CN108751123A - 一种接触窗的形成方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种接触窗的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；在保护层上形成开设有第一腔的光阻层；刻蚀去除第一腔下的保护层材料，在保护层上形成第二腔；采用第一混合气体刻蚀去除第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀接触窗层材料的过程中保护欧姆接触层。本发明提供的方法，用以解决现有技术中制备MEMS器件的接触窗，存在的所制备器件的良率和可靠性低的技术问题。实现了提高器件的良率和可靠性的技术效果。

Description

一种接触窗的形成方法
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种接触窗的形成方法。
背景技术
在半导体制造技术发展的基础上,微机电系统(Micro-Electro-MechanicalSystem，MEMS)也随之得到发展，MEMS也叫做微电子机械系统、微系统、微机械等，其内部结构一般在微米甚至纳米量级，是一个独立的智能系统。MEMS的制造工艺融合了光刻、腐蚀、薄膜、硅微加工、非硅微加工和精密机械加工等半导体微电子工艺技术，侧重于超精密机械加工，涉及微电子、材料、力学、化学、机械学诸多学科领域。它的学科面涵盖微尺度下的力、电、光、磁、声、表面等物理、化学、机械学的各分支。常见的MEMS产品包括MEMS加速度计、MEMS麦克风、微马达、微泵、微振子、MEMS光学传感器、MEMS压力传感器、MEMS陀螺仪、MEMS湿度传感器、MEMS气体传感器等等以及它们的集成产品。
由于MEMS器件内往往设置有精密结构，例如悬臂结构或精密电路等，且器件内的洁净度也对内部精密结构的运作有较大影响，故往往设置较厚的保护层(例如SiN盖)才能有效的阻挡外界腐蚀(例如电镀液)和外力对保护层内部精密结构的损坏。然而，在许多MEMS器件中，电镀金属需要穿过保护层和接触窗层去与器件内部实现电连接，故必须制造穿通保护层和接触窗层的接触窗，这就需要刻蚀较厚的保护层。
现有的MEMS器件接触窗刻蚀方法主要为PAD-like蚀刻法。主要是固定刻蚀温度和蚀刻时间，先用CHyFx蚀刻接触窗内的保护层材料，然后以CHyFx和CF4的混合气体蚀刻接触窗内的接触窗层材料(例如SiO2)。。
发明内容
本发明通过提供一种接触窗的形成方法，解决了现有技术中采用PAD-like蚀刻法制备MEMS器件的接触窗，存在的所制备器件的良率和可靠性低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明的实施例提供了如下技术方案：
一种接触窗的形成方法，包括：
提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；
在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层；
刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，在所述保护层上形成第二腔；
采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，所述第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层材料的过程中保护所述欧姆接触层。
可选的，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层，包括：在20℃-40℃温度下，刻蚀去除所述第一腔下的保护层；所述采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层，包括：在-10℃-0℃温度下，采用混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层。
可选的，所述第一混合气体还包括：CF4、CHF3、CH3F、Ar、O2和He。
可选的，所述第一混合气体中C5F8的体积比上CO的体积的比值范围为2-3。
可选的，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：采用第二混合气体刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料；其中，所述第二混合气体包括CF4和CHnFm，其中，n,m均为正整数。
可选的，所述去除所述光阻层，包括：采用O2去除所述光阻层。
可选的，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：按预设刻蚀时长进行刻蚀，以刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料。
可选的，在所述刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料之前，还包括：去除所述光阻层；所述刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，包括：基于终点蚀刻侦测技术刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料。
可选的，所述保护层的厚度是所述接触窗层的厚度的1.5-2倍。
可选的，所述欧姆接触层材料为N型掺杂的半导体材料或P型掺杂的半导体材料；所述接触窗层材料为SiO2或SiOC；所述保护层材料为SiN或SiON。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案，至少具有如下技术效果或优点：
