CN108781071B - 方波产生方法及方波产生电路 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种方波产生方法，应用于一方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一耐压，所述方波产生方法包含有于一第一时间区间中，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第一电压；于一第二时间区间中，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第二电压；以及于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间中，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一暂态电压，其中所述暂态电压介于所述第一电压与所述第二电压之间；其中，所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述耐压。

Description

方波产生方法及方波产生电路
技术领域
本申请涉及一种方波产生方法及方波产生电路，尤其涉及一种可产生具有高压振幅方波且以低压制程制造的方波产生方法及方波产生电路。
背景技术
对特定电路系统来说，可能会需要具有高压振幅的方波信号，为了产生高压振幅的方波信号，需利用一高压半导体制程来生产具有高耐压的半导体元件。然而，高压半导体制程的生产成本较高，而导致应用前述电路系统的电子产品所需的生产成本增加。
因此，如何利用低压制程生产制造的半导体元件来产生高压振幅方波，即为业界所努力的目标之一。
发明内容
因此，本发明部分实施例主要目的即在于提供一种可产生具有高压振幅方波且以低压制程制造的方波产生方法及方波产生电路。
为了解决上述技术问题，本申请提供了一种方波产生方法，应用于一方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压(BreakdownVoltage)，所述方波产生方法包括：在一第一时间区间，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第一电压；在一第二时间区间，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一第二电压；以及于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间，所述方波产生电路产生所述类方波信号为一暂态电压，其中所述暂态电压介于所述第一电压与所述第二电压之间；其中，所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述特定耐压。
一种实施例中，所述第一电压与所述暂态电压之间的一第二电压差为所述特定耐压。
一种实施例中，所述暂态电压与所述第二电压之间的一第三电压差为所述特定耐压。
一种实施例中，所述第一电压与所述第二电压之间的所述第一电压差为所述特定耐压的2倍。
一种实施例中，所述暂态电压为一接地电压。
本申请另提供了一种方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压(Breakdown Voltage)，其特征在于，所述方波产生电路包含有一输出端，用来输出所述类方波信号；一第一信号产生电路，用来于一第一时间区间中产生一第一电压；一第二信号产生电路，用来于一第二时间区间中产生一第二电压；一第一开关，其一端耦接于所述第一信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；以及一第二开关，其一端耦接于所述第二信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；其中，所述第一信号产生电路及所述第二信号产生电路于一暂态区间中产生一暂态电压，所述暂态区间位于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间；其中，于所述第一时间区间中，所述第一开关为导通，所述类方波信号为所述第一电压；于所述第二时间区间中，所述第二开关为导通，所述类方波信号为所述第二电压，于所述暂态区间中，所述第一开关或所述第二开关为导通；其中，所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述特定耐压。
一种实施例中，所述第一开关受控于一第一控制信号，于所述于所述暂态区间中，所述第一开关导通，所述第一开关自所述第一信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。
