CN108823545B - 晶振探头结构和蒸镀装置 - Google Patents
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Abstract
一种晶振探头结构和蒸镀装置。该晶振探头结构包括导流罩、晶振头和网筛结构，所述导流罩包括带有导流口的腔室，所述导流口使得所述腔室与外界连通，所述晶振头固定于所述腔室内，所述晶振头包括至少一个晶振片，所述网筛结构包括多个开孔，并且所述网筛结构设置于所述导流罩且位于所述晶振头的面向所述导流口的一侧。在该晶振探头结构的使用过程中，网筛结构可以减小晶振片的频率下降速率，延长晶振片的使用寿命，从而提高晶振探头结构的监控精度。
Description
技术领域
本公开至少一个实施例涉及一种晶振探头结构和蒸镀装置。
背景技术
近几年来，具有有机发光显示屏(OLED)的手机等电子显示产品得到了用户的广泛认可，而且OLED可以做成柔性屏甚至折叠屏，具有很大的发展前景。OLED的核心发光部分(例如有机发光功能层)利用蒸镀工艺形成，因此对有机发光功能层的膜层厚度的控制至关重要。
在蒸镀过程中，通常使用晶振探头结构对有机发光功能层的膜层厚度进行监控，晶振探头结构中的晶振片上也会被蒸镀用于形成有机发光功能层的材料，该材料会增加晶振片的厚度，并降低晶振探头的监控精度。对于当前的晶振探头结构，晶振片的厚度增加速率大，导致晶振探头的监控精度下降过快，需要频繁更换晶振片，成本大，不能满足生产需求。
发明内容
本公开至少一个实施例提供了一种晶振探头结构，该晶振探头结构包括导流罩、晶振头和网筛结构，所述导流罩包括带有导流口的腔室，所述导流口使得所述腔室与外界连通，所述晶振头固定于所述腔室内，所述晶振头包括至少一个晶振片，所述网筛结构包括多个开孔，并且所述网筛结构设置于所述导流罩且位于所述晶振头的面向所述导流口的一侧。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述网筛结构固定于所述导流口。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述导流口和所述网筛结构为圆形，所述开孔以所述网筛结构的圆心为中心向外均匀排布。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述网筛结构的开口率为1/10～1/2。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述开孔的形状包括三角形、圆形、矩形和多边形之一。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述开孔为圆形，并且所述开孔的直径为0.5～4毫米。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述导流罩至少部分为圆筒形。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述晶振头包括基座，所述晶振片固定在所述基座的面向所述导流口的一侧。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述基座上设置有一个所述晶振片，所述晶振片在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之内。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述基座上设置有至少两个所述晶振片，所述基座上设置有遮挡板，所述遮挡板位于所述晶振片和所述导流口之间，以及所述晶振片中的一个在所述基座上的正投影位于所述遮挡板在所述基座上的正投影之外，所述晶振片中的其它在所述基座上的正投影位于所述遮挡板在所述基座上的正投影之内。
例如，本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构还包括位于所述基座上的驱动单元，其中，所述驱动单元与所述遮挡板连接，并且所述驱动单元配置为驱动所述遮挡板旋转，以使得所述晶振片依次暴露于所述导流口。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述腔室的内径和所述导流口的内径相等。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，所述基座上设置有至少两个所述晶振片，以及所述晶振片中的一个在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之外，所述晶振片中的其它在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之内。
