CN101206985A - 磁控管防泄漏滤波器 - Google Patents

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CN101206985A CNA2006101304565A CN200610130456A CN101206985A CN 101206985 A CN101206985 A CN 101206985A CN A2006101304565 A CNA2006101304565 A CN A2006101304565A CN 200610130456 A CN200610130456 A CN 200610130456A CN 101206985 A CN101206985 A CN 101206985A
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Abstract

本发明涉及磁控管及与其相连的防止电磁能泄漏的装置,具体是磁控管防泄漏滤波器。解决磁控管内放射热电子的一部分回击到灯丝产生的300KHz-1GHz的相对低频波在其电源馈线泄漏的问题。它包括有:连接在磁控管电源输入侧的屏蔽盒;磁控管轴向连接的灯丝中央及侧面导杆及绝缘陶瓷部件;径向连接在屏蔽盒的电容器及电源输入插头;两个分别连接电容器两端和磁控管灯丝中央及侧面导杆的滤波线圈;设置在滤波线圈内部的铁氧体磁芯,特征在于:扼流圈由一定直径的镀铜铝线紧密缠绕的密集型绕线部和相隔一定间距的疏散型绕线部构成。本发明节约铜材,另外镀铜铝线形成同轴线层结构,对高频电场和磁场有屏蔽作用,不易受其干扰,滤波效果好。

Description

磁控管防泄漏滤波器
技术领域
本发明涉及磁控管及与其相连的防止电磁能泄漏的装置,具体是磁控管防泄漏滤波器。
背景技术
图1是现有技术的磁控管结构纵剖视图。如图所示,一般,磁控管主要包括有:正电极部;负电极部;磁极部;微波发射部。正电极部由圆桶形状的正极外壳11,在正极外壳11的内壁上形成有多个放射状的叶片12,叶片上下沟槽中焊接内外环构成。
负电极部包括在中心轴上由W(钨)和TH(钍)元素形成的螺旋形状并可放射热电子的灯丝13;在叶片12的末端和灯丝13之间形成使热电子旋转的作用空间14;为了防止从灯丝13放射出来的热电子从中心轴上下方向脱离,在灯丝13的上端和下端形成上部密封件15和下部密封件16;为了支撑灯丝13及引入电源,设计了贯通下部密封件16并连接上部密封件15的灯丝中央导杆17和与中央导杆17一起引入电源并连接下部密封件16的侧面导杆18。
磁极部包括固定在正极外壳11的上端和下端并能形成磁通的上磁极20,下磁极21;为了能使作用空间14上形成磁场,在上磁极20的上端和下磁极21的下端安装磁铁22。
此外,还有贯通陶瓷部件31并连接灯丝中央导杆17一端和侧面导杆18一端进行滤波功能的滤波线圈100;连接滤波线圈100,并跨接于电源两端从外部引入电源的电容器36;形成在上磁极20的上部和下磁极21的下部进行磁通作用的上部密封室41和下部密封室42;为了在作用空间14里产生的高频波发射到外部,设有连接在叶片12并贯通上磁极20和上部密封室41中央引出来的天线51;为了冷却在作用空间14里产生并通过叶片12传递的热量,设置有冷却片61;另外还有把冷却片61保护在内部并将冷却片61传递的热量散出的外壳19等部件。
外壳19包括从上侧容纳内部装置的上壳19a和从下侧容纳内部装置的下壳19b。
图中所示的排气管60是磁控管组装以后,进行排气工序时为了把磁控管变成真空状态切断的部分。
下面说明如上所述的磁控管工作情况。在磁铁22产生的磁场通过上磁极20和下磁极21形成磁通时,在叶片12和灯丝13之间形成磁场。当通过电容器33进行通电的时候,灯丝13在大约2000K温度下放射热电子,热电子在灯丝13与正电极部之间的4.0KV到4.4KV和在磁铁22产生的磁场的作用下的作用空间14进行旋转。
这样,在通过中央导杆17和侧面导杆18向灯丝13通电的时候,在叶片12和灯丝13之间产生2450MHZ左右的电场,使热电子在作用空间14内通过电场和磁场的作用下变成高频波,并使高频波传递到连接叶片12的天线51发射到外部。
但是,在上述作用空间不仅产生2450MHZ的微波基波及其整数倍频率的高次谐波波,还有放射热电子的一部分回击到灯丝阴极产生的300KHZ-1GHZ的相对低频波,它们可能向下通过磁控管电源馈线传送到电源及其外部,影响电源并成为对其它仪器引起电磁干扰的一个原因。如图1、2所示,现有的磁控管为了遏止300KHZ-1GHZ通过磁控管电源馈线向磁控管电源及其外部泄漏,在灯丝导杆17、18及电源间安装了形成滤波器的电容器36及滤波线圈100。如我公司03144170中国专利,滤波线圈是以漆包铜线疏密缠绕于铁氧体磁芯上制成,但是由于漆包铜线线圈易受高频信号和磁场的干扰,所以存在对300KHZ-1GHZ滤波效果不佳的问题。
发明内容
本发明为解决上述现有技术存在的问题而提供一种磁控管防泄漏滤波器,它使用镀铜铝线绕制成具有密集绕线部和疏散绕线部的滤波线圈,因此节约铜材,另外由于镀铜铝线自身分层,形成同轴线结构,对高频电场和磁场有很好的屏蔽作用,不易受高频信号和磁场的干扰,所以能很好过滤磁控管内作用空间中电子撞击灯丝阴极等产生的300KHZ-1GHZ的相对低频波,防止其通过磁控管电源馈线向磁控管电源及其外部泄漏,使磁控管满足EMI电磁干扰要求标准。
本发明磁控管防泄漏滤波器的技术方案包括有:连接在磁控管电源输入侧的屏蔽盒;磁控管轴向连接的灯丝中央及侧面导杆和绝缘陶瓷部件;径向连接在屏蔽盒的电容器及电源输入插头;两个分别连接上述电容器两端和磁控管灯丝中央及侧面导杆的滤波线圈;设置在上述滤波线圈内部的铁氧体磁芯,其特征在于:上述滤波线圈由镀铜铝线紧密缠绕的密集绕线部和相隔一定间距的疏散绕线部构成。
上述滤波线圈的线圈圈数是15.6圈。密集绕线部13圈,疏散绕线部2.6圈,二疏散绕线间间隔为2.2和3.5mm。
其防止磁控管中300KHz~1GHz频带的电磁波通过电源馈线向电源泄漏。
上述滤波线圈的感应系数是1.2±0.15uH。
上述滤波线圈的外径是9.2mm。
上述铁氧体磁芯的直径是5.6mm,长度为14mm。
上述滤波线圈在铁氧体磁芯上4mm的长度处绕线。
上述镀铜铝线的线径为1.7mm。
上述镀铜铝线中铜铝体积百分数为铜15%,铝85%。
上述电容器可取350-650PF封装于插头壳中。
优点及积极效果:本发明磁控管防泄漏滤波器的滤波线圈使用镀铜铝线绕制成具有密集绕线部和疏散绕线部的滤波线圈,因此节约铜材,另外由于镀铜铝线自身分层,形成同轴线结构,对高频电场和磁场有很好的屏蔽作用,不易受高频信号和磁场的干扰,所以能很好过滤磁控管内作用空间中电子撞击灯丝阴极等产生的300KHZ-1GHZ的相对低频波,防止其通过磁控管电源馈线向磁控管电源及其外部泄漏,使磁控管满足EMI电磁干扰要求标准。
附图说明
图1是现有技术磁控管结构纵剖视图;
图2是现有技术磁控管防泄漏滤波器仰视图;
图3是现有技术磁控管防泄漏滤波器的滤波线圈图;
图4是本发明磁控管防泄漏滤波器仰视图;
图5是本发明磁控管防泄漏滤波器的滤波线圈图。
图中主要符号说明
11-正极外壳          12-叶片
13-灯                14-作用空间
15-上部密封件        16-下部密封件
17-中央导杆          18-侧面导杆
19-外壳              19a-上壳
19b-下壳             20-上磁极
21-下磁极            22-磁铁
31-陶瓷部件          32-疏散绕线部
33-屏蔽盒            34-密集绕线部
35-铁氧体磁芯        36-电容器
37-插头              41-上部密封室
42-下部密封室        51-天线
60-排气管            61-冷却片
100-滤波线圈
具体实施方式
为了进一步说明本发明的内容,技术特点及功效,再举以下实例并结合附图说明于下:如图4、5所示:本发明磁控管防泄漏滤波器技术方案包括有:连接在磁控管电源输入侧的屏蔽盒33;磁控管轴向连接的灯丝中央及侧面导杆17、18和绝缘陶瓷部件31;径向连接在屏蔽盒的电容器36及电源输入插头37;两个分别连接上述电容器两端和磁控管灯丝中央及侧面导杆的滤波线圈100;设置在上述滤波线圈内部的铁氧体磁芯35,其特征在于:上述滤波线圈100由镀铜铝线紧密缠绕的密集绕线部34和相隔一定间距的疏散绕线部32构成。
上述滤波线圈100的线圈圈数是15.6圈。密集绕线部13圈,疏散绕线部2.6圈,二疏散绕线间间隔为2.2和3.5mm。
其防止磁控管中300KHz~1GHz频带的电磁波通过电源馈线向电源泄漏。
上述滤波线圈100的感应系数是1.2±0.15uH。
上述滤波线圈100的外径是9.2mm。
上述铁氧体磁芯35的直径是5.6mm,长度为14mm。
上述滤波线圈在铁氧体磁芯上4mm的长度处绕线。
上述镀铜铝线的线径为1.7mm。
上述镀铜铝线中铜铝体积百分数为铜15%,铝85%。
上述电容器36可取350-650PF封装于插头37外壳中。

