CN108780725A - 磁控管 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种通过简单的结构有效地抑制多个高次谐波分量的磁控管。磁控管(1)设置有抑制高次谐波的扼流部(60),该扼流部(60)由设置于输出部(5)的金属密封体(7)的内侧的多个扼流器即第1扼流器(30)以及第2扼流器(32)构成,通过扼流部(60)与金属密封体(7)形成与频率不同且比第1扼流器(30)以及第2扼流器(32)的个数要多的高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽(31A)、(31B)以及(31C)。

Description

磁控管
技术领域
本发明涉及一种磁控管,优选适用于微波炉等微波加热设备中使用的连续波磁控管。
背景技术
一般而言,微波炉用的磁控管产生2450MHz频带的微波。此时,与基波分量一起也产生具有其整数倍频率的高次谐波分量。该高次谐波分量由磁控管的输出部辐射出时,与基波分量一起向微波炉内部的加热空间传播。由于高次谐波分量波长较短、难以屏蔽,因此存在向外部泄漏并引起无线电干扰等情况,在法律上规定了泄漏的极限值。因此,现有的磁控管的输出部中形成有扼流槽,通过该扼流槽来抑制任意的高次谐波分量(例如参照专利文献1)。
作为这样的磁控管,如图8所示的磁控管201的输出部205那样,设置有二次谐波用扼流槽84、四次谐波用扼流槽86以及五次谐波用扼流槽88。该磁控管201中包含排气管21,配置有与3个高次谐波相对应的四分之一波长型的扼流器,并通过二次谐波用扼流槽84抑制二次谐波(4.9GHz)、通过四次谐波用扼流槽86抑制四次谐波(9.8GHz)、通过由金属密封体207与五次谐波用扼流器90构成的五次谐波用扼流槽88抑制五次谐波(12.25GHz)。作为和金属密封体207不同的部件准备了该五次谐波用扼流器90,并与该金属密封体通过钎焊焊料相接合(即钎焊)。
另外,如图9所示磁控管301的输出部305那样,通过将五次谐波用扼流结构90与输出部305的金属密封体307进行一体化从而减少部件件数。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2005-50572号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
若想要通过扼流器抑制任意的高次谐波,则需要有比其波长的四分之一要稍短长度的扼流器。并且,若要抑制更多的高次谐波,则需要配置相应数量的扼流器。另一方面,一直以来存在需要使磁控管小型化,而难以配设多个扼流器的问题。为此,需要通过简单的结构有效地抑制由磁控管产生的高次谐波分量。
本发明是考虑到以上问题而完成的,提出了一种通过简单的结构能够有效地抑制多个高次谐波分量的磁控管。
解决技术问题所采用的技术方案
为了解决上述问题,本发明的磁控管中,设置有抑制高次谐波的扼流部,该扼流部由设置于输出部的金属密封体的内侧的多个扼流器构成,通过扼流部与金属密封体,形成有比扼流器个数要多且与频率不同的高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽。
本发明能够形成比扼流器个数要多的扼流槽,因此能够通过简单的结构有效地抑制多个高次谐波分量。
发明效果
根据本发明,能够实现通过简单的结构能有效地抑制多个高次谐波分量的磁控管。
附图说明
图1是表示基于第1实施方式的磁控管的整体结构的纵向剖视图。
图2是表示基于第1实施方式的扼流器的结构的剖视图。
图3是表示输出部的制造工序的剖视图。