例如，本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构还包括位于所述基座上的驱动单元，其中，所述驱动单元配置为驱动所述基座旋转，以使得所述晶振片依次与所述导流口对应。
本公开至少一个实施例提供一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括前述任一实施例中的晶振探头结构。
例如，本公开至少一个实施例提供的蒸镀装置还包括蒸镀室、蒸发源和待蒸镀基板固定结构，其中，所述蒸发源、所述待蒸镀基板固定结构和所述晶振探头结构位于所述蒸镀室中，所述待蒸镀基板固定结构和所述晶振探头结构并列设置于所述蒸发源的同一侧，以及所述晶振探头结构的所述导流口面向所述蒸发源。
在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构和蒸镀装置中，在该晶振探头结构的使用过程中，网筛结构降低了外界材料(蒸镀材料)在晶振片上的沉积速率，与未设置网筛结构相比，晶振片的频率下降速率减小，晶振片的使用寿命延长，并且晶振探头结构的监控精度提高。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。
图1A为本公开一实施例提供的一种晶振探头结构的截面图；
图1B为图1A所示晶振探头结构中的网筛结构的平面图；
图2为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图；
图3为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图；
图4为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图；
图5为一种晶振探头结构的晶振片的晶振频率衰减示意图；
图6为本公开一实施例提供的一种晶振探头结构的晶振片的晶振频率衰减示意图；
图7为不同晶振探头结构在蒸镀过程中监控的沉积薄膜厚度曲线；以及
图8为本公开一实施例提供的一种蒸镀装置的截面图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
晶振探头结构中的晶振片可以为石英晶振片，在蒸镀过程中，石英晶振片主要利用了石英晶体的压电效应和质量负荷效应来监控欲形成的薄膜的厚度。石英晶体是离子型的晶体，由于结晶点阵的有规则分布，当发生例如拉伸或压缩等机械变形时，石英晶体能产生电极化现象，该现象称为压电现象。压电现象有逆现象，即随着电场的变化，石英晶体的大小也会发生相应的变化，例如伸长或缩短。石英晶体压电效应的固有频率不仅取决于石英晶体的几何尺寸、切割类型，而且还取决于石英晶体(例如石英晶体构成的晶振片)的厚度。当晶振片上沉积了某种膜层，使晶振片的厚度增大，则晶振片的固有频率会相应的衰减，石英晶体的这个效应是质量负荷效应。因此，晶振探头可以通过测量晶振片的频率或与频率有关的参数的变化而监控沉积薄膜的厚度。
在蒸镀过程中，如果晶振片的固有频率下降太多，晶振探头结构对沉积薄膜的厚度的监控精度降低，不能稳定工作，产生调频现象。为了保证晶振探头结构具有稳定和有高的灵敏度，晶振片上的膜层镀到一定厚度以后，就要更换新的晶振片。
当前的晶振探头结构受限于自身的设计，晶振片上的薄膜的厚度增加过快，而且通过晶振探头结构监控的沉积薄膜的厚度重复性也不好，依次形成的多个薄膜的厚度会持续衰减且衰减幅度大，因此晶振片的使用寿命短，需要频繁更换晶振片，成本增加。
本公开至少一个实施例提供了一种晶振探头结构，该晶振探头结构包括导流罩、晶振头和网筛结构，导流罩包括带有导流口的腔室，导流口使得腔室与外界连通，晶振头固定于腔室内，晶振头包括至少一个晶振片，网筛结构包括多个开孔，并且网筛结构设置于导流罩且位于晶振头的面向导流口的一侧。网筛结构可以降低外界材料例如蒸镀材料进入腔室的流量，如此，与未设置网筛结构相比，晶振片上外界蒸镀材料沉积形成的薄膜的厚度增加速率降低，相应地，晶振片的频率下降速率减小，晶振片的使用寿命延长，并且晶振探头结构的监控精度提高，利用该晶振探头结构监控形成的薄膜的厚度重复性高。
下面，结合附图对根据本公开至少一个实施例中的晶振探头结构和蒸镀装置进行说明。
图1A为本公开一实施例提供的一种晶振探头结构的截面图，图1B为图1A所示晶振探头结构中的网筛结构的平面图。
