CN108855060A - 一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法 - Google Patents
一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法 Download PDFInfo
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Abstract
本发明涉及一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法,所述光催化材料呈哑铃状结构,包括金纳米棒,以及包覆在金纳米棒两端的纳米钯颗粒,且所述金纳米棒的中间部分未被纳米钯颗粒包覆。本发明形成的纳米钯颗粒与金纳米棒哑铃状结构,具有较高的稳定性和较宽的吸光范围,且制备方法简单、反应条件温和,环境友好,有望广泛地应用到光催化、太阳能电池、光电转换等诸多方面,具有广阔的应用前景。
Description
技术领域
本发明属于催化剂制备技术领域,具体涉及一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法。
背景技术
能源与人类生活息息相关,是社会存在和发展的基础。太阳能作为一种发展潜力很大的新能源,具有环境友好,取之不尽、用之不竭等优点。然而,现有大部分催化剂,属于宽禁带半导体化合物,光吸收范围窄,仅对太阳光中约占3%~5%的紫外光区具有光敏性,可见光利用率很低。最近,具有表面等离激元共振(SPR)特性的金纳米颗粒已被应用于可见光催化,特别是具有可调的纵向等离激元共振峰(LSPR)的金纳米棒结构。金纳米棒与常见高活性助催化剂复合,金纳米棒的存在可弥补吸收助催化剂在光吸收上的不足,助催化剂则作为催化反应的活性位点,这种新型高效的异相光催化剂引起研究者的广泛关注。
光催化反应的量子效率低是其难以实用化的最为关键因素之一。量子效率取决于载流子的产率和复合几率,而载流子复合过程则主要取决于两个因素:载流子在催化剂表面的俘获过程;表面电荷迁移过程。因此,增加载流子的俘获或提高表面电荷迁移速率能够有效抑制载流子复合,增加光催化反应的量子效率。为提高热电子电荷分离效率,目前国内外所报道的修饰金纳米棒的材料,主要有二氧化钛、石墨烯、铂钯合金、铂、钯等,这些催化剂主要以核壳结构的形式存在,即金纳米棒作为内核,修饰材料作为外壳,因为金纳米棒被包裹在内部,对于其发挥金纳米棒的优势具有不利作用。
发明内容
针对上述问题,本发明的目的在于提供一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料及其制备方法。
一方面,本发明提供了一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料,所述光催化材料呈哑铃状结构,包括金纳米棒,以及包覆在金纳米棒两端的纳米钯颗粒,且所述金纳米棒的中间部分未被纳米钯颗粒包覆。
本发明中光催化材料包括金纳米棒,以及包覆在金纳米棒两端的纳米钯颗粒,呈哑铃状结构。其中,金纳米棒在可见光区具有两个共振吸收峰,在本发明的光催化材料的哑铃状结构中,金纳米棒与钯纳米颗粒复合,将弥补纳米钯颗粒在光吸收上的不足。同时金纳米棒还具有电子存储功能,在可见光的照射下,金纳米棒的局域等离子体共振效应(LSPR)可促使其激发产生热电子,跨越与钯颗粒形成的势垒,注入到钯颗粒上,实现光生电荷的分离;并且,金纳米棒的LSPR效应还具有增强入射光局部电场的功能,这些性质均有助于光催化性能的提高。而且,所述光催化材料的哑铃状结构中,金纳米棒中间部分未被纳米钯颗粒包覆而完全暴露,既增强了其对可见光的吸收,又提供了金纳米棒与反应物充足的接触面,最为重要的是,在紫外或可见光照射下,此结构可实现光生电荷的独立分区分布。并且在应用过程中,光生电荷独立分区分布减少了光生电荷的复合,有利于光生电荷的分离,有利于氧化还原反应同时进行。
较佳地,所述纳米钯颗粒与金纳米棒的摩尔比为(0.5~5):1,优选(1~3):1。
较佳地,所述金纳米棒的长度为123.6~135.8nm,直径为20.0~23.2nm。
较佳地,所述纳米钯颗粒的粒径为6~45nm,优选13.6~43.5nm。
