CN108803232A - 曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法 - Google Patents

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CN108803232A
CN108803232A CN201810549912.2A CN201810549912A CN108803232A CN 108803232 A CN108803232 A CN 108803232A CN 201810549912 A CN201810549912 A CN 201810549912A CN 108803232 A CN108803232 A CN 108803232A
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赵敏敏
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
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    • G—PHYSICS
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface

Abstract

本申请涉及一种曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法，该曝光光罩包括光罩基板；设置于光罩基板的图形层；以及，设置于光罩基板的半透光层，半透光层位于图形层的边缘位置。通过在图形层边缘位置添加半透光层，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层，该半透光层具有一定的光透过率，在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该光阻材料过渡结构的厚度小于完整光阻材料部分的厚度，从而达到减小坡度角的目的。

Description

曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法
技术领域
本申请涉及显示器技术领域，特别是涉及一种曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法。
背景技术
在显示行业中，Taper角(坡度角)是指蚀刻工艺后的断面倾斜角，是蚀刻工艺中的一个重要参数值。
如图1所示，现有技术中在进行蚀刻工艺操作时，通过使用传统曝光光罩10对光阻材料层20进行曝光显影从而得到图形化的光阻材料层30。然而，在实际生产过程中，使用传统曝光光罩制作得到的光阻材料图案30存在Taper角(图中ɑ角)较大的缺点，如图2所示，如果Taper角过大，会导致薄膜40在光阻材料层30表面进行爬坡时发生覆盖膜层断裂的情况，从而对产品的性能产生影响。
发明内容
基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够减小Taper角的曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法。
一种曝光光罩，包括：
光罩基板；
设置于所述光罩基板上的图形层，用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形；以及，
设置于所述光罩基板上的半透光层，所述半透光层位于所述图形层的边缘，用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
可选地，所述光罩基板的光透过率为100％，所述图形层的光透过率为0％，所述半透光层的光透过率大于0％且小于100％。
可选地，所述半透光层为金属层。
可选地，所述半透光层围绕所述图形层的整体边缘设置。
可选地，所述半透光层的数量为两层或两层以上，所述两层或两层以上的半透光层在同一层并列设置。
可选地，当所述半透光层的数量为两层或两层以上时，相邻两层半透光层的光透过率不同。
一种曝光光罩制作方法，包括：
提供光罩基板；
制作设置于所述光罩基板的图形层，所述图形层用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成对应的图形；
制作设置于所述光罩基板的半透光层，所述半透光层位于所述图形层的边缘，用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角，所述光罩基板、图形层及半透光层组成所述曝光光罩。
可选地，使用光透过率为100％的材料制作所述光罩基板，使用光透过率为0％的材料制作所述图形层，使用光透过率大于0％且小于100％的材料制作所述半透光层。
一种光阻材料图形化方法，包括：
于衬底基板上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层；