图4是表示基于第1实施方式的S参数的图。
图5是表示基于第2实施方式的磁控管的整体结构的纵向剖视图。
图6是表示基于第2实施方式的扼流器的结构的剖视图。
图7是表示基于第2实施方式的S参数的图。
图8是表示现有的磁控管的输出部的结构的剖视图。
图9是表示现有的磁控管的输出部的结构的剖视图。
具体实施方式
以下,利用附图对用于实施本发明的方式(以下记载为“实施方式”)进行说明。
1.第1实施方式
1-1.磁控管的结构
如图1所示,磁控管1是产生2450MHz频带微波的微波炉用的磁控管。磁控管1具有产生2450MHz频带微波的振荡部2、向位于振荡部2的中心的阴极3供电的输入部4、以及将从振荡部2振荡产生的微波输出到管外(磁控管1外)的输出部5。振荡部2、输入部4以及输出部5沿着磁控管1的中心轴即管轴m而设置。即,磁控管1中,输入部4设置于振荡部2在管轴方向上的一端侧(图中下侧),输出部5设置于另一端侧(图中上侧)。这些输入部4以及输出部5分别通过输入侧的金属密封体6以及输出侧的金属密封体7与振荡部2真空气密地接合。
振荡部2具有阳极部8与阴极部9。阳极部8具有阳极圆筒10、数片(例如10片)叶片11。阳极圆筒10形成为圆筒状,配置为其中心轴通过磁控管1的中心轴即管轴m。
各叶片11形成为板状,以管轴m为中心呈放射状地配置于阳极圆筒10的内侧。各叶片11的外侧的端部与阳极圆筒10的内周面相接合,内侧的端部为自由端。并且,被多片叶片11的自由端包围的圆筒状的空间为电子作用空间。
阴极部9具有阴极3、2个端帽12及13、以及2根支撑杆14及15。阴极3是螺旋状的阴极,设置于电子作用空间的管轴m上。该阴极3的输入侧的端部(下端部)与输出侧的端部(上端部)分别固定有为了防止电子射出的端帽12以及13。另外,阴极3经由端帽12以及13与支撑杆14以及15相连接。2根支撑杆14以及15经由中继板16向管外导出。
另外,振荡部2中一对极片17及18以包夹端帽12以及13间的空间的方式相对设置于阳极圆筒10的输入侧的端部(下端部)的内侧与输出侧的端部(上端部)的内侧。在输入侧的极片17的中央部设置贯通孔,形成为以该贯通孔作为中心,向输入侧(下方)扩展的漏斗状。另一方面,在输出侧的极片18的中央部也设置贯通孔,形成为以该贯通孔作为中心,向输出侧(上方)扩展的漏斗状。以管轴m分别通过贯通孔的中心的方式设置这些极片17以及18。
而且,在管轴m方向上延伸大致呈筒状的金属密封体6的上端部固定于输入侧的极片17的外周部。该金属密封体6在气密状态下固定于阳极圆筒10的下端部。另一方面,在管轴m方向上延伸的大致呈筒状的金属密封体7的下端部固定于输出侧的极片18的外周部。该金属密封体7在气密状态下固定于阳极圆筒10的上端部。
构成输入部4的陶瓷支承体19与输入侧的金属密封体6的下端部在气密状态下相接合。即,保持于陶瓷支承体19的支撑杆14以及15通过金属密封体6的内侧与阴极3相连接。
另一方面,构成输出部5的陶瓷制的绝缘筒20与输出侧的金属密封体7的上端部气密接合,并且绝缘筒20的上端与排气管21气密接合。并且,从多片叶片11中的1片导出的天线22贯通输出侧的极片18,通过金属密封体7的内侧向其上端侧延伸,天线22的前端夹持于排气管21,在气密状态下固定。
输出侧的金属密封体7为筒状体,由在管轴m方向上延伸的筒状部7A与从该筒状部7A的下端向外侧扩展的环状部7B构成。并且,该金属密封体7的筒状部7A的上端部与绝缘筒20相接合,绝缘筒20的上端部与排气管21相接合。另外,和金属密封体7分开形成的筒状体即扼流部60与金属密封体7的筒状部7A的内侧相接合。