另一方面,本发明还提供了一种上述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料的制备方法,将金纳米棒加入阳离子表面活性剂和溶剂的混合液中,混合后依次再加入氯钯酸、硝酸银和还原剂,然后在25~60℃下反应6~24小时,得到所述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料。
本发明先利用阳离子表面活性剂对金纳米棒进行修饰。表面活性剂中的卤素离子与金纳米颗粒之间具有较强的亲和力,其强弱顺序为I->Br->Cl-。在其他实验条件相同的情况下,与CTAB(Br-)、5-溴水杨酸相比,CTAC(Cl-)的亲和力较弱,且AuNR两端的曲率相对中间部分要高一些,则CTAC双分子吸附层在两端具有更稀疏的结构。在该结构形成过程中,首先是在弱还原剂抗坏血酸的作用下,Ag+通过欠电位沉积在AuNRs表面形成 AgUPD,随后前驱体溶液中的Pd2+与AgUPD发生置换反应,在AuNRs两端形成不连续的孤岛状纳米钯颗粒。分析可得,形成这种新奇形貌的原因有三个:其一,与表面活性剂CTAB、 5-溴水杨酸的作用相比,表面活性剂CTAC作用下形成的AgUPD更稳定,Pd与AgUPD的置换反应更难发生;其二是AuNRs本身形貌特征—两端具有高曲率的弧面,使得表面活性剂在两端吸附相对在侧面吸附较为疏松,则Pd与AgUPD在AuNRs两端发生置换反应的几率要比在AuNRs侧面发生的几率要大;其三是置换反应产生晶格空位,使得两端的纳米钯颗粒呈不连续孤岛状。
较佳地,所述阳离子表面活性剂为十六烷基氯化铵CTAC、十六烷基溴化铵CTAB和5-溴水杨酸中的至少一种。
较佳地,所述阳离子表面活性剂和金纳米棒的摩尔比为(15~30):1。
较佳地,所述金纳米棒、氯钯酸和硝酸银的摩尔比为1:(0.5~5):(0.07~0.7)。
较佳地,所述溶剂为去离子水,所述还原剂为抗坏血酸、柠檬酸钠和乙二醇中的至少一种。
较佳地,所述氯钯酸和还原剂的摩尔比为1:(0.1~1)。
较佳地,所述金纳米棒的制备方法包括;
(1)将氯金酸加入到十六烷基溴化铵CTAB溶液中,再加入硼氢化钠在25~45℃下还原30~150分钟,得到种子溶液;
(2)将十六烷基溴化铵CTAB和油酸钠均匀混合后,依次加入硝酸盐、氯金酸、浓盐酸、抗坏血酸以及种子溶液,得到生长溶液;
(3)将所得生长溶液在25~45℃下生长6~24小时,再经离心、洗涤处理、得到金纳米棒。
又,较佳地,步骤(1)中,所述氯金酸、十六烷基溴化铵CTAB和硼氢化钠的摩尔比为1:(2~5):(300~500)。
又,较佳地,步骤(2)中,所述抗坏血酸、硝酸银、氯金酸、油酸钠、十六烷基溴化铵CTAB的摩尔比为1:(1~3):(2~5):(40~60):(200~500)。
又,较佳地,步骤(2)中,所述浓盐酸的浓度为10~12mol/L,用量为生长溶液总体积的0.5~1.5%。
又,较佳地,步骤(2)中,所述种子溶液的浓度为2.1×10-4~2.5×10-4mol/L,用量为生长溶液总体积的0.05~0.1%。
本发明形成的纳米钯颗粒与金纳米棒哑铃状结构,具有较高的稳定性和较宽的吸光范围,且制备方法简单、反应条件温和,环境友好,有望广泛地应用到光催化、太阳能电池、光电转换等诸多方面,具有广阔的应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例1制备的金纳米棒的低倍透射电子显微镜(TEM)照片;
图2为本发明实施例1制备的金纳米棒的高倍透射电子显微镜(HRTEM)照片;
图3为本发明实施例1制备的金纳米棒的紫外-可见-近红外吸收光谱(UV-vis-IR)谱图;
图4-6分别为本发明实施例2-4调控氯钯酸与金纳米棒的摩尔比所制备的具有哑铃状结构的光催化材料的TEM照片;
图7为本发明实施例2-4制备的具有哑铃状结构的光催化材料的紫外-可见-近红外吸收光谱 (UV-vis-IR)谱图;
图8为本发明实施例5处理的具有哑铃状结构的光催化材料随时间变化的产氢量;
图9为本发明实施例5处理的具有哑铃状结构的光催化材料的产氢率;
图10-12分别为本发明实施例6-8调控还原剂与氯钯酸的摩尔比所制备的具有哑铃状结构的光催化材料的TEM照片;
图13为本发明实施例6-8制备的具有哑铃状结构的光催化材料的紫外-可见-近红外吸收光谱 (UV-vis-IR)谱图;
图14为本发明实施例9制备的具有哑铃状结构的光催化材料随时间变化的产氢量;
图15为本发明实施例9制备的具有哑铃状结构的光催化材料的产氢率。
具体实施方式
以下通过下述实施方式进一步说明本发明,应理解,下述实施方式仅用于说明本发明,而非限制本发明。
