CN108807220A - 基板的脱离方法和基板的脱离装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够更可靠地避免以晶圆为例的基板的破损、损伤的同时使基板从吸附保持该基板的保持台脱离的基板的脱离方法和基板的脱离装置。使具有扁平面的限制构件接近被吸附保持于保持台的晶圆。在扁平面与晶圆接近了的状态下向保持台与晶圆之间的间隙供给气体。由于气体的供给，使该间隙的减压状态被消除，因此，保持台对晶圆的保持力可靠地降低。另外，由于气体从流路的流通孔喷出导致的晶圆的上方移动被限制构件的扁平面限制。因此，能够防止由于减压状态的残留导致的晶圆的脱离延迟，并且，也能够避免由于气体的不均匀的按压力而导致晶圆的一部分突出、晶圆变形、晶圆破损的状况发生。

Description

基板的脱离方法和基板的脱离装置

技术领域

本发明涉及用于使进行了预定处理的基板从吸附保持该基板的保持台脱离的基板的脱离方法和基板的脱离装置。

背景技术

在利用具备电子电路的基板类、特别是半导体晶圆(以下，适当称为“晶圆”)制造芯片零部件的情况下，在电路图案形成处理于晶圆的表面之后，以在晶圆表面粘贴有保护用的粘合带的状态进行背面研磨，实现薄型化。在自背面研磨处理完成后的晶圆剥离保护带并向切割工序输送晶圆之前，为了对晶圆进行加强，借助支承用的粘合带(切割带)将晶圆粘接保持于环框。

在对薄型化后的晶圆进行粘合带的粘贴处理、切割处理这样的各种处理的情况下，通常而言，使晶圆载置于以卡盘台等为例的保持台之上，在利用真空吸引等大范围地吸附保持晶圆的下表面部分的状态下进行各种处理。并且，在进行了各种处理之后，使晶圆从保持台脱离并向预定的位置输送晶圆。

在单纯地使由保持台实现的真空吸引停止后使晶圆脱离这样的通常的结构中，存在在晶圆的下表面部分的一部分与保持台之间残存减压区域的情况。在该情况下，由于减压区域的残存而在晶圆的一部分产生脱离延迟，其结果，有时晶圆破损。

因此，提出了如下方法：在各种处理完成之后，使由保持台实现的吸引停止，并且，一边向保持台与晶圆的下表面部分之间供给气体而使减压区域消除一边使晶圆脱离。在该脱离方法中，从设置于保持台的两个以上或一个喷射孔喷射气体，来供给气体(参照例如专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2005-109157号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，在上述以往装置中，存在如下那样的问题。

在专利文献1的以往的脱离方法中，因从喷射孔喷射气体而向晶圆不均匀地作用按压力。即，在喷射孔的周边晶圆被特别强力地上推，因此，担心由于不均匀的按压力而导致晶圆发生变形和破损这样的问题。特别是在由于切割处理、隐形切割处理等而使晶圆的强度降低的情况下，由于气体的喷射而产生剪切力，晶圆在切割部分等处易于断裂。其结果，显著地产生晶圆的破损、晶圆的一部分散失这样的问题。

本发明是鉴于这样的状况而做成的，其主要的目的在于提供一种能够更可靠地避免晶圆的破损、损伤的同时使以晶圆为例的基板从吸附保持该基板的保持台脱离的基板的脱离方法和基板的脱离装置。

用于解决问题的方案

本发明为了达成这样的目的，而采用如下那样的构成。

即，本发明是使基板从吸附保持所述基板的保持台脱离的基板的脱离方法，其特征在于，

该基板的脱离方法具备：

接近过程，在该接近过程中，使具有扁平面且用于限制所述基板的限制构件与所述基板接近或抵接，使所述基板与所述扁平面之间的距离维持在预先设定好的预定值；

气体供给过程，在该气体供给过程中，在所述限制构件与所述基板接近或抵接后的状态下，向所述基板与所述保持台之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低；以及

脱离过程，在该脱离过程中，使所述基板从所述保持台脱离。

(作用、效果)根据该结构，向基板与保持台之间供给气体，以使保持台的保持力降低。进行吸附保持的保持台与基板之间的处于减压状态的区域由于气体的供给而使该减压状态被可靠地消除。因此，在使基板从保持台脱离之际，能够避免由于残存减压状态的区域而导致的脱离延迟。即，能够防止由脱离延迟导致的基板的变形和破损。

另外，对于气体的供给而言，是在使具有扁平面的限制构件与基板接近或抵接后的状态下向基板与保持台之间供给气体的，以使保持台的保持力降低。在该情况下，在供给气体之际，基板被限制构件的扁平面迅速地限制，因此，能够防止由于所供给的气体的不均匀的按压力而导致基板的一部分向上方突出。因此，能够更可靠地避免由于突出导致的基板的变形、破损的发生，并且能够使基板从保持力降低了的保持台脱离。

另外，在上述的发明中，优选的是，

所述脱离过程是通过在所述限制构件保持着所述基板的状态下所述限制构件与所述基板一起从所述保持台脱离来执行的。在该情况下，能够利用具有保持功能的限制构件连续地执行对基板的限制和基板的脱离这两者动作，因此，能够更恰当地实现处理时间的缩短化和装置结构的简化。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述预定值是0.5mm以下。在该情况下，使限制构件与基板充分地接近或抵接，因此，即使在基板被所供给的气体向上方按压了的情况下，该基板也会被限制构件迅速地限制。因而，能够更可靠地避免由于气体的不均匀的按压导致的基板的变形和破损。