一种实施例中，所述第二开关受控于一第二控制信号，于所述于所述暂态区间中，所述第二开关导通，所述第二开关自所述第二信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。
一种实施例中，所述第一开关为一第一金氧半晶体管，所述第一金氧半晶体管的一基极耦接于所述第一金氧半晶体管的一源极，所述第一金氧半晶体管为一P型金氧半晶体管，所述第二开关为一第二金氧半晶体管，所述第二金氧半晶体管的一基极耦接于所述第二金氧半晶体管的一源极，所述第二金氧半晶体管为一N型金氧半晶体管。
一种实施例中，所述第一金氧半晶体管的的一栅极接收一第一控制信号，所述第二金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。
一种实施例中，所述第二金氧半晶体管的的一栅极接收一第二控制信号，所述第一金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。
一种实施例中，所述第一信号产生电路产生一第一输出信号，第一输出信号的一输出高电平为一正电压，所述第一反相器的一输出低电平为一接地电压。
一种实施例中，所述第一信号产生电路包含一第一反相器，所述第一反相器的一输出高电平为所述正电压，所述第一反相器的一输出低电平为所述接地电压。
一种实施例中，所述第一信号产生电路于所述第一时间区间中产生所述第一电压为所述正电压，并于所述暂态区间中产生所述暂态电压为所述接地电压。
一种实施例中，所述第二信号产生电路产生一第二输出信号，第二输出信号的一输出高电平为一接地电压，所述第二反相器的一输出低电平为一负电压。
一种实施例中，所述第二信号产生电路包含一第二反相器，所述第二反相器的一输出高电平为所述接地电压，所述第二反相器的一输出低电平为所述负电压。
一种实施例中，所述第二信号产生电路于所述第二时间区间中产生所述第二电压为所述负电压。
一种实施例中，所述方波产生电路另包含一第一保护单元以及一第二保护单元，所述第一保护单元耦接于所述第一信号产生电路与所述第一开关之间，所述第二保护单元耦接于所述第二信号产生电路与所述第二开关之间。
一种实施例中，所述第一保护单元包含一第一N型晶体管以及一第一P型晶体管，所述第一N型晶体管与所述第一P型晶体管相互连接，所述第二保护单元包含一第二N型晶体管以及一第二P型晶体管，所述第二N型晶体管与所述第二P型晶体管相互连接。
一种实施例中，所述第一N型晶体管的一栅极接收一正电压，所述第一P型晶体管的一栅极以及所述第二N型晶体管的一栅极耦接于一接地端，所述第二P型晶体管的一栅极接收一负电压。
本申请提供的方波产生电路于由高电压转换至低电压之间(或低电压转换至高电压之间)的暂态区间输出暂态电压，其可输出具有高压振幅的类方波信号，而仅利用低于高压振幅的低压制程即可完成生产制造，具有低生产成本的优点。
附图说明
一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制。
图1为本申请实施例一种方波产生电路的示意图。
图2为本申请实施例的类方波信号的示意图。
图3为本申请实施例的一种方波产生电路的示意图。
图4为本申请实施例多个信号的波形图。
图5为本申请实施例的方波产生流程的示意图。
图6为本申请另一实施例的方波产生电路的示意图。
图7为本申请又一种实施例的方波产生电路的示意图。
图8为图7所示实施例的方波产生电路对应的多个信号的波形图。
图9为本申请另一实施例的方波产生电路的示意图。
图10为本申请又一实施例的方波产生电路的示意图。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
请参考图1及图2，图1为本申请实施例一方波产生电路10的示意图，图2为一类方波信号SSG的示意图。如图2所示，类方波信号SSG于一时间区间T1时具有一高电压V1；于一时间区间T2时具有一低电压V2；于一暂态区间Ttran时具有一暂态电压Vtran，其中，暂态电压Vtran小于高电压V1且大于低电压V2，高电压V1与低电压V2具有一电压差ΔV1,2；高电压V1与暂态电压Vtran具有一电压差ΔV1,tran；暂态电压Vtran与低电压V2具有一电压差ΔV2,tran，另外，暂态区间Ttran位于时间区间T1与时间区间T2之间。当暂态区间Ttran相对于时间区间T1或时间区间T2为很小时(例如，当Ttran<T1*(1/100)或Ttran<T2*(1/100)时)，类方波信号SSG可近似为一方波信号，故称之为类方波信号。另一方面，方波产生电路10为利用一特定制程所生产的电路，其具有一特定耐压(Breakdown Voltage)BV，换句话说，当方波产生电路10的跨压超过特定耐压BV时，将导致方波产生电路10内部的半导体元件击穿/崩溃(Breakdown)，而导致方波产生电路10损坏。在方波产生电路10具有特定耐压BV的前提之下，方波产生电路10可产生电压差ΔV1,2大于特定耐压BV的类方波信号SSG。