本发明中,所述光催化材料主要由纳米钯颗粒和金纳米棒组成,纳米钯颗粒包覆在金纳米棒两端,金纳米棒中间部分未被纳米钯颗粒包覆而完全暴露,使得所述光催化材料呈哑铃状结构。所述金纳米棒的长度可为123.6~135.8nm,直径可为20.0~23.2nm。所述纳米钯颗粒和金纳米棒的摩尔比可为(0.5~5):1,优选(1~3):1。所述纳米钯颗粒的粒径可为6~45nm,优选13.6~43.5nm。
本发明采用种子溶液法合成金纳米棒,对金纳米棒原液进行预处理,再利用阳离子表面活性剂对金纳米棒重新修饰,在修饰过的金纳米棒溶液中,利用银离子作为结构导向剂,氯钯酸作为纳米钯颗粒的前驱体,通过还原剂的作用,从而得到所述光催化材料。以下示例性地说明本发明提供的金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料。
金纳米棒的合成包括种子溶液的制备和生长溶液的制备。种子溶液的制备。将HAuCl4·3H2O加入到十六烷基溴化铵(CTAB)溶液中形成Au(III)-CTAB配合物,再利用NaBH4进行还原,使用之前在一定条件下反应一段时间。种子溶液制备过程中,在搅拌的条件下,按摩尔比1:(2~5):(300~500)取HAuCl4·3H2O、十六烷基溴化铵(CTAB)以及 NaBH4加入水中至混合均匀。所述金纳米棒合成过程中,种子溶液制备过程中,加入 NaBH4后需剧烈搅拌0.5~2min,反应条件为25~45℃下静置30~150min,优选30~35℃下静置30~90min。
生长溶液的制备。将表面活性剂十六烷基溴化铵和油酸钠溶于30~90℃(优选40~ 90℃)的热水中,待溶液冷却,依次加入硝酸盐、氯金酸、浓盐酸、抗坏血酸以及种子溶液,一定条件下反应一段时间,得到金棒原液。生长溶液的反应条件为25~45℃下静置6~24h,优选,优选30~35℃下静置10~18h。再将金纳米棒原液进行离心、洗涤处理,得到金纳米棒样品。生长溶液制备过程中,抗坏血酸、硝酸银、氯金酸、油酸钠、十六烷基溴化铵的摩尔比为1:(1~3):(2~5):(40~60):(200~500);浓盐酸(10~12mol/L)以及种子溶液(浓度2.1×10-4~2.5×10-4mol/L)的用量分别为总体积的0.5~1.5%、0.05~0.1%。
采用上述制备方法在优选条件下可得到平均长度129.7±6.1nm,平均宽度(直径)21.6±1.6nm,单分散性好、高产率的金纳米棒。
将金纳米棒加入阳离子表面活性剂和溶剂的混合液中,得到混合溶液。其中,所述阳离子表面活性剂可为十六烷基氯化铵CTAC、十六烷基溴化铵CTAB和5-溴水杨酸中的至少一种。所述阳离子表面活性剂(例如十六烷基氯化铵(CTAC))与生长溶液中氯金酸的摩尔比可为(15~30):1,可以基本看作是阳离子表面活性剂和金纳米棒的摩尔比(15~ 30):1。所述溶剂为去离子水。具体来说,向金纳米棒样品中加入阳离子表面活性剂(例如十六烷基氯化铵(CTAC)等),对金纳米棒进行表面修饰。
在上述混合溶液液中再加入氯钯酸、硝酸银和还原剂,然后在25~60℃下反应6~24小时,得到所述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料。具体来说,在搅拌的条件下,向处理后的金纳米棒中依次加入氯钯酸、硝酸银和还原剂(例如抗坏血酸),25~60℃下反应6~24h,得到所述哑铃状结构的光催化材料。所述哑铃状结构的光催化材料的制备条件优选为30~60℃下反应6~24h。所述还原剂可为抗坏血酸、柠檬酸钠和乙二醇中的至少一种。所述金纳米棒、氯钯酸和硝酸银的摩尔比可为1:(0.5~5):(0.07~0.7)。所述氯钯酸和还原剂的摩尔比可为1:(0.1~1)。作为一个示例,按摩尔比1:(0.5~5): (0.07~0.7)取经阳离子表面活性剂修饰的金纳米棒、氯钯酸与硝酸银加入水中搅拌至溶解,再再向其中加入还原剂抗坏血酸,控制抗坏血酸与氯钯酸的摩尔比为(0.1~1):1,置于恒温水浴锅中25~45℃反应6~24h,再进行离心、洗涤处理,得到具有哑铃状结构的光催化材料。
对上述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料进行离心、洗涤处理,得到光催化材料样品,进行形貌与结构分析。再利用高氯酸将残留表面活性剂处理干净,进行光催化产氢测试。具体来说,阳离子表面活性剂的存在对所述光催化材料的光催化性能有一定影响,可采用氧化性较强的高氯酸对所述材料进行预处理,高氯酸的浓度为50~70%。