一对环状的磁体23以及24以在管轴m方向上夹持阳极圆筒10的方式相对设置于金属密封体6以及7的外侧。另外,阳极圆筒10和磁体23以及24由磁轭25覆盖,一对磁体23以及24和磁轭25形成牢固的磁回路。
并且,阳极圆筒10与磁轭25之间设置有散热体26,以使得来自于阴极3的辐射热量以及振荡部2的热损耗经由阳极圆筒10向散热体26传导并向磁控管1的外部释放。另外,阴极3经由支撑杆14以及15,与具有线圈以及穿芯电容器的滤波回路27相连接。滤波回路27收纳于滤波箱28。
1-2.扼流部的结构
如图2所示,扼流部60由第1扼流器30与第2扼流器32构成,并以管轴m作为中心配置呈同心圆状。
第1扼流器30设置成中心轴通过管轴m,包括:最外周部30A,该最外周部30A在管轴m方向上延伸,与筒状部7A的内表面相接;环状的第1环状部30B,该环状的第1环状部30B从该最外周部30A的上端与管轴m方向相垂直地向内侧延伸;筒状的第1筒状部30C,该筒状的第1筒状部30C从该第1环状部30B的内侧的端部与管轴m方向平行地向上侧延伸;环状的第2环状部30D,该环状的第2环状部30D从该第1筒状部30C的上端与管轴m方向相垂直地向内侧延伸;以及筒状的第2筒状部30E,该筒状的第2筒状部30E从该第2环状部30D的内侧的端部与管轴m方向平行地向下侧延伸到第1环状部30B的下方。
第1环状部30B与第2环状部30D平行,另外,第1筒状部30C也与第2筒状部30E平行。第1环状部30B以及第2环状部30D在与管轴m方向正交的径向的长度分别选择规定的长度,第1筒状部30C与第2筒状部30E在管轴m方向的长度也分别选择规定的长度。
第2扼流器32设置成中心轴通过管轴m,包括:筒状的第1筒状部32A,该筒状的第1筒状部32A的下端与第1环状部30B相接合,在第1筒状部30C与筒状部7A间的大致中央部与管轴m方向平行地向上侧延伸;环状的第1环状部32B,该环状的第1环状部32B从该第1筒状部32A的上端与管轴m方向垂直地比第2筒状部30E更向内侧延伸;筒状的第2筒状部32C,该筒状的第2筒状部32C从该第1环状部32B的内侧的端部与管轴m方向平行地向下侧延伸至与第2筒状部30E的下端部大致相同的垂直位置。
第1筒状部32A与第2筒状部32C平行,第1环状部30B以及第2环状部30D与第1环状部32B平行,第1筒状部30C以及第2筒状部30E与第1筒状部32A以及第2筒状部32C均平行。第1环状部32B的径向长度选择规定的长度,第1筒状部32A与第2筒状部32C在管轴m方向的长度也分别选择规定的长度。
利用金属密封体7和第1扼流器30和第2扼流器32,在金属密封体7的内侧形成有3个扼流槽31A、31B以及31C。上述扼流槽中,外侧的扼流槽31A由金属密封体7的筒状部7A的内表面与第1环状部30B与第1筒状部32A形成。扼流槽31A的内侧的扼流槽31B由第1筒状部30C和第2环状部30D以及第2筒状部30E形成。处于最内侧的扼流槽31C由第1环状部30B和第1筒状部30C和第2环状部30D和第2筒状部30E和第1筒状部32A和第1环状部32B以及第2筒状部32C形成,该扼流槽31C位于第1扼流器30与第2扼流器32之间,截面呈夹着扼流槽31B的U字形,能够以紧凑的尺寸抑制波长较长的高次谐波。
这3个扼流槽31A、31B、以及31C在管轴m方向上的长度(即深度)不同。即,这些扼流槽31A、31B以及31C被称为1/4波长型,各自在管轴m方向上的长度(深度)形成为想要抑制的任意高次谐波分量的波长的1/4。由此,磁控管1通过这2个扼流槽31A、31B、以及31C能够抑制不同频率的3个高次谐波分量。
