CN117200772A - 一种mipi射频开关 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种MIPI射频开关，可满足射频开关控制要求，同时可避免开关切换瞬间产生相互干扰和信号交叠，其包括射频开关单元、驱动电路模块，驱动电路模块包括电荷泵单元、电平转换单元，电荷泵单元包括正压电荷泵、负压电荷泵，正压电荷泵用于产生正压Vpose，负压电荷泵用于产生负压Vneg，射频开关单元包括至少两个开关：第一开关、第二开关，电平转换单元包括一级电平转换单元、二级电平转换单元，一级电平转换单元产生的第一驱动电压、第二驱动电压发送至第一开关、第二开关，二级电平转换单元产生的第三驱动电压、第四驱动电压发送至射频开关单元中的第一开关、第二开关。

Description

一种MIPI射频开关

技术领域

本发明涉及射频开关技术领域，具体为一种MIPI射频开关。

背景技术

随着移动通信技术的高速发展，射频收发器、功率放大器、低噪声放大器、滤波器、开关、电源管理模块以及天线调谐器等射频前端器件被广泛应用于移动电话、笔记本电脑等通信设备中。这些射频前端器件中控制和工作模式的配置主要由主控器通过数字总线来进行。

其中，MIPI射频开关(MIPI PFFE接口)及天线调谐器等射频前端小尺寸器件的开启和关断操作通过正电压、负电压控制，MIPI射频开关遵循MIPI协议，通过正电压使射频开关开启，通过负电压使射频开关关断，从而实现移动通信设备的发射和接收切换。正电压、负电压的控制信号为方波时钟信号，该信号由时钟电路产生。现有的射频开关中正电压、负电压的控制由同一组时钟电路产生，射频器件发射信号时，时钟电路将产生的互补时钟信号CLK发送给用于产生正电压的正压电荷泵以及产生负压的负压电荷泵，正压、负压为射频开关的驱动电压，当需要对用于产生射频信号的射频开关进行切换时，互补的时钟信号CLK+、CLK—切换，但切换瞬间，电路中的开关管易产生相互干扰和信号交叠，导致电压不稳定的问题出现，而外部驱动电压不稳定则易造成射频开关器件的内部性能恶化，因此，提供一种能够为射频开关提供稳定驱动电压的射频开关驱动电路装置成为本领域人员亟待解决的问题。

发明内容

针对现有技术中的上述不足，本发明提供了一种MIPI射频开关，其可满足射频开关控制要求，同时可避免开关切换瞬间产生相互干扰和信号交叠，可确保开关切换瞬间电压的稳定性。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种MIPI射频开关，其包括射频开关单元、驱动电路模块，所述驱动电路模块包括电荷泵单元、电平转换单元，所述电荷泵单元包括正压电荷泵、负压电荷泵，所述正压电荷泵用于产生正压Vpose，所述负压电荷泵用于产生负压Vneg，所述射频开关单元包括至少两个开关：第一开关、第二开关，所述射频开关单元的输入连接天线，其特征在于，所述电平转换单元包括一级电平转换单元、二级电平转换单元，所述二级电平转换单元包括二级电平转换电路，所述正压电荷泵、负压电荷泵的输入端均连接电压源VIO、互补非交叠时钟信号；

所述一级电平转换单元的输入端连接所述负压Vneg、电压源VIO，所述一级电平转换单元的输出端包括输出端sw_in、Vb1-1、Vb1-2，所述输出端SW_IN连接所述二级电平转换单元的输入端；

所述二级电平转换单元的输入端连接所述正压Vpose、电压源VIO、输出端sw_in，所述二级电平转换单元的输出端包括输出端Vg1-1、Vg1-2；

所述输出端Vb1-1、Vg1-2连接所述射频开关单元中的第一开关，所述输出端Vg1-1、Vg1-2连接所述射频开关单元中的第二开关单元；

所述一级电平转换单元的输入端还连接控制信号端BS，所述控制信号端BS传输逻辑控制信号，所述一级电平转换单元用于产生第一驱动电压、第二驱动电压，所述第一驱动电压、第二驱动电压分别经所述输出端Vb1-1、Vb1-2发送至所述射频开关单元中的第一开关、第二开关；