本发明通过控制氯钯酸与还原剂(抗坏血酸)与的摩尔比在1:(0.1~1)之间,所述纳米钯颗粒的粒径也明显增大。
下面进一步例举实施例以详细说明本发明。同样应理解,以下实施例只用于对本发明进行进一步说明,不能理解为对本发明保护范围的限制,本领域的技术人员根据本发明的上述内容作出的一些非本质的改进和调整均属于本发明的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例,即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适的范围内选择,而并非要限定于下文示例的具体数值。本发明使用的所有原料对其来源没有特别限制,在各大试剂供应商购买即可,同时对其纯度也没有特别限制,本发明优选采用分析纯。本发明所有设备,没有特别限制,可以是本领域中常用的锥形瓶、玻璃小瓶、磁子、搅拌器、恒温水浴锅以及离心机等。
实施例1:金纳米棒的制备
种子溶液的制备,取0.1M的CTAB溶液10mL与0.5mM的氯金酸溶液5mL,置于容量为 30mL的称量瓶,待二者混合均匀,向其中注入新鲜的6mM的硼氢化钠溶液1mL,剧烈搅拌30s,在27℃下静置30min再使用;
生长溶液的制备,量取250mL,60℃的超纯水,置于容量为500mL的锥形瓶中,再称取7g十六烷基溴化铵、1.534g油酸钠,加入到上述锥形瓶中,搅拌至所有原料溶解;待溶液冷却到室温,向溶液中加入4mM的硝酸银20mL,室温静置15min;再向溶液中加入1mM的氯金酸溶液250mL,700rpm搅拌60min;再向溶液加入浓盐酸(37wt%)3.2mL以调节溶液 pH,400rpm搅拌15min;之后,再加入0.1M的抗坏血酸0.8mL,剧烈搅拌30s,紧接着,加入已制得的种子溶液0.6mL,剧烈搅拌30s后,在27℃下反应12h,得到所需金纳米棒原液;
对金纳米棒原液进行纯化处理,转速12000rpm离心20min,并用超纯水清洗两次,得到金纳米棒样品。
下面通过所给出的附图对本实施例中制备得到的金纳米棒进行表征:
图1~2分别是本实施例1制备的金纳米棒的低倍TEM和高倍TEM照片,结合软件NanoMeasurer,从图中可以看到本实施例制备的金纳米棒样品尺寸平均长度129.7±6.1nm,平均宽度(直径)21.6±1.6nm;
图3为本实施例1制备的金纳米棒的UV~vis~IR谱图,在507.60nm和979.79nm处分别对应了短波横向表面等离子体共振吸收峰和长波纵向表面等离子体共振吸收峰;金纳米棒长波纵向表面等离子体共振吸收峰峰位受金纳米棒轴比影响较大,所谓轴比,就是沿长轴方向的长度与沿短轴方向的长度之比;
根据金纳米棒平均轴比计算公式:式中R-金纳米棒的平均轴比;λmax-金纳米棒的长波纵向表面等离子体共振吸收峰峰位;εm-金纳米棒周围介质的介电常数(等于介质折射率的平方);λmax=979.79nm,εm=1.77,推得金纳米棒平均轴比为5.89;与 TEM表征得到的平均轴比6.01,二者较为吻合。
本实施例1中种子溶液制备采用的HAuCl4·3H2O、十六烷基溴化铵(CTAB)以及NaBH4的摩尔比为1:2.4:400。事实上采用HAuCl4·3H2O、十六烷基溴化铵(CTAB)以及NaBH4的摩尔比为1:(2~5):(300~500))范围内也能得到类似的结果。本实施例1中种子溶液制备采用的反应温度为27℃,反应时间为30min。实际上当反应温度在25~35 ℃,反应30~60min,也能得到类似的结果。
本实施例1中生长溶液制备采用的表面活性剂十六烷基溴化铵和油酸钠的质量分别为7g和1.534g。实际上采用十六烷基溴化铵和油酸钠的质量分别在7~9g和1.234~1534g 范围内也能得到类似的结果。
本实施例1中生长溶液制备采用的硝酸银、浓盐酸、种子溶液的用量分别为20mL、3.2mL、0.6mL。实际上采用硝酸银、浓盐酸、种子溶液的用量分别在18~48mL、2.4~ 4.8mL、0.4~0.8mL范围内也能得到类似的结果。
本实施例1中生长溶液制备采用的反应温度为为27℃,反应时间为12h。实际上当反应温度在25~35℃,反应12~18h,也能得到类似的结果。
实施例2
