CN108780254A - 显示基板、液晶显示面板及其制造方法、液晶显示设备 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括：阵列基板，其具有包括多列数据线的数据线层；面对所述阵列基板的对盒基板，其包括底部基板和位于所述底部基板上的导电材料层，所述导电材料层包括用于防止漏光的多个导电材料列；以及黑矩阵层，其具有与多个导电材料列和多列数据线相对应的多个黑矩阵列。

Description

显示基板、液晶显示面板及其制造方法、液晶显示设备
技术领域
本发明涉及显示基板、液晶显示面板及其制造方法、以及具有该液晶显示面板的液晶显示设备。
背景技术
液晶显示面板已得到广泛多样的应用。通常，液晶显示面板包括彼此面对的对盒基板和阵列基板。薄膜晶体管、栅线、数据线、像素电极、公共电极和公共电极信号线设置在阵列基板和对盒基板上。在这两个基板之间，注入液晶材料以形成液晶层。与液晶显示面板有关的一个普遍问题就是漏光。为了防止漏光，在对盒基板上放置黑矩阵。具有较大的黑矩阵的液晶显示面板能够更好地防止漏光。然而，采用较大面积的黑矩阵会使液晶显示设备的开口率减小。
发明内容
在一个方面，本公开提供了一种液晶显示面板，包括：阵列基板，其包括具有多列数据线的数据线层；面对阵列基板的对盒基板，其包括底部基板和位于底部基板上的导电材料层，所述导电材料层包括用于防止漏光的多个导电材料列；以及黑矩阵层，其包括与多个导电材料列和多列数据线相对应的多个黑矩阵列；其中，所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
可选地，导电材料层配置为被供应有公共电极电压。
可选地，导电材料层为悬浮电极层。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于相应的一列数据线的宽度。
可选地，阵列基板包括：公共电极层；第一绝缘层，其位于公共电极层上；数据线层，其位于第一绝缘层的远离公共电极层的一侧；第二绝缘层，其位于数据线层的远离第一绝缘层的一侧；以及像素电极层，其位于第二绝缘层的远离数据线层的一侧；其中，公共电极层电连接至对盒基板中的导电材料层；多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
可选地，导电材料层由透明金属材料制成。
可选地，黑矩阵层位于对盒基板中；并且导电材料层位于黑矩阵层的靠近底部基板的一侧。
在另一个方面，本公开提供了一种制造液晶显示面板的方法，包括形成阵列基板的步骤以及形成面对所述阵列基板的对盒基板的步骤；其中，所述形成阵列基板的步骤包括：形成包括多列数据线的数据线层；并且所述形成对盒基板的步骤包括：在底部基板上形成包括用于防止漏光的多个导电材料列的导电材料层；所述方法还包括步骤：形成黑矩阵层，所述黑矩阵层包括对应于所述多个导电材料列和所述多列数据线的多个黑矩阵列；其中，所述黑矩阵层形成为使得所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
可选地，形成阵列基板的步骤还包括：形成与对盒基板中的导电材料层电连接的公共电极层。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
可选地，形成阵列基板包括以下步骤：形成公共电极层；在公共电极层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离公共电极层的一侧形成数据线层；在数据线层的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层的远离数据线层的一侧形成像素电极层；其中，公共电极层形成为电连接至对盒基板中的导电材料层；多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
在另一方面，本公开提供了一种显示基板，包括：底部基板；位于底部基板上的黑矩阵层，其包括多个黑矩阵列；以及位于底部基板上的导电材料层，其包括对应于多个黑矩阵列的多个导电材料列；其中，所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度在约1.75μm至约5.25μm的范围内。
可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内。
可选地，导电材料层由透明金属材料制成。
可选地，导电材料层位于黑矩阵层的靠近底部基板的一侧。
在另一方面，本公开提供了一种液晶显示设备，其包括本文所述的液晶显示面板或者由本文所述的方法制造的液晶显示面板。
附图说明
