CN108833317B - 一种基于线性均衡器的可调电容装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基于线性均衡器的可调电容装置，在并联设置的引脚IO3和IO4上分别连接可调电容Cs1和可调电容Cs2，可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F连接；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；MOS场效应管M16的栅极F与MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F均连接；MOS场效应管M16的源级和漏级分别与可调电容Cs1和可调电容Cs2连接；通过M14、M15、M16的栅极F来控制接入Io3与Io4的电容大小，实现电容的有效调节，从而满足线性均衡器的使用。

Description

一种基于线性均衡器的可调电容装置
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种基于线性均衡器的可调电容装置。
背景技术
CTLE即连续时间线性均衡器通常分为无源和有源两类，无源是基于无源器件搭建的高通滤波器的方式实现，虽然容易实现的，但由于无源器件对工艺，环境温度等等的敏感，以及电路较低的信噪比，无源均衡器并不适用于实际应用，因此通常采用的是有源均衡器。
有源CTLE是常用的线性均衡器，均衡器中包含放大器、比较器等有源电路，通过调节可变电容CS和可变电阻RS，可以改变CTLE的頻率响应，进而改变高頻和低频响应补偿信道衰减。如图1所示的CTLE均衡电路，相当于一个分离路径的均衡器，晶体管源极的退化电阻RS相当于一个全通路径，退化电容CS相当于一个高通路径。通过调节这些可变电容和电阻，改变零点和第一极点的位置，进而改变高频和低领增益，其传输函数为：
Figure BDA0001708512550000011
从传输函数得到CTLE的零点和极点：
Figure BDA0001708512550000012
Figure BDA0001708512550000013
其其直流增益为
Figure BDA0001708512550000014
增益峰值点为gmRD，通常用峰值增益和直流增益的差来表示CTLE的增益，经常说的增益补偿了多少个dB指的就是峰值增益和直流增益的差，故CTLE的增益为
Figure BDA0001708512550000015
由上述公式可知，当可变电阻Rs增大的时候，低频增益Ao和零点频率Wz同时减小；当可变电容Cs增大的时候，零点频率Wz、第一极点频率Wp1同时减小，而CTLE增益基本不变。
综上所述，可变电容Cs对优化CTLE的频率响应曲线，以此满足使用不同背板信道的要求，使整个互连信道的频谱响应更加平坦化，从而改善信号质量具有重大意义。而普通的可变电容又不能满足线性均衡器的使用条件和调整环境，故本领域技术人员急需设计一种专门针对线性均衡器使用环境的可调电容结构，来解决现有技术中的普通可变电容无法满足线性均衡器使用需求的问题。
发明内容
本发明旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本发明的主要目的在于提供一种基于线性均衡器的可调电容装置，旨在解决现有技术中的普通可变电容无法满足线性均衡器使用需求的问题。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的：
一种基于线性均衡器的可调电容装置，包括两个并联设置分别与引脚IO3和IO4连接的可调电容Cs1和可调电容Cs2；所述可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；所述可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F连接；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；所述MOS场效应管M16的栅极F与所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F均连接；所述MOS场效应管M16的源级和漏级分别与所述可调电容Cs1和可调电容Cs2连接。
与现有技术相比，本发明至少具有以下优点：
本发明的基于线性均衡器的可调电容装置，在并联设置的引脚IO3和IO4上分别连接可调电容Cs1和可调电容Cs2，可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F连接；MOS场效应管M14和MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；MOS场效应管M16的栅极F与MOS场效应管M14的栅极F和MOS场效应管M15的栅极F均连接；MOS场效应管M16的源级和漏级分别与可调电容Cs1和可调电容Cs2连接；通过M14、M15、M16的栅极F来控制接入Io3与Io4的电容大小，实现电容的有效调节，从而满足线性均衡器的使用。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明的基于线性均衡器的可调电容装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。
基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明，本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。
在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
另外，本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本发明要求的保护范围之内。
如图1所示，一种基于线性均衡器的可调电容装置，包括两个并联设置分别与引脚IO3和IO4连接的可调电容Cs1和可调电容Cs2；所述可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；所述可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15的源级和漏级中的任意一个级接地；所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F连接；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；所述MOS场效应管M16的栅极F与所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F均连接；所述MOS场效应管M16的源级和漏级分别与所述可调电容Cs1和可调电容Cs2连接。
这样，通过M14、M15、M16的栅极F来控制接入Io3与Io4的电容大小，实现电容的有效调节，从而满足线性均衡器的使用。
以上，仅为本发明较佳的具体实施方式，但发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (1)

1.一种基于线性均衡器的可调电容装置，其特征在于，包括两个并联设置分别与引脚IO3和IO4连接的可调电容Cs1和可调电容Cs2；所述可调电容Cs1连接有MOS场效应管M14；所述可调电容Cs2连接有MOS场效应管M15；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15的源极和漏极中的任意一个极接地；所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F连接；所述MOS场效应管M14和所述MOS场效应管M15之间还设置有MOS场效应管M16；所述MOS场效应管M16的栅极F与所述MOS场效应管M14的栅极F和所述MOS场效应管M15的栅极F均连接；所述MOS场效应管M16的源极和漏极分别与所述可调电容Cs1和可调电容Cs2连接。
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