本发明为了达成这样的目的，也可以采取如下那样的结构。

即，本发明的基板的脱离装置的特征在于，该基板的脱离装置具备：保持台，其用于载置并保持基板；吸附机构，其设置于所述保持台，用于使所述基板吸附保持于所述保持台；限制构件，其具有扁平面，用于抑制所述基板；接近机构，其能够进行控制，使所述限制构件与所述基板接近或抵接，使所述扁平面与所述基板之间的距离维持在预先设定好的预定值；以及气体供给部件，其在所述限制构件与所述基板接近或抵接的状态下，向所述保持台与所述基板之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低。

(作用、效果)根据该结构，具备气体供给部件，该气体供给部件向基板与保持台之间供给气体，以使保持台的保持力降低。进行吸附保持的保持台与基板之间的处于减压状态的区域由于气体的供给而使该减压状态被可靠地消除。因此，在使基板从保持台脱离之际，能够避免由于残存减压状态的区域而导致的脱离延迟。即，能够防止由脱离延迟导致的基板的变形和破损。

另外，对于气体的供给而言，是在使具有扁平面的限制构件与基板接近或抵接后的状态下向基板与保持台之间供给气体的，以使保持台的保持力降低。在该情况下，在供给气体之际，基板被限制构件的扁平面迅速地限制，因此，能够防止由于所供给的气体的不均匀的按压力而导致基板的一部分向上方突出。因此，能够更可靠地避免由于突出导致的基板的变形、破损的发生，并且能够使基板从保持力降低后的保持台脱离。

另外，在上述的发明中，优选的是，该基板的脱离装置具备保持机构，该保持机构设置于所述限制构件，用于使所述基板保持于所述限制构件，所述限制构件保持所述基板的同时从保持力降低后的所述保持台脱离，从而使所述基板从所述保持台脱离。在该情况下，能够利用具有保持机构的限制构件连续地执行对基板的限制和基板的脱离这两者动作，因此，能够更恰当地实现处理时间的缩短化和装置结构的简化。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述扁平面比所述基板宽，所述接近机构以所述扁平面与所述基板正对的方式使所述限制构件与所述基板接近或抵接。在该情况下，扁平面与基板的整个面均匀地抵接，因此，在基板被限制构件限制之际，能够可靠地避免向基板不均匀地作用排斥力的状况。因而，能够更可靠地防止基板的变形、破损的发生。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述保持台具有保持环框的框架保持部，该基板的脱离装置具备粘贴机构，该粘贴机构用于跨保持于所述保持台的所述环框和所述基板地粘贴粘合带而制作安装框。

(作用、效果)根据该结构，在跨基板和环框地粘贴粘合带而制作成安装框之后，在使限制构件接近后的状态下进行气体的供给，使保持台对基板的保持力降低。能够利用限制构件限制基板，并且能够可靠地消除基板与保持台之间的减压状态，因此，在所制作成的安装框中，能够更可靠地避免基板的变形和破损的发生。因而，能够执行更优选的安装框的制作工序。

另外，在上述的发明中，优选的是，所述预定值是0.5mm以下。在该情况下，使限制构件与基板充分地接近，因此，即使在基板被供给的气体向上方按压的情况下，该基板也会被限制构件迅速地限制。因而，能够更可靠地避免由于气体的不均匀的按压导致的基板的变形和破损。

发明的效果

根据本发明的基板的脱离方法和基板的脱离装置，能够更可靠地避免基板的破损、损伤，并且能够使基板从吸附保持该基板的保持台脱离。

附图说明

图1是表示实施例的晶圆安装装置的整体结构的俯视图。

图2是表示实施例的晶圆安装装置的整体结构的主视图。

图3是实施例的晶圆输送机构的主视图。

图4是表示实施例的晶圆输送机构的主要部分的俯视图。

图5是实施例的框架输送机构的主视图。

图6是表示实施例的保持台的结构的图。图6的(a)是俯视图，图6的(b)是纵剖视图。

图7是实施例的粘合带粘贴部的俯视图。

图8是实施例的粘合带粘贴部的主视图。

图9是实施例的限制机构的主视图。

图10是实施例的各工序的流程图。图10的(a)是说明晶圆安装装置的动作的概要的流程图，图10的(b)是说明步骤S6的晶圆脱离工序的详细情况的流程图。

图11是表示实施例的步骤S1和步骤S2的动作的纵剖视图。

图12是表示实施例的步骤S3的动作的纵剖视图。

图13是表示实施例的步骤S3的动作的纵剖视图。

图14是表示实施例的步骤S4的动作的纵剖视图。

图15是表示实施例的步骤S5的动作的纵剖视图。

图16是表示实施例的步骤S6-2的动作的纵剖视图。

图17是表示实施例的步骤S6-3的动作的纵剖视图。

图18是表示实施例的步骤S6-4的动作的纵剖视图。

图19是表示实施例的步骤S6-5的动作的纵剖视图。

图20是说明不具有气体供给过程的以往例的问题点的图。图20的(a)是表示排出气体而吸附保持晶圆的状态的图，图20的(b)是表示在停止气体排出后残存减压状态的区域的状态的图，图20的(c)是表示由于在残存减压状态的区域的状态下使晶圆脱离而导致的问题点的图。

图21是说明具有气体供给过程的以往例的问题点的图。图21的(a)是表示供给气体的状态的图，图21的(b)是表示由于气体的供给而减压状态的区域被消除的状态的图，图21的(c)是表示由于气体的供给导致的不均匀的按压力而引起晶圆变形的状态的图，图21的(d)是表示进行半切割处理的晶圆的图，图21的(e)是表示由于气体的供给而晶圆的一部分突出并破损的状态的图。

图22是说明由实施例的结构带来的效果的图。图22的(a)是表示以限制构件与晶圆抵接的方式使限制构件接近晶圆的状态的图，图22的(b)是表示利用接近状态的限制构件限制晶圆的状态的图。

图23是说明变形例的结构的图。图23的(a)是表示以使限制构件与晶圆之间隔开微小距离的方式使限制构件接近晶圆的状态的图，图23的(b)是表示利用接近状态的限制构件限制晶圆的同时向晶圆与保持台之间恰当地供给气体的状态的图。