以下附图仅仅是根据所公开的各种实施例的以示意性为目的的示例，并非旨在限定本发明的范围。
图1是示出常规显示面板的结构的示图。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图5是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图6是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图7是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的一些示例性液晶显示面板内漏光距离和漏光率的示图。
图10是示出漏光率同导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比(“比例1”)之间的相关性的图表。
图11是示出漏光率同导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比(“比例2”)之间的相关性的图表。
具体实施方式
现在将参照以下实施例更加详细地描述本公开。应当注意的是，在本文中，一些实施例的以下描述仅仅是以示意和说明为目的而呈现的。其并非意为详尽的或者限于所公开的精确形式。
图1是示出常规显示面板的结构的示图。参照图1，常规显示面板为高级超维场转换(ADS)液晶显示面板。图1中的显示面板包括对盒基板(顶部)和阵列基板(底部)。对盒基板包括位于底部基板BS1上的黑矩阵BM和位于黑矩阵BM的远离底部基板BS1的一侧的彩膜层CF。阵列基板包括：位于底部基板BS2上的公共电极层CE、位于公共电极层CE的远离底部基板BS2的一侧的第一绝缘层IN1、位于第一绝缘层IN1的远离底部基板BS2和公共电极层CE的一侧的数据线层DL、位于数据线层DL的远离第一绝缘层IN1的一侧的第二绝缘层IN2，以及位于第二绝缘层IN2的远离数据线层DL的一侧的像素电极PE。图1所示的数据线DL位于液晶显示面板的子像素间区，即，数据线DL设于两个相邻的子像素之间。图1中的黑矩阵BM位于子像素间区中，并且彩膜层CF位于子像素区中。
如本文所用，子像素区是指子像素的发光区，例如，液晶显示器中对应于像素电极的区域，或者有机发光显示器中对应于发光层的区域。可选地，一个像素可包括对应于该像素中若干个子像素的若干个分隔开的发光区。可选地，子像素区是红色子像素的发光区。可选地，子像素区是绿色子像素的发光区。可选地，子像素区是蓝色子像素的发光区。可选地，子像素区是白色子像素的发光区。如本文所用，子像素间区是指相邻子像素区之间的区域，例如，液晶显示器中对应于黑矩阵的区域，或者有机发光显示器中对应于像素界定层的区域。可选地，子像素间区是同一个像素中的相邻子像素区之间的区域。可选地，子像素间区是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区之间的区域。可选地，子像素间区是红色子像素的子像素区与相邻的绿色子像素的子像素区之间的区域。可选地，子像素间区是红色子像素的子像素区与相邻的蓝色子像素的子像素区之间的区域。可选地，子像素间区是绿色子像素的子像素区与相邻的蓝色子像素的子像素区之间的区域。
如图1所示，常规显示面板由于数据线DL周围的边缘电场所造成的向错线(disclination line)而导致开口率变小。由于数据线DL周围的边缘电场，使得在这一区域中存在漏光区LLR。为了防止漏光，需要在对盒基板的相应区域中设置宽度等于或大于漏光区LLR的宽度的黑矩阵BM。
尽管黑矩阵BM能够防止漏光，但是在本公开中发现，显示面板上的较大黑矩阵层导致开口率明显变小。例如，在典型的液晶显示面板中，数据线具有约3.5μm的宽度，并且相邻的像素电极与数据线之间的距离为约3.5μm。为了充分地防止由边缘电场导致的漏光，需要宽度大小为24μm的黑矩阵。这样的设计导致相对低的开口率。在高分辨率显示面板中，这一点尤其成问题。
因此，本发明特别提出了一种显示基板、高开口率液晶显示面板和具有该高开口率液晶显示面板的高开口率液晶显示设备，其基本避免了由于现有技术的限制和缺点而导致的问题中的一个或多个。在一个方面，本公开提供了一种液晶显示面板，其具有对盒基板和面对所述对盒基板的阵列基板。在一些实施例中，液晶显示面板还包括黑矩阵层，所述黑矩阵层包括多个黑矩阵列(以及可选地，与所述多个黑矩阵列交叉的多个黑矩阵行)。可选地，黑矩阵层位于阵列基板中。可选地，黑矩阵层位于对盒基板中。在一些实施例中，液晶显示面板的对盒基板包括底部基板和位于底部基板上的导电材料层，所述导电材料层包括用于防止漏光的多个导电材料列，所述多个导电材料列对应于多个黑矩阵列。在一些实施例中，液晶显示面板的阵列基板包括数据线层，该数据线层包括多列数据线，所述多列数据线对应于对盒基板中的多个导电材料列并且对应于多个黑矩阵列。阵列基板还可包括栅线层，其包括多行栅线。栅线层和数据层设于液晶显示面板的子像素间区中。多行栅线和多列数据线彼此交叉，限定出多个子像素。阵列基板还可包括液晶显示面板的其它组件，例如，底部基板、有源层、栅极、源极和漏极、电连接至漏极的像素电极、公共电极信号线以及电连接至公共电极信号线的公共电极。可选地，像素电极位于公共电极的远离阵列基板中的底部基板的一侧。可选地，公共电极位于像素电极的远离阵列基板中的底部基板的一侧。