另一方面，如图1所示，方波产生电路10包含一输出端No、信号产生电路12、14以及开关S1、S2，输出端No用来输出类方波信号SSG，信号产生电路12用来于时间区间T1中产生高电压V1，并于暂态区间Ttran中产生暂态电压Vtran，而信号产生电路14用来时间区间T2中产生低电压V2。开关S1以及开关S2分别耦接于信号产生电路12与输出端No之间以及信号产生电路14与输出端No之间，于一实施例中，开关S1可于时间区间T1以及暂态区间Ttran中为导通(Conducted)，并于时间区间T2为断路(Cutoff)；另外，开关S2可于时间区间T1以及暂态区间Ttran中为断路，并于时间区间T2为导通。如此一来，输出端No可于时间区间T1中输出类方波信号SSG为高电压V1，于暂态区间Ttran中输出类方波信号SSG为暂态电压Vtran，并于时间区间T2中输出类方波信号SSG为低电压V2。也就是说，方波产生电路10利用由高电压转V1换至低电压V2之间(或低电压V2转换至高电压V1之间)之暂态区间Ttran输出暂态电压Vtran，以避免方波产生电路10的瞬间跨压超过特定耐压BV。如此一来，即使在类方波信号SSG的高电压V1与低电压V2之间的电压差ΔV1,2大于特定耐压BV的情况下，方波产生电路10仍可正常操作，不会因击穿而损坏。
于一实施例中，高电压V1与暂态电压Vtran之间的电压差ΔV1,tran可为一电压VDD，暂态电压Vtran与低电压V2之间的电压差ΔV2,tran亦可为电压VDD，而高电压V1与低电压V2之间的电压差ΔV1,2可达到电压VDD的2倍。更进一步地，于一实施例中，高电压V1与暂态电压Vtran之间的电压差ΔV1,tran可为特定耐压BV，暂态电压Vtran与低电压V2之间的电压差ΔV2,tran亦可为特定耐压BV，而高电压V1与低电压V2之间的电压差ΔV1,2可达到特定耐压BV的2倍。
关于方波产生电路10的具体电路，请参考图3，图3为本申请实施例一方波产生电路30的示意图。方波产生电路30包含有输出端No、信号产生电路32、34、36、开关S13、S23以及一数字控制模块38，信号产生电路32、34分别用来实现图1中的信号产生电路12、14，开关S13、S23分别用来实现图1中的开关S1、S2，信号产生电路36可产生一控制信号ctrl以控制开关S13的导通状态。详细来说，信号产生电路32包含一电平移位器(Level Shifter)320以及一反相器322，信号产生电路34包含一电平移位器340以及一反相器342，信号产生电路36包含一电平移位器360以及一反相器362。反相器322的一输出电平位于一正电压AVDD与一接地电压GND之间(反相器322操作于正电压AVDD与接地电压GND之间)，反相器342、362的输出电平位于接地电压GND与一负电压-AVDD之间(反相器342、362操作于接地电压GND与负电压-AVDD之间)。换句话说，反相器322所输出的一输出信号Vo2具有一输出高电平为正电压AVDD，而输出信号Vo2具有一输出低电平为接地电压GND；反相器342所输出的一输出信号Vo4具有一输出高电平为接地电压GND，输出信号Vo4具有一输出低电平为负电压-AVDD；反相器362所输出的控制信号ctrl具有一输出高电平为接地电压GND，控制信号ctrl具有一输出低电平为负电压-AVDD。另外，数字控制模块38产生数字信号d2、d4、d6，分别用来控制反相器322、342、362，电平移位器340、342、346用来将数字控制模块38所输出的数字信号转换至控制反相器322、342、362的输入高电平(文中电位也可以称为电平)或输入低电平。另外，方波产生电路30可利用一低压制程所生产，其中低压制程是指其生产制造出的耐压BV低于方波振幅的半导体元件制程。另外，耐压BV可略高于电压AVDD。
另外，开关S13可为一P型金氧半晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，而开关S23可为一N型金氧半晶体管，开关S13以及开关S23的基极(Bulk)皆耦接于其源极(Source)，开关S13的源极耦接于反相器322的输出端，开关S23的源极耦接于反相器反相器342的输出端，以分别接收一输出信号Vo2以及一输出信号Vo4，开关S13以及开关S23的漏极(Drain)皆耦接于输出端No。另外，开关S13的栅极(Gate)耦接于反相器362的输出端以接收控制信号ctrl，开关S23的栅极接收接地电压GND。