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:1)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸100μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸60μL;该溶液在27℃下反应12h,所得金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料中金纳米棒和纳米钯颗粒的摩尔比为1:1;
图4为实施例2所制备光催化材料的TEM照片,结果显示制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为12.6-15.1nm),并且金纳米棒的中间部分未被包覆而完全暴露。
实施例3
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:2)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸200μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸60μL;该溶液在27℃下反应12h,所得金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料中金纳米棒和纳米钯颗粒的摩尔比为1:2;
图5为实施例3所制备光催化材料的TEM照片,结果显示制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为11.3-13.1nm),呈现哑铃状结构,并且金纳米棒的中间部分未被包覆而完全暴露,与实施例2相比,纳米钯颗粒明显增多。
实施例4
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:3)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸300μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸60μL;该溶液在27℃下反应12h,所得金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料中金纳米棒和纳米钯颗粒的摩尔比为1:3;
图6为实施例4所制备光催化材料的TEM照片,结果显示制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为6.1-7.2nm),呈现哑铃状结构,并且金纳米棒的中间部分未被包覆而完全暴露,与实施例3相比,纳米钯颗粒也明显增多,这说明金纳米棒两端的钯颗粒包覆形状与加入氯钯酸的摩尔量有较大联系。
图7为实施例2-4所制备光催化材料的UV-vis-IR谱图,结果显示实施例2-4制备得到的光催化材料的长波纵向表面等离子体共振吸收峰发生红移,这是因为金纳米棒两端包覆钯纳米颗粒导致其环境折射率变大,相应地金纳米棒所激发的局域表面等离子体共振对光的吸收发生了红移。
上述实施例2-4中采用的还原剂抗坏血酸与氯钯酸的摩尔比均为0.5。事实上采用抗坏血酸与氯钯酸的摩尔比在0.1~1范围内也能得到类似结果。实施例2-4中生长溶液制备采用的反应温度均为27℃,反应时间均为12h。实际上当反应温度在25~35℃,反应12~18h,也能得到类似的结果。
实施例5:光催化产氢实验
实施例2-4中所述光催化材料,由于残余表面活性剂的存在,会降低材料的产氢性能,在此利用HClO4将残余表面活性剂进行氧化处理。具体操作是将HClO4(60wt%10mL)加入到催化剂悬浮液(5mL)中,超声处理10min,离心处理,再水洗两次。所得催化剂与 HCOOH(1M100mL)混合,置于密闭反应容器,利用氙灯(PLS-SXE300,300W)模拟太阳光,420nm截止滤光片去除紫外光,每一小时取样一次,利用气相色谱仪检测H2含量,共反应4小时。图8-9分别是实施例5处理所得具有哑铃状结构的光催化材料随时间变化的产氢量以及产氢率。从图8中可知,相同时间内,样品Au:Pd=1:3的产氢量最高,样品Au:Pd=1:1与样品Au:Pd=1:2产氢量基本一致。研究表明,催化剂颗粒越小、分散性越好,催化活性越好,上述三种样品产氢量的变化规律与透射电镜表征的纳米钯颗粒的粒径变化规律是一致的。从图9中可知三种样品的产氢率,其中样品Au:Pd=1:1产氢率最高,样品 Au:Pd=1:2产氢率最低,样品Au:Pd=1:3居中。产氢率是一定时间内,一定质量催化剂的产氢量。相同时间内,Au:Pd=1:1产氢量不是最高,但其催化剂质量最低,则产氢率最高,同理可以解释Au:Pd=1:2、Au:Pd=1:3产氢率的变化规律。