在一些实施例中，所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。可选地，黑矩阵列例如两侧均比导电材料列宽。可选地，导电材料列例如两侧均比黑矩阵列宽。可选地，黑矩阵列的宽度实质上等于导电材料列的宽度。可选地，所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影实质上在相应的黑矩阵列在底部基板上的投影内。可选地，所述多个黑矩阵列中的每一个在底部基板上的投影实质上在相应的导电材料列在底部基板上的投影内。
所述液晶显示面板可以是各种合适的液晶显示面板中的任意一种，例如，ADS液晶显示面板、平面内(in-plane)液晶显示面板、或者边缘电场会出现在数据线区周围的任何液晶显示面板。此外，所述液晶显示面板可以是透射型显示面板和反射型显示面板之一。可选地，所述液晶显示面板是ADS液晶显示面板。
在一些实施例中，导电材料层为悬浮电极层。可选地，对盒基板中的导电材料层配置为被供应有低电压，例如公共电极电压。
在一些实施例中，对盒基板中的导电材料层配置为被供应有低电压，例如公共电极电压。例如，导电材料层可电连接至显示面板中的低电压端子。可选地，导电材料层电连接至地。可选地，导电材料层电连接至公共电极或公共电极信号线，例如，阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线。可选地，导电材料层通过引线电连接至阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线。可选地，导电材料层通过密封层电连接至阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线，所述密封层用于将阵列基板和对盒基板密封在一起，并且包括多个导电部件(例如，金球)。
可选地，导电材料层为黑矩阵层。可选地，导电材料层构成黑矩阵层的一部分。
可使用各种适当的导电材料和各种适当的制造方法来制造对盒基板中的导电材料层。例如，可(例如，通过溅射、气相沉积、溶液涂覆或旋涂)在基板上沉积导电材料；并且(例如，通过诸如湿刻蚀工艺的光刻)对导电材料进行图案化以形成导电材料层。用于制造导电材料层的适当的导电材料的示例包括但不限于：各种金属材料，例如纳米银、钼、铝、银、铬、钨、钛、钽、铜以及包含这些材料的合金或层压物；以及各种导电金属氧化物，例如铟锡氧化物。可选地，导电材料层由透明金属材料(例如，纳米银)制成。
可使用各种适当的黑色材料和各种适当的制造方法来制造对盒基板中黑矩阵层。例如，可(例如，通过溅射、气相沉积、溶液涂覆或旋涂)在基板上沉积黑色材料；并且(例如，通过诸如湿刻蚀工艺的光刻)对导电材料进行图案化以形成导电材料层。用于制造黑矩阵层的适当的黑色材料的示例包括但不限于有机黑色材料或无机黑色材料。可选地，黑矩阵层由诸如含颜料树脂的有机黑色材料制成。可选地，黑矩阵层由绝缘黑色材料制成。
图2是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图2，液晶显示面板包括对盒基板和面对所述对盒基板的阵列基板。液晶显示面板的对盒基板包括：底部基板BS1；位于底部基板BS1上的黑矩阵层BM；以及位于底部基板BS1上的导电材料层CML。黑矩阵层BM包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列。导电材料层CML包括对应于多个黑矩阵列的多个导电材料列。所述多个导电材料列CML中的每一个在底部基板BS1上的投影与相应的黑矩阵列BM在底部基板BS1上的投影至少部分地重叠。例如，在图2中，黑矩阵列BM的投影完全覆盖导电材料列CML的投影，即，导电材料列CML在底部基板BS1上的投影位于黑矩阵列BM在底部基板BS1上的投影内。
参照图2，液晶显示面板的阵列基板包括数据线层DL、公共电极层CE和像素电极层PE。具体而言，阵列基板包括：位于底部基板BS2上的公共电极层CE；位于公共电极层CE的远离底部基板BS2的一侧的第一绝缘层IN1；位于第一绝缘层IN1的远离公共电极层CE的一侧的数据线层DL；位于数据线层DL的远离第一绝缘层IN1的一侧的第二绝缘层IN2；以及位于第二绝缘层IN2的远离数据线层DL的一侧的像素电极层PE。