方波产生电路30的运作叙述如下。请参考图4，图4为方波产生电路30所产生的输出信号Vo2、Vo4以及控制信号ctrl的波形图。于时间区间T1中，数字控制模块38产生数字信号d2、d4、d6分别为0、0、0(即d2d4d6＝000)，反相器322输出输出信号Vo2为正电压AVDD，反相器342输出输出信号Vo4为接地电压GND，反相器362输出控制信号ctrl为接地电压GND，开关S13为导通且开关S23为断路，因此，方波产生电路30于时间区间T1中可输出高电压V1为正电压AVDD。另外，于暂态区间Ttran中，数字控制模块38产生数字信号d2、d4、d6分别为1、0、1(即d2d4d6＝101)，反相器322输出输出信号Vo2为接地电压GND，反相器342输出输出信号Vo4仍为接地电压GND，反相器362输出控制信号ctrl为负电压-AVDD，开关S13仍为导通且开关S23仍为断路，因此，方波产生电路30于暂态区间Ttran中可输出暂态电压Vtran为接地电压GND。另外，于时间区间T2中，数字控制模块38产生数字信号d2、d4、d6分别为1、1、0(即d2d4d6＝110)，此时反相器322输出输出信号Vo2为接地电压GND，反相器342输出输出信号Vo4为负电压-AVDD，反相器362输出控制信号ctrl为接地电压GND，开关S13为断路且开关S23为导通，因此，方波产生电路30于时间区间T2中可输出低电压V2为负电压-AVDD。如此周而复始，方波产生电路30即可产生如图4所绘示的一类方波信号SSG4。如此一来，类方波信号SSG4的高电压V1(正电压AVDD)与暂态电压Vtran(接地电压GND)之间的电压差ΔV1,tran可为电压AVDD，而暂态电压Vtran(接地电压GND)与低电压V2(负电压－AVDD)之间的电压差ΔV2,tran亦为电压AVDD，而高电压V1与低电压V2之间的电压差ΔV1,2可达电压AVDD的2倍而大于特定耐压BV。
简言之，方波产生电路30利用时间区间T1与时间区间T2之间的暂态区间Ttran，将方波产生电路30于输出端No的输出电压由高电压V1转换至暂态电压Vtran后再由暂态电压Vtran转换至低电压V2(或是由低电压V2转换至暂态电压Vtran后再由暂态电压Vtran转换至高电压V1)。如此一来，在方波产生电路30之特定耐压BV略高于电压AVDD的情况下，方波产生电路30可产生振幅为2*AVDD的类方波信号SSG4，而不至于使方波产生电路30内部的半导体元件因击穿而损坏。
关于方波产生电路10产生类方波信号SSG的操作方式，可进一步归纳为一方波产生流程。请参考图5，图5为本申请实施例一方波产生流程50之示意图。方波产生流程50可由图1中的方波产生电路10来执行，其包含以下步骤：
步骤500：于时间区间T1，方波产生电路10产生类方波信号SSG为高电压V1。
步骤502：于时间区间T2，方波产生电路10产生类方波信号SSG为低电压V2。
步骤504：于时间区间T1与时间区间T2之间的暂态区间Ttran，方波产生电路10产生类方波信号SSG为暂态电压Vtran，其中暂态电压Vtran介于所述高电压V1与低电压V2之间。
关于方波产生流程50的操作细节，请参考前述相关段落，于此不再赘述。
由上述可知，本申请的方波产生电路可利用低压半导体制程来生产制造，而可输出振幅为高压的(类)方波信号。举例来说，本申请的方波产生电路可利用耐压BV为5伏特的低压制程来生产制造，而输出振幅为大于5伏特(例如：10伏特)的方波信号。换句话说，当一电路系统需要具有高压(如10伏特)振幅的方波信号时，其方波产生电路可避开利用高压半导体制程所带来的高生产成本，而使用低压半导体制程(例如具有耐压BV为5伏特的低压半导体制程)来生产制造，如此一来，可降低整体电路系统的生产成本，而可达到相同的效能。
需注意的是，前述实施例用以说明本申请之概念，本领域具通常知识者当可据以做不同之修饰，而不限于此。举例来说，请参考图6，图6为本申请另一实施例的方波产生电路60的示意图，方波产生电路60与方波产生电路30类似，故相同元件沿用相同符号。与方波产生电路30不同的是，方波产生电路60另包含保护单元SP2、SP4，保护单元SP2耦接于反相器322与开关S13之间，保护单元SP2包含一P型金氧半晶体管QP2以及一N型金氧半晶体管QN2，晶体管QN2与晶体管QP2相互连接，且晶体管QN2的栅极接收正电压AVDD，晶体管QP2的栅极接收接地电压GND，另外，保护单元SP4耦接于反相器342与开关S23之间，保护单元SP4包含一P型金氧半晶体管QP4以及一N型金氧半晶体管QN4，晶体管QN4与晶体管QP4相互连接，且晶体管QN4的栅极接收接地电压GND，晶体管QP4的栅极接收负电压-AVDD。保护单元SP2、SP4可用来保护开关S13、S23，以避免开关S13、S23烧坏。
另外，请参考图7及图8，图7为本申请实施例一方波产生电路70的示意图，图8为方波产生电路70所产生的输出信号Vo2、Vo4以及一控制信号ctrl’的波形图。方波产生电路70与方波产生电路30类似，故相同组件沿用相同符号。与方波产生电路30不同的是，方波产生电路70中开关S13(其为P型金氧半晶体管)的栅极接收接地电压GND，而方波产生电路70中开关S23(其为N型金氧半晶体管)的栅极接收控制信号ctrl’，控制信号ctrl’由一信号产生电路76所产生，信号产生电路76包含一反相器762，反相器762的输出电平位于正电压AVDD与接地电压GND之间。
