CN108793055B - 基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法 - Google Patents

Abstract

本公开涉及基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法。例如，一种微机电换能器包括：半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；第一结构本体，耦合至半导体本体的第一表面；第一密封腔，位于半导体本体和第一结构本体之间；以及活跃区域，容纳在第一密封腔中，包括至少两个沟槽以及沟槽之间的传感器元件。沟槽沿着从半导体本体的第一表面朝向第二表面的垂直方向延伸。

Description

基于沟槽的微机电换能器及制造该微机电换能器的方法

技术领域

本公开涉及微机电换能器以及用于制造微机电换能器的方法。具体地，本公开涉及基于沟槽的压力或力传感器及其制造方法。

背景技术

如已知的，可以利用微加工技术来制造集成压力传感器。这些传感器通常包括悬置在硅本体中设置的腔之上的薄膜或隔膜。在薄膜内形成压敏元件，它们连接到一起形成惠斯通桥。当经历压力时，薄膜经历变形，引起压敏元件的电阻的变化，由此引起惠斯通桥的失衡。作为备选，可用电容传感器，其中薄膜提供电容器的第一板，通过固定参考坐标提供第二板。在使用期间，薄膜的变形生成电容器的电容的变化，这可以被检测到并且与施加在薄膜上的压力相关联。

然而，迄今为止这些半导体传感器本身不用于测量高压，因为它们通常具有低满标值。因此，对于高压应用来说，压敏电阻器形成在N型硅本体的表面处，例如通过P+注入形成。

在美国专利第5,773,728号中提供了制造技术和应用的示例。根据美国专利第5,773,728号的公开，适合于高压应用的半导体传感器包括位于直接连接至硅衬底的表面的应变仪(strain gauge)的顶部上的压敏电阻器。由(i)应变仪、(ii)它们之间的沟槽以及(iii)压敏电阻器组成的活跃(active)区域被暴露给环境。保护结构的存在诱发所述活跃区域上的损伤或泄露的风险，阻碍传感器在严酷环境中的可靠使用。

本发明的申请人已知凝胶可用于保护活跃区域。然而，保护凝胶会在高温和/或高压的条件下或者当在液体静压力应用中与特定流体接触时被损伤或去除。此外，所述保护凝胶将填充活跃区域中的沟槽，影响它们的行为。

发明内容

本公开的一个或多个实施例提供了一种微机电换能器以及用于制造微机电换能器的方法，以克服先前说明的问题。具体地，本公开的一个或多个实施例提供了用于保护压阻压力传感器的活跃区域的备选解决方案，其克服了上面提到的缺陷。

根据本公开，如所附权利要求中限定的，提供了微机电换能器以及用于制造微机电换能器的方法。

附图说明

为了更好地理解本公开，现在仅通过非限制性示例并且参照附图来描述优选实施例，其中：

图1是根据本公开的一个实施例的微机电换能器的截面图；

图2是图1的微机电换能器的顶视图；

图3是用作图1的微机电换能器的读出电路的惠斯通桥的电路表示；

图4是根据本公开的另一实施例的微机电换能器的截面图；

图5是根据本公开的又一实施例的微机电换能器的截面图；

图6是图5的微机电换能器在用作压力传感器期间的截面图；

图7是图6的微机电换能器的顶视图；

图8是根据本公开的又一实施例的微机电换能器沿着图9的切割线VIII-VIII截取的截面图；

图9是图8的微机电换能器的顶视图；

图10是根据本公开的又一实施例的沿着图11的切割线X-X截取的截面图；

图11是图10的微机电换能器的顶视图；以及

图12至图15以顶视图示出了图1、图4、图5和图8的微机电换能器的传感器元件的相应布局。

具体实施方式

图1示出了根据本公开的一个实施例的微机电换能器(具体为压力传感器1)的截面图。在空间坐标x、y、z的系统中表示图1中的压力传感器1，并且沿着图2所示的线I-I截取截面图。压力传感器1包括具有正面2a和背面2b的传感器本体2。多个沟槽4从正面2a到背面2b延伸穿过传感器本体2，具体与z轴平行。沟槽4限定传感器本体2的桥结构5的相对侧。压敏电阻器6a-6d分别在正面2a处以及沟槽4之间布置在桥结构5中；具体地，在一对相邻的沟槽4之间布置单个压敏电阻器6a、…6d。沟槽4、桥结构5和压敏电阻器6a-6d限定压力传感器1的活跃区域7。