具体而言,磁控管1中,第2筒状部32C的内径即第2扼流器第2筒状部内径D1设为φ9mm;第2筒状部30E的内径即第1扼流器第2筒状部内径D2设为φ11mm;第1筒状部30C的内径即第1扼流器第1筒状部内径D3设为φ12.7mm;第1筒状部32A的内径即第2扼流器第1筒状部内径D4设为φ14.2mm;筒状部7A的内径即筒状部内径D5设为φ16mm;第2筒状部32C在管轴方向上的长度即第2扼流器第2筒状部长度L1设为6.43mm;第1环状部32B与第1环状部30B在管轴方向上的间隔即环状部间距离L2设为0.95mm;第1筒状部30C在管轴方向上的长度即第1扼流器第1筒状部长度L3设为4.12mm;第2筒状部30E在管轴方向上的长度即第1扼流器第2筒状部长度L4设为4.97mm。
第1实施方式的磁控管1中,在天线外径为2.5mm、第1扼流器30以及第2扼流器32的板厚为0.3mm的情况下,当各个直径、轴方向的尺寸如附图所示时,扼流槽31B起到六次谐波(14.7GHz)的扼流器的作用、扼流槽31A起到五次谐波(12.25GHz)的扼流器的作用、扼流槽31C起到三次谐波(7.35GHz)的扼流器的作用。在此,如图4所示的通过简单的同轴模型进行分析的磁控管1中的S参数的曲线图G1,可知扼流槽31A、31B、以及31C分别在所属的高次谐波附近具有衰减峰值。
1-3.输出部的制造工序
在此,针对输出部5的制造工序使用图3进行说明。输出部5的金属密封体7与第1扼流器30由SPCC或SPCE这样的冷轧钢板冲压成形。具体而言,金属密封体7是由例如厚度为0.5mm的冷轧钢板冲压成形,第1扼流器30是由例如厚度为0.3mm的冷轧钢板冲压成形。
首先,将第1扼流器30、Ag-Cu钎焊材料80、第2扼流器32以及金属密封体7按照顺序装载于夹具70上。第1扼流器30的高度根据夹具70所规定,并且第1扼流器30的径向位置根据金属密封体7的筒状部7A的内表面所规定。另外,第1扼流器30的外径例如形成为,比筒状部7A的内径要略小,以使得金属密封体7的筒状部7A的内表面与第1扼流器30的最外周部30A紧密接触。Ag-Cu钎焊焊料80例如呈环状(圆环状),置于第1扼流器30的外周部(即第1扼流器30的最外周部30A(图2)与筒状部7A的内表面相接的位置)上。另外,第2扼流器32置于第1扼流器30的第1环状部32B(图2)上。第2扼流器32的径向位置根据夹具70规定。在该状态下,通过将这些投入炉中加热冷却,从而分别相接合。另外,钎焊工序的加热温度设定在Ag-Cu钎焊焊料熔融温度以上(例如,780℃以上)。
此时,第1扼流器30的最外周部30A与筒状部7A的内表面相接触位置和第2扼流器32的第1筒状部32A与第1扼流器30的第1环状部30B相接触位置相接近,因此通过高温熔解的钎焊焊料流过第1扼流器30与筒状部7A相接触位置,以及第2扼流器32与第1扼流器30相接触位置,从而使得第1扼流器30以及第2扼流器32与筒状部7A能够一次性钎焊在一起。
1-4.效果等
如上所述结构的磁控管1中,扼流部60由相互独立的部件即2个扼流器即第1扼流器30和第2扼流器32构成。另外,磁控管1中由第2扼流器32与金属密封体7形成扼流槽31A,由第1扼流器30本身形成扼流槽31B,由第1扼流器30与第2扼流器32形成扼流槽31C,即、形成3个扼流槽。为此磁控管1中能够形成比扼流器的个数要多的扼流槽,因此能够以所需要最小限度的部件数量有效地抑制不同频率的多个高次谐波。由此磁控管1能够在金属密封体7内的有限空间中配设多个抑制高次谐波的扼流槽,并实现小型化。