图24是说明变形例的粘合带的转印工序的动作的图。图24的(a)是表示沿着晶圆的外形将预先粘贴于晶圆的下表面的支承带切断的状态的纵剖视图，图24的(b)是表示跨新的环框和晶圆的上表面地粘贴新的支承带的状态的纵剖视图，图24的(c)是表示在使限制构件接近了晶圆后的状态下供给气体的动作的纵剖视图。

图25是说明使用未粘贴有粘合带的晶圆的变形例的、步骤S6-2的工序的纵剖视图。

图26是表示在具备具有吸附保持功能的限制构件的变形例中使晶圆与限制构件一起脱离的动作的纵剖视图。

图27是表示安装框的整体结构的立体图。

附图标记说明

7、保持台；10、框架输送机构；60、吸附垫；62、粘贴辊；70、限制构件；70a、扁平面；71、晶圆支承台；72、框架支承部；73、流通孔；74、流路；76、真空装置；77、气体供给装置；79、控制部；W、晶圆；PT、保护带；DT、支承带；f、环框；MF、安装框。

具体实施方式

＜整体结构的说明>

以下，参照附图来对本发明的实施例进行说明。图1是表示具备实施例的基板脱离装置的、晶圆安装装置的整体结构的俯视图，图2是晶圆安装装置的主视图。此外，本实施例中的“左右方向”、“前后方向”、以及“上下方向”是基于晶圆安装装置的主视图确定的，相当于分别以附图标记x、y和z表示的方向。在本实施例中，举出使用半导体晶圆作为基板的一个例子的结构来进行说明。

如图27所示，该晶圆安装装置用于跨在表面形成有电路图案的半导体晶圆(以下简称为“晶圆”)W的背面和环框f地粘贴支承用的粘合带(以下简称为“支承带”)DT而制作安装框MF。

如图1和图2所示，晶圆安装装置在装置跟前沿着左右较长地配置有工件输送装置1，并且，在其左右中央的里侧，向里侧突出地配备有粘合带粘贴部2，该粘合带粘贴部2用于跨环框f和晶圆W地粘贴粘合带DT而制作安装框MF。

在比左右中心靠右侧的装置跟前侧设置有将晶圆W层叠收容于盒3并进行供给的晶圆供给部4。并且，在比左右中心靠左侧的跟前侧配备有将环框f层叠收容于盒5并进行供给的框架供给部6。另外，在左右中心附近的里侧可前后移动地配备有用于载置晶圆W和环框f并将它们送入粘合带粘贴部2的保持台7。

在工件输送装置1设置有：晶圆输送机构9，其能够左右往复移动地支承于左右水平地架设的导轨8的右侧部分；框架输送机构10，其能够左右移动地支承于导轨8的左侧部分。另外，在右里侧设置有使用槽口、定向平面来进行对晶圆W的定位的定位器11。而且，在框架供给部6的里侧设置有进行对环框f的定位的定位器12。

晶圆输送机构9构成为，能够沿着左右和前后输送从盒3取出来的晶圆W，并且能够使晶圆W的姿势进行表背翻转。其详细的构造表示在图3和图4中。

如图3所示，装备有前后较长的左右移动可动台14，该左右移动可动台14能够沿着导轨8左右移动。装备有前后移动可动台16，该前后移动可动台16能够沿着设置于该左右移动可动台14的导轨15前后移动。而且，在该前后移动可动台16的下部装备有能够上下移动的晶圆保持单元17。

晶圆保持单元17由以下构件等构成：倒L字形的支承框架26，其与前后移动可动台16的下部相连结；升降台28，其能够在马达27的作用下沿着该支承框架26的纵框部进行螺纹进给(日文：ネジ送り)升降；转动台30，其能够借助转动轴29绕纵向支轴p回转地轴支承于升降台28；回转用马达32，其借助带31卷绕于转动轴29并与转动轴29联动；晶圆保持臂34，其能够借助转动轴33绕水平朝向支轴q翻转转动地轴支承于转动台30的下部；以及翻转用马达36，其借助带35卷绕于转动轴33并与转动轴33联动。

如图4所示，在晶圆保持臂34的顶端侧设置有具备真空吸附孔37的U形的吸附部。通过利用上述的可动构造，能够使吸附保持于晶圆保持臂34的晶圆W前后移动、左右移动、以及绕纵向支轴p进行回转移动，并且，通过绕水平朝向支轴q的翻转转动而使晶圆W进行表背翻转。

如图2所示，在框架供给部6的左侧配备有用于装载并回收制作成的安装框MF的收纳部39。该收纳部39具备：纵轨道41，其连结固定于装置框架40；以及升降台43，其能够在马达42的作用下沿着该纵轨道41进行螺纹进给升降。因而，构成为将安装框MF载置于升降台43并使安装框MF进行螺距进给(日文：ピッチ送り)下降。

框架输送机构10构成为，将层叠地载置于框架供给部6的环框f从最上层起依次取出并能够沿着左右和前后输送环框f，框架输送机构10的左右移动构造和前后移动构造与晶圆输送机构9相同。

即，如图5所示，装备有前后较长的左右移动可动台44，该左右移动可动台44能够沿着导轨8左右移动，并装备有前后移动可动台46，该前后移动可动台46能够沿着设置于该左右移动可动台44的导轨45前后移动。而且，在该前后移动可动台46的下部装备有能够上下移动的框架保持单元47。

框架保持单元47由以下构件等构成：纵框56，其与前后移动可动台46的下部相连结；升降框57，其被支承为能够沿着该纵框56滑动升降；屈伸连杆机构58，其能使升降框57上下移动；马达59，其对该屈伸连杆机构58进行正反屈伸驱动；以及吸附垫60，其装备于升降框57的下端的前后左右部位。因而，利用吸附垫60将装载于框架供给部6的环框f从最上层开始依次吸附保持并使环框f上升，从而能够沿着前后左右输送环框f。此外，吸附垫60能够与环框f的尺寸相对应地沿着水平方向滑动调节。