1、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，在刻蚀接触窗层时，以之前刻蚀出第二腔的保护层作为刻蚀阻挡层，并采用包括C5F8和CO的第一混合气体来刻蚀接触窗层，由于C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，以获得所述接触窗层对所述保护层的高选择比，实现能直接以所述保护层作为刻蚀阻挡层。CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层的过程中保护所述欧姆接触层，以获得所述接触窗层对所述欧姆接触层的高选择比，从而能更完整的保留所述欧姆接触层，提高器件的良率和可靠性。
2、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，由于能提供较高的所述接触窗层对所述欧姆接触层的选择比，故不用担心对欧姆接触层的过度刻蚀，可以设置更长的刻蚀时间以弥补刻蚀均匀度，减少瞎窗发生的几率，进一步提高器件良率及可靠性。
3、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，设置刻蚀所述保护层的温度为20℃-40℃，刻蚀所述接触窗层的温度为-10℃-0℃，通过降低刻蚀所述接触窗层的刻蚀温度，进一步提高所述接触窗层对所述保护层和所述欧姆接触层的选择比，从而进一步提高器件的良率和可靠性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例中接触窗形成方法的流程图；
图2为本申请实施例中接触窗形成的工艺流程图一；
图3为本申请实施例中接触窗形成的工艺流程图二；
图4为本申请实施例中接触窗形成的工艺流程图三；
图5为本申请实施例中接触窗形成的工艺流程图四。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种接触窗的形成方法，解决了现有技术中制备MEMS器件的接触窗，存在的所制备器件的良率和可靠性低的技术问题。实现了提高器件的良率和可靠性的技术效果。
为解决上述技术问题，本申请实施例提供技术方案的总体思路如下：
本申请提供一种接触窗的形成方法，包括：
提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；
在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层；
刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，在所述保护层上形成第二腔；
采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，所述第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层材料的过程中保护所述欧姆接触层。
本申请实施例提供的接触窗的形成方法，在刻蚀接触窗层材料时，以之前刻蚀出第二腔的保护层作为刻蚀阻挡层，并采用包括C5F8和CO的第一混合气体来刻蚀接触窗层，由于C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，以获得所述接触窗层对所述保护层的高选择比，实现能直接以所述保护层作为刻蚀阻挡层。CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层的过程中保护所述欧姆接触层，以获得所述接触窗层对所述欧姆接触层的高选择比，从而能更完整的保留所述欧姆接触层，提高器件的良率和可靠性。
为了更好的理解上述技术方案，下面将结合具体的实施方式对上述技术方案进行详细说明，应当理解本发明实施例以及实施例中的具体特征是对本申请技术方案的详细的说明，而不是对本申请技术方案的限定，在不冲突的情况下，本申请实施例以及实施例中的技术特征可以相互组合。
在本申请实施例中，提供了一种接触窗的形成方法，如图1所示，所述方法包括：
步骤S101，提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；
步骤S102，在所述保护层上沉积开设有第一腔的光阻层；
步骤S103，刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，在所述保护层上形成第二腔；
步骤S104，采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，所述第一混合气体包括C5F8和CO，其中，C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层材料的过程中保护所述欧姆接触层，其中，x和y均为正整数。
需要说明的是，经研究采用PAD-like蚀刻法存在两个问题，一是，PAD-like蚀刻法很容易穿透接触窗层下的欧姆接触层，导致不能形成欧姆接触，使得接触窗的电阻值变高至不符合电性能规格，导致MEMS器件某些功能故障。二是，PAD-like蚀刻法的刻蚀均匀度较差，容易在晶圆中间或边缘造成瞎窗，使得层间断连，导致器件出现故障，存在良率和可靠性低的技术问题。本实施例提供的接触窗形成方法通过采用C5F8和CO的第一混合气体，能有效解决上述两个问题，本实施例提供的方法尤其适用于制备带有较厚的保护层的MEMS器件的接触窗，以避免刻蚀掉器件内的欧姆接触层。具体来讲，对于所述保护层的厚度是所述接触窗层的厚度的1.5-2倍的MEMS器件，采用本实施例提供的方法，不仅能完整保留器件内的欧姆接触层，还能在对保护层和接触窗口层实现充分刻蚀的基础上保证刻蚀均匀度，避免出现瞎窗，以使器件符合需要的层与层间连接的接触窗电阻的规格。