例如，在本公开至少一个实施例中，如图1A和图1B所示，该晶振探头结构10包括导流罩100、晶振头200和网筛结构300，导流罩100包括带有导流口111的腔室110，导流口111使得腔室110与外界连通，晶振头200固定于腔室110内，晶振头200包括至少一个晶振片210，网筛结构300包括多个开孔310，并且网筛结构300设置于导流罩100且位于晶振头200的面向导流口111的一侧。在一次蒸镀工艺中，与未设置网筛结构300的情况相比，经过网筛结构300的蒸镀材料的流量减小，相应地，蒸镀材料在晶振片210上的沉积速率减小，即，晶振片210上蒸镀材料沉积形成的薄膜的厚度增加速率降低，晶振片210的频率下降速率减小。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，网筛结构固定于导流口。示例性的，如图1A所示，网筛结构300固定在导流口111，则外界蒸镀材料必须经过网筛结构300后才能沉积在晶振片210上。如此，网筛结构300对蒸镀材料进入腔室110的流量的控制精度提高，有利于对晶振探头结构10的监控精度进行精确控制。需要说明的是，在本公开的实施例中，只要网筛结构设置于所述晶振片的接受外界蒸镀材料的路径上即可，例如，网筛结构位于晶振片的面向外界环境的一侧，网筛结构不限于固定于导流口。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，导流口和网筛结构为圆形。例如，多个开孔在网筛结构中均匀分布，例如开孔以网筛结构的圆心为中心向外均匀排布。示例性的，如图1B所示，网筛结构300的平面形状为圆形，而且多个开孔310以网筛结构300的圆心为中心由内向外均匀分布。如此，外界的蒸镀材料经过网筛结构300后的分布比较均匀，而且，在网筛结构经过拆卸和重新安装之后，即使网筛结构与原位置相比具有轴向转动，蒸镀材料经过网筛结构300后的分布仍然比较均匀，使得蒸镀材料在晶振片210上沉积的薄膜的厚度均一性好，保证晶振探头结构具有高监控精度。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，网筛结构的开口率为1/10～1/2，例如进一步为1/3、1/5、1/7、1/9等。该开口率为所有开孔的面积之和与网筛结构的面积之比。在不考虑其它因素影响的情况下，晶振片上沉积的膜层的厚度增加速率与网筛结构的开口率大致为正相关，即，网筛结构的开口率越小，晶振片上沉积的膜层的厚度增加速率越小，晶振片的使用寿命越长。例如，网筛结构的开口率为1/5，与晶振探头结构中未设置有网筛结构相比，晶振片的使用寿命可以延长大约5倍。需要说明的是，在本公开的实施例中，网筛结构的开口率也可以为其它数值，不限于上述数值范围。
在本公开至少一个实施例中，对网筛结构的开孔的形状不做限制。例如，开孔的形状可以包括三角形、圆形、矩形和多边形之一，也可以为其它形状。示例性的，如图1B所示，开孔310的形状为圆形，圆形的开孔310使得透过网筛结构300的蒸镀材料分布均匀，使得蒸镀材料在晶振片上沉积的薄膜的厚度均一性好，保证晶振探头结构具有高监控精度。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，网筛结构的开孔为圆形，并且开孔的直径为0.5～4毫米。示例性的，如图1B所示，开孔310的直径D2为0.5～4毫米。开孔310的直径具有上述数值范围的情况下，开孔310不会因为直径太小而阻碍外界蒸镀材料通过网筛结构300，开孔310也不会因为直径太大而使得透过网筛结构300的蒸镀材料分布不均匀。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，导流罩至少部分为圆筒形。示例性的，如图1A和图1B所示，导流罩100为圆筒形，导流罩100的内径与网筛结构300的直径相等。如此，通过网筛结构300的蒸镀材料在导流罩100中流动时，蒸镀材料分布比较均匀。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，晶振头包括基座，晶振片固定在基座的面向导流口的一侧。示例性的，如图1A所示，晶振头200包括基座220，基座220固定在导流罩100上。例如，基座220的面向导流口111的表面221上可以设置夹持结构、吸附结构等用以固定晶振片210。