如图6的(a)和图6的(b)所示，保持台7具备：圆形的晶圆支承台71，其用于保持晶圆W；以及环状的框架保持台72，其围绕晶圆支承台71地配置。保持台7构成为，能够沿着未图示的导轨在图1中以实线表示的载置位置和图1中以虚线表示的带粘贴位置之间往复移动。

在晶圆支承台71的上表面分散形成有多个流通孔73，并且，各流通孔73与在晶圆支承台71的内部形成的流路74相连接。流路74兼备作为气体的排气用通路的功能和作为气体的供给用通路的功能，经由电磁阀75与真空装置76相连通。通过真空装置76的工作，能够在晶圆支承台71的上表面吸附保持晶圆W。真空装置76相当于本发明中的吸附机构。

另外，保持台7具备气体供给装置77和电磁阀78，气体供给装置77经由电磁阀78与流路74相连通。气体供给装置77所供给的气体经由流路74从流通孔73向保持台7的外部释放。电磁阀75和电磁阀78利用它们的开闭来对流路74的内部的压力进行调整。由控制部79分别控制真空装置76和气体供给装置77的工作、以及电磁阀75和电磁阀78的开闭。气体供给装置77相当于本发明中的气体供给部件。

在框架保持台72的上表面形成有与环框f的外形一致的较浅的凹入台阶80。通过将环框f嵌入该凹入台阶80，能够将环框f定位保持成与中央的晶圆W同心。另外，构成为，嵌入到凹入台阶80的环框f的上表面与吸附保持于晶圆支承台71的晶圆W的上表面平齐。

如图7和图8所示，粘合带粘贴部2具备带供给部61、粘贴辊62、带切断机构63、剥离辊64、带回收部65等。

带供给部61构成为，具备装填有卷成卷的宽幅的支承带DT的供给卷轴61a，能够将支承带DT从该供给卷轴61a放出并向粘贴辊62引导。另外，构成为，对供给卷轴61a赋予适度的旋转阻力而不进行过剩的带放出。

粘贴辊62按压从带供给部61放出的支承带DT并跨晶圆W和环框f地粘贴支承带DT。带切断机构63将粘贴到环框f和晶圆W的支承带DT切断成直径比环框的内径大的圆形。

如图7和图14所示，带切断机构63具备能绕支轴63a旋转且能够上下移动的轴套部63b。轴套部63b具备两根支承臂63c。支承臂63c以轴套部63b为中心沿着径向延伸。在支承臂63c的顶端安装有刀具支架，该刀具支架水平轴支承有圆板形的刀具63d。

剥离辊64将被带切断机构63裁切成圆形之后的不需要的支承带Tn从环框f剥离。带回收部65对由剥离辊64剥离下来的不需要的支承带Tn进行卷取回收。

在实施例的晶圆安装装置中，工件输送装置1还具备导轨66和限制机构67。如图7所示，导轨66和限制机构67配备于位于载置位置的保持台7的上方。导轨66前后水平地架设，沿着前后方向对限制机构67进行引导。此外，为了明确地图示保持台7，在图1中省略了限制机构67的图示。

如图9所示，限制机构67具备可动台68、缸体69以及限制构件70，限制机构67在晶圆W要脱离时限制晶圆W。可动台68构成为能够沿着导轨66前后移动。缸体69配设于可动台68的下部，按照控制部79的控制进行驱动。

限制构件70是具备比晶圆W宽阔的扁平面70a的平板状的结构，限制构件70与缸体69的下部相连接。限制构件70构成为能够按照缸体69的驱动进行上下移动。z方向上的限制构件70的位置能够由控制部79控制为任意的位置。另外，限制构件70的倾斜度始终被控制成使扁平面70a与晶圆W的面正对。控制部79相当于本发明中的接近机构。

限制构件70按照控制部79的控制下降，接近被保持于保持台7的晶圆W的上表面。构成限制构件70的材料优选为，具有能够限制要被气体供给装置77所供给的气体顶起的晶圆W这样的程度的硬度，作为该材料的例子，能够列举出树脂、橡胶、海绵、金属等。

＜动作的说明>

接着，对使用实施例的晶圆安装装置跨晶圆W的背面和环框f地粘贴支承带DT来制作安装框MF的动作进行说明。在晶圆W的电路形成面(表面)粘贴有保护用的粘合带PT(以下简称为“保护带PT”)。图10的(a)是表示晶圆安装装置1的动作的流程图。在初始状态下，保持台7位于图1中以实线表示的载置位置。

步骤S1(对晶圆的输送)

若发出制作安装框MF的指令，则首先，在晶圆输送机构9中，由晶圆保持臂34吸附保持着的晶圆W被从盒3送入定位器11并进行对位。对位后的晶圆W再次被晶圆保持臂34吸附保持，之后以粘贴有保护带PT的表面朝下的姿势被放入保持台7，如图11所示那样载置于晶圆支承台71的上表面。

保持台7吸附保持所载置的晶圆W。吸附保持是通过由真空装置76对在晶圆支承台71的内部形成的流路74内的气体A进行排气来执行的。即，控制部79使电磁阀75打开，并且使真空装置76进行动作，从而晶圆W的下表面与保持台7之间的间隙由于排气而被减压。因此，晶圆W隔着保护带PT被吸附保持于保持台7。

步骤S2(对环框的输送)