在本申请实施例中，所述衬底1可以为Si衬底、Ge衬底或GaAs衬底；所述欧姆接触层2可以为N型掺杂的半导体材料或P型掺杂的半导体材料，具体可以为掺杂后的Si、Ge或GaAs等半导体材料，在此不作限制，也不再一一列举。较优的，考虑到工艺简化，可以设置所述欧姆接触层2为掺杂后的衬底材料。
在本申请实施例中，所述接触窗层材料可以为SiO2或SiOC，所述保护层材料可以为SiN或SiON，在此也不作限制。
下面，结合图1-5来详细介绍本申请提供方法的详细步骤，其中，图2-图5依次为制造接触窗的过程中由先至后的工艺步骤图：
首先，执行步骤S101，提供衬底1，所述衬底1上如图2所示，依次设置有欧姆接触层2、接触窗层3和保护层4。
在本申请实施例中，所述提供衬底1可以有多种方式，下面列举四种为例：
第一种，所述提供衬底1可以是在晶圆衬底1上依次沉积欧姆接触层2、接触窗层3和保护层4的过程；
第二种，所述提供衬底1也可以是将其他厂商或其他产线制备的已经沉积有欧姆接触层2、接触窗层3和保护层4的晶圆衬底1准备并放置于形成接触窗的工艺环境的过程；
第三种，所述提供衬底1还可以是将其他厂商或其他产线制备的已经沉积有欧姆接触层2的半成品衬底准备并放置于形成接触窗的工艺环境，再在该半成品衬底上沉积接触窗层3和保护层4的过程；
第四种，所述提供衬底1还可以是将其他厂商或其他产线制备的已经沉积有欧姆接触层2和接触窗层3的半成品衬底准备并放置于形成接触窗的工艺环境，再在该半成品衬底上沉积保护层4的过程。
当然，在具体实施过程中，提供衬底1不限于上述四种方式，在此不做限制，也不再一一列举。
然后，执行步骤S102，如图2所示，在所述保护层4上形成开设有第一腔201的光阻层5。
具体来讲，该步骤S102可以包括：
先通过溅射沉积、物理气相沉积或化学沉积等沉积技术在所述保护层4上均匀沉积一层光阻层5，所述光阻层5可以为光阻材料、光刻胶或抗蚀剂，具体可以为正性光致抗蚀剂或负性光致抗蚀剂，在此不作限制；
然后通过光刻工艺在所述光阻层5上刻蚀出所述第一腔201，其中，所述第一腔201的尺寸和位置是通过预先绘制在光刻掩膜版上的图形来设置的。具体来讲，所述第一腔201的位置位于所述欧姆接触层2的正上方，具体尺寸等于或小于所述欧姆接触层2的尺寸。
接下来，执行步骤S103，如图3所示，刻蚀去除所述第一腔201下的保护层材料，形成第二腔202。
在本申请实施例中，可以设置在20℃-60℃温度下，采用第二混合气体刻蚀去除所述第一腔201下的保护层材料；其中，所述第二混合气体包括CF4和CHnFm，其中，n和m均为正整数。
较优的，可以设置在40℃-60℃温度下，采用第二混合气体刻蚀去除所述第一腔201下的保护层材料；较优的，所述CHnFm为CHF3，通过CF4和CHF3的混合气体能完全的均匀的刻蚀掉所述保护层材料。较优的，所述第二混合气体中CF4的体积和CHF3的体积的比值为0.25～0.5。
在具体实施过程中，为了保证充分刻蚀掉所述第一腔201下的所述保护层材料，可以采用按预设刻蚀时长进行刻蚀。具体的刻蚀时长与所述第二混合气体浓度，刻蚀温度和所述保护层的厚度等参数相关。
再下来，执行步骤S104，采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔202下的接触窗层材料，形成接触窗6，所述第一混合气体包括C5F8和CO。
在本申请实施例中，如图4所示，在执行步骤S104之前可以先去除所述光阻层5。然后，再如图5所示，刻蚀去除所述第二腔202下的接触窗层材料，形成接触窗6。
需要说明的是，在执行步骤S104之前先去除所述光阻层5，是为了去除光阻层便于后续在步骤S104的刻蚀过程中能够采用终点蚀刻侦测技术，以提高刻蚀时间控制精度。当然，如果不考虑该效果也可以在执行了步骤S104之后再去除所述光阻层5，在此不作限制。
在本申请实施例中，去除所述光阻层5的方法较多，可以采用O2去除所述光阻层，还可以采用化学液体去除所述光阻层5，或采用等离子体去除所述光阻层，在此不作限制，也不再一一列举。
较优的，考虑到本实施例后续会采用气体刻蚀，为了避免化学液体去除和等离子体去除导致的污染引入和额外设备引入，本实施例采用O2去除所述光阻层5。
具体来讲，由于C5F8能生成CxFy聚合物和F离子，其中CxFy聚合物能在刻蚀所述接触窗层材料的过程中保护所述保护层4不被腐蚀，从而得到了较高的所述接触窗层材料对所述保护层材料的选择比。而CO与F离子能形成COF聚合物，该COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层材料的过程中保护所述欧姆接触层2不被腐蚀，从而得到了较高的所述接触窗层材料对所述欧姆接触层材料的选择比。
其中，所述选择比用于表征刻蚀过程中两种不同材料的耐刻蚀能力差异。举例来说：刻蚀时，如果所述接触窗层材料和所述欧姆接触层材料都容易被腐蚀掉，两者耐刻蚀能力差异小，则认为所述接触窗层材料对所述欧姆接触层材料的选择比低。刻蚀时，如果所述接触窗层材料容易被腐蚀，而所述欧姆接触层材料不容易被腐蚀，两者耐刻蚀能力差异大，则认为所述接触窗层材料对所述欧姆接触层材料的选择比高。
在本申请实施例中，可以设置在-10℃-0℃温度下，采用所述第一混合气体刻蚀去除所述第二腔202下的接触窗层材料。所述第一混合气体包括C5F8、CO、CF4、CHF3、CH3F、Ar、O2和He。
进一步，为了获得较高的所述接触窗层材料对所述保护层材料和所述欧姆接触层材料的选择比，可以设置所述第一混合气体中C5F8的体积比上CO的体积的比值范围为2～3。进一步，为了还能保证充分刻蚀所述接触窗层材料，还可以设置所述第一混合气体中CH3F的体积比上CH4的体积的比值范围为1～3。
在本申请实施例中，为了提高刻蚀时间的控制精度，可以采用终点蚀刻侦测技术在刻蚀去除所述第二腔202下的接触窗层材料的过程中来控制刻蚀时间，实现充分刻蚀。具体可以通过监控SiF4与CO的体积比值来确定是否刻蚀完成。当然，在具体实施过程中也可以采取现有的其他控制刻蚀时间的技术，在此不作限制。