在本公开至少一个实施例中，对晶振探头结构中的晶振片的数量不做限制，可以根据实际工艺的需求对晶振片的数量乃至晶振探头结构的具体结构进行设计。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，基座上设置有一个晶振片，晶振片在基座上的正投影位于导流口在基座上的正投影之内。示例性的，如图1A所示，晶振探头结构10的基座220上设置一个晶振片210，晶振片210在基座220(表面221所在平面)上的正投影位于导流口111在基座220上的正投影之内，如此，晶振片210的面向导流口111的表面上都会被透过网筛结构300的蒸镀材料覆盖，蒸镀材料在晶振片210上沉积形成的薄膜的厚度均一性好。在晶振探头结构只设置一个晶振片的情况下，该晶振探头结构可以设置为具有较小的体积，结构简单，成本较小，而且在实际生产过程中，该晶振探头结构可以适用于小尺寸产品(例如200mm*200mm的显示屏)制造工艺过程中。
图2为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图。图3为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，基座上设置有至少两个晶振片，基座上设置有遮挡板，遮挡板位于晶振片和导流口之间，以及晶振片中的一个在基座上的正投影位于遮挡板在基座上的正投影之外，晶振片中的其它在基座上的正投影位于遮挡板在基座上的正投影之内。示例性的，如图2所示，基座220上设置有两个晶振片，该两个晶振片为第一晶振片211和第二晶振片212，遮挡板400位于晶振片和导流口111之间。第一晶振片211在基座220上的正投影位于遮挡板400在基座220上的正投影之外，即，第一晶振片211未被遮挡板400遮挡；第二晶振片212在基座220上的正投影位于遮挡板400在基座220上的正投影之内，即，第二晶振片212被遮挡板400遮挡。如此，在第一蒸镀过程中，外界蒸镀材料只会在第一晶振片211上沉积，即，在第一蒸镀过程中，第一晶振片211被使用，第二晶振片212未被使用。
例如，对于如图2所示的晶振探头结构，在第二蒸镀过程中，移动遮挡板400以使得遮挡板400遮挡第一晶振片211且未遮挡第二晶振片212，即，在第二蒸镀过程中，第二晶振片212被使用，第一晶振片211未被使用。如此，在多个蒸镀过程中，第一晶振片211和第二晶振片212被轮流使用，与只设置一个晶振片的晶振探头结构相比，包括两个或者多个晶振片的晶振探头结构可以降低每个晶振片的损耗速度，即，每个晶振片的寿命被延长，晶振探头结构的监控精度提高。在本公开至少一个实施例中，在晶振探头结构中设置有遮挡板的情况下，对移动遮挡板的方式不做限制。
例如，在本公开一些实施例中，如图2所示，晶振探头结构10中可以设置与遮挡板400连接的操作杆410，该操作杆410的一端与遮挡板400连接，操作杆410的另一端延伸至导流罩100的外侧。控制操作杆410以转动遮挡板400，使得遮挡板400遮挡第一晶振片211或第二晶振片212。
例如，在本公开另一些实施例中，晶振探头结构还可以包括位于基座上的驱动单元，其中，驱动单元与遮挡板连接，并且驱动单元配置为驱动遮挡板旋转，以使得晶振片依次暴露于导流口。示例性的，如图3所示，驱动单元500固定在基座220上并且与遮挡板400连接，在不同的蒸镀过程中，驱动单元500驱动遮挡板400转动，以使得遮挡板400遮挡第一晶振片211或遮挡第二晶振片212。例如，该驱动单元可以为旋转马达(例如旋转电机)。需要说明的是，驱动单元500的位置可以按照实际需求进行设计，驱动单元500可以位于基座220的远离遮挡板400的一侧，或者驱动单元500可以位于基座220的面向遮挡板400的一侧。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，在晶振探头结构中设置有遮挡板的情况下，腔室的内径和导流口的内径可以相等。示例性的，如图2和图3所示，腔室110的内径和导流口111的内径相等。如此，外界蒸镀材料在透过网筛结构300之后具有在所有晶振片上沉积的能力，晶振片上是否被蒸镀材料沉积只与遮挡板400的位置相关，上述设计使得晶振探头结构的设计结构简单，成本较低。
图4为本公开一实施例提供的另一种晶振探头结构的截面图。
