JP2011205362A - 高周波増幅回路 - Google Patents

Abstract

【課題】ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができるようにする。
【解決手段】周囲温度に応じて入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａを規格化するとともに、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂを規格化し、その検波電圧Ｂの規格化電圧Ｂを検波電圧Ａの規格化電圧Ａで除算して利得を算出する利得算出回路１１を設け、利得算出回路１１により算出された利得が所望の利得と一致するように、可変減衰器制御回路１３が可変減衰器５における高周波信号の減衰量を制御する。
【選択図】図１

Description

この発明は、例えば、通信システムやレーダシステムなどの受信装置に搭載されて、受信信号である高周波信号の受信感度を高める高周波増幅回路に関するものである。

例えば、通信システムやレーダシステムなどの受信装置に搭載される高周波増幅回路は、増幅器、移相器や減衰器などを用いて構成される。
このとき、増幅器は、非飽和領域で使用されるため、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などの影響で利得が変化する。この結果、増幅器を搭載している高周波増幅回路の利得が変化する。
このような高周波増幅回路では、利得補償回路を用いて、利得の変化を抑制していることが多い。

例えば、以下の特許文献１に開示されている高周波増幅回路では、製造ばらつきや温度変化に関係なく、常に所望の利得が得られるようにする目的で、自身の利得を変更することが可能な利得可変増幅器を実装し、その利得可変増幅器が利得を調整するようにしている。
ただし、利得可変増幅器は、高飽和特性とすることが難しく、また、雑音指数を低くすることが難しい。
高周波増幅回路には、利得可変増幅器の他に、移相器や周波数混合器などが多段に接続されることが多く、利得可変増幅器が自身の利得を調整することができても、高周波増幅回路全体の利得を調整するものではない。

また、以下の特許文献２に開示されている高周波増幅回路は、例えば、通信システムやレーダシステムなどの送信装置に搭載されるものであり、その高周波増幅回路では、送信装置における高出力増幅器の諸特性の変動や劣化を抑えることを目的として、その高出力増幅器の前段に入力電力調整回路を設けて、利得調整や歪み補償などを行うようにしている。
この高周波増幅回路では、入力電力調整回路が入力電力を下げることで、利得の調整を行っているが、通信システムやレーダシステムなどの受信装置に搭載される場合、入力電力を下げてしまうと、受信感度の低下を招くことになる。

以下の特許文献３に開示されている高周波増幅回路では、減衰値設定回路から出力されるステップ式可変減衰器制御信号にしたがって、小信号増幅器により増幅された高周波信号を減衰させる複数のステップ式可変減衰器と、そのステップ式可変減衰器により減衰された高周波信号を減衰させる電圧制御可変減衰器と、減衰値設定回路から出力されるステップ式可変減衰器制御信号と入力信号に含まれている直流成分にしたがって所定の演算を実施する演算回路とを設け、誤差増幅器が、演算回路の演算結果を基準にして、利得変動に伴う誤差電圧を求め、その誤差電圧に応じて電圧制御可変減衰器の減衰量を制御することで利得を補償するようにしている。
ただし、この高周波増幅回路では、電圧制御可変減衰器の他に、複数のステップ式可変減衰器を実装する必要がある。

特開平６−１０４６５６号公報（図５） 特開２００７−１２４０３８号公報（図１） 特開平４−３１４２０５号公報（図１）

従来の高周波増幅回路は以上のように構成されているので、自身の利得を変更することが可能な利得可変増幅器を実装する場合、高飽和特性とすることが難しく、また、雑音指数を低くすることが難しい。また、利得可変増幅器が自身の利得を調整することができても、高周波増幅回路全体の利得を調整することができないという課題があった。
入力電力調整回路が入力電力を下げることで、利得の調整を行う場合、受信感度の低下を招いてしまうという課題があった。
また、誤差増幅器が、複数のステップ式可変減衰器に与えられるステップ式可変減衰器制御信号と入力信号に含まれている直流成分にしたがって所定の演算を実施する演算回路の演算結果を基準にして、利得変動に伴う誤差電圧を求め、その誤差電圧に応じて電圧制御可変減衰器の減衰量を制御することで利得を補償する場合、電圧制御可変減衰器の他に、複数のステップ式可変減衰器などを実装する必要があるという課題があった。