另外,磁控管1中,通过将圆环状的钎焊焊料置于第1扼流器30的外周部上并熔解,流过第1扼流器30与筒状部7A相接触位置和第2扼流器32与第1扼流器30相接触位置,从而能够将第1扼流器30以及第2扼流器32对筒状部7A一次性钎焊。由此,磁控管1中无需与第1扼流器30分开另外准备将第2扼流器32与筒状部7A钎焊的钎焊焊料,相应能降低一般而言较昂贵的钎焊焊料的成本。另外,磁控管1中由于能够一次性地将第1扼流器30以及第2扼流器32与筒状部7A相接合,从而能够提高制造性。
根据上述结构,磁控管1设置有抑制高次谐波的扼流部60,该扼流部60由设置于输出部5中的金属密封体7的内侧的多个扼流器即第1扼流器30以及第2扼流器32构成,并利用扼流部60与金属密封体7形成与频率不同且比第1扼流器30以及第2扼流器32的个数要多的高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽31A、31B以及31C。由此磁控管1能够形成比扼流器个数要多的扼流槽,因此能够通过简单的结构有效地抑制多个高次谐波分量。
2.第2实施方式
2-1.磁控管的结构
如图5所示对与图1相对应的部件用相同标号标注,第2实施方式中的磁控管101与第1实施方式中的磁控管1相比,除了设置有扼流部160来取代扼流部60以外,其他结构相同。
2-2.扼流部的结构
如图6所示,与图2相对应的部件用相同标号标注,扼流部160由第1扼流器130与第2扼流器132构成,并且以管轴m作为中心配置成同心圆状。
第1扼流器130设置成中心轴通过管轴m,包括:最外周部130A,该最外周部130A在管轴m方向上延伸并与筒状部7A的内表面相接;环状的第1环状部130B,该环状的第1环状部130B从该最外周部130A的上端与管轴m方向相垂直地向内侧延伸;筒状的第1筒状部130C,该筒状的第1筒状部130C从该第1环状部130B的内侧的端部与管轴m方向平行地向上侧延伸;环状的第2环状部130D,该环状的第2环状部130D从该第1筒状部130C的上端与管轴m方向相垂直地向内侧延伸;以及筒状的第2筒状部130E,该筒状的第2筒状部130E从该第2环状部130D的内侧的端部与管轴m方向平行地向下侧延伸至与第1环状部130B大致相同的垂直位置。第1环状部130B与第2环状部130D相平行,另外,第1筒状部130C也与第2筒状部130E相平行。
第2扼流器132设置成中心轴通过管轴m,包括:筒状的第1筒状部132A,该筒状的第1筒状部132A的下端与第1环状部130B相接合,在第1筒状部130C与筒状部7A间的大致中央部与管轴m方向平行地向上侧延伸;环状的第1环状部132B,该环状的第1环状部132B从该第1筒状部132A的上端与管轴m方向垂直地比第2筒状部130E更向内侧延伸;筒状的第2筒状部132C,该筒状的第2筒状部132C从该第1环状部132B的内侧的端部与管轴m方向平行地向下侧延伸且位于第2筒状部130E的下端部的上侧。第1筒状部132A与第2筒状部132C平行,第1环状部130B以及第2环状部130D与第1环状部132B平行,第1筒状部130C以及第2筒状部130E与第1筒状部132A以及第2筒状部132C均平行。
利用金属密封体7与第1扼流器130与第2扼流器132,在金属密封体7的内侧形成有与第1实施方式中的扼流槽31A、31B以及31C相对应的3个扼流槽131A、131B以及131C。
这3个扼流槽131A、131B、以及131C在管轴m方向上的长度(即深度)不同。即,这些扼流槽131A、131B以及131C各自在管轴m方向的长度(深度)形成为想要抑制的任意的高次谐波分量的波长的1/4。由此,磁控管101通过这2个扼流槽131A、131B、以及131C能够抑制不同频率的3个高次谐波分量。