Claims (10)

1.一种磁控管防泄漏滤波器,包括有:连接在磁控管电源输入侧的屏蔽盒;磁控管轴向连接的灯丝中央及侧面导杆和绝缘陶瓷部件;径向连接在屏蔽盒的电容器及电源输入插头;两个分别连接上述电容器两端和磁控管灯丝中央及侧面导杆的滤波线圈;设置在上述滤波线圈内部的铁氧体磁芯,其特征在于:上述滤波线圈由镀铜铝线紧密缠绕的密集绕线部和相隔一定间距的疏散绕线部构成。
2.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述滤波线圈的线圈圈数是15.6圈。密集绕线部13圈,疏散绕线部2.6圈,二疏散绕线间间隔为2.2和3.5mm。
3.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:其防止磁控管中300KHz~1GHz频带的高频电磁波通过电源馈线向电源泄漏。
4.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述滤波线圈的感应系数是1.2±0.15uH。
5.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述滤波线圈的外径是9.2mm。
6.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述铁氧体磁芯的直径是5.6mm,长度为14mm
7.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述滤波线圈在铁氧体磁芯上4mm的长度处绕线。
8.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于:上述镀铜铝线的线径为1.7mm
9.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于;上述镀铜铝线中铜铝体积百分数为铜15%,铝85%。
10.根据权利要求1所述的磁控管防泄漏滤波器,其特征在于;上述电容器可取350-650PF封装于插头壳中。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106783460A (zh) * 2017-01-05 2017-05-31 武汉科技大学 一种低逸出功阴极

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PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
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