例如，在本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构中，基座上设置有至少两个晶振片，以及晶振片中的一个在基座上的正投影位于导流口在基座上的正投影之外，晶振片中的其它在基座上的正投影位于导流口在基座上的正投影之内。示例性的，如图4所示，基座220上设置有两个晶振片，该两个晶振片为第一晶振片211和第二晶振片212，与设置有晶振头200的位置相比，在导流口111处，导流罩100的内径缩小，从而第一晶振片211在基座220上的正投影位于导流口111在基座220上的正投影之内，即，第一晶振片211暴露于导流口111；第二晶振片212在基座220上的正投影位于导流口111在基座220上的正投影之外，即，第二晶振片212未暴露于导流口111。如此，在第一蒸镀过程中，经过导流口111进入的蒸镀材料只会在第一晶振片211上沉积，即，在第一蒸镀过程中，第一晶振片211被使用，第二晶振片212未被使用。
例如，本公开至少一个实施例提供的晶振探头结构还包括位于基座上的驱动单元，其中，驱动单元配置为驱动基座旋转，以使得晶振片依次与导流口对应。示例性的，如图4所示，驱动单元500固定在基座220上，驱动单元500可以驱动基座220旋转。如此，对于如图4所示的晶振探头结构，在第二蒸镀过程中，控制驱动单元500以使得基座220旋转，从而使得第二晶振片212暴露于导流口111且第一晶振片211未暴露于导流口111，即，在第二蒸镀过程中，第二晶振片212被使用，第一晶振片211未被使用。如此，在多个蒸镀过程中，第一晶振片211和第二晶振片212被轮流使用，与只设置一个晶振片的晶振探头结构相比，包括两个或者多个晶振片的晶振探头结构可以降低每个晶振片的损耗速度，即，每个晶振片的寿命被延长，晶振探头结构的监控精度提高。例如，该驱动单元500可以为旋转马达(例如旋转电机)。
下面，在本公开实施例的一个示例中，对设置有网筛结构的晶振探头结构和未设置有网筛结构的晶振探头结构进行比较，从而对根据本公开至少一个实施例的晶振探头结构和蒸镀装置进行说明。以图2所示的晶振探头结构为例，导流口111的内径和网筛结构300的直径(如图1B所示的D1)为81mm，网筛结构300设置有292个开孔310，开孔310的直径(如图1B所示的D2)为2mm。该晶振探头结构应用于OLED蒸镀工艺(如图8所示)，并且整个蒸镀工艺中，需要依次形成三个薄膜(如图8中的薄膜41)，该三个薄膜的设计厚度都为1000埃。
图5为一种晶振探头结构的晶振片的晶振频率衰减示意图，图6为本公开一实施例提供的一种晶振探头结构的晶振片的晶振频率衰减示意图，图7为不同晶振探头结构在蒸镀过程中监控的沉积薄膜厚度曲线。在整个蒸镀工艺中，无网筛结构的晶振探头结构的晶振频率变化如图5所示，利用无网筛结构的晶振探头结构的监控获得的薄膜真实厚度如图7所示；有网筛结构的晶振探头结构的晶振频率变化如图6所示，利用有网筛结构的晶振探头结构的监控获得的薄膜真实厚度如图7所示。图7中的薄膜的真实厚度可以通过光学测厚仪获得。
如图5和图7所示，在晶振探头结构中未设置有网筛结构的情况下，每蒸镀设计厚度为1000埃的薄膜，晶振片的晶振频率平均下降3750赫兹，而获得的薄膜的真实厚度依次为1001.8埃、998.2埃和992.4埃，真实厚度下降了9.4埃。如此，需要频繁更换晶振片，以免获得的薄膜的真实厚度与设计厚度相差过大而影响OLED发光效果，例如防止OLED发光颜色的色坐标偏离设定值。
如图6和图7所示，在晶振探头结构中设置有网筛结构的情况下，每蒸镀设计厚度为1000埃的薄膜，晶振片的晶振频率平均下降665赫兹，而获得的薄膜的真实厚度依次为1001.2埃、999.8埃和998.7埃，真实厚度下降了1.5埃。与未设置网筛结构的晶振探头结构相比，晶振片的晶振频率平均下降速度下降了五倍以上，薄膜的真实厚度的下降程度在1/5以下。如此，晶振探头结构中设置网筛结构之后，晶振片的寿命被延长了五倍以上，不需要频繁更换，成本降低，而且薄膜的真实厚度与设计厚度的差异小，薄膜厚度的重复性好，OLED发光颜色的色坐标符合设定值。
本公开至少一个实施例提供一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括前述任一实施例中的晶振探头结构。
图8为本公开一实施例提供的一种蒸镀装置的截面图。
例如，本公开至少一个实施例提供的蒸镀装置还包括蒸镀室、蒸发源和待蒸镀基板固定结构，其中，蒸发源、待蒸镀基板固定结构和晶振探头结构位于蒸镀室中，待蒸镀基板固定结构和晶振探头结构并列设置于蒸发源的同一侧，以及晶振探头结构的导流口面向蒸发源。示例性的，如图8所示，蒸镀室20中设置有晶振探头结构10、蒸发源30和待蒸镀基板固定结构50，待蒸镀基板固定结构50用于固定待蒸镀基板40，晶振探头结构10和待蒸镀基板固定结构50(待蒸镀基板40)位于蒸发源30的同一侧，蒸发源30产生的蒸镀材料沉积在晶振探头结构10的晶振片和待蒸镀基板40上。由此，通过监控晶振探头结构10的晶振片上的沉积薄膜的厚度就可以推算出待蒸镀基板40上形成的薄膜41的厚度。