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができる高周波増幅回路を得ることを目的とする。

この発明に係る高周波増幅回路は、第１の増幅器により増幅される前の高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する第１の検波電圧を出力する入力電力検波回路と、第２の増幅器により増幅された高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する第２の検波電圧を出力する出力電力検波回路と、周囲温度に応じて入力電力検波回路から出力された第１の検波電圧を規格化するとともに、出力電力検波回路から出力された第２の検波電圧を規格化し、規格化後の第２の検波電圧を規格化後の第１の検波電圧で除算して利得を算出する利得算出回路とを設け、利得算出回路により算出された利得が所望の利得と一致するように、減衰量制御回路が可変減衰器における高周波信号の減衰量を制御するようにしたものである。

この発明によれば、第１の増幅器により増幅される前の高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する第１の検波電圧を出力する入力電力検波回路と、第２の増幅器により増幅された高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する第２の検波電圧を出力する出力電力検波回路と、周囲温度に応じて入力電力検波回路から出力された第１の検波電圧を規格化するとともに、出力電力検波回路から出力された第２の検波電圧を規格化し、規格化後の第２の検波電圧を規格化後の第１の検波電圧で除算して利得を算出する利得算出回路とを設け、利得算出回路により算出された利得が所望の利得と一致するように、減衰量制御回路が可変減衰器における高周波信号の減衰量を制御するように構成したので、ステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができる効果がある。

この発明の実施の形態１による高周波増幅回路を示す構成図である。 この発明の実施の形態１による高周波増幅回路の利得算出回路１１を示す構成図である。 この発明の実施の形態１による高周波増幅回路の可変減衰器制御回路１３を示す構成図である。 高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係を示しているテーブルの一例を示す説明図である。 高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を示しているテーブルの一例を示す説明図である。

実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による高周波増幅回路を示す構成図である。
図１の高周波増幅回路は、例えば、通信システムやレーダシステムなどの受信装置に搭載される。
入力端子１は受信装置の受信信号である高周波信号を入力する端子である。
半導体集積回路２は低雑音増幅器３、移相器４、可変減衰器５、出力増幅器６、入力電力検波回路７及び出力電力検波回路８が形成されている回路であり、入力端子１から入力された高周波信号の受信感度を高めて、その高周波信号を出力端子９に出力する処理を実施する。

半導体集積回路２の低雑音増幅器３は入力端子１から入力された高周波信号を低雑音で増幅し、増幅後の高周波信号を移相器４に出力する回路である。なお、低雑音増幅器３は第１の増幅器を構成している。
移相器４は低雑音増幅器３により増幅された高周波信号の位相を変化させて、位相変化後の高周波信号を可変減衰器５に出力する処理を実施する。

可変減衰器５は可変減衰器制御回路１３から出力される制御電圧によって高周波信号の減衰量が設定されて、低雑音増幅器３により増幅された高周波信号を減衰させ、減衰後の高周波信号を出力増幅器６に出力する処理を実施する。
ただし、可変減衰器５は、可変利得増幅器によりも、高飽和化が容易なＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）による可変抵抗を用いて構成されている。
また、可変減衰器５は、高周波信号を減衰させて利得を調整するものであるため、受信感度（回路の雑音指数）への影響が小さい半導体集積回路２の出力端子９付近に配置（半導体集積回路２の入力端子１から離れている位置に配置）することが望ましい。
しかし、可変減衰器５はインピーダンスが変化するため、可変減衰器５と出力端子９の間に出力増幅器６を配置することで、外部回路に対してはインピーダンスの変化が無いようにしている。

出力増幅器６は可変減衰器５により減衰された高周波信号を増幅し、増幅後の高周波信号を出力端子９に出力するとともに、増幅後の高周波信号を出力電力検波回路８に出力する処理を実施する。なお、出力増幅器６は第２の増幅器を構成している。
入力電力検波回路７は入力端子１から入力された高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する検波電圧Ａ（第１の検波電圧）を利得算出回路１１に出力する処理を実施する。
出力電力検波回路８は出力増幅器６により増幅された高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する検波電圧Ｂ（第２の検波電圧）を利得算出回路１１に出力する処理を実施する。