可选地，导电材料层CML位于黑矩阵层BM的靠近对盒基板中的底部基板BS1的一侧(如图2所示)。
可选地，对盒基板还包括彩膜层CF。可选地，彩膜层CF包括不同颜色的多个彩膜块。例如，彩膜层CF可包括红色彩膜块、绿色彩膜块和蓝色彩膜块。彩膜层基本位于子像素区中，黑矩阵层BM基本位于子像素间区中。
数据线层DL包括多列数据线，其对应于对盒基板中的多个导电材料列CML。在图2中，所述多个导电材料列CML中的每一个的宽度实质上等于相应的一列数据线DL的宽度。
图3是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图3，在本实施例中，导电材料列CML的宽度小于相应的数据线DL的宽度。
图4是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图4，在本实施例中，导电材料列CML的宽度大于相应的数据线DL的宽度。
在一些实施例中，所述多列数据线中的每一个在底部基板BS2上的投影与相应的导电材料列CML在底部基板BS2上的投影至少部分地重叠。可选地，数据线DL例如两侧均比导电材料列CML宽。可选地，导电材料列CML例如两侧均比数据线DL宽。可选地，数据线DL的宽度实质上等于导电材料列CML的宽度。可选地，所述多个导电材料列中的每一个在底部基板BS2上的投影实质上在相应的数据线DL在底部基板BS2上的投影内。可选地，所述多列数据线DL中的每一列在底部基板BS2上的投影实质上在相应的导电材料列CML在底部基板BS2上的投影内。
在一些实施例中，多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.5:1至约1.5:1的范围内，例如，在约0.6:1至约1.4:1的范围内、在约0.7:1至约1.3:1的范围内、在约0.8:1至约1.2:1的范围内、在约0.9:1至约1.1:1的范围内或者在约0.95:1至约1.05:1的范围内。可选地，多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
在一些实施例中，导电材料列的宽度在约1.75μm至约5.25μm的范围内，例如，在约2.1μm至约4.9μm的范围内、在约2.45μm至约4.55μm的范围内、在约2.8μm至约4.2μm的范围内、在约3.15μm至约3.85μm的范围内或者在约3.325μm至约3.675μm的范围内。可选地，导电材料列的宽度在约2.8μm至约4.2μm的范围内。可选地，导电材料列的宽度为约3.5μm。
在一些实施例中，黑矩阵列的宽度在约23μm至约20μm的范围内，例如，在约22μm至约20μm的范围内、在约21μm至约20μm的范围内。可选地，黑矩阵列的宽度为约20μm。
在图2中，本实施例中的导电材料列CML的宽度小于相应的黑矩阵列BM的宽度。图5是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图5，在本实施例中，导电材料列CML的宽度实质上等于相应的黑矩阵列BM的宽度。图6是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图6，在本实施例中，导电材料列CML的宽度大于相应的黑矩阵列BM的宽度。
在一些实施例中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。通过采用这样的设计，在例如导电材料层由不透明金属制成时，显示面板的开口率基本不会受到导电材料层的加入的影响。可选地，多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内，例如，在约1:10至约2.5:10的范围内、在约1.5:10至约1:5的范围内、在约1.7:10至约1.8:10的范围内。可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约1.75:10。
在图2中，导电材料层CML位于黑矩阵层BM的靠近对盒基板中的底部基板BS1的一侧，即，黑矩阵层BM在导电材料层CML的远离对盒基板中的底部基板BS1的一侧。图7是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图7，黑矩阵层BM位于导电材料层CML的靠近对盒基板中的底部基板BS1的一侧，即，导电材料层CML位于黑矩阵层BM的远离对盒基板中的底部基板BS1的一侧。可选地，黑矩阵层可具有两个子层，导电材料层被夹在黑矩阵层的两个子层之间。
图8是示出根据本公开的一些实施例中的液晶显示面板的结构的示图。参照图8，导电材料层包括两个子层CML1和CML2。第一子层CML1和第二子层CML2的投影与相应的数据线DL的投影不重叠。
表1是一些实施例中的一些示例性液晶显示面板内漏光距离和漏光率的总结。在常规的显示面板中，数据线的宽度为3.5μm，数据线与相邻的像素电极之间的距离为3.5μm，并且黑矩阵列的宽度为24μm。在面板1至面板6中，数据线的宽度为3.5μm，数据线与相邻的像素电极之间的距离为3.5μm。在面板1中，导电材料列的宽度实质上等于黑矩阵列的宽度。在面板2中，导电材料列的宽度比黑矩阵列的宽度大出约1μm。在面板3中，导电材料列的宽度比黑矩阵列的宽度小了约1μm。在面板4中，导电材料列的宽度比黑矩阵列的宽度小了约5μm。在面板5中，导电材料列的宽度实质上等于数据线的宽度。在面板6中，导电材料列的宽度比数据线的宽度小了约2μm。
表1
根据本公开的一些实施例中的一些示例性液晶显示面板内的漏光距离和漏光率
漏光距离(μm) 漏光率
常规显示面板 12.05 59.67％
面板1 10.55 37.46％
面板2 10.55 37.74％
面板3 10.55 37.64％
面板4 10.5 37.54％
面板5 10.05 13.14％
面板6 11.55 44.78％
在面板1中，黑矩阵列的宽度为约21μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约1:1，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为6:1。
在面板2中，黑矩阵列的宽度为约21μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约1.04:1，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为6.3:1。
在面板3中，黑矩阵列的宽度为约21μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约0.95:1，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为5.7:1。
在面板4中，黑矩阵列的宽度为约21μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约0.76:1，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为4.6:1。
在面板5中，黑矩阵列的宽度为约20μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约1.75:10，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为1:1。
在面板6中，黑矩阵列的宽度为约23μm，导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约0.65:10，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比为4.3:10。
如表1所示，对盒基板中的导电材料层的加入显著降低了漏光距离(例如，降低了4％至17％)和漏光率(例如，降低了25％至78％)。由于漏光距离和漏光率显著下降，因此，黑矩阵的宽度也可以相应地减小(例如，减小17％)，这导致开口率大大改善。
图9是示出根据本公开的一些实施例中的一些示例性液晶显示面板内漏光距离和漏光率的示图。如图9所示，漏光距离是在显示面板中不包括黑矩阵层时数据线的中点与漏光率等于0.3％的点之间在X轴上的距离，漏光率为显示面板的背光的透光率。
图10是示出漏光率同导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比(“比例1”)之间的相关性的图表。如图10所示,当导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内时，可实现相对低的漏光率。类似地，当导电材料列的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内时，可实现相对小的漏光距离(附图中未示出)。
图11是示出漏光率同导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比(“比例2”)之间的相关性的图表。如图10所示,当导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比在约0.5:1至约6.3:1的范围内时，可实现相对低的漏光率。类似地，当导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比在约0.5:1至约6.3:1的范围内时，可实现相对小的漏光距离(附图中未示出)。
相应地，在另一方面，本公开提供了一种新颖的用于高开口率液晶显示面板的显示基板。在一些实施例中，显示基板包括；底部基板；位于底部基板上的黑矩阵层，其包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列；以及位于底部基板上的导电材料层，其包括对应于多个黑矩阵列的多个导电材料列。多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。可选地，多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内，例如，在约1:10至约2.5:10的范围内、在约1.5:10至约1:5的范围内、在约1.7:10至约1.8:10的范围内。可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比为约1.75:10。
在一些实施例中，导电材料列的宽度与相应的数据线的宽度之比在约0.5:1至约6.3:1的范围内，例如，在约0.5:1至约1.5:1的范围内、在约1.5:1至约2.5:1的范围内、在约2.5:1至约3.5:1的范围内、在约3.5:1至约4.5:1的范围内、在约4.5:1至约5.5:1的范围内、在约5.5:1至约6.3:1的范围内。在一些实施例中，导电材料列的宽度在约1.75μm至约22.05μm的范围内，例如，在约1.75μm至约5.25μm的范围内、在约5.25μm至约8.75μm的范围内、在约8.75μm至约12.25μm的范围内、在约12.25μm至约15.75μm的范围内、在约15.75μm至约19.25μm的范围内、在约19.25μm至约22.05μm的范围内。
在一些实施例中，导电材料列的宽度在约1.75μm至约5.25μm的范围内，例如，在约2.1μm至约4.9μm的范围内、在约2.45μm至约4.55μm的范围内、在约2.8μm至约4.2μm的范围内、在约3.15μm至约3.85μm的范围内或者在约3.325μm至约3.675μm的范围内。可选地，导电材料列的宽度在约2.8μm至约4.2μm的范围内。可选地，导电材料列的宽度为约3.5μm。
在一些实施例中，黑矩阵列的宽度在约23μm至约20μm的范围内，例如，在约22μm至约20μm的范围内、在约21μm至约20μm的范围内。可选地，黑矩阵列的宽度为约20μm。
可选地，导电材料层位于黑矩阵层的靠近对盒基板中的底部基板的一侧，即，黑矩阵层在导电材料层的远离对盒基板中的底部基板的一侧。可选地，黑矩阵层位于导电材料层的靠近对盒基板中的底部基板的一侧，即，导电材料层在黑矩阵层的远离对盒基板中的底部基板的一侧。可选地，黑矩阵层可具有两个子层，导电材料层被夹在黑矩阵层的两个子层之间。
在另一方面，本公开提供了一种制造用于液晶显示面板的显示基板的方法。在一些实施例中,所述制造方法包括以下步骤：在底部基板上形成黑矩阵层，所述黑矩阵层包括彼此交叉的多个黑矩阵行和多个黑矩阵列；以及在底部基板上形成导电材料层，所述导电材料层包括对应于多个黑矩阵列的多个导电材料列。所述导电材料层形成为使得所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
在另一方面，本公开提供了一种制造液晶显示面板的方法。在一些实施例中，所述方法包括形成对盒基板的步骤以及形成面对对盒基板的阵列基板的步骤。可选地，所述形成阵列基板的步骤包括：形成包括多列数据线的数据线层。可选地，所述形成对盒基板的步骤包括：形成包括用于防止漏光的多个导电材料列的导电材料层，所述多个导电材料列对应于底部基板上的多个黑矩阵列，并且对应于多列数据线。可选地，所述方法还包括形成黑矩阵层的步骤，所述黑矩阵层包括对应于所述多个导电材料列和所述多列数据线的多个黑矩阵列。可选地，黑矩阵层形成在对盒基板中。可选地，黑矩阵层形成在阵列基板中。所述导电材料层和黑矩阵层形成为使得所述多个导电材料列中的每一个在底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在底部基板上的投影至少部分地重叠。