具体而言,磁控管101中,第2筒状部132C的内径即第2扼流器第2筒状部内径D11设为φ9mm;第2筒状部130E的内径即第1扼流器第2筒状部内径D12设为φ11mm;第1筒状部130C的内径即第1扼流器第1筒状部内径D13设为φ12.7mm;第1筒状部132A的内径即第2扼流器第1筒状部内径D14设为φ14.2mm;筒状部7A的内径即筒状部内径D15设为φ16mm;第2筒状部132C在管轴方向上的长度即第2扼流器第2筒状部长度L11设为5.87mm;第1环状部132B与第1环状部130B在管轴方向上的间隔即环状部间距离L12设为0.85mm;第1筒状部130C在管轴方向的长度即第1扼流器第1筒状部长度L13设为5.14mm;第2筒状部130E在管轴方向的长度即第1扼流器第2筒状部长度L14设为5.78mm。
在第2实施方式中的磁控管101,与第1实施方式中的磁控管1同样,天线外径为2.5mm,第1扼流器130以及第2扼流器132的板厚为0.3mm的情况下,当各个直径、轴方向的尺寸如附图所示时,扼流槽131B起五次谐波(12.25GHz)的扼流器的作用,扼流槽131A起四次谐波(9.8GHz)的扼流器的作用,扼流槽131C起三次谐波(7.35GHz)的扼流器的作用。在此,如图7所示出的通过简单的同轴模型进行分析的磁控管101中的S参数的曲线图G2,可知扼流槽131A、131B、以及131C分别在所属的高次谐波附近具有衰减峰值。
3.其他实施方式
另外,如上所述的第1实施方式中,针对利用金属密封体7与2个第1扼流器30以及第2扼流器32,形成3个扼流槽31A、31B以及31C的情况进行了说明。本发明不限于此,通过改变构成扼流器的筒状部与环状部的个数以及尺寸等,由2个扼流器形成4个以上的扼流槽等,也可由任意个数的扼流器形成比扼流器的个数要多2个以上的扼流槽。具体而言,例如通过使第2扼流器32中的第2筒状部32C的下端部向径向内侧延伸的同时前端向上侧弯曲从而形成筒状部,该第2筒状部32C与该筒状部之间形成扼流槽,从而也可由2个的扼流器形成4个扼流槽。在第2实施方式中也同样。
并且,在上述第1实施方式中,针对扼流槽31C的截面呈U字形的情况进行了阐述。本发明不限于此,扼流槽31C的截面也可是沿管轴方向的直线形状。在第2实施方式中也同样。
另外,在上述第1实施方式中,将圆环状的钎焊焊料置于第1扼流器30的外周部上并熔解,通过流过第1扼流器30与筒状部7A相接触位置和第2扼流器32与第1扼流器30相接触位置,从而能够将筒状部7A与第1扼流器30以及第2扼流器32一次性地进行钎焊的情况进行了阐述。本发明不限于此,也可以通过将第2扼流器32中第1筒状部32A的下端部向径向外侧弯曲并使该端部与筒状部7A的内表面相接合,从而第2扼流器32与第1扼流器30单独地与筒状部7A进行钎焊。在第2实施方式中也同样。
另外,在上述第1实施方式中,针对扼流槽31A设为向上、扼流槽31B以及31C设为向下的情况进行了阐述。本发明不限于此,例如,通过将第1扼流器30以及第2扼流器32上下反转设置,从而也可将扼流槽31A、31B以及31C分别与磁控管1反向设置。另外,如上所述的第1实施方式中,针对第1扼流器30的最外周部30A从第1环状部30B的外侧的端部向下方延伸的形状的情况进行了阐述,但是本发明不限于此,也可形成为从第1环状部30B的外侧的端部向上方延伸的形状。在第2实施方式中也同样。
另外,如上所述的第1实施方式中,金属密封体7、第1扼流器30以及第2扼流器32由SPCC或SPCE这样的冷轧钢板冲压成形。本发明不限于此,金属密封体7、第1扼流器30以及第2扼流器32也可由其他材质形成的金属材料成形。在第2实施方式中也同样。
另外,在上述第1实施方式中,主要针对磁控管1的金属密封体7与第1扼流器30以及第2扼流器32相接合进行了说明,但是,针对金属密封体7与第1扼流器30以及第2扼流器32以外的部分,也可以与上述的磁控管1具有不同结构构成。在第2实施方式中也同样。
另外,如上所述,金属密封体7、第1扼流器30以及第2扼流器32的部件尺寸、以及第1扼流器130及第2扼流器132的部件尺寸也可有其他各种的尺寸组合。
另外,如上所述的第1实施方式中,针对构成第1扼流器30以及第2扼流器32的筒状部在管轴方向上平行延伸、环状部与管轴方向垂直延伸的情况进行了阐述。本发明不限于此,构成第1扼流器30以及第2扼流器32的筒状部也可不向管轴方向平行延伸,环状部也可不向管轴方向垂直延伸。在第2实施方式中也同样。
另外,在上述实施方式中,针对由作为扼流部的扼流部60或160来构成作为磁控管的磁控管1或101的情况进行了阐述。本发明不限于此,也可由具有其他各种结构的扼流部构成磁控管。
标号说明
1、101、201、301 磁控管
2 振荡部
3 阴极
4 输入部
5、205、305 输出部
6 金属密封体
7、207、307 金属密封体
7A 筒状部
7B 环状部
8 阳极部
9 阴极部
10 阳极圆筒
11 叶片
12、13 端帽
14、15 支撑杆
16 中继板
17 极片
18 极片
19 陶瓷支承体
20 绝缘筒
21 排气管
22 天线
23、24 磁体
25 磁轭
26 散热体
27 滤波回路
28 滤波箱
30、130 第1扼流器
30A、130A 最外周部
30B、130B 第1环状部
30C、130C 第1筒状部
30D、130D 第2环状部
30E、130E 第2筒状部
31A、31B、31C、131A、131B、131C 扼流槽
32、132 第2扼流器
32A、132A 第1筒状部
32B、132B 第1环状部
32C、132C 第2筒状部
60、160 扼流部
70 夹具
80 钎焊焊料
84 二次谐波用扼流槽
86 四次谐波用扼流槽
88 五次谐波用扼流槽
90 五次谐波用扼流器
m 管轴
D1、D11 第2扼流器第2筒状部内径
D2、D12 第1扼流器第2筒状部内径
D3、D13 第1扼流器第1筒状部内径
D4、D14 第2扼流器第1筒状部内径
D5、D15 筒状部内径
L1、L11 第2扼流器第2筒状部长度
L2、L12 环状部间距离
L3、L13 第1扼流器第1筒状部长度
L4、L14 第1扼流器第2筒状部长度。
权利要求书(按照条约第19条的修改)
1.一种磁控管,其特征在于,
具有抑制高次谐波的扼流部,该抑制高次谐波的扼流部由设置于输出部的金属密封体的内侧的第1扼流器及第2扼流器构成;
所述第1扼流器设置为中心轴通过管轴,包括:第1扼流器最外周部,该第1扼流器最外周部在管轴方向上延伸并与所述金属密封体的内表面相接;环状的第1扼流器第1环状部,该环状的第1扼流器第1环状部从该第1扼流器最外周部的上端向管轴侧延伸;筒状的第1扼流器第1筒状部,该筒状的第1扼流器第1筒状部从该第1扼流器第1环状部的内侧的端部在管轴方向上向上侧延伸;环状的第1扼流器第2环状部,该环状的第1扼流器第2环状部从该第1扼流器第1筒状部的上端向管轴侧延伸;以及筒状的第1扼流器第2筒状部,该筒状的第1扼流器第2筒状部从该第1扼流器第2环状部的内侧的端部在管轴方向上向下侧延伸;