温度電圧入力端子１０は高周波増幅回路の周囲温度を示す温度電圧を入力する端子である。
利得算出回路１１は温度電圧入力端子１０から入力された温度電圧に応じて、入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａを規格化するとともに、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂを規格化し、規格化電圧Ｂ（規格化後の検波電圧Ｂ）を規格化電圧Ａ（規格化後の検波電圧Ａ）で除算することで利得を算出し、その利得を示す利得電圧を可変減衰器制御回路１３に出力する処理を実施する。

所望利得電圧入力端子１２は所望の利得を示す所望利得電圧を入力する端子である。
可変減衰器制御回路１３は利得算出回路１１から出力された利得電圧が所望利得電圧入力端子１２から入力された所望利得電圧と一致するように、可変減衰器５における高周波信号の減衰量を制御する処理を実施する。なお、可変減衰器制御回路１３は減衰量制御回路を構成している。

図２はこの発明の実施の形態１による高周波増幅回路の利得算出回路１１を示す構成図である。
図２において、Ａ／Ｄ変換回路２１は入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａをアナログ信号からディジタル信号に変換するとともに、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂをアナログ信号からディジタル信号に変換する処理を実施する。また、温度電圧入力端子１０から入力された温度電圧をアナログ信号からディジタル信号に変換する処理を実施する。

ＲＯＭ２２は高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係を示しているテーブルと、検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を示しているテーブルとが記録されているメモリである。
ＣＰＵ２３は温度電圧入力端子１０から温度電圧が入力されると、ＲＯＭ２２に記録されているテーブルを参照して、その温度電圧に対応する検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係と、その温度電圧に対応する検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を把握することで、入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａを規格化電圧Ａに変換し、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂを規格化電圧Ｂに変換する処理を実施する。

Ｄ／Ａ変換回路２４はＣＰＵ２３により変換された規格化電圧Ａをディジタル信号からアナログ信号に変換するとともに、ＣＰＵ２３により変換された規格化電圧Ｂをディジタル信号からアナログ信号に変換する処理を実施する。
割算回路２５はＤ／Ａ変換回路２４により変換された規格化電圧Ｂを規格化電圧Ａで除算することで利得（利得＝規格化電圧Ｂ／規格化電圧Ａ）を算出し、その利得を示す利得電圧を可変減衰器制御回路１３に出力する処理を実施する。

図３はこの発明の実施の形態１による高周波増幅回路の可変減衰器制御回路１３を示す構成図である。
図３において、抵抗３１は一端が利得算出回路１１に接続され、他端がオペアンプ３３の正の入力端子に接続されている。
抵抗３２は抵抗３１と等しい抵抗値を有しており、一端が所望利得電圧入力端子１２に接続され、他端がオペアンプ３３の負の入力端子に接続されている。

オペアンプ３３は利得算出回路１１から出力された利得電圧と、所望利得電圧入力端子１２から入力された所望利得電圧との差分を増幅する回路である。
抵抗３４は一端がオペアンプ３３の正の入力端子と抵抗３１の接続点に接続され、他端がグランドに接続されている。
抵抗３５は抵抗３４と等しい抵抗値を有しており、一端がオペアンプ３３の負の入力端子と抵抗３２の接続点に接続され、他端がオペアンプ３３の出力端子に接続されている。

容量３６は抵抗３５と並列に接続されており、抵抗３２，３５及び容量３６からローパスフィルタが構成されている。
抵抗３７は一端がオペアンプ３３の出力端子に接続され、他端が可変減衰器５の制御端子に接続されている。
容量３８は一端が抵抗３７の他端に接続され、他端がグランドに接続されている。

次に動作について説明する。
半導体集積回路２の低雑音増幅器３は、入力端子１から高周波信号が入力されると、その高周波信号を低雑音で増幅し、増幅後の高周波信号を移相器４に出力する。
移相器４は、低雑音増幅器３から増幅後の高周波信号を受けると、その高周波信号の位相を変化させて、位相変化後の高周波信号を可変減衰器５に出力する。

可変減衰器５は、後述する可変減衰器制御回路１３から出力される制御電圧が制御端子に入力されて、高周波信号の減衰量が設定される。
可変減衰器５は、移相器４から位相変化後の高周波信号を受けると、可変減衰器制御回路１３により設定された減衰量だけ、その高周波信号を減衰させて利得を調整し、減衰後の高周波信号を出力増幅器６に出力する。
出力増幅器６は、可変減衰器５から減衰後の高周波信号を受けると、その高周波信号を増幅し、増幅後の高周波信号を出力端子９に出力するとともに、増幅後の高周波信号を出力電力検波回路８に出力する。