进一步，为了提高刻蚀时间控制的精度，还可以结合终点蚀刻侦测技术和计算的预计刻蚀时间来共同控制刻蚀时长。具体来讲，所述预计刻蚀时间可以是根据所述接触窗层3的厚度，刻蚀温度和刻蚀气体浓度等参数计算获得的时长，也可以是设置样品进行刻蚀，并通过扫描电镜观测确定的时长，在此不作限制。
具体来讲，本申请实施例设置刻蚀所述保护层材料时的温度较高，为20℃～60℃，能够提高刻蚀速度和保证充分刻蚀，而设置刻蚀所述接触窗层材料时的温度较低为-10℃～0℃，能够进一步防止所述保护层5和所述欧姆接触层2被腐蚀，进一步提高所述接触窗层材料对所述保护层材料和所述欧姆接触层材料的选择比，在保证充分刻蚀的基础上，尽可能完整的保留所述欧姆接触层2，以符合需求的电性能规格,提高产品良率和可靠性。
并且，正由于本实施例刻蚀方法使得所述接触窗层材料对所述保护层材料和所述欧姆接触层材料的选择比很高，故刻蚀过程中不用太担心对欧姆接触层2的过度刻蚀，便能够设定足够的蚀刻时间去弥补刻蚀均匀度,以减少瞎窗问题发生的概率,进一步提高产品良率和可靠性。
上述本申请实施例中的技术方案，至少具有如下的技术效果或优点：
1、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，在刻蚀接触窗层时，以之前刻蚀出第二腔的保护层作为刻蚀阻挡层，并采用包括C5F8和CO的第一混合气体来刻蚀接触窗层，由于C5F8生成CxFy聚合物和F离子，CxFy聚合物能保护所述保护层，以获得所述接触窗层对所述保护层的高选择比，实现能直接以所述保护层作为刻蚀阻挡层。CO与F离子形成的COF聚合物能在刻蚀所述接触窗层的过程中保护所述欧姆接触层，以获得所述接触窗层对所述欧姆接触层的高选择比，从而能更完整的保留所述欧姆接触层，提高器件的良率和可靠性。
2、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，由于能提供较高的所述接触窗层对所述欧姆接触层的选择比，故不用担心对欧姆接触层的过度刻蚀，可以设置更长的刻蚀时间以弥补刻蚀均匀度，减少瞎窗发生的几率，进一步提高器件良率及可靠性。
3、本申请实施例提供的接触窗的形成方法，设置刻蚀所述保护层的温度为20℃-40℃，刻蚀所述接触窗层的温度为-10℃-0℃，通过降低刻蚀所述接触窗层的刻蚀温度，进一步提高所述接触窗层对所述保护层和所述欧姆接触层的选择比，从而进一步提高器件的良率和可靠性。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种接触窗的形成方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底上依次设置有欧姆接触层、接触窗层和保护层；
在所述保护层上形成开设有第一腔的光阻层；
刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，在所述保护层上形成第二腔；
采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，形成接触窗；其中，所述第一混合气体包括C5F8和CO。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：在20℃-40℃温度下，刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料；
所述采用第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，包括：在-10℃-0℃温度下，采用所述第一混合气体刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一混合气体还包括：
CF4、CHF3、CH3F、Ar、O2和He。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一混合气体中C5F8的体积比上CO的体积的比值范围为2-3。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：
采用第二混合气体刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料；其中，所述第二混合气体包括CF4和CHnFm，其中，n,m均为正整数。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料，包括：
按预设刻蚀时长进行刻蚀，以刻蚀去除所述第一腔下的保护层材料。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，
在所述刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料之前，还包括：去除所述光阻层；
所述刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料，包括：基于终点蚀刻侦测技术刻蚀去除所述第二腔下的接触窗层材料。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述去除所述光阻层，包括：
采用O2去除所述光阻层。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护层的厚度是所述接触窗层的厚度的1.5-2倍。
10.如权利要求1-9任一所述的方法，其特征在于：
所述接触窗层材料为SiO2或SiOC；
所述保护层材料为SiN或SiON。
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Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020106901A1 (en) * 2001-02-07 2002-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming semiconductor device having high-density contacts