所述第2扼流器设置为中心轴通过管轴,包括:筒状的第2扼流器第1筒状部,该筒状的第2扼流器第1筒状部的下端与所述第1扼流器第1环状部相接合,并在所述第1扼流器第1筒状部和所述金属密封体之间在管轴方向上向上侧延伸;环状的第2扼流器第1环状部,该环状的第2扼流器第1环状部从该第2扼流器第1筒状部的上端向管轴侧比所述第1扼流器第2筒状部更向内侧延伸;以及筒状的第2扼流器第2筒状部,该筒状的第2扼流器第2筒状部从该第2扼流器第1环状部的内侧的端部在管轴方向上向下侧延伸;
通过所述第1扼流器、所述第2扼流器和所述金属密封体形成与频率不同的至少3个高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽。
2.如权利要求1所述的磁控管,其特征在于,
所述第1扼流器以及所述第2扼流器通过1个钎焊焊料与所述金属密封体相接合。
3.如权利要求2所述的磁控管,其特征在于,
所述第1扼流器以及所述第2扼流器利用1个钎焊焊料与所述金属密封体通过一次钎焊工序进行钎焊。
说明或声明(按照条约第19条的修改)
修改后的权利要求1通过对修改前的权利要求1并入修改前的权利要求3及权利要求4来明确扼流部的结构。

Claims (6)

1.一种磁控管,其特征在于,
具有抑制高次谐波的扼流部,该抑制高次谐波的扼流部由设置于输出部的金属密封体的内侧的多个扼流器构成;
通过所述扼流部和所述金属密封体形成与频率不同且比所述扼流器的个数要多的高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽。
2.如权利要求1所述的磁控管,其特征在于,
通过所述扼流部和所述金属密封体形成与频率不同且比所述扼流器的个数要多1个的高次谐波分量分别相对应的多个扼流槽。
3.如权利要求2所述的磁控管,其特征在于,
所述扼流部由第1扼流器及第2扼流器构成,通过所述第1扼流器、所述第2扼流器以及所述金属密封体形成与频率不同且至少为3个的高次谐波分量相对应的多个扼流槽。
4.如权利要求3所述的磁控管,其特征在于,
所述第1扼流器设置为中心轴通过管轴,包括:第1扼流器最外周部,该第1扼流器最外周部在管轴方向上延伸并与所述金属密封体的内表面相接;环状的第1扼流器第1环状部,该环状的第1扼流器第1环状部从该第1扼流器最外周部的上端向管轴侧延伸;筒状的第1扼流器第1筒状部,该筒状的第1扼流器第1筒状部从该第1扼流器第1环状部的内侧的端部在管轴方向上向上侧延伸;环状的第1扼流器第2环状部,该环状的第1扼流器第2环状部从该第1扼流器第1筒状部的上端向管轴侧延伸;以及筒状的第1扼流器第2筒状部,该筒状的第1扼流器第2筒状部从该第1扼流器第2环状部的内侧的端部在管轴方向上向下侧延伸;
所述第2扼流器设置为中心轴通过管轴,包括:筒状的第2扼流器第1筒状部,该筒状的第2扼流器第1筒状部的下端与所述第1扼流器第1环状部相接合,并在所述第1扼流器第1筒状部和所述金属密封体之间在管轴方向上向上侧延伸;环状的第2扼流器第1环状部,该环状的第2扼流器第1环状部从该第2扼流器第1筒状部的上端向管轴侧比所述第1扼流器第2筒状部更向内侧延伸;以及筒状的第2扼流器第2筒状部,该筒状的第2扼流器第2筒状部从该第2扼流器第1环状部的内侧的端部在管轴方向上向下侧延伸。
5.如权利要求3所述的磁控管,其特征在于,
所述第1扼流器以及所述第2扼流器通过1个钎焊焊料与所述金属密封体相接合。
6.如权利要求5所述的磁控管,其特征在于,
所述第1扼流器以及所述第2扼流器利用1个钎焊焊料与所述金属密封体通过一次钎焊工序进行钎焊。
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