CN108735900A - Qled器件功能层的制备方法 - Google Patents

Qled器件功能层的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108735900A
CN108735900A CN201710244597.8A CN201710244597A CN108735900A CN 108735900 A CN108735900 A CN 108735900A CN 201710244597 A CN201710244597 A CN 201710244597A CN 108735900 A CN108735900 A CN 108735900A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
ink
solvent
functional layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201710244597.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN108735900B (zh
Inventor
陈崧
钱磊
杨行
杨一行
曹蔚然
向超宇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Corp
Original Assignee
TCL Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Corp filed Critical TCL Corp
Priority to CN201710244597.8A priority Critical patent/CN108735900B/zh
Publication of CN108735900A publication Critical patent/CN108735900A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN108735900B publication Critical patent/CN108735900B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种QLED器件功能层的制备方法，包括以下步骤：提供预先图案化处理后的像素槽；提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴，然后通过另一个喷头在功能层墨滴表面喷溶剂蒸汽，经干燥成膜制备功能层，其中，功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，功能层墨水包括功能层材料和墨水溶剂，溶剂蒸汽的流量满足：局部偏压大于对应温度下的蒸气压；溶剂蒸汽使用的溶剂满足：溶剂的液相表面张力小于墨水溶剂的液相表面张力，溶剂蒸汽与墨水溶剂互溶，且能够溶解功能层材料。

