Years, the Uses for Invar Continue to Multiply
JP6198780B2 (ja) 磁気ディスク用ガラスブランク及び磁気ディスク用ガラスブランクの製造方法
JP2008150225A (ja) ガラス光学素子成形用のプレス金型、その製造方法および製造装置
US20240343629A1 (en) Silicon mold for high temperature compression molding and preparation method thereof
JP2013252986A (ja) 光学素子の成形装置、成形型及び光学素子の成形方法
JP2006093283A (ja) ウェーハ支持具
JPH06263458A (ja) 光学素子の成形用材料および成形方法
JP5497612B2 (ja) ガラスブランク及びその製造方法、並びに磁気記録媒体基板及び磁気記録媒体の製造方法
KR102192151B1 (ko) 박막 증착용 고분자 지그
JP6598071B2 (ja) ガラス基板の熱処理方法
JP2009167062A (ja) ガラス熱処理用治具
JP5824261B2 (ja) 石英ガラス成形体の製造用型材の組み立て方法
JP2015224145A (ja) サファイア基板、サファイア基板の製造方法
JP2024102790A (ja) セラミックウェハ及びその製造方法
CN114310500A (zh) 新型高精度钼合金圆片的加工方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant