CN102237238A - 磁控管的阴极导线结构 - Google Patents

Abstract

一种磁控管的阴极导线结构，包括：中央导杆、侧面导杆、陶瓷部件，陶瓷部件向上延伸至下部密封室中，从下部密封件到陶瓷部件顶部焊接片之间的中央导杆和侧面导杆根据陶瓷部件的变化而相应的缩短了长度。下部密封室中更短的中央导杆和侧面导杆发生相对形变的可能大大降低，中央导杆和侧面导杆的同心度提高，减小了磁控管阴极偏心的可能，进而减小了由于阴极偏心所造成的暗电流的大小，使磁控管中产生无用损耗的暗电流降低，相应的提高了磁控管的整体工作输出效率。

Description

磁控管的阴极导线结构

技术领域

本发明属于磁控管的技术领域，具体涉及一种在增加陶瓷部件与阴极引出线的同时减小中央导杆与侧面导杆的长度，从而提高两导杆的同心度，降低暗电流提高输出效率的磁控管的阴极导线结构。

背景技术

图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图；图2是现有技术中磁控管的阴极导线结构的剖视图。

如图1、图2所示，磁控管主要包括有：正电极部；负电极部；磁极部；微波发射部。

正电极部由圆桶形状的阳极外壳11，在阳极外壳11的内壁上形成有多个放射状的叶片12，叶片上下沟槽中焊接内外环构成。

负电极部包括在中心轴上由W(钨)和TH(钍)元素形成的螺旋形状并可放射热电子的灯丝13；在叶片12的末端和灯丝13之间形成使热电子旋转的作用空间14；为了防止从灯丝13放射出来的热电子从中心轴上下方向脱离，在灯丝13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16；为了支撑灯丝13及引入电源，设计了贯通下部密封件16并连接上部密封件15的灯丝中央导杆17和与中央导杆17一起引入电源并连接下部密封件16的侧面导杆18。

磁极部包括固定在阳极外壳11的上端和下端且能形成磁通的上磁极20，下磁极21；为了能使作用空间14上形成磁场，在上磁极20的上端和下磁极21的下端安装磁铁22。

在上磁极20的上部和下磁极21的下部设置起到磁通作用的上部密封室41和下部密封室42，上部密封室和下部密封室分别由天线封盖100和阴极封盖103分隔出的空间形成；为了在作用空间14里产生的高频波发射到外部，设有连接在叶片12并贯通上磁极20和上部密封室41中央引出来的天线51；为了冷却在作用空间14里产生并通过叶片12传递的热量，设置有冷却片61。

在磁控管的下端对应下磁极的下部密封室位置设置陶瓷部件31，陶瓷部件与形成下部密封室的阴极封盖紧密结合；在陶瓷部件31中设置两条穿过陶瓷部件的阴极引出线35，另外设置具有滤波功能的滤波线圈32，两段滤波线圈分别通过阴极引出线连接灯丝的中央导杆17一端和侧面导杆18的一端；包围滤波线圈设置由金属材质构成的屏蔽盒34，屏蔽盒内部形成密闭的空间，屏蔽盒上部形成通孔36，陶瓷部件的下端穿过屏蔽盒上部的通孔并与屏蔽盒相固定，连接滤波线圈32，并跨接于电源两端从外部引入电源的电容器33。

另外还有把冷却片61保护在内部并将冷却片61传递的热量散出的外壳19等部件。外壳19包括从上侧容纳内部装置的上壳19a和从下侧容纳内部装置的下壳19b。

图中所示的排气管60是磁控管组装以后，进行排气工序时为了把磁控管变成真空状态切断的部分。

下面说明如上所述的磁控管工作情况。在磁铁22产生的磁场通过上磁极20和下磁极21形成磁通时，在叶片12和灯丝13之间形成磁场。当通过电容器33进行通电的时候，灯丝13在大约2000K温度下放射热电子，热电子在灯丝13与正电极部之间的4.0KV到4.4KV和在磁铁22产生的磁场的作用下的作用空间14进行旋转。