所述二级电平转换单元用于产生第三驱动电压、第四驱动电压，所述第三驱动电压、第四驱动电压分别经所述输出端Vg1-1、Vg1-2发送至所述射频开关单元中的第一开关、第二开关，通过所述第一驱动电压、第二驱动电压、第三驱动电压、第四驱动电压控制所述第一开关、第二开关开启或关闭。

其进一步特征在于，

所述一级电平转换单元包括第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路，所述二级电平转换电路包括第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路，所述第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路的输入端均连接负压Vneg、电压源VIO，输出端分别为输出端Vb1-1、Vb1-2，所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输入端均连接电压源VIO、正压Vpose，所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输出端分别为输出端Vg1-1、Vg1-2；所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的结构一致；

所述第一开关、第二开关均为MOS管，所述第一开关的栅极分别连接所述输出端Vg1-1、Vb1-1，所述第二开关的栅极分别连接所述输出端Vb1-2、Vg1-2，所述第一开关的源极连接所述天线，所述第一开关的漏极分别连接所述第二开关的源极、射频输出端T1，所述第二开关的漏极接地；

所述一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路均采用二级电平转换电路，二级电平转换电路包括初始电平转换单元、第一控制开关、第二控制开关，所述初始电平转换单元的输入分别连接逻辑控制信号BS、电压源VIO、正压Vpose，所述初始电平转换单元包括若干MOS管，所述初始电平转换单元的输出连接第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第一控制开关的输入端，所述第一控制开关的输出端分别连接所述第二控制开关的输出端、输出端sw-out，所述第二控制开关的输入端连接一级电平转换电路的输出端sw_in、电压源VIO、负压Vneg；

所述初始电平转换单元包括串联的第二反相器、第三反相器，所述第二反相器的输入端连接控制信号端BS、电压源VIO，所述第三反相器的输出端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极分别连接输出端OUTB、MOS管M2的漏极、MOS管M3的栅极，所述MOS管M2的栅极分别连接所述MOS管M3的源极、MOS管M4的源极，所述MOS管M2的漏极、MOS管M3的漏极均连接电压源Vdd，所述MOS管M1、M2的漏极均接地；

所述第一控制开关包括MOS管M5、M6，所述第二控制开关包括MOS管M7、M8，所述MOS管M5的源极连接所述第一反相器的输出，所述MOS管M5的漏极连接所述MOS管M6的漏极，所述MOS管M6的源极分别连接所述MOS管M8的漏极、输出端sw-out，所述MOS管M8的源极连接所述MOS管M7的漏极，所述MOS管M7的漏极连接所述输出端sw_in；

所述MOS管M1、M3、M5、M6均为PMOS管，所述MOS管M2、M4、M7、M8均为NMOS管。

采用本发明上述结构可以达到如下有益效果：该MIPI射频开关中电荷泵单元包括正压电荷泵、负压电荷泵，电平转换单元包括一级电平转换单元、二级电平转换单元，由于正压电荷泵、负压电荷泵的控制信号为互补非交叠的时钟信号，因此在互补非交叠时钟信号控制作用下，正压电荷泵、负压电荷泵输出的正压Vpose、负压Vneg为互补的非交叠电压信号，一级电平转换单元、二级电平转换单元输出的驱动电压信号也为互补非交叠信号，从而避免了在时钟信号CLK+、CLK-转换瞬间，即对射频开关中的第一开关、第二开关进行切换控制时，一级电平转换单元、二级电平转换单元中的开关管出现同时弱导通，从而避免了产生相互干扰和信号交叠，确保了驱动电压稳定性。