在一些实施例中，所述方法还包括将导电材料层电连接至显示面板中的低电压端子的步骤。可选地，所述方法包括将导电材料层电连接至地的步骤。可选地，所述方法包括：将导电材料层电连接至公共电极或公共电极信号线，例如，阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线。可选地，所述方法包括：形成引线，并且将导电材料层通过引线电连接至阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线。可选地，所述方法还包括以下步骤：形成用于将阵列基板和对盒基板密封在一起的密封层，所述密封层包括多个导电部件(例如，金球)；以及将导电材料层通过密封层中的导电部件电连接至阵列基板中的公共电极层或公共电极信号线。可选地，形成阵列基板的步骤包括形成与对盒基板中的导电材料层电连接的公共电极层的步骤。
在一些实施例中，将导电材料层和数据线层形成为使得多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.5:1至约1.5:1的范围内，例如，在约0.6:1至约1.4:1的范围内、在约0.7:1至约1.3:1的范围内、在约0.8:1至约1.2:1的范围内、在约0.9:1至约1.1:1的范围内或者在约0.95:1至约1.05:1的范围内。可选地，多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于相应的一列数据线的宽度。
在一些实施例中，形成阵列基板的步骤包括：形成公共电极层；在公共电极层上形成第一绝缘层；在第一绝缘层的远离公共电极层的一侧形成数据线层；在数据线层的远离第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；以及在第二绝缘层的远离数据线层的一侧形成像素电极层。可选地，公共电极层形成为电连接至对盒基板中的导电材料层。可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。可选地，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于相应的一列数据线的宽度。
可选地，形成对盒基板的步骤还包括形成彩膜层。可选地，形成彩膜层的步骤包括形成不同颜色的多个彩膜块。例如，彩膜层可包括红色彩膜块、绿色彩膜块和蓝色彩膜块。彩膜层形成为基本上位于子像素区中，并且黑矩阵层形成为基本上位于子像素间区中。
在另一方面，本公开提供了一种液晶显示设备，其具有本文所述的液晶显示面板或者由本文所述的方法制造的液晶显示面板。适当的显示设备的示例包括(但不限于)电子纸、移动电话、平板计算机、电视、显示器、笔记本计算机、数码相册、GPS等。
已经以示意和说明为目的而呈现了本发明实施例的以上描述。其并非旨在穷举性的，也并非旨在将本发明限于所公开的精确形式或示例性实施例。因此，以上描述应当视为示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变化对于本领域技术实践人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理及其最佳模式的实际应用，以使得本领域技术人员能够通过各种实施例以及适于特定应用或所构思的实施方式的各种修改例来理解本发明。除非另外指明，否则本发明的范围旨在由所附权利要求及其等价形式限定，在其中所有术语应当被理解为其最宽泛的合理含义。因此，术语“所述发明”、“本发明”等并不一定将权利要求的范围限定在特定的实施例，并且参照本发明示例性实施例并不意味着对本发明的限制，也不应推断出任何这样的限制。本发明仅由所附权利要求的精神和范围所限制。此外，这些权利要求可适于在名词或元件之前使用“第一”、“第二”等。这些术语应当理解为一种命名法，而不应被理解为对这些命名法所修饰的元件的数量进行限制，除非已经给出了具体的数量。所描述的任何优点和益处可不适用于本发明的所有实施例。应当理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本发明的范围的情况下，本领域技术人员可以对所描述的实施例进行各种变化。此外，本公开的任何元件和组件均不旨在贡献给公众，无论所述元件或组件是否在所附权利要求中明确记载。

Claims (21)

1.一种液晶显示面板，包括：
阵列基板，其包括具有多列数据线的数据线层；
面对所述阵列基板的对盒基板，其包括底部基板和位于所述底部基板上的导电材料层，所述导电材料层包括用于防止漏光的多个导电材料列；以及
黑矩阵层，其包括与所述多个导电材料列和所述多列数据线相对应的多个黑矩阵列；