使用上述曝光光罩或使用由上述曝光光罩制作方法制造得到的曝光光罩对所述光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层，所述曝光光罩中的图形层用于使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形，所述曝光光罩中的半透光层用于减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
一种蚀刻方法，所述蚀刻方法包括上述光阻材料图形化方法。
上述曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法，该曝光光罩包括光罩基板；设置于光罩基板的图形层，用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成图形层对应的图形；以及，设置于光罩基板的半透光层，半透光层位于图形层的边缘，用于在曝光及显影工艺中减小光阻材料层所形成图形的坡度角。通过在图形层边缘位置添加半透光层，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层，该半透光层具有一定的光透过率，在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该光阻材料过渡结构的厚度小于完整光阻材料部分的厚度，从而达到减小坡度角的目的。
附图说明
图1为现有技术中得到图形化的光阻材料层的示意图；
图2为现有技术中对得到的图形化光阻材料层进行薄膜覆盖操作的示意图；
图3为一个实施例中曝光光罩的纵向截面图；
图4为一个实施例中半透光层位于图形层的整体边缘位置的曝光光罩的结构示意图；
图5为一个实施例中半透光层位于图形层的部分边缘位置的曝光光罩的结构示意图；
图6为一个实施例中半透光层数量为两层或两层以上的曝光光罩的结构示意图；
图7为一个实施例中曝光光罩制作方法的流程示意图；
图8为一个实施例中光阻材料图形化方法的流程示意图；
图9为一个实施例中光阻材料图形化操作的原理示意图；
图10为另一个实施例中光阻材料图形化操作的原理示意图；
图11为一个实施例中蚀刻方法的流程示意图；
图12为一个实施例中对得到的图形化光阻材料层进行薄膜覆盖操作的示意图；
图13为另一个实施例中蚀刻方法的流程示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
曝光光罩又称光掩模版、掩膜版，英文名称为MASK或PHOTOMASK，是半导体及IC(集成电路)制作过程中用到的一种模具。传统技术中的曝光光罩包括基板和图形层，传统技术中在进行蚀刻工艺操作时，通过使用该结构的曝光光罩对光阻材料层进行曝光显影从而得到图形化的光阻材料层。然而，在实际生产过程中，使用传统曝光光罩制作得到的光阻材料图案存在Taper角较大的缺点，如果Taper角过大，会导致薄膜在光阻材料层表面进行后续薄膜覆盖时发生覆盖膜层断裂的情况，从而对产品的性能产生影响。
为了达到减小Taper角的目的，在一个实施例中，如图3所示，提供一种曝光光罩(图为曝光光罩的纵向截面图)，该曝光光罩包括：光罩基板100、图形层200及半透光层300。
光罩基板100为承载图形层200及半透光层300的基板结构，设置于光罩基板100的图形层200用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成图形层200对应的图形，设置于光罩基板100的半透光层300位于图形层200的边缘位置，半透光层300用于在曝光及显影工艺中减小光阻材料层所形成图形的坡度角。
具体地，在使用光源对光阻材料层进行曝光及显影的过程中，图形层200下方的光阻材料由于被遮挡，从而不会被光源照射到，该部分光阻材料的溶解度不会发生变化。而未被图形层200遮挡的光阻材料被光源照射后溶解度发生变化，从而变得易溶于显影液，从而使得光阻材料层形成与图形层200对应的图形。未溶于显影液的光阻材料的边缘位置会存在一个断面，该断面的倾斜角为Taper角。由于图形层200边缘位置设置有半透光层300，该半透光层300具有一定的光透过率，在曝光及显影过程中，光源发出的光无法完全透过该半透光层300照射到下方的光阻材料，导致该半透光层300下方的光阻材料溶解度不会完全发生变化，因而不会完全溶于显影液，该部分的光阻材料只会被部分去除，而不是完全去除，从而在未溶于显影液的光阻材料断面形成厚度小于完整光阻材料厚度的过渡结构，起到减缓断面坡度的效果，从而达到减小Taper角的目的。
需要说明的是，光阻材料包括正性光阻材料及负性光阻材料，正性光阻材料的曝光部分会溶于显影液，而未曝光部分不溶于显影液；负性光阻材料的曝光部分不会溶于显影液，而未曝光部分溶于显影液。本申请中在对曝光光罩的工作原理进行解释说明时，使用的是正性光阻材料的工作原理，在对本申请的技术方案进行扩展时，使用负性光阻材料的技术方案也属于本申请的保护范围之内。