另一方面，在框架输送机构10中，由吸附垫60吸附保持着的环框f从框架供给部6被送入定位器12并进行对位。对位后的环框f再次被吸附垫60吸附保持，之后被放入保持台7，如图11所示那样嵌入于框架保持台72的凹入台阶80。通过嵌入于凹入台阶80，环框f被放置成与晶圆W同心的状态。此外，步骤S1和步骤S2的顺序既可以颠倒过来，也可以同时进行。

步骤S3(支承带的粘贴)

在对晶圆W和环框f的输送完成之后，开始支承带的粘贴。如图12所示，在初始状态下，粘贴辊62和剥离辊64位于比移动到带粘贴位置的支承台7靠右侧的位置，并且，带切断机构63位于移动到带粘贴位置的支承台7的上方。

在此，载置有晶圆W和环框f的保持台7被放入到图1中以虚线表示的带粘贴位置。若保持台7被放入到带粘贴位置，则如图13所示，粘贴辊62一边从以虚线表示的初始位置朝向以实线表示的终端位置移动，一边跨晶圆W和环框f的上表面地粘贴支承带DT。通过支承带DT的粘贴，制作成安装框MF。

步骤S4(支承带的切断)

支承带DT的粘贴完成之后，开始支承带的切断。即，如图14所示，使带切断机构63从以虚线表示的初始位置向以实线表示的切断位置下降。移动到切断位置的带切断机构63绕着与晶圆中心同心的轴心P进行回转移动，刀具63d随着该回转，在环框f的上方将粘贴于环框f和晶圆W的支承带DT切断。通过该切断，带状的支承带DT被裁切成直径比环框内径大的圆形。

步骤S5(支承带的剥离)

若支承带DT的切断完成，则开始支承带的剥离。即，如图15所示，剥离辊64一边从以虚线表示的初始位置朝向以实线表示的终端位置移动，一边将残留于切断线的外侧的不需要的支承带Tn从环框f剥离。由于支承带Tn的剥离，朝里的安装框MF残留于保持台7之上。

在吸附保持着朝里的安装框MF的状态下，保持台7从位于粘合带粘贴部2的内部的带粘贴位置朝向位于工件输送装置1的内部的载置位置移动地被向晶圆安装装置的跟前侧送出。在这期间，粘贴辊62和剥离辊64向原来的初始位置移动。同时，被从带供给部61放出来的支承带DT向粘贴位置的上方供给，并且，不需要的支承带Tn被带回收部65卷取回收。

步骤S6(晶圆的脱离)

在剥离了支承带之后，使晶圆从移动到载置位置的保持台7脱离。即，在使限制机构67接近保持台7上的晶圆W的状态下向晶圆支承台71与晶圆W之间供给气体，从而使保持台7对晶圆W的保持力降低。之后，框架保持单元47的吸附垫60吸附环框f而使安装框MF从保持台7脱离。与晶圆的脱离工序有关的详细情况将在后面进行说明。

步骤S7(安装框的回收)

吸附垫60将从保持台7脱离后的安装框MF收纳于框架供给部6的原来的位置。此外，晶圆安装装置1也可以新具备未图示的安装框收纳部，将安装框MF收纳于该安装框收纳部。以上，制作安装框MF的一个循环的动作结束，以后反复进行相同的处理。

＜晶圆脱离工序的详细情况>

在此，详细地说明本发明中特征性的、步骤S6的晶圆的脱离工序。步骤S6的晶圆的脱离工序按照以图10的(b)的流程图表示的、从步骤S6-1到步骤S6-5的工序进行。在初始状态下，限制机构67位于移动到载置位置的保持台7的上方。

步骤6-1(气体排出的停止)

在晶圆脱离工序中，首先，停止气体排出。即，控制部79使电磁阀75关闭，并且将真空装置76控制成关闭的状态。由于控制部79的控制，使由真空吸引实现的对流路74内的气体的排出停止。

步骤6-2(限制构件的接近移动)

在气体排出的停止完成之后，进行限制构件的接近移动。即，如图16所示，控制部79对缸体69等进行控制而使限制构件70从以虚线表示的初始位置向以实线表示的限制位置下降。由于控制部79的控制，限制构件70向载置于保持台7的晶圆W靠近。此外，步骤S6-2的工序也可以在步骤S6-1之前进行。

在本实施例中，以通过限制构件70向限制位置移动而使扁平面70a与粘贴于晶圆W的支承带DT抵接的方式预先确定限制位置的高度。即，扁平面70a在限制位置处隔着支承带DT与晶圆W抵接。另外，控制部79持续对限制构件70的位置进行控制，以维持限制构件70与支承带DT抵接的状态，直到后述的步骤S6-3的工序完成为止。即，利用控制部79将限制构件70固定于限制位置，限制构件70与晶圆W之间的距离被维持为零。步骤S6-2的工序相当于本发明中的接近过程。

步骤6-3(气体的供给)

在使限制构件70向晶圆W接近移动了之后，开始气体的供给。即，如图17所示，控制部79将气体供给装置77控制成开启的状态，并且使电磁阀78打开。气体供给装置77按照控制部79的控制向流路74的内部供给气体A。供给到流路74的气体A从流通孔73排出。

从流通孔73排出的气体将保护带PT的、在保持台7吸附保持着晶圆W之际进入到流通孔73的孔内的一部分向晶圆支承台71的表面逐出。另外，从流通孔73喷出的气体向粘贴于晶圆W的保护带PT与晶圆支承台71之间供给，因此，保护带PT与晶圆支承台71之间的减压状态被可靠地解除。由于该减压状态的解除，保持台7对整个晶圆W的保持力被均匀地降低。

在步骤S6-3中，利用从流通孔73排出的气体，向晶圆W作用朝上的按压力。但是，晶圆W的整个面隔着支承带DT与限制构件70的扁平面70a抵接，该限制构件70的位置被控制部79维持在限制位置。