其中，所述多个导电材料列中的每一个在所述底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在所述底部基板上的投影至少部分地重叠。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述导电材料层配置为被供应有公共电极电压。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述导电材料层为悬浮电极层。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
7.根据权利要求6所述的液晶显示面板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于相应的一列数据线的宽度。
8.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述阵列基板包括：公共电极层；第一绝缘层，其位于所述公共电极层上；数据线层，其位于所述第一绝缘层的远离所述公共电极层的一侧；第二绝缘层，其位于所述数据线层的远离所述第一绝缘层的一侧；以及像素电极层，其位于所述第二绝缘层的远离所述数据线层的一侧；
其中，所述公共电极层电连接至所述对盒基板中的导电材料层；所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
9.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述导电材料层由透明金属材料制成。
10.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其中，所述黑矩阵层位于所述对盒基板中；并且所述导电材料层位于所述黑矩阵层的靠近所述底部基板的一侧。
11.一种液晶显示设备，包括根据权利要求1至10中的任一项所述的液晶显示面板。
12.一种制造液晶显示面板的方法，包括形成阵列基板的步骤以及形成面对所述阵列基板的对盒基板的步骤；
其中，所述形成阵列基板的步骤包括：形成包括多列数据线的数据线层；并且
所述形成对盒基板的步骤包括：在底部基板上形成导电材料层，所述导电材料层包括用于防止漏光的多个导电材料列；
所述方法还包括步骤：形成黑矩阵层，所述黑矩阵层包括对应于所述多个导电材料列和所述多列数据线的多个黑矩阵列；
其中，所述黑矩阵层形成为使得所述多个导电材料列中的每一个在所述底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在所述底部基板上的投影至少部分地重叠。
13.根据权利要求12的方法，其中，所述形成阵列基板的步骤还包括：形成与所述对盒基板中的导电材料层电连接的公共电极层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述形成阵列基板的步骤包括：形成公共电极层；在所述公共电极层上形成第一绝缘层；在所述第一绝缘层的远离所述公共电极层的一侧形成数据线层；在所述数据线层的远离所述第一绝缘层的一侧形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层的远离所述数据线层的一侧形成像素电极层；
其中，所述公共电极层形成为电连接至所述对盒基板中的导电材料层；所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的一列数据线的宽度之比在约0.8:1至约1.2:1的范围内。
16.一种显示基板，包括：
底部基板；
位于所述底部基板上的黑矩阵层，其包括多个黑矩阵列；以及位于所述底部基板上的导电材料层，其包括对应于所述多个黑矩阵列的多个导电材料列；
其中，所述多个导电材料列中的每一个在所述底部基板上的投影与相应的黑矩阵列在所述底部基板上的投影至少部分地重叠。
17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度实质上等于或小于相应的黑矩阵列的宽度。
18.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度在约1.75μm至约5.25μm的范围内。
19.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述多个导电材料列中的每一个的宽度与相应的黑矩阵列的宽度之比在约1:10至约1.1:1的范围内。
20.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述导电材料层由透明金属材料制成。
21.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述导电材料层位于所述黑矩阵层的靠近所述底部基板的一侧。
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