附图说明

图1为本发明的结构框图；

图2为本发明二级电平转换电路的电路原理图；

图3为本发明二级电平转换电路中初始电平转换单元的电路原理图；

图4为本发明时钟电路的电路原理图；

图5为本发明互补时钟信号产生电路的电路原理图；

图6为本发明非交叠时钟信号产生电路的电路原理图；

图7为本发明MIPI射频开关中逻辑控制信号BS、输出端sw_in输出的电压信号、电压源VIO的电压、正压Vpose、输出端sw_out输出的电压信号的仿真效果图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、装置、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。

见图1，以下提供了一种MIPI射频开关的具体实施例，其包括射频开关单元1、驱动电路模块，驱动电路模块包括电荷泵单元2、电平转换单元3，电荷泵单元2包括正压电荷泵、负压电荷泵，正压电荷泵用于产生正压Vpose，负压电荷泵用于产生负压Vneg，正压电荷泵、负压电荷泵的输入均包括第一输入端、第二输入端、第三输入端，第一输入端连接电压源VIO，第二输入端、第三输入端连接互补非交叠的时钟信号CLK+、CLK-，互补非交叠的时钟信号CLK+、CLK-由时钟电路产生。

电平转换单元3包括一级电平转换单元、二级电平转换单元，一级电平转换单元的输入端分别连接电压源VIO、控制信号端BS、负压电荷泵输出的负压Vneg，电平转换单元的输入端连接逻辑解密器，该逻辑解码器为遵循MIPI接口协议的MIPI解码器，外部信号sclk、sdata经逻辑解码器解码后产生一组逻辑控制信号阵列，该逻辑信号阵列经控制信号端BS传送至一级电平转换单元中的第一电平转换单元和第二电平转换单元，用于对一级电平转换单元、二级电平转换单元进行逻辑控制，一级电平转换单元的输入端还连接负压电荷泵输出的负压Vneg、电压源VIO，一级电平转换单元的输出端包括输出端SW_IN、输出端Vb1-1、Vb1-2，输出端sw_in连接二级电平转换单元的输入；二级电平转换单元的输入端均连接正压电荷泵输出的正压Vpose、电压源VIO、一级电平转换电路的输出端sw_in(即SW_IN)，二级电平转换单元的输出端包括输出端Vg1-1、Vg1-2；输出端Vb1-1、Vg1-2连接射频开关单元中的第一开关，输出端Vg1-1、Vg1-2连接射频开关单元中的第二开关单元；一级电平转换单元用于产生第一驱动电压、第二驱动电压，第一驱动电压、第二驱动电压分别经所述输出端Vb1-1、Vb1-2发送至射频开关单元中的第一开关、第二开关；二级电平转换单元用于产生第三驱动电压、第四驱动电压，第三驱动电压、第四驱动电压分别经输出端Vg1-1、Vg1-2发送至射频开关单元中的第二开关，通过第一驱动电压、第二驱动电压驱动第一开关、第二开关开启或关闭。

本实施例中，一级电平转换单元包括第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路，二级电平转换单元包括第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路，第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路的输入端均连接电压源VIO，输出端分别为输出端Vb1-1、Vb1-2，第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输入端均连接电压源VIO、正压Vpose，第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输出端分别为输出端Vg1-1、Vg1-2，电压源VIO的值等于电压源Vdd的值。

射频开关单元中的第一开关、第二开关均为MOS管，第一开关的栅极分别连接输出端Vg1-1、Vb1-1，第二开关的栅极分别连接控制信号端Vb1-2、Vg1-2，第一开关的源极连接天线，第一开关的漏极分别连接第二开关的源极、射频输出端T1，第二开关的漏极接地。

见图2，一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路均采用二级电平转换电路，二级电平转换电路包括初始电平转换单元31、第一控制开关32、第二控制开关33，初始电平转换单元31的输入分别连接逻辑控制信号BS、电压源VIO、正压Vpose，初始电平转换单元包括若干MOS管，初始电平转换单元的输出连接第一反相器Q1的输入端，第一反相器的输出端连接第一控制开关的输入端，第一控制开关的输出端分别连接第二控制开关的输出端、输出端sw-out，第二控制开关的输入端连接一级电平转换电路的输出端SW_IN、电压源VIO、负压Vneg。

见图3，初始电平转换单元31包括串联的第二反相器Q2、第三反相器Q3，第二反相器Q2的输入端连接控制信号端BS、电压源VIO，第三反相器Q3的输出端连接MOS管M1的栅极，MOS管M1的源极分别连接输出端OUTB、MOS管M2的漏极、MOS管M3的栅极，MOS管M2的栅极分别连接MOS管M3的源极、MOS管M4的源极，MOS管M2的漏极、MOS管M3的漏极均连接电压源Vdd，MOS管M1、M2的漏极均接地(Vss)。该初始电平转换单元中，电压源VIO经第二反相器实现一次反相，获得反相电压inb，经第三反相器实现二次反相，获得反相电压inbb,反相电压inb为MOS管M4的驱动电压,反相电压inbb为MOS管M2的驱动电压，MOS管M1～M2在电压源VIO以及反相电压inb或反相电压inbb的综合作用下导通或关闭，例如当电压源VIO为1.8V/0V时，即当电压源VIO的高电平为1.8V，低电平为0V时，MOS管M2、M3导通，MOS管M1、M4关闭，输出端OUTB输出电压1.8V；当控制信号转换，电压源VIO为0V/1.8V时，MOS管M2、M3关闭，MOS管M1、M4导通，输出端OUTB输出电压为0，输出端OUTB连接二级电平转换电路中的第一反相器的输入端，从而为二级电平转换电路的一侧输入端提供电源信号。

第一控制开关包括MOS管M5、M6，第二控制开关包括MOS管M7、M8，MOS管M5的源极连接第一反相器的输出，MOS管M5的漏极连接MOS管M6的漏极，MOS管M6的源极分别连接MOS管M8的漏极、输出端sw-out，MOS管M8的源极连接MOS管M7的漏极，MOS管M7的漏极连接输出端SW_IN。输出端OUTB输出的电压经第一反相器作用于第一控制开关的一端，并在反相电压inbb的作用下使MOS管M5、M6导通或关闭，一级电平转换单元输出的控制信号sw_in作用于第二控制开关的一端，并在反相电压inb、电压源VIO/Vneg的作用下使MOS管M7、M8关闭或导通，例如，当电压源VIO为高电平1.8时，负压电荷泵输出负压Vneg为-2.8V，正压电荷泵输出正压Vpose为2.8V，此时，MOS管M5、M6导通，MOS管M7、M8截止，输出端SW_OUT输出的电压为2.8V，反之，第二控制开关在控制信号sw_in以及负压Vneg的作用下，使MOS管M5、M6截止，MOS管M7、M8导通，此时，输出端SW_OUT输出的电压为-2.8V，即输出端Vg1-1、Vg1-2分别输出电压2.8V、-2.8V。

互补非交叠的时钟信号CLK+、CLK-由时钟电路产生、互补时钟信号产生电路、非交叠时钟信号产生电路产生，时钟电路包括由MOS管组成的反相器、电阻R1～R3，时钟电路所包含的电子元件以及电子元件之间的连接关系详见图4，时钟电路输入端连接电压源Vdd，输出端输出时钟信号CLK，时钟信号CLK经互补时钟信号产生电路(见图5)产生互补时钟信号CLKa、CLKb，互补时钟信号产生电路包括PMOS管M26～M28、NMOS管M29～M31，由PMOS管M26与NMOS管M29、PMOS管M27与NMOS管M30、PMOS管M28与NMOS管M31分别组成反相器，通过反相器反相产生互补的的时钟信号CLKa、CLKb，再经非交叠时钟信号产生电路产生非交叠的时钟信号CLK+、CLK-，非交叠时钟信号产生电路见图6，该电路包括PMOS管M51、M53、NMOS管M52、M54、逻辑或非门F11、F21以及逻辑非门F12、F22、F13、F23、F14、F24，详见图6。通过PMOS管与NMOS管组成的反相器、逻辑或非门、逻辑非门以及交叉结构的作用，使互补时钟信号不在同一时刻输出，从而产生互补非交叠的时钟信号CLK+、CLK-。