入力電力検波回路７は、入力端子１から高周波信号が入力されると、その高周波信号の電力を検波し、その電力を電圧に変換することで、その高周波信号の電力に対応する検波電圧Ａを利得算出回路１１に出力する。
出力電力検波回路８は、出力増幅器６から増幅後の高周波信号を受けると、その高周波信号の電力を検波し、その電力を電圧に変換することで、その高周波信号の電力に対応する検波電圧Ｂを利得算出回路１１に出力する。

利得算出回路１１は、高周波増幅回路の周囲温度を考慮しながら、低雑音増幅器３の入力電力と、出力増幅器６の出力電力とを比較できるようにするために、入力電力検波回路７から検波電圧Ａを受け、出力電力検波回路８から検波電圧Ｂを受けると、温度電圧入力端子１０から入力された温度電圧に応じて、その検波電圧Ａと検波電圧Ｂを同じ規格化電圧に変換する。
利得算出回路１１は、その検波電圧Ａと検波電圧Ｂを規格化電圧に変換すると、その検波電圧Ｂの規格化電圧Ｂを検波電圧Ａの規格化電圧Ａで除算することで利得を算出し、その利得を示す利得電圧を可変減衰器制御回路１３に出力する。

以下、利得算出回路１１の処理内容を具体的に説明する。
利得算出回路１１のＲＯＭ２２には、高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係を示しているテーブルと、検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を示しているテーブルとが記録されている。
ここで、図４は高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係を示しているテーブルの一例を示す説明図である。
図５は高周波増幅回路の周囲温度別に、検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を示しているテーブルの一例を示す説明図である。

利得算出回路１１のＡ／Ｄ変換回路２１は、入力電力検波回路７から検波電圧Ａを受けると、その検波電圧ＡをＡ／Ｄ変換して、その検波電圧Ａを表しているディジタル信号をＣＰＵ２３に出力する。
また、Ａ／Ｄ変換回路２１は、出力電力検波回路８から検波電圧Ｂを受けると、その検波電圧ＢをＡ／Ｄ変換して、その検波電圧Ｂを表しているディジタル信号をＣＰＵ２３に出力する。
また、Ａ／Ｄ変換回路２１は、温度電圧入力端子１０から入力された温度電圧をＡ／Ｄ変換して、その温度電圧を表しているディジタル信号をＣＰＵ２３に出力する。

ＣＰＵ２３は、Ａ／Ｄ変換回路２１から検波電圧Ａ、検波電圧Ｂ及び温度電圧を表しているディジタル信号を受けると、ＲＯＭ２２に記録されているテーブルを参照して、その温度電圧に対応する検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係と、その温度電圧に対応する検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を把握することで、その検波電圧Ａを規格化電圧Ａに変換し、その検波電圧Ｂを規格化電圧Ｂに変換する。

即ち、ＣＰＵ２３は、検波電圧Ａを規格化電圧Ａに変換する場合、図４のテーブルを参照して、温度電圧に対応する検波電圧Ａと規格化電圧Ａの対応関係を把握することで、その検波電圧Ａを規格化電圧Ａに変換する。
例えば、温度電圧が１．０Ｖ（高周波増幅回路の周囲温度が−２０度）である場合、検波電圧Ａが０．３Ｖ（入力電力が−６０ｄＢｍ）であれば、０．５Ｖの規格化電圧Ａに変換し、検波電圧Ａが０．４Ｖ（入力電力が−５５ｄＢｍ）であれば、０．５５Ｖの規格化電圧Ａに変換する。

また、温度電圧が１．５Ｖ（高周波増幅回路の周囲温度が２０度）である場合、検波電圧Ａが０．２Ｖ（入力電力が−６０ｄＢｍ）であれば、０．５Ｖの規格化電圧Ａに変換し、検波電圧Ａが０．２５Ｖ（入力電力が−５５ｄＢｍ）であれば、０．５５Ｖの規格化電圧Ａに変換する。
この場合、高周波信号の入力電力が同一であっても、高周波増幅回路の周囲温度が異なると、入力電力検波回路７から出力される検波電圧Ａが異なるが、その検波電圧Ａが規格化電圧Ａに変換されることで、同一の電圧値になっていることがわかる。