因此，由于气体A的按压力导致的晶圆W的朝上移动被限制构件70可靠地限制。因而，能够可靠地避免由于向晶圆W不均匀地作用的按压力导致的晶圆W的变形、破损。通过从气体供给装置77供给气体来解除晶圆支承台71与保护带PT之间的减压状态，从而完成步骤S6-3的工序。步骤S6-3的工序相当于本发明中的气体供给过程。

步骤6-4(限制构件的分离移动)

在气体的供给和减压状态的解除完成之后，开始限制构件的分离移动。在步骤S6-4中，首先，停止向流路74供给气体。即，控制部79使电磁阀78关闭，并且将气体供给装置77控制成关闭的状态。

在气体的供给停止之后，使限制构件与晶圆W分离。即，如图18所示，控制部79对缸体69等进行控制而使限制构件70从限制位置向初始位置上升移动。限制构件70的分离移动是在气体的供给停止后进行的，因此，能够在使限制构件70与晶圆W分离之后的工序中避免晶圆W发生变形、破损。

步骤6-5(晶圆的分离移动)

在使限制构件70与晶圆W分离之后，进行晶圆的分离移动。即，如图19所示，框架输送机构10所具备的吸附垫60向环框f接近并吸附保持环框f的上表面。然后，吸附垫60一边维持该吸附保持，一边按照控制部79的控制向上方移动。

通过吸附垫60以与保持台7分离的方式向上方移动，安装框MF从保持台7脱离。即，晶圆W与环框f、支承带DT一起从保持台7向上方脱离。

步骤S6-5的工序完成，从而步骤S6的一系列的工序全部完成。之后进入步骤S7，吸附垫60在吸附保持着环框f的状态下将安装框MF收纳于预定的位置。

＜由实施例的结构带来的效果>

在对晶圆进行以切割处理、粘合带的粘贴处理为例的各种处理的情况下，使晶圆载置于平坦的保持台并进行该处理。此时，为了防止所载置的晶圆的错位，通常使真空装置配备于保持台，来吸附保持晶圆。

即，如图20的(a)所示，通过利用真空装置使气体A从位于保持台Tb内部的流路Tk排出，从而使晶圆吸附保持于保持台Tb。并且，在该处理完成后，通过使气体A的排出停止，从而解除吸附保持，使晶圆W从保持台Tb向上方脱离。

在这样的以往的结构中，止于进行使气体A的排出停止的操作。因此，如图20的(b)所示，发生在晶圆W的下表面与保持台Tb的保持面之间的分界的一部分G处减压状态未被充分地解除这样的状况。在该情况下，在区域G中，保持台Tb对晶圆W的保持力未充分地降低。

因此，如图20的(c)所示，在抬起晶圆W而使其脱离之际，晶圆W的在区域G中与保持台Tb相抵接的一部分发生脱离延迟。在该情况下，在使晶圆W脱离之际，会在区域G的周边产生特别强的剪切力，因此，担心晶圆W的变形、破损的发生。

为了解决由于这样的减压状态的残存导致的脱离延迟这样的问题，在专利文献1的结构中，不仅进行气体A的排出停止，还进行气体的供给。即，如图21的(a)所示，经由流路Tk向晶圆W的下表面(在图中，是粘贴于晶圆W的粘合带T1的下表面)与保持台Tb之间供给气体A。如图21的(b)所示，利用供给的气体A解除区域G中的减压状态，因此，通过在气体供给后使晶圆W脱离，能够防止晶圆W的脱离延迟。

然而，发明人进行了研究，其结果获得了如下见解：在供给气体A后使晶圆W脱离的专利文献1的结构中，难以可靠地避免晶圆的变形和破损的问题。即，所供给的气体A从流路Tk的孔向上方喷射，因此，在设置有流路Tk的区域中晶圆W被特别强力地上推。因此，如图21的(c)所示，不均匀地向晶圆W作用朝上的按压力Pa，因此，晶圆W的至少一部分向上方突出，担心发生晶圆W变形的状况。

特别是在对晶圆W进行切割处理、半切割处理、隐形切割处理等而使晶圆W的强度降低的情况下，会更显著地产生晶圆的一部分破损或散失这样的问题。图21的(d)示出作为一个例子接受半切割处理的晶圆W。即，由于不均匀地向晶圆W作用按压力Pa，因此，在流路Tk所配设的区域的周边，比较强的按压力Pa朝上地作用于晶圆W，而在远离流路Tk的配设区域的区域，按压力Pa变得比较弱。

因此，如图21的(e)所示，由于按压力Pa之差而产生剪切力，因此，因半切割而被划分的晶圆W的一部分Wa断裂而相对于其他部分Wb分解开，因此晶圆W破损。另外，在粘合带T2未粘贴于晶圆W的上表面的情况下，会发生断裂后的晶圆W的一部分Wa被朝上地上推而飞散这样的状况。如此，获得了如下见解：在供给气体的以往的晶圆脱离工序中，由于所供给的气体的剪切力而产生新的问题。

因此，在实施例的基板脱离工序中，如图22的(a)所示，在使限制构件70的扁平面70a与晶圆W抵接的状态下，向粘贴于晶圆W的保护带PT与保持台7之间供给气体。即，在利用接近的限制构件70限制晶圆W的同时供给气体而使保持台7的保持力降低，之后使晶圆W从保持台7脱离。

在这样的实施例的结构中，由于在供给气体A而消除了减压区域G之后使晶圆W从保持台7脱离，因此能够防止由于脱离延迟导致的晶圆的变形、破损。并且，如图22的(b)所示，即使所供给的气体A的按压力Pa欲将晶圆W上推，也能够利用与晶圆W相抵接的限制构件70迅速地限制晶圆W。即，限制构件70受到控制以维持与晶圆W接近的位置(限制位置)。