本申请中，二级电平转换电路一侧输入端设置有初始电平转换单元，初始电平转换单元包括若干MOS管，二级电平转换电路的另一侧输入端连接有一级电平转换电路，通过初始电平转换单元中MOS管的导通控制与一级电平转换电路的综合作用，使得二级电平转换电路中的第一控制开关、第二控制开关在不同时刻导通，一级电平转换单元的设置有利于二级电平转换电路另一侧的第二控制开关迅速导通或关闭，初始电平转换单元的设置使得二级电平转换电路一侧的第一控制开关延后于第二控制开关关闭或导通，从而防止了二级电平转换电路中第一控制开关、第二控制开关在同一时刻弱导通的问题出现，避免了产生相互干扰和信号交叠，确保了输出电压的稳定性。

需要对射频开关单元中的第一开关、第二开关进行切换控制时，通过时钟电路产生的互补非交叠时钟信号CLK+、CLK-对正压电荷泵、负压电荷泵进行控制，通过逻辑控制信号依次对一级电平转换单元、二级电平转换单元进行控制，获取射频开关单元的开关驱动电压：第一驱动电压、第二驱动电压、第三驱动电压、第四驱动电压，射频开关单元中的第一开关在第一驱动电压、第三驱动电压的作用下开启或关闭，第二开关在第二驱动电压、第四驱动电压的作用下关闭或开启，实现射频开关单元中开关的切换驱动控制。由于用于正压电荷泵、负压电荷泵控制的信号为互补非交叠的时钟信号，因此在互补非交叠时钟信号控制作用下，正压电荷泵、负压电荷泵输出的正压Vpose、负压Vneg为互补的非交叠电压信号，一级电平转换单元、二级电平转换单元输出的驱动电压信号也为互补非交叠信号，从而避免了在时钟信号CLK+、CLK-转换瞬间，即对射频开关中的第一开关、第二开关进行切换控制时，一级电平转换单元、二级电平转换单元中的开关管出现同时弱导通，提高了隔离效果，从而避免了产生相互干扰和信号交叠，确保了驱动电压的稳定性。

图7给出了本发明MIPI射频开关中逻辑控制信号BS、输出端sw_in输出的电压信号、电压源VIO的电压、正压Vpose、输出端sw_out输出的电压信号的仿真效果，图7中横轴表示时间dx，纵轴A、B、C、D、E、F分别表示逻辑控制信号BS、输出端sw_in输出的电压信号、电压源VIO的电压、正压Vpose、输出端sw_out输出的电压信号，从图7可以看出，电压源VIO的电压为1.8V，逻辑控制信号BS的电压值为1.8V，一级电荷泵输出端sw_in输出的电压为1.8V，正压电荷泵输出的正压Vpose为2.8V时，采用本申请MIPI射频开关结构，输出端sw_out输出的电压达到约2.8V，即输出端Vg1-1、Vg1-2分别输出电压2.8V、-2.8V，从而满足射频开关的控制要求。

以上的仅是本申请的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (7)

1.一种MIPI射频开关，其包括射频开关单元、驱动电路模块，所述驱动电路模块包括电荷泵单元、电平转换单元，所述电荷泵单元包括正压电荷泵、负压电荷泵，所述正压电荷泵用于产生正压Vpose，所述负压电荷泵用于产生负压Vneg，所述射频开关单元包括至少两个开关：第一开关、第二开关，所述射频开关单元的输入连接天线，其特征在于，所述电平转换单元包括一级电平转换单元、二级电平转换单元，所述二级电平转换单元包括二级电平转换电路，所述正压电荷泵、负压电荷泵的输入端均连接电压源VIO、互补非交叠时钟信号；