また、ＣＰＵ２３は、検波電圧Ｂを規格化電圧Ｂに変換する場合、図５のテーブルを参照して、温度電圧に対応する検波電圧Ｂと規格化電圧Ｂの対応関係を把握することで、その検波電圧Ｂを規格化電圧Ｂに変換する。
例えば、温度電圧が１．０Ｖ（高周波増幅回路の周囲温度が−２０度）である場合、検波電圧Ｂが０．６Ｖ（入力電力が−６０ｄＢｍ）であれば、０．５Ｖの規格化電圧Ｂに変換し、検波電圧Ｂが０．７Ｖ（入力電力が−５５ｄＢｍ）であれば、０．５５Ｖの規格化電圧Ｂに変換する。

また、温度電圧が１．５Ｖ（高周波増幅回路の周囲温度が２０度）である場合、検波電圧Ｂが０．５Ｖ（入力電力が−６０ｄＢｍ）であれば、０．５Ｖの規格化電圧Ｂに変換し、検波電圧Ｂが０．５５Ｖ（入力電力が−５５ｄＢｍ）であれば、０．５５Ｖの規格化電圧Ａに変換する。
この場合、出力増幅器６の出力電力が同一であっても、高周波増幅回路の周囲温度が異なると、出力電力検波回路８から出力される検波電圧Ｂが異なるが、その検波電圧Ｂが規格化電圧Ｂに変換されることで、同一の電圧値になっていることがわかる。

Ｄ／Ａ変換回路２４は、ＣＰＵ２３により変換された規格化電圧Ａを受けると、その規格化電圧ＡをＤ／Ａ変換して、アナログ信号で表されている規格化電圧Ａを割算回路２５に出力する。
また、Ｄ／Ａ変換回路２４は、ＣＰＵ２３により変換された規格化電圧Ｂを受けると、その規格化電圧ＢをＤ／Ａ変換して、アナログ信号で表されている規格化電圧Ｂを割算回路２５に出力する。

割算回路２５は、Ｄ／Ａ変換回路２４から規格化電圧Ａ，規格化電圧Ｂを受けると、その規格化電圧Ｂを規格化電圧Ａで除算することで利得を算出し、その利得を示す利得電圧を可変減衰器制御回路１３に出力する。
利得＝規格化電圧Ｂ／規格化電圧Ａ

可変減衰器制御回路１３は、利得算出回路１１から利得電圧を受けると、その利得電圧が所望利得電圧入力端子１２から入力された所望利得電圧と一致するように、可変減衰器５における高周波信号の減衰量を制御する。
即ち、可変減衰器制御回路１３は、利得算出回路１１から利得電圧を受けると、その利得電圧が抵抗３１を介して、オペアンプ３３の正の入力端子に入力される。
また、所望利得電圧入力端子１２から入力された所望利得電圧が抵抗３２を介して、オペアンプ３３の負の入力端子に入力される。

これにより、オペアンプ３３が、利得算出回路１１から出力された利得電圧と、所望利得電圧入力端子１２から入力された所望利得電圧との差分を増幅する。
オペアンプ３３の出力信号が抵抗３７を介して出力され、その出力信号が制御電圧として、可変減衰器５の制御端子に与えられる。
この結果、可変減衰器５における高周波信号の減衰量が適宜設定されて、利得が調整される。

以上で明らかなように、この実施の形態１によれば、低雑音増幅器３により増幅される前の高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する検波電圧Ａを出力する入力電力検波回路７と、出力増幅器６により増幅された高周波信号の電力を検波して、その電力に対応する検波電圧Ｂを出力する出力電力検波回路８と、周囲温度に応じて入力電力検波回路７から出力された検波電圧Ａを規格化するとともに、出力電力検波回路８から出力された検波電圧Ｂを規格化し、その検波電圧Ｂの規格化電圧Ｂを検波電圧Ａの規格化電圧Ａで除算して利得を算出する利得算出回路１１とを設け、利得算出回路１１により算出された利得が所望の利得と一致するように、可変減衰器制御回路１３が可変減衰器５における高周波信号の減衰量を制御するように構成したので、従来例のようにステップ式可変減衰器を実装することなく、低雑音特性及び高飽和特性を確保しながら、製造ばらつき、温度変動や電源電圧変動などに伴う利得変化を抑制することができる効果を奏する。
これにより、この実施の形態１の高周波増幅回路が、例えば、通信システムやレーダシステムなどの受信装置に搭載される場合、良好な受信感度や、広い受信ダイナミックレンジが得られるため、良好な受信精度を確保することができる。

実施の形態２．
上記実施の形態１では、移相器４を可変減衰器５の前段に配置しているものを示したが、移相器４が半導体集積回路２に実装されておらず、低雑音増幅器３により増幅された高周波信号が直接可変減衰器５に出力されるようにしてもよい。
また、移相器４に代えて、例えば、周波数混合器などの機能回路が、可変減衰器５の前段に配置されていてもよい。このとき、複数の機能回路が直列に接続されていてもよい。
また、例えば、周波数混合器などの機能回路が、移相器４と直列に接続されていてもよい。このとき、複数の機能回路が、移相器４と直列に接続されていてもよい。
この場合も、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。

実施の形態３．
上記実施の形態１では、低雑音増幅器３、移相器４、可変減衰器５、出力増幅器６、入力電力検波回路７及び出力電力検波回路８が、半導体集積回路２に形成されているものについて示したが、その半導体集積回路２がシリコンデバイスプロセスにより製造される場合は、利得算出回路１１や可変減衰器制御回路１３についても、半導体集積回路２に形成することが可能である。

したがって、利得算出回路１１又は可変減衰器制御回路１３の少なくとも一方が、半導体集積回路２に形成されていてもよい。
利得算出回路１１や可変減衰器制御回路１３が半導体集積回路２に形成される場合、高周波増幅回路の小型化や低コスト化を図ることができる。

１ 入力端子、２ 半導体集積回路、３ 低雑音増幅器（第１の増幅器）、４ 移相器、５ 可変減衰器、６ 出力増幅器（第２の増幅器）、７ 入力電力検波回路、８ 出力電力検波回路、９ 出力端子、１０ 温度電圧入力端子、１１ 利得算出回路、１２ 所望利得電圧入力端子、１３ 可変減衰器制御回路（減衰量制御回路）、２１ Ａ／Ｄ変換回路、２２ ＲＯＭ、２３ ＣＰＵ、２４ Ｄ／Ａ変換回路、２５ 割算回路、３１，３２，３４，３５，３７ 抵抗、３３ オペアンプ、３６，３８ 容量。

Claims (6)

1. 高周波信号を増幅する第１の増幅器と、上記第１の増幅器により増幅された高周波信号を減衰させる可変減衰器と、上記可変減衰器により減衰された高周波信号を増幅する第２の増幅器と、上記第１の増幅器により増幅される前の高周波信号の電力を検波して、上記電力に対応する第１の検波電圧を出力する入力電力検波回路と、上記第２の増幅器により増幅された高周波信号の電力を検波して、上記電力に対応する第２の検波電圧を出力する出力電力検波回路と、周囲温度に応じて上記入力電力検波回路から出力された第１の検波電圧を規格化するとともに、上記出力電力検波回路から出力された第２の検波電圧を規格化し、規格化後の第２の検波電圧を規格化後の第１の検波電圧で除算して利得を算出する利得算出回路と、上記利得算出回路により算出された利得が所望の利得と一致するように、上記可変減衰器における高周波信号の減衰量を制御する減衰量制御回路とを備えた高周波増幅回路。
2. 可変減衰器の前段に少なくとも１つの機能回路を設けたことを特徴とする請求項１記載の高周波増幅回路。
3. 機能回路は、移相器又は周波数混合器のいずれか一方であることを特徴とする請求項２記載の高周波増幅回路。
4. 機能回路は、移相器と周波数混合器が直列に接続されていることを特徴とする請求項２記載の高周波増幅回路。
5. １つの半導体集積回路として形成され、上記半導体集積回路が実装されていることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波増幅回路。
6. 利得算出回路又は減衰量制御回路の少なくとも一方が、半導体集積回路内に含まれていることを特徴とする請求項５記載の高周波増幅回路。

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