根据本公开的一个方面，传感器本体2是半导体材料，并且具体为硅；更具体地，传感器本体2由n型单晶硅制成，并且压敏电阻器6a-6d是p+注入区域。

具有盖的功能的第一结构本体8通过第一耦合区域16耦合至传感器本体2的正面2a。以下，第一结构本体8被称为盖。盖8具有对应于活跃区域7的面向正面2a的凹部10。凹部10通过高度H的侧壁10a和底壁10b来界定。侧壁10a的高度H的示例性值在1至500μm的范围内。侧壁10a和底壁10b以角度α来布置。侧壁10a环绕活跃区域7，并且底壁与传感器本体2的正面2a相距一定距离来延伸。以这种方式，盖8的凹部10是密封腔11a的一部分，其中容纳有活跃区域7。腔11a通过第一耦合区域16(例如由玻璃、如Al/Ge或Au/Ge合金的金属接合、双粘合层来制成，通常为晶圆接合材料)来密封；第一耦合区域16可以通过晶圆-晶圆接合技术(例如，玻璃熔块)来形成。

具有支持衬底的功能的第二结构本体12通过第二耦合区域18耦合至传感器本体2的背面2b。在下文中，第二结构本体12表示为衬底。衬底12具有与沟槽7在其中延伸的区域相对应的面向背面2b的凹部14。通过侧壁14a和底壁14b来界定凹部14。侧壁14a环绕沟槽4，并且底壁与传感器本体2的背面2b相距一定距离来延伸。以这种方式，衬底12的凹部14是密封腔11a的一部分，密封腔还包括位于桥结构5之间的沟槽4。具体地，根据该实施例的一个方面，凹部14和10至少部分地沿着z轴对齐。具体地，凹部14和10是重叠的，这可以从xy平面的顶视图中看到。

凹部14通过第二耦合区域18(例如由玻璃、如Al/Ge合金的金属接合或双粘合层制成)来密封。类似于第一耦合区域16，第二耦合区域18可以通过晶圆-晶圆接合技术(例如，玻璃熔块)来形成。

盖8和衬底12可以为任何适当的材料，诸如半导体材料、陶瓷、钢铁或金属合金(例如，Invar、Kovar)。

图2示出了图1的压力传感器1的xy平面上的顶视图。从该图中看出，沟槽4具有基本为矩形的形状，例如具有圆角。矩形的长边限定沟槽4的长度L_t，而短边限定沟槽4的宽度W_t。沟槽4的尺寸的示例性值为：长度L_t在10至1000μm的范围内，宽度W_t在0.1至500μm的范围内。压敏电阻器6a-6d具有基本为矩形或卵形或椭圆的形状，主轴限定压敏电阻器6a-6d的长度L_p，短轴限定压敏电阻器6a-6d的宽度W_p。压敏电阻器6a-6d的尺寸的示例性值为：长度L_p在5至100μm的范围内，宽度W_p在1至50μm的范围内。与y轴平行，沟槽4沿着它们的长度相互对齐。压敏电阻器6a-6d可以它们的长度L_p与沟槽4的长度L_t平行或垂直的方式来布置。在该实施例中，如图3示意性示出的，四个压敏电阻器6a-6d以惠斯通桥的配置来电连接。为了实现惠斯通桥的适当功能(以下详述)，两个压敏电阻器6a、6d以它们的长度L_p平行于沟槽4的长度L_t的方式来布置，而其他两个压敏电阻器6b、6c以它们的长度L_p垂直于沟槽4的长度L_t的方式来布置。

以下描述压力传感器1的制造的示例性方法。首先，提供包括传感器本体2的n型单晶硅晶圆。通过标准光学光刻技术，在正面2a的顶部上形成第一光刻胶掩模。光刻胶掩模中的开口对应于应该形成有压敏电阻器6a-6d的区域。压敏电阻器6a-6d可以通过注入或扩散p型掺杂元素(例如，硼)来形成。形成压敏电阻器6a-6d的技术以及它们在惠斯通桥中的连接是已知的，因此不再进一步详细描述。在去除第一光刻胶掩模之后，在正面2a的顶部上形成第二光刻胶掩模。第二光刻胶掩模中的开口对应于应该形成有沟槽4的区域，与形成有压敏电阻器6a-6d的区域相距一定距离。使用第二光刻胶掩模，穿过传感器本体2的整个厚度选择性地蚀刻传感器本体2，直到形成背面2b处的开口为止。形成沟槽4的蚀刻步骤是标准体微加工技术，并且其可以是湿蚀刻或干蚀刻。然后去除第二光刻胶掩模。

提供硅或任何其他适当材料的第二晶圆，包括盖8。通过标准光学光刻技术在第二晶圆的正面上形成第三光刻胶掩模。第三光刻胶掩模上的开口对应于腔10的位置。第三光刻胶掩模上的开口的区域应该以包括第一和第二光刻胶掩模在相互对齐时的开口的区域的方式来限定。使用第三光刻胶掩模，盖8被选择性地蚀刻达到小于其厚度的深度。然后，去除第三光刻胶掩模。

提供硅或任何其他适当材料的第三晶圆，包括衬底12。通过标准光学光刻技术在第三晶圆的正面上形成第四光刻胶掩模。第四光刻胶掩模上的开口对应于腔14的位置。第四光刻胶掩模上的开口的区域应该以包括第一和第二光刻胶掩模在它们相互对齐时的开口的区域的方式来限定。使用第四光刻胶掩模，衬底12被选择性地蚀刻达到小于其厚度的深度。然后，去除第四光刻胶掩模。

接下来，包括传感器本体2的第一晶圆以及包括盖8的第二晶圆通过耦合区域16(通过已知的晶圆-晶圆接合技术得到，例如玻璃熔块)在表面2a处相互耦合。

接下来，包括传感器本体2的第一晶圆以及包括衬底12的第三晶圆通过耦合区域18(通过已知的晶圆-晶圆接合技术得到，例如玻璃熔块)在表面2b处相互耦合。

以这种方式，腔10和14被密封，并且活跃区域7不暴露给环境。

图4示出了根据本公开的又一实施例的压力传感器20。不同于图1所示的压力传感器1，不存在凹部10和14。所有其他元件与图1的压力传感器1相同并由相同的参考标号表示，因此不再进行任何描述。与图1的压力传感器1的情况相同，盖8和衬底12通过耦合区域16和18分别与正面2a和背面2b相距一定距离。因此，形成腔11b，其包括沟槽4、传感器本体2的顶面2a与盖8的底面之间的开放区域、以及传感器本体2的底面2b与衬底12的顶面之间的开放区域。图4的压力传感器20比图1的压力传感器1更容易制造，因为其不包括蚀刻盖8和衬底12以形成凹部10和14的步骤。

在压力传感器1、20的使用期间，沿着z轴施加的压力或力可以引起盖8和衬底12弯曲。为了确保活跃区域7的保护和适当功能，盖9和衬底12均不应该与传感器本体2直接接触。在盖8和/或衬底12与传感器本体12直接接触之前，相对于图1的压力传感器1，压力传感器20可以抵挡施加于z轴的较小压力或力。

图5示出了根据本公开的又一实施例的压力传感器30。不同于图1所示的压力传感器1，不存在衬底12，此外，沟槽34在传感器本体2中以小于传感器2的厚度的沿着z轴测量的深度H_t延伸。换句话说，沟槽34与背面2b相距一定距离在传感器本体2内结束。沟槽24的深度H_t的示例性值在5至100μm的范围内。形成密封腔11c，其包括凹部10和沟槽34。所有其他元件与图1的压力传感器1相同并且由相同的参考标号表示，由此不再进行任何描述。

形成活跃区域7的压敏电阻器6a-6d和沟槽34的布置类似于已经针对图1、图2的压力传感器1的压敏电阻器6a-6d和沟槽4所描述的。

压力传感器30比压力传感器1和20具有较小的厚度以及较低的制造成本。

根据图中未示出的又一实施例，压力传感器30的盖8的凹部10可以不存在，这类似于上面参照图4所描述的。

图6和图7示出了压力传感器1、20、30的工作原理。更具体地，图6和图7分别以截面图和顶视图示出了压力传感器30经受液体静压力(由箭头40表示)。沿着线II-II截取得到截面图。液体静压力可以施加于压力传感器30的所有外表面。压力(将被测量的物理量)在传感器本体2的表面2a处引发平面机械应力σ。在定位有压敏电阻器6a-6d的桥结构5中，该平面应力σ在一对相邻的沟槽34之间集中。当经受平面应力σ时，第i个压敏电阻器6a、…6d根据硅的压敏效应的已知等式(1)改变其电阻值R_i：

其中ρ_i是第i个压敏电阻器6a、…6d的电阻率；π_l、π_t和π_z分别是相对于第i个压敏电阻器6a、…6d的压敏系数矩阵的纵向(平行于长度L_p)、横向(平行于宽度L_p)和法向分量；σ_li、σ_ti和σ_zi分别是相对于i个压敏电阻器6a、…6d的应力的纵向、横向和法向分量。更具体地，由于压敏电阻器在压敏电阻器6a-6b所处的传感器本体2的表面2a处经历平面应力σ，所以法向分量σ_zi变为零。作为示例，在晶面(001)和晶体方向<110>的p型硅的情况下，等式(1)被简化为：

其中π_{in_plane}约为硅压敏系数π₄₄的一半(π_{in_plane}≈70x10^-11Pa^-1)。

可以注意，在液体静压力的情况下，所有电阻器均经历负应力，这导致纵向电阻器的负输出以及横向电阻器的正输出。

沟槽34的布置影响在一对相邻沟槽34之间在桥结构5上集中的平面应力σ的分量的值。具体地，与一对沟槽34平行的平面应力σ的分量被最大化，而垂直于一对沟槽34的平面应力σ的分量被最小化。因此，对于平行于沟槽34的压敏电阻器6a和6d，σ_Li的模数远大于σ_Ti，而对于垂直于沟槽34的压敏电阻器6b和6c，σ_Ti的模数远大于σ_Li。从而，当压力传感器30经受外部压力时，考虑压缩应力具有负符号，压敏电阻器6a、6d的电阻值R_a、R_d减小，而压敏电阻器6b、6c的电阻值R_b、R_c增加。

根据已知等式(2)，如图3所示，电阻值的这种改变导致由输入电压V_i偏置的惠斯通桥的输出电压V_O的改变：

在存在以下条件的情况下：

ΔR_a＝ΔR_d＝-ΔR_b＝-ΔR_c＝ΔR

R_a＝R_b＝R_c＝R_d＝R (3)

等式(2)简化为：

总之，输出电压VO与输入压力相关。

压力传感器1、20、30也可以用于几乎或唯一地沿着与压敏电阻器6a-6d所处平面垂直的方向施加力或压力(即，沿着z轴施加力或压力)的应用。

在单轴垂直负载的情况下，惠斯通桥的所有电阻器经历正应力，使得纵向电阻器具有正输出而横向电阻器具有负输出。

由于盖8通过第一耦合区域16锚定至传感器本体2的事实，由施加的力或压力引起的盖8和传感器本体的相对膨胀在传感器本体2的表面2a处引发平面应力分布(例如，拉伸应力)，因此在压敏电阻器6a-6d上引发平面应力分布。同样的原理适用于衬底12，上述实施例中包含衬底12。

根据本公开的一个方面，为了改进盖8和传感器2之间的机械耦合，盖8中的凹部10的侧壁10a和底壁10b之间的角度α应该大于或等于90°。类似地，衬底12中的凹部14的侧壁14a和底壁14b之间的角度α应该大于或等于90°。

图8和图9示出了根据本公开的又一实施例的力传感器50。图8是力传感器50的截面图，其沿着图9所示的线VIII-VIII截取。在该实施例中，盖8由柔性绝缘材料制成，其中可以形成导电路径52。导电路径可以备选地形成在柔性绝缘材料上方。例如，盖8可以是柔性印刷电路板，例如由覆铜聚酰亚胺层(已知为“Kapton”)或者薄柔性印刷电路板制成。导电路径52可以限定与力传感器50的其他部件的电连接。例如，导电路径52可用于耦合惠斯通桥配置中的压敏电阻器6a-6d。类似于图5的压力传感器30，压力传感器50不包括衬底12，并且沟槽34结束在传感器本体2内。形成活跃区域7的压敏电阻器6a-6d和形成活跃区域7的沟槽34的布置类似于已经参照压力传感器30所描述的。

力传感器50可以任选地包括凹槽54，其环绕活跃区域7以使传感器本体2的几何边界效应最小，并由此增加传感器的效率。多个导电焊盘56在传感器本体2的表面2a处延伸，与活跃区域7相距一定距离。导电焊盘56形成用于以惠斯通桥配置连接的压敏电阻器6a-6d的电接触端子。导电焊盘56可以是任何适当的材料，诸如铝。

盖8通过悬置块59(其可以与导电焊盘56接触)保持在活跃区域7上方的悬置位置。在这种情况下，悬置块59是导电材料，诸如无铅电焊料，并且将导电焊盘56电耦合至导电路径52，使得导电焊盘56可以从腔57的外侧电接入。

力传感器50尤其适合于用作按钮力传感器(例如，在3D触摸屏内)，因为其具有非常薄的总厚度和高灵敏度。施加于盖8上的力通过悬置块59和导电焊盘56传送至衬底2，由此在活跃区域7处生成具有面内分量的应力，其可以通过活跃区域7中的压敏电阻器来进行感测。

根据又一实施例，如图10和图11所示，盖8进一步通过耦合区域58耦合至传感器本体2的正面2a。应注意，图10和图11的实施例包括已经针对图8和图9的实施例所描述的所有特征(使用相同的参考标号来表示)，并且进一步包括耦合区域58。

以当盖8耦合至耦合区域58时形成密封腔57的这种方式，耦合区域58完全环绕活跃区域7。活跃区域7完全容纳在由此形成的密封腔57中。耦合区域58在导电焊盘56和活跃区域7之间延伸(导电焊盘56在腔57外)。以这种方式，活跃区域7不暴露给环境。耦合区域58可以为任何适当的材料，诸如金属接合合金或软焊料。

图12至图15示出了用于压力传感器1、20的沟槽4和压敏电阻器6a-6d以及用于压力传感器30、50的沟槽34和压敏电阻器6a-6d的备选空间布置。备选配置可以根据需要进行设计，例如考虑所施加力或应力的方向和/或空间约束。

在本公开的又一些实施例中，如图15所示，单个压敏电阻器60被集成到传感器本体2中。在使用期间，压敏电阻器60经受与压敏电阻器6a-6d相同的变形，并且以众所周知的方式，其电阻的改变可以与施加于集成压敏电阻器60的压力传感器的力/压力的量相关联。

根据本公开而公开的微机电换能器例如可用于测量严酷环境中的压力，诸如燃料喷射系统、制动系统、压力容器。

此外，根据本公开而公开的微机电换能器可用作电子设备中的触摸传感器。

先前根据各个实施例描述的本公开的优势从上文的描述中清楚得到。

具体地，本公开的所有实施例都包括保护活跃区域7的盖8，能够在严酷环境中实现压敏压力/力传感器的可靠使用。

在上面公开的实施例中，盖沿着Z方向将施加的负载传送到传感器的活跃区域中的平面应力分布中。

最后，清楚地，可以对本文所述和所示的实施例进行修改和更改，而不背离本公开的范围。

例如，盖8、传感器本体2和衬底12可以具有任何适当的尺寸和形状。

此外，沟槽可以具有与所讨论的矩形或基本呈矩形的形状不同的形状。例如，沟槽可以具有圆形、一般的多边形形状等。在未示出的一个实施例中，可以存在具有圆形的单个沟槽，其完全环绕一个或多个压敏电阻器。

在本公开的所有实施例中，压敏电阻器可以被对平面应力或压力的改变敏感的任何其他元件(例如，金属应变仪)来代替。

上文描述的各个实施例可以组合来提供又一些实施例。根据上面的详细描述可以对实施例进行这些和其他改变。一般地，在以下权利要求中，所使用的术语不应该构造为将权利要求限于说明书和权利要求中公开的具体实施例，而是应该构造为包括所有可能的实施例以及这些权利要求要求的等效的所有范围。因此，权利要求不被本公开所限制。

Claims (20)

1.一种微机电换能器，包括：

半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面；

第一结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第一表面；

密封腔，在所述半导体本体和所述第一结构本体之间延伸，并且包括位于所述半导体本体中的至少两个沟槽，所述至少两个沟槽在所述半导体本体中限定桥结构，所述沟槽沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸；以及

传感器元件，位于所述至少两个沟槽之间的所述桥结构上或中。

2.根据权利要求1所述的微机电换能器，还包括位于所述半导体本体和所述第一结构本体之间的耦合区域，所述耦合区域横向地包裹所述密封腔的至少一部分并且具有使得所述第一结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度。

3.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的凹部，第一凹部面向所述半导体本体。

4.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述沟槽从所述第一表面向所述第二表面延伸穿过所述半导体本体的整个厚度，所述微机电换能器还包括：