所述一级电平转换单元的输入端连接所述负压Vneg、电压源VIO，所述一级电平转换单元的输出端包括输出端sw_in、Vb1-1、Vb1-2，所述输出端SW_IN连接所述二级电平转换单元的输入端；

所述二级电平转换单元的输入端连接所述正压Vpose、电压源VIO、输出端sw_in，所述二级电平转换单元的输出端包括输出端Vg1-1、Vg1-2；

所述输出端Vb1-1、Vg1-2连接所述射频开关单元中的第一开关，所述输出端Vg1-1、Vg1-2连接所述射频开关单元中的第二开关单元；

所述一级电平转换单元的输入端还连接控制信号端BS，所述控制信号端BS传输逻辑控制信号，所述一级电平转换单元用于产生第一驱动电压、第二驱动电压，所述第一驱动电压、第二驱动电压分别经所述输出端Vb1-1、Vb1-2发送至所述射频开关单元中的第一开关、第二开关；

所述二级电平转换单元用于产生第三驱动电压、第四驱动电压，所述第三驱动电压、第四驱动电压分别经所述输出端Vg1-1、Vg1-2发送至所述射频开关单元中的第一开关、第二开关，通过所述第一驱动电压、第二驱动电压、第三驱动电压、第四驱动电压控制所述第一开关、第二开关开启或关闭。

2.根据权利要求1所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述一级电平转换单元包括第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路，所述二级电平转换电路包括第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路，所述第一一级电平转换电路、第二一级电平转换电路的输入端均连接负压Vneg、电压源VIO，输出端分别输出端Vb1-1、Vb1-2，所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输入端均连接所述电压源VIO、正压Vpose，所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的输出端分别为输出端Vg1-1、Vg1-2，所述第一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路的结构一致。

3.根据权利要求2所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述第一开关、第二开关均为MOS管，所述第一开关的栅极分别连接所述输出端Vg1-1、Vb1-1，所述第二开关的栅极分别连接所述输出端Vb1-2、Vg1-2，所述第一开关的源极连接所述天线，所述第一开关的漏极分别连接所述第二开关的源极、射频输出端T1，所述第二开关的漏极接地。

4.根据权利要求2或3所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述一二级电平转换电路、第二二级电平转换电路均采用二级电平转换电路，所述二级电平转换电路包括包括初始电平转换单元、第一控制开关、第二控制开关，所述初始电平转换单元的输入分别连接逻辑控制信号BS、电压源VIO、正压Vpose，所述初始电平转换单元包括若干MOS管，所述初始电平转换单元的输出连接第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第一控制开关的输入端，所述第一控制开关的输出端分别连接所述第二控制开关的输出端、输出端sw-out，所述第二控制开关的输入端连接一级电平转换电路的输出端sw_in、电压源VIO、负压Vneg。

5.根据权利要求4所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述初始电平转换单元包括串联的第二反相器、第三反相器，所述第二反相器的输入端连接控制信号端BS、电压源VIO，所述第三反相器的输出端连接MOS管M1的栅极，所述MOS管M1的源极分别连接输出端OUTB、MOS管M2的漏极、MOS管M3的栅极，所述MOS管M2的栅极分别连接所述MOS管M3的源极、MOS管M4的源极，所述MOS管M2的漏极、MOS管M3的漏极均连接电压源Vdd，所述MOS管M1、M2的漏极均接地。

6.根据权利要求5所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述第一控制开关包括MOS管M5、M6，所述第二控制开关包括MOS管M7、M8，所述MOS管M5的源极连接所述第一反相器的输出，所述MOS管M5的漏极连接所述MOS管M6的漏极，所述MOS管M6的源极分别连接所述MOS管M8的漏极、输出端sw-out，所述MOS管M8的源极连接所述MOS管M7的漏极，所述MOS管M7的漏极连接所述输出端sw_in。

7.根据权利要求6所述的MIPI射频开关，其特征在于，所述MOS管M1、M3、M5、M6均为PMOS管，所述MOS管M2、M4、M7、M8均为NMOS管。