这样，在通过中央导杆17和侧面导杆18向灯丝13通电的时候，在叶片12和灯丝13之间产生2450MHZ左右的电场，使热电子在作用空间14内通过电场和磁场的作用下变成谐波，并使谐波传递到连接叶片12的天线51发射到外部。

在作用空间产生的不仅有用于烹调的基本波(2450MHZ)，还有基本波频率整数倍的高频谐波，主要包括第二高频谐波(4900MHZ)、第三高频谐波(7350MHZ)、第四高频谐波(9.8GHZ)、第五高频谐波(12.5GHZ)等。基本波用于对微波炉内的物品加热，整数倍高频谐波容易对周围的电器元件造成强烈的电磁干扰，而且对人体有害，因此必须尽量减少高频谐波从磁控管中泄漏。

现有技术中磁控管的天线侧扼流结构，包括：设置于磁控管的阳极外壳上部并形成上部密封室的天线封盖100和密闭焊接于天线封盖内部并与天线封盖内壁共同形成扼流槽102的筒状扼流壁101；天线封盖上部的天线出口处向上部密封室内侧弯曲形成扼流筒，扼流筒与扼流壁之间同样形成扼流槽102，扼流筒、天线封盖与扼流壁共轴。

现有技术中磁控管的阴极导线结构，包括：中央导杆17，贯通磁控管的下部密封件16且连接上部密封件15，支撑灯丝13并为灯丝引入电源，其下端通过焊接片37与阴极引出线35相连接；侧面导杆18，连接磁控管的下部密封件16，与中央导杆配合向灯丝引入电源，侧面导杆的下端通过焊接片37与阴极引出线35相连接；陶瓷部件31，设置在由阴极封盖103所围成的下部密封室42下侧，在陶瓷部件上端设置支撑中央导杆和侧面导杆的两个互不接触的焊接片37，与焊接片分别连接的两条阴极引出线从陶瓷部件中穿过，并与屏蔽盒中的滤波线圈相连接。

但是现有技术存在以下不足：

磁控管阴极导线结构中，陶瓷部件完全安装在阴极封盖外部，中央导杆和侧面导杆穿过阴极封盖形成的下部密封室分别连接上部密封件和下部密封件，从而为磁控管的灯丝输送电源，由于中央导杆和侧面导杆在下部密封室中的长度相对较长，在装配时容易发生装配误差，从而造成阴极偏心，导致发热损耗的暗电流增加，降低了磁控管的整体输出效率。另外，为保证磁控管中的电流传输效能，中央导杆和侧面导杆都采用贵金属制成，过长的中央导杆和侧面导杆也使贵金属的用量增大，磁控管阴极导线结构的生产成本相对偏高。

发明内容

本发明为解决现有技术中存在的技术问题而提供一种在增加陶瓷部件与阴极引出线的同时减小中央导杆与侧面导杆的长度，从而提高两导杆的同心度，降低暗电流提高输出效率的磁控管的阴极导线结构。

本发明为解决现有技术中存在的技术问题所采取的技术方案是：

本发明的磁控管的阴极导线结构，包括：中央导杆，贯通磁控管的下部密封件且连接上部密封件，支撑灯丝并为灯丝引入电源，其下端通过焊接片与阴极引出线相连接；侧面导杆，连接磁控管的下部密封件，与中央导杆配合向灯丝引入电源，侧面导杆的下端通过焊接片与阴极引出线相连接；陶瓷部件，设置在由阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在陶瓷部件上端设置支撑中央导杆和侧面导杆的两个互不接触的焊接片，与焊接片分别连接的两条阴极引出线从陶瓷部件中穿过，并与屏蔽盒中的滤波线圈相连接，陶瓷部件向上延伸至下部密封室中。

本发明还可以采用如下技术措施：

所述的磁控管下部密封件与陶瓷部件的底面之间的距离保持不变，陶瓷部件与阴极引出线的长度增加，下部密封件与焊接片之间的距离减小，即中央导杆与侧面导杆的长度相应减小。

所述的陶瓷部件的上端形成凸台结构，凸台与阴极封盖紧密配合并插入到下部密封室中。

本发明具有的优点和积极效果是：

本发明的磁控管的阴极导线结构中，陶瓷部件和阴极引出线一同向上方延伸至阴极封盖形成的下部密封室中，两者的长度相对于现有技术有所增长，且由于磁控管的大小规格未发生变化，其下部密封件与陶瓷部件底面间的距离不变，因而中央导杆和侧面导杆在下部密封室中长度相应的缩短，即从下部密封件到陶瓷部件顶部焊接片之间的中央导杆和侧面导杆根据陶瓷部件的变化而相应的缩短了长度。下部密封室中更短的中央导杆和侧面导杆发生相对形变的可能大大降低，中央导杆和侧面导杆的同心度提高，减小了磁控管阴极偏心的可能，进而减小了由于阴极偏心所造成的暗电流的大小，使磁控管中产生无用损耗的暗电流降低，相应的提高了磁控管的整体工作输出效率。此外，由于中央导杆和侧面导杆的长度都减小，生产中央导杆和侧面导杆所需的贵金属量也降低，从而降低了磁控管的生产成本。

附图说明

图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图；

图2是现有技术中磁控管的阴极导线结构的剖视图；

图3是本发明的磁控管的阴极导线结构的剖视图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进行详细的说明。

图3是本发明的磁控管的阴极导线结构的剖视图。

如图3所示，磁控管的阴极封盖设置在磁控管下磁极的下部，与磁控管的阳极外壳密封连接形成下部密封室，金属材质的阴极封盖与阳极外壳通过焊接紧密连接，阴极封盖下部的中间位置设置供阴极引出线穿过的开口。在磁控管的下端对应下磁极的下部密封室位置设置陶瓷部件31，陶瓷部件与形成下部密封室的阴极封盖紧密结合；在陶瓷部件中设置两条穿过陶瓷部件的阴极引出线35，另外设置具有滤波功能的滤波线圈，两段滤波线圈分别通过阴极引出线连接灯丝的中央导杆一端和侧面导杆的一端；包围滤波线圈设置由金属材质构成的屏蔽盒，屏蔽盒内部形成密闭的空间，屏蔽盒上部形成通孔，陶瓷部件的下端穿过屏蔽盒上部的通孔并与屏蔽盒相固定，连接滤波线圈，并跨接于电源两端从外部引入电源的电容器。

在磁控管的下部的屏蔽盒，构成磁控管的一部分，屏蔽盒中的滤波线圈，由一组相互对应设置的线圈构成，通过阴极引出线分别连接磁控管中灯丝的中央导杆和侧面导杆，形成电路连通；屏蔽盒，由金属板构成，包围滤波线圈，其内部形成密闭的空间，保护滤波线圈及滤波线圈的电路连接，在屏蔽盒的上部设置通孔，磁控管的陶瓷部件的下端穿过屏蔽盒上部的通孔与屏蔽盒相固定；电容器，设置在上述屏蔽盒外，通过连接导线穿过屏蔽盒与滤波线圈相连接，将电源供给给磁控管。