第二结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第二表面；其中所述密封腔在所述半导体本体和所述第二结构本体之间延伸。

5.根据权利要求4所述的微机电换能器，还包括：

第一耦合区域，位于所述半导体本体和所述第一结构本体之间，所述第一耦合区域横向地包裹所述密封腔的第一部分，并且具有使得所述第一结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度；以及

第二耦合区域，位于所述半导体本体和所述第二结构本体之间，所述第二耦合区域横向地包裹所述密封腔的第二部分，并且具有使得所述第二结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度。

6.根据权利要求4所述的微机电换能器，其中：

所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的第一凹部，所述第一凹部面向所述半导体本体；并且

所述密封腔包括位于所述第二结构本体中的第二凹部，所述第二凹部面向所述半导体本体。

7.根据权利要求4所述的微机电换能器，其中所述第二结构本体具有以下中的一种材料：半导体、陶瓷和金属。

8.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中在所述半导体本体内限制所述沟槽。

9.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述传感器元件包括以下中的一种元件：单个压敏电阻器、至少两个压敏电阻器以及以惠斯通桥连接的四个压敏电阻器。

10.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中：

在正交于所述垂直方向的平面上，所述沟槽具有对应的纵向延伸以及与所述纵向延伸正交的对应的横向延伸；并且

所述传感器元件包括以下中的一种元件：单个压敏电阻器，在所述平面上具有与所述纵向延伸平行的主延伸；至少两个压敏电阻器，在所述平面上具有分别与所述纵向延伸和所述横向延伸平行的对应的主延伸；以惠斯通桥连接的四个压敏电阻器，其中两个压敏电阻器在所述平面上具有与所述纵向延伸平行的主延伸，并且另外两个压敏电阻器在所述平面上具有平行于所述横向延伸的主延伸。

11.根据权利要求1所述的微机电换能器，其中所述密封腔包括位于所述第一结构本体中的第一凹部，所述第一凹部面向所述半导体本体并且具有沿着所述垂直方向从所述第一表面开始测量的高度，所述高度在1-500μm的范围内。

12.根据权利要求1所述的微机电换能器，还包括：

耦合区域，位于所述半导体本体和所述第一结构本体之间，所述耦合区域横向地包裹所述密封腔的至少一部分，并且具有使得所述第一结构本体沿着所述垂直方向与所述桥结构隔开的厚度；

多个导电焊盘，在所述耦合区域和所述密封腔外部，在所述半导体本体的所述第一表面上延伸；以及

多个悬置块，分别机械且电耦合至所述导电焊盘和所述第一结构本体。

13.根据权利要求12所述的微机电换能器，其中所述导电焊盘电耦合至所述传感器元件的电端子。

14.根据权利要求12所述的微机电换能器，其中所述半导体本体包括沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸的槽，所述槽环绕所述沟槽和所述桥结构。

15.一种微机电换能器，包括：

半导体本体，具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述半导体本体包括在所述半导体本体中限定桥结构的至少两个凹槽，所述凹槽沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸；

结构本体，耦合至所述半导体本体的所述第一表面，具有形成在所述结构本体与所述半导体本体之间的密封空间，所述密封空间包括所述凹槽；

传感器元件，位于所述凹槽之间的所述桥结构上或中。

16.根据权利要求15所述的微机电换能器，还包括：

多个导电焊盘，在所述凹槽外部在所述半导体本体的所述第一表面上延伸；以及

多个悬置块，分别位于所述导电焊盘和所述结构本体之间。

17.根据权利要求16所述的微机电换能器，其中所述导电焊盘电耦合至所述传感器元件的电端子。

18.根据权利要求15所述的微机电换能器，其中所述半导体本体包括沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸的槽，所述槽横向地包裹所述凹槽。

19.一种用于制造微机电换能器的方法，包括：

在半导体本体中形成限定所述半导体本体的桥结构的至少两个沟槽，所述半导体本体具有彼此相对的第一表面和第二表面，所述沟槽沿着从所述半导体本体的所述第一表面朝向所述第二表面的垂直方向延伸；

在所述桥结构中或上形成传感器元件；

将结构本体耦合至所述半导体本体的所述第一表面，所述耦合包括形成部分地位于所述半导体本体和所述结构本体之间的并且包括所述沟槽的密封腔。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括：在将所述结构本体耦合至所述半导体本体之前，在所述半导体本体中形成凹部，所述凹部形成所述密封腔的一部分。