EP1282165A2 (en) * 2001-07-30 2003-02-05 Nec Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN1405875A (zh) * 2001-09-17 2003-03-26 旺宏电子股份有限公司 应用硅过饱和氧化层的双镶嵌制程及其构造
US20040201108A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Sony Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
US20050085086A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Hideyuki Kanzawa Contact plug processing and a contact plug
CN1641855A (zh) * 2004-01-13 2005-07-20 海力士半导体有限公司 在半导体器件中形成接触的方法
CN1836317A (zh) * 2003-08-15 2006-09-20 东京毅力科创株式会社 成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理系统
CN1956184A (zh) * 2005-10-28 2007-05-02 联华电子股份有限公司 高深宽比开口及其制作方法
CN101355047A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在低介电常数介质层中形成通孔的方法
CN101562134A (zh) * 2008-04-17 2009-10-21 上海华虹Nec电子有限公司 隧道窗口制备方法
CN102237296A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 通孔刻蚀方法
CN103779271A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 中微半导体设备(上海)有限公司 一种倒锥形轮廓刻蚀方法
CN104051324A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属互连结构的形成方法

Patent Citations (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020106901A1 (en) * 2001-02-07 2002-08-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for forming semiconductor device having high-density contacts
EP1282165A2 (en) * 2001-07-30 2003-02-05 Nec Corporation Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN1405875A (zh) * 2001-09-17 2003-03-26 旺宏电子股份有限公司 应用硅过饱和氧化层的双镶嵌制程及其构造
US20040201108A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Sony Corporation Semiconductor device and method for manufacturing the same
CN1836317A (zh) * 2003-08-15 2006-09-20 东京毅力科创株式会社 成膜方法、半导体装置的制造方法、半导体装置、基板处理系统
US20050085086A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Hideyuki Kanzawa Contact plug processing and a contact plug
CN1641855A (zh) * 2004-01-13 2005-07-20 海力士半导体有限公司 在半导体器件中形成接触的方法
CN1956184A (zh) * 2005-10-28 2007-05-02 联华电子股份有限公司 高深宽比开口及其制作方法
CN101355047A (zh) * 2007-07-27 2009-01-28 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 在低介电常数介质层中形成通孔的方法
CN101562134A (zh) * 2008-04-17 2009-10-21 上海华虹Nec电子有限公司 隧道窗口制备方法
CN102237296A (zh) * 2010-04-29 2011-11-09 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 通孔刻蚀方法
CN103779271A (zh) * 2012-10-26 2014-05-07 中微半导体设备(上海)有限公司 一种倒锥形轮廓刻蚀方法
CN104051324A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 金属互连结构的形成方法

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