实施例6
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:3)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸300μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸300μL;该溶液在27℃下反应12h,控制还原剂与氯钯酸的摩尔比为 0.25:1;
图10为实施例6所制备的具有哑铃状结构的光催化材料的TEM照片,结果显示本实施例制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为23.1-25.3nm),呈现哑铃状结构,并且金纳米棒的中间部分未被包覆而完全暴露。
实施例7
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:3)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸300μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸600μL;该溶液在27℃下反应12h,控制还原剂与氯钯酸的摩尔比为 0.5:1;
图11为实施例7所制备的具有哑铃状结构的光催化材料的TEM照片,结果显示本实施例制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为28.3-30.6nm),与实施例6相比,纳米钯颗粒明显增大。
实施例8
将实施例1中所述金纳米棒样品(所述金纳米棒和氯钯酸的摩尔比为1:3)分散在浓度0.1M 体积50mL的十六烷基氯化铵溶液中,从中取出金纳米棒胶体2mL稀释至20mL;搅拌条件下,向溶液中同时加入0.1M的氯钯酸300μL,10mM的硝酸银400μL;接下来,向溶液中加入25mM的抗坏血酸1200μL;该溶液在27℃下反应12h,控制还原剂与氯钯酸的摩尔比为1:1;
图12为实施例8所制备的具有哑铃状结构的光催化材料的TEM照片,结果显示本实施例制备得到的光催化材料在金纳米棒的两端包裹有纳米钯颗粒(粒径约为42.4-44.6nm),与实施例7相比,纳米钯颗粒也明显增大,这说明包覆在金纳米棒两端的钯颗粒大小与加入还原剂抗坏血酸的摩尔量有较大联系。
图13为实施例6-8所制备光催化材料的UV-vis-IR谱图,结果显示实施例6-8制备得到的光催化材料的长波纵向表面等离子体共振吸收峰发生红移,这是因为金纳米棒两端包覆钯纳米颗粒导致其环境折射率变大,相应地金纳米棒所激发的局域表面等离子体共振对光的吸收发生了红移。
上述实施例6-8中采用的金纳米棒与氯钯酸的摩尔比均为1:3。事实上采用金纳米棒与氯钯酸的摩尔比在1:(1~3)范围内也能得到类似结果。实施例6-8中生长溶液制备采用的反应温度为为27℃,反应时间为12h。实际上当反应温度在25~35℃,反应12~18h,也能得到类似的结果。
实施例9:光催化产氢实验
实施例6-8中所述光催化材料,由于残余表面活性剂的存在,会降低材料的产氢性能,在此利用HClO4将残余表面活性剂进行氧化处理。具体操作是将HClO4(60wt%10mL)加入到催化剂悬浮液(5mL)中,超声处理10min,离心处理,再水洗两次。所得催化剂与 HCOOH(1M100mL)混合,置于密闭反应容器,利用氙灯(PLS-SXE300,300W)模拟太阳光,420nm截止滤光片去除紫外光,每一小时取样一次,利用气相色谱仪检测H2含量,共反应4小时。图14-15分别是实施例9处理所得具有哑铃状结构的光催化材料随时间变化的产氢量以及产氢率。从图14中可知,相同时间内,样品AA:Pd=0.5产氢量最高,样品 AA:Pd=1产氢量为0。相应的产氢率由图15中可知,样品AA:Pd=0.5产氢率最高,样品 AA:Pd=1产氢率为0。纳米钯颗粒尺寸由24.1nm增至29.7nm,催化速率增加,可能原因是,样品AA:Pd=0.25对应的钯纳米颗粒尺寸较小,在金棒两端的分散性也很好,但钯纳米颗粒数量很少,则总反应活性位点也很少,对应产氢率较低。对于AA:Pd=0.5,钯纳米颗粒尺寸增大,数量增加,同时具备良好的分散性,则总反应活性位点增加,使得产氢率提高。对于样品AA:Pd=1,钯纳米颗粒尺寸增大的同时,由于还原剂用量大量增加,使得被还原纳米钯颗粒数量也大量增加,钯颗粒则互相紧贴积聚在金棒两端,颗粒分散性变差,造成了总的活性位点减少,电子-空穴重新复合,则光催化活性大幅降低。在此,可得出,控制好还原剂与前驱体的比例,以及金纳米棒与前驱体的比例,对产物的催化活性具有至关重要的作用。