因此，受到按压力Pa的作用而欲向上方移动的晶圆W被扁平面70a迅速地阻挡在限制位置处，不会从限制位置向上方移动，因此，能够避免发生晶圆W的至少一部分向上方向突出的状况。因而，能够可靠地解决由于气体的供给导致晶圆的一部分突出从而产生的晶圆W的变形、破损以及散失这样的问题。

另外，从初始位置移动到限制位置的限制构件70不是按压晶圆W而是维持与晶圆W抵接的状态。因此，在没有按压力Pa作用于晶圆W的情况下，不会发生晶圆W被限制构件70不必要地向下方按压那样的状况，因此，能够可靠地避免晶圆W的变形、破损。

另一方面，在按压力Pa作用于晶圆W的情况下，限制构件70受到维持在限制位置的控制，因此，能够避免发生限制构件70受到按压力Pa作用而被从限制位置顶起来的状况。因而，由于限制位置的维持控制，限制构件70能够可靠且迅速地限制晶圆W的至少一部分自保持台7分离地移动。

而且，限制构件70的扁平面70a构成为，比晶圆W的整个面宽且与晶圆W的面正对。因此，扁平面70a与晶圆W的整个面均匀地抵接，因此，在晶圆W被限制构件70限制之际，能够可靠地避免向晶圆W的面不均匀地作用排斥力的状况发生。因而，能够防止晶圆W被限制之际晶圆W的变形、破损的发生。

通过具备这样的结构，在实施例的晶圆脱离工序中，能够避免由于气体的供给导致的晶圆W的变形、破损，并且能够适当地降低保持台7对晶圆整体的保持力。因而，能够可靠地解决如下两个问题：由于残存减压状态的区域导致晶圆W脱离延迟而发生变形、破损这样的问题；以及由于所供给的气体A从流通孔73喷出导致晶圆W被剪切从而晶圆发生变形、破损这样的问题。

本发明并不限于上述实施方式，能够如下述那样变形实施。

(1)在实施例中，限制构件70的限制位置被设定为限制构件70与晶圆W抵接的位置，但并不限于此。即，如图23的(a)所示，也可以构成为，在步骤S6-2中，通过使限制构件70向限制位置移动(靠近晶圆W)，从而扁平面70a与晶圆W隔开预先确定好的微小距离D1地接近相对。

即，对于本发明中的接近过程而言，除了包括实施例那样的“使限制构件70接近到与晶圆W抵接的程度的结构”之外，还包括本变形例那样的“使限制构件70接近到与晶圆隔开微小距离地接近相对的程度的结构”。此外，微小距离D1的长度随着晶圆W的厚度、保护带PT的材料等各条件而变化。在变形例(1)中，作为一个例子，微小距离D1优选是1mm以下，更优选是0.5mm以下。

在这样的变形例(1)的结构中，预先设定距晶圆W的微小距离为D1的位置作为限制位置。并且，在步骤S6-2中，控制部79通过使限制构件70向限制位置移动而使限制构件70与晶圆W接近，并且，使限制构件70维持在该限制位置直到步骤S6-3的工序完成时为止。

因此，于在步骤S6-3中将气体A向流路74供给之际，即使在由于气体A而向晶圆W作用有按压力Pa的情况下，晶圆W也会被位于离开微小距离D1的位置的扁平面70a限制。即，能够将晶圆W因按压力Pa的作用而移动的距离抑制在微小距离D1以下，因此，能够更可靠地防止由于晶圆W的一部分向上方大幅度移动而产生的晶圆W的变形、破损。

而且，在变形例(1)的结构中，存在有在步骤S6-3中晶圆W向上方最大能移动微小距离D1的空间上的富余。晶圆W在按压力Pa的作用下向上方移动微小距离，从而在粘贴于晶圆W的保护带PT与保持台7之间形成有最大为微小距离D1的间隙。即，供给到流路74的气体A能够适当地进入所形成的该间隙，因此，能够更可靠地消除在真空吸引停止后可能残存的减压区域G。

(2)在实施例和各变形例中，在晶圆的安装处理工序中，以使晶圆W从保持台7脱离的情况为例进行了说明，但本发明的基板脱离装置和基板脱离方法可适当地应用于使晶圆从吸附保持该晶圆的保持台脱离的结构。

即，能够与对保持于保持台的晶圆所进行的处理的内容无关地，适用本发明的、使用了限制构件的基板脱离装置的结构。作为能够适用的处理的例子，列举出对晶圆W进行的粘合带粘贴处理、背磨处理、切割处理、粘合带转印处理等。

在此，作为一个例子，举出适用于安装框的转印处理的例子来进行说明。即，如图24的(a)所示，使跨晶圆W的一个面和环框f1地粘贴支承带DT1而构成的安装框MF1吸附保持于保持台7，利用切刀C沿着晶圆W的外形将支承带DT1切断。然后，在将环框f1送出之后搬来新的环框f2，跨晶圆W的另一个面和环框f2地粘贴支承带DT2，从而进行向新的安装框MF2的转印(图24的(b))。

在转印处理完成后，通过执行本发明的晶圆脱离工序，在防止晶圆W的破损的同时使安装框MF2从保持台7脱离。即，在如图24的(c)所示那样使限制构件70与晶圆W抵接或接近的状态下，经由流路74向安装框MF2与保持台7之间供给气体A。在通过供给气体A解除减压状态从而使保持台7的保持力降低之后，使安装框MF2与保持台7分离。

(3)在实施例和各变形例中，以使在两面粘贴有粘合带的状态的晶圆W从保持台7脱离的结构为例进行了说明，但并不限于此。即，即使在晶圆W的表面和背面中的、一者或两者暴露的情况下，也能够适用本发明的基板脱离装置和基板脱离方法。此外，如图25所示，在使限制构件70直接与上表面暴露的晶圆W抵接的情况下，构成限制构件70的材料更优选为，以弹性体、海绵等为例的、能够避免由于限制构件70与晶圆的上表面之间的接触导致的晶圆的损伤的材料。