本实施例提供一种曝光光罩，通过在图形层200边缘位置添加半透光层300，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层300，在曝光过程中位于该半透光层300下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该过渡结构可以起到减缓断面坡度的效果，从而达到减小坡度角的目的，避免后续薄膜覆盖工艺中发生覆盖膜层断裂的情况。
在一个实施例中，光罩基板100的光透过率为100％，图形层200的光透过率为0％，半透光层300的光透过率大于0％且小于100％。光源透过光罩基板100可以完全照射该光罩基板100下方的光阻材料，从而使该部分光阻材料溶解度发生变化，在显影过程中完全溶于显影液。图形层200的光透过率为0％，从而使得光源无法通过该图形层200照射至下方的光阻材料，该部分光阻材料的溶解度不会发生变化，在显影过程中不会溶于显影液。半透光层300的光透过率介于0％与100％之间，通过调整半透光层300的材料类型或者宽度参数等可以改变半透光层300的光透过率，一般来说，光透过率越高，Taper角越小，在生产工艺中可以根据实际需要选择使用对应光透过率的光透过层以形成需要的Taper角。
本实施例中半透光层300的光透过率可以根据实际需要进行选择，从而更灵活控制产品的Taper角，并可以增加该曝光光罩的适用对象，扩大应用范围。
在一个实施例中，半透光层300为金属层。在曝光光罩中，光罩基板100通常是高纯度，低反射率，低热膨胀系数的石英玻璃；图形层200的材料为不透光材料，例如金属铬；半透光层300的材料可以是透明金属，也可以是具有一定光透过率的金属，例如氧化铟锡(Indium tin oxide，ITO)，ITO作为纳米铟锡金属氧化物，具有很好的导电性和透明性。本实施例通过使用具有一定光透过率的金属材料制作半透光层300，在制作工艺中可以保证该半透光层300的稳定性，延长曝光光罩使用寿命。
在一个实施例中，如图4所示，半透光层300围绕图形层200的整体边缘设置。通过在图形层200的所有边缘位置都设置半透光层300，可以减小光阻材料形成图形的所有边缘位置的Taper角，从而改善该图形所有位置的薄膜覆盖效果。
在另一个实施例中，如图5所示，半透光层300也可以是位于图形层200的部分边缘位置，例如：在需要要对减小Taper角的位置设置半透光层300，从而达到减小特定位置的Taper角的目的，增加适用范围。
在一个实施例中，如图6所示，半透光层300的数量为两层或两层以上，两层或两层以上的半透光层在同一层并列设置，例如图中并列设置的第一半透光层310、第二半透光层320及第三半透光层330等。通过在图形层200边缘设置两层或两层以上的半透光层300，可以进一步减小图形边缘的Taper角，并且可以根据实际需要更精确地控制Taper角的范围大小。
在一个实施例中，当半透光层的数量为两层或两层以上时，相邻两层半透光层的光透过率不同。当图形层的边缘位置设置有两层或两层以上的半透光层时，可以根据所需形成图形的profile(轮廓)来设定不同半透光层的光透过率，具体地，可以是通过调整半透光层的材料类型或者宽度参数等以使得相邻半透光层的光透过率不同。本实施例通过调整不同半透光层的不同光透过率，从而可以达到更加精确地控制图形Taper角的目的。
在一个实施例中，如图7所示，提供一种曝光光罩制作方法，该制作方法包括：
步骤S110，提供光罩基板。本步骤中，可以是即时制作光罩基板，也可以是使用已经制作好的光罩基板。
步骤S120，制作设置于光罩基板的图形层，图形层用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成对应的图形。
步骤S130，制作设置于光罩基板的半透光层，半透光层位于图形层的边缘，用于在曝光及显影工艺中减小光阻材料层所形成图形的坡度角，光罩基板、图形层及半透光层组成曝光光罩。
在使用本实施例中制作方法得到的曝光光罩对光阻材料层进行曝光及显影的过程中，图形层下方的光阻材料由于被遮挡，从而不会被光源照射到，该部分光阻材料的溶解度不会发生变化。而未被图形层遮挡的光阻材料被光源照射后溶解度发生变化，从而变得易溶于显影液，从而使得光阻材料层形成与图形层对应的图形。未溶于显影液的光阻材料的边缘位置会存在一个断面，该断面的倾斜角为Taper角。由于图形层边缘位置设置有半透光层，该半透光层具有一定的光透过率，在曝光及显影过程中，光源无法完全透过该半透光层照射到下方的光阻材料，导致该半透光层下方的光阻材料溶解度不会完全发生变化，因而不会完全溶于显影液，该部分的光阻材料只会被部分去除，而不是完全去除，从而在未溶于显影液的光阻材料断面形成厚度小于完整光阻材料厚度的过渡结构，起到减缓断面坡度的效果。
本实施例提供一种曝光光罩制作方法，通过在图形层边缘位置添加半透光层，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层，在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该过渡结构可以起到减缓断面坡度的效果，从而达到减小坡度角的目的，避免后续薄膜覆盖工艺中发生覆盖膜层断裂的情况。