方波产生电路70的运作与方波产生电路30类似，故叙述如下。于时间区间T1中，反相器762输出控制信号ctrl为接地电压GND，开关S13为导通且开关S23为断路，因此，方波产生电路70于时间区间T1可输出一类方波信号SSG7为正电压AVDD。于暂态区间Ttran中，反相器322输出输出信号Vo2为接地电压GND，开关S13为断路，反相器362输出控制信号ctrl为正电压AVDD，开关S23为导通，方波产生电路70于暂态区间Ttran可输出类方波信号SSG7为接地电压GND。另外，于时间区间T2中，反相器322输出输出信号Vo2为接地电压GND，开关S13仍为断路，反相器762输出控制信号ctrl为接地电压GND，开关S23仍为导通，方波产生电路70于暂态区间Ttran可输出类方波信号SSG7为负电压-AVDD。
另外，请参考图9，图9为本申请实施例一方波产生电路90的示意图，方波产生电路90与方波产生电路30、70类似，故相同组件沿用相同符号。与方波产生电路30、70不同的是，方波产生电路90包含信号产生电路96、98，信号产生电路96及98分别用来产生控制信号ctrl_P及ctrl_N，以分别控制开关S13及S23的导通状态。其中，控制信号ctrl_P的电压范围介于接地电压GND与负电压-AVDD之间，控制信号ctrl_N的电压范围介于正电压AVDD与接地电压GND之间。方波产生电路90的运作与方波产生电路30、70类似，故于此不再赘述。
另外，请参考图10，图10为本申请实施例一方波产生电路A0的示意图，方波产生电路A0与方波产生电路90类似，故相同组件沿用相同符号。方波产生电路A0仅包括信号产生电路98，以控制开关S23的导通状态，而开关S13的栅极接收接地电压GND。方波产生电路A0的运作与方波产生电路90类似，故于此不再赘述。
另外，高电压V1与暂态电压Vtran之间的电压差ΔV1,tran不限于为特定耐压BV，高电压V1与暂态电压Vtran之间的电压差ΔV1,tran可小于特定耐压BV，同样地，暂态电压Vtran与低电压V2之间的电压差ΔV2,tran亦可小于特定耐压BV，只要高电压V1与低电压V2之间的电压差ΔV1,2--大于方波产生电路10的特定耐压BV，即满足本申请的要求。
另外，信号产生电路不限于利用反相器来产生高电压V1、暂态电压Vtran以及低电压V2，信号产生电路亦可利用缓冲器(Buffer)来产生高电压V1、暂态电压Vtran以及低电压V2，其中缓冲器可包含两个反相器相互连接而成，亦属于本申请的范畴。
综上所述，本申请于方波产生电路的输出信号由高电压转换至低电压之间(或低电压转换至高电压之间)插入暂态区间并输出暂态电压，如此一来，本申请的方波产生电路可输出类似方波且具有高压振幅的类方波信号，而仅利用低于高压振幅的低压制程即可完成生产制造，进而节省生产成本。
以上所述仅为本申请的部分实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (23)

1.一种方波产生方法，应用于一方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压，所述方波产生电路包括一第一信号产生电路及一第二信号产生电路，所述方波产生方法包括：
在一第一时间区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有所述第一信号产生电路产生的一第一电压；
在一第二时间区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有所述第二信号产生电路产生的一第二电压；以及
在所述第一时间区间与所述第二时间区间之间的一暂态区间，所述方波产生电路产生的类方波信号具有一暂态电压，其中所述暂态电压为固定的一电压值且介于所述第一电压与所述第二电压之间；
其中，所述第一电压与所述第二电压之间形成一第一电压差，所述第一电压差大于所述特定耐压；
其中，所述第一电压的一第一极性与所述第二电压的一第二极性相反。
2.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述第一电压与所述暂态电压之间形成一第二电压差，所述第二电压差为所述特定耐压。
3.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述暂态电压与所述第二电压之间形成一第三电压差，所述第三电压差为所述特定耐压。
4.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述第一电压差为所述特定耐压的2倍。
5.如权利要求1所述的方波产生方法，其中，所述暂态电压为一接地电压。
6.一种方波产生电路，用来产生一类方波信号，其中所述方波产生电路具有一特定耐压，所述方波产生电路包括：
一输出端，用于输出所述类方波信号；
一第一信号产生电路，用于在一第一时间区间产生一第一电压；
一第二信号产生电路，用于在一第二时间区间产生一第二电压；
一第一开关，其一端耦接于所述第一信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；以及