(4)在实施例和各变形例中，也可以是限制构件70能够保持晶圆W的结构。作为其一个例子，能够举出如下结构：限制构件70与未图示的第2真空装置连接，通过第2真空装置的工作，限制构件70进行由真空吸引实现的吸附。在这样的变形例(4)的晶圆脱离工序中，在步骤S6-3完成后，如图26所示，限制构件70吸附保持晶圆W的上表面，同时从保持台7向上方脱离而将晶圆W收纳于预定的收纳部。

即，在变形例(4)中，限制构件70兼备对晶圆W的抑制、晶圆W的脱离(晶圆的抬起)以及对晶圆W的输送的各功能。因此，在变形例(4)中，能够利用限制构件70连续地执行步骤S6-4、步骤S6-5、以及步骤S7的工序，因此，能够更恰当地实现处理时间的缩短化和装置结构的简化。此外，并不限于与真空装置76独立地新设置第2真空装置的结构，也可以是如下结构：使真空装置76和限制构件70连接，从而真空装置76分别执行由保持台7实现的吸附保持和由限制构件70实现的吸附保持。

另外，变形例(4)的结构只要是限制构件70保持晶圆W并且使晶圆W从保持台7脱离的结构即可，限制构件70保持晶圆W的方式不限于由吸附实现的保持。作为变形例(4)的结构的另一个例子，能够举出由配备于限制构件70的把持臂把持晶圆W的结构等、限制构件70利用机械的夹紧动作来保持晶圆W的结构。在变形例(4)中，第2真空装置或把持臂相当于本发明中的保持机构。

(5)在实施例和各变形例中，也可以是晶圆支承台71和限制构件70分别还内置加热器的结构。在该情况下，在执行将粘合带粘贴于晶圆W的工序之际，构成粘合带的粘合剂和基材被加热器加热而软化。其结果，使粘合带更易于变形。此外，也可以是晶圆支承台71和限制构件70中的任一者具备加热器的结构。

(6)在实施例和各变形例中，扁平面70a的尺寸也可以适当变更。即，并不限于比晶圆W的整个面宽的尺寸，既可以是与晶圆的电路形成区域相应的尺寸，也可以是与晶圆支承台71中的形成流通孔73的区域相应的尺寸。

(7)在实施例和各变形例中，只要是能够向保持台7与晶圆W之间供给气体A的结构即可，并不限于气体A经由内置于保持台7的流路74供给的结构。作为一个例子，也可以是经由管线将气体A向保持台7与晶圆W之间供给的结构，该管线配备于保持台7的外部，且供给口插入保持台7与晶圆W的下表面之间。

(8)在实施例和各变形例中，也可以是，保持台7的晶圆支承台71由以氧化铝等为例的多孔质材料构成。

(9)实施例和各变形例的脱离装置以使晶圆W从保持台7脱离的结构为例进行了说明，但从保持台7脱离的对象不限于晶圆。即，本发明的脱离装置的结构能够适用于使以印刷基板为例的一般的基板脱离的情况。

(10)在实施例和各变形例中，也可以是，由操作者手动地进行将晶圆W载置于保持台7的动作以及使晶圆W从保持台7脱离的动作中的、至少一个动作。作为一个例子，在将以手动进行使晶圆W从保持台7脱离的动作的结构适用到实施例的情况下，在保持台7对晶圆W的保持力由于气体的供给而降低后的状态下，操作者将晶圆W与环框f一起从保持台7抬起。此外，针对载置环框f的动作，也能够适用以手动进行的结构。

Claims (8)

1.一种基板的脱离方法，其是使基板从吸附保持所述基板的保持台脱离的基板的脱离方法，其特征在于，

该基板的脱离方法具备：

接近过程，在该接近过程中，使具有扁平面且用于限制所述基板的限制构件与所述基板接近或抵接，使所述基板与所述扁平面之间的距离维持在预先设定好的预定值；

气体供给过程，在该气体供给过程中，在所述限制构件与所述基板接近或抵接后的状态下，向所述基板与所述保持台之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低；以及

脱离过程，在该脱离过程中，使所述基板从所述保持台脱离。

2.根据权利要求1所述的基板的脱离方法，其特征在于，

所述脱离过程是通过在所述限制构件保持着所述基板的状态下使所述限制构件与所述基板一起从所述保持台脱离来执行的。

3.根据权利要求1或2所述的基板的脱离方法，其特征在于，

所述预定值是0.5mm以下。

4.一种基板的脱离装置，其特征在于，

该基板的脱离装置具备：

保持台，其用于载置并保持基板；

吸附机构，其设置于所述保持台，用于使所述基板吸附保持于所述保持台；

限制构件，其具有扁平面，用于限制所述基板；

接近机构，其能够进行控制，使所述限制构件与所述基板接近或抵接，使所述扁平面与所述基板之间的距离维持在预先设定好的预定值；以及

气体供给部件，其在所述限制构件与所述基板接近或抵接的状态下向所述保持台与所述基板之间供给气体，以使所述保持台的保持力降低。

5.根据权利要求4所述的基板的脱离装置，其特征在于，

该基板的脱离装置具备保持机构，该保持机构设置于所述限制构件，用于使所述基板保持于所述限制构件，

所述限制构件保持所述基板的同时从保持力降低后的所述保持台脱离，从而使所述基板从所述保持台脱离。

6.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，

所述扁平面比所述基板宽，

所述接近机构以所述扁平面与所述基板正对的方式使所述限制构件与所述基板接近或抵接。

7.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，

所述保持台具有保持环框的框架保持部，

该基板的脱离装置具备粘贴机构，该粘贴机构用于跨保持于所述保持台的所述环框和所述基板地粘贴粘合带而制作安装框。

8.根据权利要求4或5所述的基板的脱离装置，其特征在于，

所述预定值是0.5mm以下。