在一个实施例中，使用光透过率为100％的材料制作光罩基板，使用光透过率为0％的材料制作图形层，使用光透过率大于0％且小于100％的材料制作半透光层。光源透过光罩基板可以完全照射该光罩基板下方的光阻材料，从而使该部分光阻材料溶解度发生变化，在显影过程中完全溶于显影液。图形层的光透过率为0％，从而使得光源无法通过该图形层照射至下方的光阻材料，该部分光阻材料的溶解度不会发生变化，在显影过程中不会溶于显影液。半透光层的光透过率介于0％与100％之间，通过调整半透光层的材料类型或者宽度参数等可以改变半透光层的光透过率，一般来说，光透过率越高，Taper角越小，在生产工艺中可以根据实际需要选择使用对应光透过率的光透过层以形成需要的Taper角。
本实施例中半透光层的光透过率可以根据实际需要进行选择，从而更灵活控制产品的Taper角，并可以增加该曝光光罩的适用对象，扩大应用范围。
在一个实施例中，使用金属材料制作半透光层。在曝光光罩中，光罩基板通常是高纯度，低反射率，低热膨胀系数的石英玻璃；图形层的材料为不透光材料，例如金属铬；半透光层可以采用具有一定光透过率的金属层。本实施例通过使用具有一定光透过率的金属材料制作半透光层，在制作工艺中可以保证该半透光层的稳定性，延长曝光光罩使用寿命。
在一个实施例中，半透光层位于图形层的整体边缘位置。通过在图形层的所有边缘位置都设置半透光层，可以减小光阻材料形成图形的所有边缘位置的Taper角，从而改善该图形所有位置的薄膜覆盖效果。
在另一个实施例中，半透光层也可以是位于图形层的部分边缘位置，例如：在需要要对减小Taper角的位置设置半透光层，从而达到减小特定位置的Taper角的目的，增加适用范围。
在一个实施例中，半透光层的数量为两层或两层以上。通过在图形层边缘设置一层数量以上的半透光层，可以进一步减小图形边缘的Taper角，并且可以根据实际需要更精确地控制Taper角的范围大小。
在一个实施例中，当半透光层的数量为两层或两层以上时，相邻两层半透光层的光透过率不同。当图形层的边缘位置设置有两层或两层以上的半透光层时，通过调整半透光层的材料类型或者宽度参数等以使得相邻半透光层的光透过率不同，并通过调整半透光层的光透过率达到控制图形Taper角的目的。
在一个实施例中，如图8所示，提供一种光阻材料图形化方法，该方法包括：
步骤S210，于衬底基板上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层。
步骤S220，使用包含图形层及半透光层的曝光光罩对光阻材料层进行曝光操作及显影操作以得到图形化的光阻材料层。曝光光罩中的图形层用于使得光阻材料层形成图形层对应的图形，曝光光罩中的半透光层用于减小光阻材料层所形成图形的坡度角。
如图9所示，本步骤中，在使用光源对光阻材料层进行曝光及显影的过程中，图形层下方的光阻材料由于被遮挡，从而不会被光源照射到，该部分光阻材料的溶解度不会发生变化。而未被图形层遮挡的光阻材料被光源照射后溶解度发生变化，从而变得易溶于显影液，从而使得光阻材料层形成与图形层对应的图形。未溶于显影液的光阻材料的边缘位置会存在一个断面，该断面的倾斜角为Taper角。由于图形层边缘位置设置有半透光层，该半透光层具有一定的光透过率，在曝光及显影过程中，光源无法完全透过该半透光层照射到下方的光阻材料，导致该半透光层下方的光阻材料溶解度不会完全发生变化，因而不会完全溶于显影液，该部分的光阻材料只会被部分去除，而不是完全去除，从而在未溶于显影液的光阻材料断面形成厚度小于完整光阻材料厚度的过渡结构，起到减缓断面坡度的效果。
本实施例提供一种光阻材料图形化方法，通过使用包含图形层及半透光层的曝光光罩对光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层，在该曝光光罩中，在图形层边缘位置添加半透光层，即相当于在全透光层与不透光层之间增加半透光层，在曝光过程中位于该半透光层下面的光阻材料受到一定强度的光照，使得该部分光阻材料在显影过程中被部分去除，从而在完整光阻材料部分以及光阻材料完全去除的部分之间形成一个光阻材料过渡结构，该过渡结构可以起到减缓断面坡度的效果，从而达到减小坡度角的目的(图9中的β角小于图1中的ɑ角)，避免后续薄膜覆盖工艺中发生覆盖膜层断裂的情况。
在一个实施例中，如图10所示，在对光阻材料层进行图形化处理时，使用的曝光光罩中半透光层的数量为两层或两层以上。通过在图形层边缘设置两层或两层以上的半透光层，从而使得在对光阻材料层进行图形化处理时可以进一步减小图形边缘的Taper角(图10中的γ角小于图9中的β角)，并且可以根据实际需要更精确地控制Taper角的范围大小。
在一个实施例中，如图11所示，提供一种蚀刻方法，该蚀刻方法包括以下步骤：
步骤S310，涂胶，通过在基材上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层。
步骤S320，曝光(Exposure)，通过使用包含图形层及半透光层的曝光光罩对光阻材料层进行曝光操作。
步骤S330，显影，通过对曝光后的光阻材料层进行显影操作以得到图形化的光阻材料层，通过使用包含图形层及半透光层的曝光光罩进行曝光显影得到的光阻材料图形具有较小的Taper角。