磁控管的阴极导线结构，设置在磁控管的负电极部中，包括：中央导杆17，由导电率高的贵金属制成，贯通磁控管的下部密封件16且连接上部密封件15，在下部密封件和上部密封件之间的中央导杆位于磁控管的轴心部位，支撑灯丝13并为灯丝引入电源，其下端与陶瓷部件31上端设置的焊接片37固定，通过焊接片31与阴极引出线35电连接；侧面导杆18，同样由导电率高的贵金属制成，其上端连接磁控管的下部密封件16，与中央导杆17配合向灯丝引入电源，侧面导杆的下端与陶瓷部件31上端设置的焊接片37固定，通过焊接片与阴极引出线相连接；陶瓷部件31，由绝缘的陶瓷构成，设置在由阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在陶瓷部件上端设置支撑中央导杆和侧面导杆的两个互不接触的焊接片，与焊接片分别连接的两条阴极引出线35从陶瓷部件31中穿过，并与屏蔽盒中的滤波线圈相连接，陶瓷部件向上延伸至由阴极封盖围成的下部密封室中，陶瓷部件与阴极封盖下端开口之间紧密连接，以防止高频谐波泄漏。

在不改变磁控管外部结构的情况下，磁控管下部密封件16与陶瓷部件31的底面之间的距离保持不变，使陶瓷部件与阴极引出线的长度增加，陶瓷部件和阴极引出线都在下部密封室内部向下部密封件的方向延伸，下部密封件与陶瓷部件顶部设置的焊接片之间的距离减小，因此中央导杆与侧面导杆位于下部密封室中的部分其长度也相应地减小，主要是平行设置于下部密封室中的中央导杆和侧面导杆的部分同时减少了相同的长度。

陶瓷部件31的上端形成凸台结构，突出部分的直径小于陶瓷部件下部的直径，更加便于凸台与阴极封盖紧密配合并插入到下部密封室中，而且还能够对陶瓷部件插入到阴极封盖中的长度进行限定和控制。

本发明的磁控管的阴极导线结构中，陶瓷部件和阴极引出线一同向上方延伸至阴极封盖形成的下部密封室中，两者的长度相对于现有技术有所增长，且由于磁控管的大小规格未发生变化，其下部密封件与陶瓷部件底面间的距离不变，因而中央导杆和侧面导杆在下部密封室中长度相应的缩短，即从下部密封件到陶瓷部件顶部焊接片之间的中央导杆和侧面导杆根据陶瓷部件的变化而相应的缩短了长度。下部密封室中更短的中央导杆和侧面导杆发生相对形变的可能大大降低，中央导杆和侧面导杆的同心度提高，减小了磁控管阴极偏心的可能，进而减小了由于阴极偏心所造成的暗电流的大小，使磁控管中产生无用损耗的暗电流降低，相应的提高了磁控管的整体工作输出效率。此外，由于中央导杆和侧面导杆的长度都减小，生产中央导杆和侧面导杆所需的贵金属量也降低，从而降低了磁控管的生产成本。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例公开如上，然而，并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当然会利用揭示的技术内容作出些许更动或修饰，成为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均属于本发明技术方案的范围内。

Claims (3)

1.一种磁控管的阴极导线结构，包括：中央导杆，贯通磁控管的下部密封件且连接上部密封件，支撑灯丝并为灯丝引入电源，其下端通过焊接片与阴极引出线相连接；侧面导杆，连接磁控管的下部密封件，与中央导杆配合向灯丝引入电源，侧面导杆的下端通过焊接片与阴极引出线相连接；陶瓷部件，设置在由阴极封盖所围成的下部密封室下侧，在陶瓷部件上端设置支撑中央导杆和侧面导杆的两个互不接触的焊接片，与焊接片分别连接的两条阴极引出线从陶瓷部件中穿过，并与屏蔽盒中的滤波线圈相连接，其特征在于：陶瓷部件向上延伸至下部密封室中。

2.根据权利要求1所述的磁控管的阴极导线结构，其特征在于：磁控管下部密封件与陶瓷部件的底面之间的距离保持不变，陶瓷部件与阴极引出线的长度增加，下部密封件与焊接片之间的距离减小，即中央导杆与侧面导杆的长度相应减小。

3.根据权利要求2所述的磁控管的阴极导线结构，其特征在于：陶瓷部件的上端形成凸台结构，凸台与阴极封盖紧密配合并插入到下部密封室中。

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