需要说明的是，在实际工艺中，以蒸发源的位置为基准，晶振探头结构10和待蒸镀基板40位置会存在一定的偏移量，导致蒸镀材料在晶振探头结构10中的晶振片上的沉积速率和在待蒸镀基板40上的沉积速率不同，因此，通常需要设置校正值，蒸镀材料在待蒸镀基板40上沉积的薄膜41的厚度等于蒸镀材料在晶振片上沉积的薄膜的厚度与该校正值的乘积。
在晶振探头结构中未设置网筛结构的情况下，上述校正值(设为第一校正值)为测试获得，即，在蒸镀结束后，待蒸镀基板40上形成的薄膜的真实厚度与晶振片上形成的薄膜的真实厚度之商为第一校正值。在晶振探头结构中未设置网筛结构的情况下，可以根据网筛结构的开口率设定新的校正值(设为第二校正值)，第二校正值可以为第一校正值与开口率的乘积。
示例性的，在图5～图7所示的实施例中，在晶振探头结构中未设置网筛结构的情况下，第一校正值为21.7，第二校正值为123.2。例如，网筛结构的直径为81mm，网筛结构设置有292个开孔，开孔的直径为2mm，网筛结构的开孔率约为0.178，根据上述第一校正值、第二校正值和开口率的计算关系，计算获得的第二校正值约为121.9，与第二校正值的实际数值的偏差率为1％。该偏差率在可接受范围之内，因此，上述计算关系符合实际工艺的要求。
例如，蒸镀室中可以设置一个蒸发源，也可以设置如图8所示的多个蒸发源30，晶振探头结构10的数量可以与蒸发源30的数量相同，以使得晶振探头结构10和蒸发源30一一对应。例如，蒸镀室中可以设置6-10个蒸发源。
对于本公开，还有以下几点需要说明：
(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。
(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (11)
1.一种晶振探头结构，包括：
导流罩，包括带有导流口的腔室，所述导流口使得所述腔室与外界连通；
晶振头，固定于所述腔室内，所述晶振头包括基座以及至少一个晶振片，所述晶振片固定在所述基座的面向所述导流口的一侧；
网筛结构，包括多个开孔，所述网筛结构设置于所述导流罩且位于所述晶振头的面向所述导流口的一侧，以及
驱动单元，位于所述基座上，
其中，所述导流口和所述网筛结构为圆形，所述至少一个晶振片中的一个在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之内，所述导流口的内径与所述网筛结构的直径相等，
所述至少一个晶振片包括至少两个所述晶振片，设置在所述基座上，
所述基座上设置有遮挡板，所述遮挡板位于至少两个所述晶振片和所述导流口之间，至少两个所述晶振片中的一个在所述基座上的正投影位于所述遮挡板在所述基座上的正投影之外，至少两个所述晶振片中的其它在所述基座上的正投影位于所述遮挡板在所述基座上的正投影之内，
所述驱动单元与所述遮挡板连接，并且所述驱动单元配置为驱动所述遮挡板旋转，以使得至少两个所述晶振片依次暴露于所述导流口。
2.根据权利要求1所述的晶振探头结构，其中，
所述网筛结构固定于所述导流口。
3.根据权利要求2所述的晶振探头结构，其中，
所述开孔以所述网筛结构的圆心为中心向外均匀排布。
4.根据权利要求1所述的晶振探头结构，其中，
所述网筛结构的开口率为1/10～1/2。
5.根据权利要求1所述的晶振探头结构，其中，
所述开孔的形状包括三角形、圆形、矩形和多边形之一。
6.根据权利要求3所述的晶振探头结构，其中，
所述开孔为圆形，并且所述开孔的直径为0.5～4毫米。
7.根据权利要求1所述的晶振探头结构，其中，
所述导流罩为圆筒形。
8.根据权利要求1所述的晶振探头结构，其中，所述腔室的内径和所述导流口的内径相等。
9.根据权利要求1-7任一项所述的晶振探头结构，其中，
所述晶振片中的一个在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之外，所述晶振片中的其它在所述基座上的正投影位于所述导流口在所述基座上的正投影之内。
10.一种蒸镀装置，包括权利要求1-9中任一项所述的晶振探头结构。
11.根据权利要求10所述的蒸镀装置，还包括蒸镀室、蒸发源和待蒸镀基板固定结构，其中，
所述蒸发源、所述待蒸镀基板固定结构和所述晶振探头结构位于所述蒸镀室中，所述待蒸镀基板固定结构和所述晶振探头结构并列设置于所述蒸发源的同一侧，以及
所述晶振探头结构的所述导流口面向所述蒸发源。
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