步骤S350，基材刻蚀，通过使用蚀刻溶液对基材进行蚀刻，未被光阻材料遮挡的基材被溶解，形成基材图案结构，由于光阻材料图形具有较小的Taper角，从而使得刻蚀得到的基材图案结构也具有较小的Taper角。
步骤S360，去除光阻材料，通过在溶液中清洗以去除基材表面的光阻材料，从而得到与曝光光罩的图形区对应的基材图案。
步骤S370，薄膜沉积覆盖，通过CVD(Chemical Vapor Deposition，化学气相沉积)或PVD(Physical Vapor Deposition，物理气相沉积)在基材图案表面进行薄膜沉积。如图12所示，由于制作得到的基材图案的Taper角较小，在进行薄膜沉积时，可以避免发生覆盖膜层断裂的情况，提升薄膜覆盖效果。
本实施例提供一种蚀刻方法，通过使用包含图形层及半透光层的曝光光罩对涂覆在基材上的光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层，再对基材进行刻蚀，从而得到具有较小Taper角的基材图案结构，进而在进行薄膜沉积覆盖工艺时避免发生覆盖膜层断裂的情况，提升薄膜覆盖效果。
在一个实施例中，如图13所示，提供一种蚀刻方法，该蚀刻方法还包括步骤S340，产品检测。产品检测包括OVERLAY检测、CD-SEM检测、ADI-INSPECTION检测以及RESIST-THICKNESS-MEASUREMENT检测。其中，OVERLAY检测用于测量图形的对准情况，CD-SEM检测用于测量图形的大小，ADI-INSPECTION检测用于在显影后检测基材上是否存在瑕疵，RESIST-THICKNESS-MEASUREMENT检测用于检测光阻材料层的厚度。本实施例通过产品检测过程可以筛选出不符合要求的产品。
应该理解的是，虽然图7、8、11、13的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，图7、8、11、13中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种曝光光罩，其特征在于，包括：
光罩基板；
设置于所述光罩基板上的图形层，用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形；以及，
设置于所述光罩基板上的半透光层，所述半透光层位于所述图形层的边缘，用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
2.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，所述光罩基板的光透过率为100％，所述图形层的光透过率为0％，所述半透光层的光透过率大于0％且小于100％。
3.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，所述半透光层为金属层。
4.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，所述半透光层围绕所述图形层的整体边缘设置。
5.根据权利要求1所述的曝光光罩，其特征在于，所述半透光层的数量为两层或两层以上，所述两层或两层以上的半透光层在同一层并列设置。
6.根据权利要求5所述的曝光光罩，其特征在于，当所述半透光层的数量为两层或两层以上时，相邻两层半透光层的光透过率不同。
7.一种曝光光罩制作方法，其特征在于，包括：
提供光罩基板；
制作设置于所述光罩基板的图形层，所述图形层用于在曝光及显影工艺中使得光阻材料层形成对应的图形；
制作设置于所述光罩基板的半透光层，所述半透光层位于所述图形层的边缘，用于在所述曝光及显影工艺中减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角，所述光罩基板、图形层及半透光层组成所述曝光光罩。
8.根据权利要求7所述的曝光光罩制作方法，其特征在于，使用光透过率为100％的材料制作所述光罩基板，使用光透过率为0％的材料制作所述图形层，使用光透过率大于0％且小于100％的材料制作所述半透光层。
9.一种光阻材料图形化方法，其特征在于，包括：
于衬底基板上进行光阻材料涂覆操作以形成光阻材料层；
使用如权利要求1至6任一项所述的曝光光罩或使用由权利要求7至8任一项所述的曝光光罩制作方法制造得到的曝光光罩对所述光阻材料层进行曝光及显影操作以得到图形化的光阻材料层，所述曝光光罩中的图形层用于使得光阻材料层形成所述图形层对应的图形，所述曝光光罩中的半透光层用于减小所述光阻材料层所形成图形的坡度角。
10.一种蚀刻方法，其特征在于，所述蚀刻方法包括如权利要求9所述的光阻材料图形化方法。
CN201810549912.2A 2018-05-31 2018-05-31 曝光光罩及其制作方法、光阻材料图形化方法及蚀刻方法 Pending CN108803232A (zh)

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