一第二开关，其一端耦接于所述第二信号产生电路，另一端耦接于所述输出端；
其中，所述第一信号产生电路及所述第二信号产生电路于一暂态区间产生一暂态电压，所述暂态区间位于所述第一时间区间与所述第二时间区间之间，所述暂态电压为固定的一电压值且介于所述第一电压与所述第二电压之间；
其中，于所述第一时间区间，所述第一开关为导通；于所述第二时间区间，所述第二开关为导通，在所述暂态区间，所述第一开关或所述第二开关为导通；
其中，所述第一电压与所述第二电压之间的一第一电压差大于所述特定耐压；
其中，所述第一电压的一第一极性与所述第二电压的一第二极性相反。
7.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一开关受控于一第一控制信号，在所述暂态区间，所述第一开关导通，所述第一开关自所述第一信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。
8.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第二开关受控于一第二控制信号，在所述暂态区间，所述第二开关导通，所述第二开关自所述第二信号产生电路将所述暂态电压传递至所述输出端。
9.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一开关为一第一金氧半晶体管，所述第一金氧半晶体管的一基极耦接于所述第一金氧半晶体管的一源极，所述第一金氧半晶体管为一P型金氧半晶体管，所述第二开关为一第二金氧半晶体管，所述第二金氧半晶体管的一基极耦接于所述第二金氧半晶体管的一源极，所述第二金氧半晶体管为一N型金氧半晶体管。
10.如权利要求9所述的方波产生电路，其中，所述第一金氧半晶体管的的一栅极接收一第一控制信号，所述第二金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。
11.如权利要求9所述的方波产生电路，其中，所述第二金氧半晶体管的的一栅极接收一第二控制信号，所述第一金氧半晶体管的一栅极耦接于一接地端。
12.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一信号产生电路产生一第一输出信号，所述第一输出信号的一输出高电平为一正电压，所述第一输出信号的一输出低电平为一接地电压。
13.如权利要求12所述的方波产生电路，其中，所述第一信号产生电路包含一第一反相器，所述第一反相器的一输出高电平为所述正电压，所述第一反相器的一输出低电平为所述接地电压。
14.如权利要求12所述的方波产生电路，其中，所述第一信号产生电路于所述第一时间区间中产生所述第一电压为所述正电压，并于所述暂态区间中产生所述暂态电压为所述接地电压。
15.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第二信号产生电路产生一第二输出信号，所述第二输出信号的一输出高电平为一接地电压，所述第二输出信号的一输出低电平为一负电压。
16.如权利要求15所述的方波产生电路，其中，所述第二信号产生电路包含一第二反相器，所述第二反相器的一输出高电平为所述接地电压，所述第二反相器的一输出低电平为所述负电压。
17.如权利要求15所述的方波产生电路，其中，所述第二信号产生电路于所述第二时间区间中产生所述第二电压为所述负电压。
18.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一电压与所述暂态电压之间的一第二电压差为所述特定耐压。
19.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述暂态电压与所述第二电压之间的一第三电压差为所述特定耐压。
20.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，所述第一电压与所述第二电压之间的所述第一电压差为所述特定耐压的2倍。
21.如权利要求6所述的方波产生电路，其中，进一步包括一第一保护单元以及一第二保护单元，所述第一保护单元耦接于所述第一信号产生电路与所述第一开关之间，所述第二保护单元耦接于所述第二信号产生电路与所述第二开关之间。
22.如权利要求21所述的方波产生电路，其中，所述第一保护单元包括一第一N型晶体管以及一第一P型晶体管，所述第一N型晶体管与所述第一P型晶体管相互连接，所述第二保护单元包括一第二N型晶体管以及一第二P型晶体管，所述第二N型晶体管与所述第二P型晶体管相互连接。
23.如权利要求22所述的方波产生电路，其中，所述第一N型晶体管的一栅极接收一正电压，所述第一P型晶体管的一栅极以及所述第二N型晶体管的一栅极耦接于一接地端，所述第二P型晶体管的一栅极接收一负电压。
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