通过上述实施例可见,采用本发明用于光催化产氢的具有哑铃状结构的光催化材料的制备方法,利用种子溶液法合成金纳米棒,对金纳米棒原液进行预处理,再利用阳离子表面活性剂对金纳米棒重新修饰,在修饰过的金纳米棒溶液中,利用银离子作为结构导向剂,氯钯酸作为纳米钯颗粒的前驱体,通过还原剂的作用,从而得到所述光催化材料;控制还原剂和前驱体的用量,可实现光催化材料微观形貌的调控,工艺简单、条件温和、成本较低、产率高;所得到的具有哑铃状结构的光催化材料在可见光范围具有良好的光响应,可以实现反应分子的活化,很好地实现甲酸脱氢及有机物降解反应,具有很好的研究价值和应用前景。
Claims (12)
1.一种金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料,其特征在于,所述光催化材料呈哑铃状结构,包括金纳米棒,以及包覆在金纳米棒两端的纳米钯颗粒,且所述金纳米棒的中间部分未被纳米钯颗粒包覆。
2.根据权利要求1所述的光催化材料,其特征在于,所述纳米钯颗粒和金纳米棒的摩尔比为(0.5~5):1,优选(1~3):1。
3.根据权利要求1或2所述的光催化材料,其特征在于,所述金纳米棒的长度为123.6~135.8nm,直径为20.0~23.2nm。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的光催化材料,其特征在于,所述纳米钯颗粒的粒径为6~45nm,优选13.6~43.5nm。
5.一种如权利要求1-4中任一项所述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料的制备方法,其特征在于,将金纳米棒加入至阳离子表面活性剂和溶剂的混合液中,混合后加入氯钯酸、和硝酸银,再加入还原剂,然后在25~60℃下反应6~24小时,得到所述金纳米棒两端包覆纳米钯颗粒的光催化材料。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述阳离子表面活性剂为十六烷基氯化铵CTAC、十六烷基溴化铵CTAB和5-溴水杨酸中的至少一种,所述阳离子表面活性剂和金纳米棒的摩尔比为(15~30):1。
7.根据权利要求5或6所述的制备方法,其特征在于,所述溶剂为去离子水,所述还原剂为抗坏血酸、柠檬酸钠和乙二醇中的至少一种。
8.根据权利要求5-7中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述金纳米棒、氯钯酸和硝酸银的摩尔比为1:(0.5~5):(0.07~0.7)。
9.根据权利要求5-8中任一项所述的制备方法,其特征在于,所述氯钯酸和还原剂的摩尔比为1:(0.1~1)。
10.根据权利要求5-9中任一项所述的制备方法,其特征在于,采用种子溶液法合成金纳米棒,所述种子溶液法包括;
(1)将氯金酸加入到十六烷基溴化铵CTAB溶液中,再加入硼氢化钠在25~45℃下还原30~150分钟,得到种子溶液;
(2)将十六烷基溴化铵CTAB和油酸钠均匀混合后,依次加入硝酸盐、氯金酸、浓盐酸、抗坏血酸以及种子溶液,得到生长溶液;
(3)将所得生长溶液在25~45℃下生长6~24小时,再经离心、洗涤处理、得到金纳米棒。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述氯金酸、十六烷基溴化铵CTAB和硼氢化钠的摩尔比为1:(2~5):(300~500)。
12.根据权利要求10或11所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中,所述抗坏血酸、硝酸银、氯金酸、油酸钠、十六烷基溴化铵CTAB的摩尔比为1:(1~3):(2~5):(40~60):(200~500);
所述浓盐酸的浓度为10~12mol/L,用量为生长溶液总体积的0.5~1.5%;
所述种子溶液的浓度为2.1×10-4~2.5×10-4mol/L,用量为生长溶液总体积的0.05~0.1%。
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