Description

QLED器件功能层的制备方法
技术领域
本发明属于量子点发光二极管技术领域，尤其涉及一种QLED器件功能层的制备方法。
背景技术
无机纳米晶的量子点发光材料不仅具有出射光颜色饱和、波长可调的优点，而且光致、电致发光量子产率高，适合制备高性能显示器件。此外，从制备工艺角度看，量子点发光材料可以在非真空条件下采用旋涂、印刷、打印设备等溶液加工方式制备成膜。所以，以量子点薄膜制备的量子点发光二极管(QLED)成为下一代显示技术的有力竞争者。
通常的，QLED器件包括第一电极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层和第二电极。根据第一电极和第二电极的相对位置，即背电极和顶电极，QLED的结构可以分为传统的正型QLED器件和非传统的反型QLED器件两种。其中，空穴注入层、空穴传输层用于从外电路向发光层提供可迁移空穴，电子注入层、电子传输层用于提供可迁移电子。电子-空穴在量子点中形成激子，激子通过辐射复合输出光子，进而发光。
喷墨打印是大规模制备QLED矩阵的有效方法之一。含有可发光的半导体量子点材料的墨水以墨滴的形式被注入有预先图案设定的、被隔离材料限定的像素范围内。待溶剂挥发完全，即可形成量子点材料组成的发光层。由于墨滴接触基板形成墨点后，墨点边缘接触线位置的溶剂挥发快于墨滴中央位置的溶剂挥发，所以墨点中央的量子点胶体会被不断的带到边缘接触线位置并有相当一部分停留下来，造成材料在墨点边缘堆积，降低打印薄膜的厚度均匀性，这也称为咖啡环效应。目前，在温度一定的情况下，提高打印均匀性的方法通常包括以下两种，(1)对基板和隔离材料(bank)的表面进行处理，增加墨水在水平方向的浸润，降低其在与隔离材料接触面的浸润；(2)混合多种沸点不同的溶剂以调制挥发速率。这些方法虽然能够一定程度上提高打印均匀性，但是仍然不足以消除咖啡环现象。
发明内容
本发明的目的在于提供一种QLED器件功能层的制备方法，旨在解决现有喷墨打印制备QLED器件功能层的方法存在咖啡环现象、影响成膜均匀性的问题。
本发明是这样实现的，一种QLED器件功能层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴，然后通过另一个喷头在所述功能层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备功能层，
其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，所述功能层墨水包括功能层材料和用于溶解所述功能层材料的墨水溶剂，
所述溶剂蒸汽的流量满足：局部偏压大于对应温度下的蒸气压；所述溶剂蒸汽使用的溶剂满足：所述溶剂的液相表面张力小于所述墨水溶剂的液相表面张力，所述溶剂蒸汽与所述墨水溶剂互溶，且能够溶解所述功能层材料。
本发明提供的QLED器件功能层的制备方法，喷墨打印制备功能层时，通过在打印墨水的上方通入比墨水溶剂表面张力更低的溶剂蒸汽，利用墨滴边缘对所述溶剂蒸汽吸收更多的原理创造表面张力梯度(表面张力从墨滴边缘到中央逐渐增加)，从而加速所述功能层墨水中功能层材料从边缘向中央的回流(即Marangoni流)，进一步减弱消除咖啡环效应，提高成膜均匀性，进而提高打印QLED器件的性能稳定性。
附图说明
图1是本发明实施例提供的QLED器件结构示意图；
图2是本发明实施例提供的喷滴功能层墨滴后，溶剂挥发前的状态示意图；
图3是本发明实施例提供的在功能层墨滴表面喷溶剂蒸汽后的状态示意图。
具体实施方式
为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供了一种QLED器件功能层的制备方法，包括以下步骤：
S01.提供预先图案化处理后的像素槽；
S02.提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴，然后通过另一个喷头在所述功能层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备功能层，
其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，所述功能层墨水包括功能层材料和用于溶解所述功能层材料的墨水溶剂，
所述溶剂蒸汽的流量满足：局部偏压大于对应温度下的蒸气压；所述溶剂蒸汽使用的溶剂满足：所述溶剂的液相表面张力小于所述墨水溶剂的液相表面张力，所述溶剂蒸汽与所述墨水溶剂互溶，且能够溶解所述功能层材料。
具体的，上述步骤S01中，预先图案化处理后的像素槽，是指在图案化的底电极基板上形成bank材料层，并对所述bank材料层进行图案化处理，形成与所述图案化底电极对应、用于界定像素区域的bank槽。
上述步骤S02中，可采用本发明实施例所述方法制备QLED器件各功能层。通常的，所述QLED器件的结构如图1所示，包括依次层叠设置的底电极1、电子注入/传输层(或空穴注入/传输层)2、量子点发光层3、空穴注入/传输层(或电子注入/传输层)4、顶电极5。本发明实施例适于制作的QLED器件功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层。
具体的，对QLED器件功能层进行喷墨打印的喷墨打印设备，需具有两个打印喷头，一个用于盛装功能层墨水，另一个而用于储存溶剂蒸汽。当采用所述喷墨打印设备制备功能层时，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴，此时，墨水滴入预先图案化的像素槽位后溶剂还未挥发，溶剂挥发前的状态如图2所示；然后通过另一个喷头在所述功能层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，此时，所述功能层墨水中的墨水溶剂挥发，同时通入的低表面张力的溶剂蒸汽加速所述功能层墨水中功能层材料从边缘向中央的回流，以帮助提高溶剂挥发后的成膜均匀性，其状态示意图如图3所示。
其中，所述功能层墨水包括功能层材料和用于溶解所述功能层材料的墨水溶剂。同时，所述溶剂蒸汽应该满足一定的要求，才能实现加速所述功能层墨水中功能层材料从边缘向中央的回流、以帮助提高溶剂挥发后的成膜均匀性的目的。具体的，所述溶剂蒸汽的流量满足：局部偏压大于对应温度下的蒸气压，从而足以使所述溶剂蒸汽渗入所述功能层墨水中，但又不足以机械地扰动已经铺展开的功能层墨滴。进一步的，所述溶剂蒸汽使用的溶剂满足：所述溶剂的液相表面张力小于所述墨水溶剂的液相表面张力，所述溶剂蒸汽与所述墨水溶剂互溶，且能够溶解所述功能层材料，从而使得所述溶剂蒸汽被所述功能层墨水吸收后，不会造成所述功能层墨水中功能层材料的团聚，避免得到的膜层性能受到影响。
应当注意的是，本发明实施例中，所述像素槽的基底层依具体要制备的功能层而异，如若制备的功能层为量子点发光层，那么，如果量子点发光层直接制备在底电极上，那么，所述像素槽的基底层为底电极基底；如果量子点发光层直接制备在空穴注入层上，那么，所述像素槽的基底层为空穴注入层基底；如果量子点发光层直接制备在空穴传输层上，那么，所述像素槽的基底层为空穴传输层基底；如果量子点发光层直接制备在电子注入层上，那么，所述像素槽的基底层为电子注入层基底；如果量子点发光层直接制备在电子传输层上，那么，所述像素槽的基底层为电子传输层基底。
本发明实施例通过干燥处理去除所述膜层中的溶剂，得到致密的功能层。所述干燥处理的方式，可以采用自然干燥实现。
作为一种具体实施情形，所述功能层为空穴传输层，所述功能层墨水为空穴传输层墨水，所述基底为底电极基底或空穴注入层基底或量子点发光层基底。
所述QLED器件空穴传输层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装空穴传输层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴空穴传输层墨滴，然后通过另一个喷头在所述空穴传输层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备空穴传输层。
具体的，本发明实施例所述空穴传输材料的选择没有严格的规定，包括有机材料和氧化物，其中，所述有机材料包括聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物、苯胺、4-丁基-N,N-二苯基-均聚合物(Poly-TPD)、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚(9-乙烯咔唑)(PVK)、TPD、Spiro-TPD、LG101、HAT-CN、PEDOT:PSS、TAPC、α-NPB、m-MTDATA；所述氧化物包括NixO、MoOx、VOx、WOx。
所述空穴传输层墨水中，所述墨水溶剂包括甲苯(20℃时表面张力28.4mN/m)、氯苯(20℃时表面张力33.6mN/m)、二氯苯、氯仿中的至少一种。所述溶剂蒸汽形式添加的溶剂的表面张力须要小于所述墨水溶剂的表面张力，优选的，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷(20℃时表面张力18.4mN/m)、辛烷(20℃时表面张力21.6mN/m)、庚烷(20℃时表面张力20.4mN/m)、乙醇(20℃时表面张力22.6mN/m)、甲醇(20℃时表面张力22.7mN/m)、异丙醇(20℃时表面张力23mN/m)中的至少一种。
作为另一种具体实施情形，所述功能层为量子点层，所述功能层墨水为量子点发光层墨水，所述基底为底电极基底、空穴注入层基底、空穴传输层基底、电子注入层基底、电子传输层基底中的一种。
所述QLED器件量子点层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装量子点层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴量子点层墨滴，然后通过另一个喷头在所述量子点层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备量子点层。
具体的，所述量子点发光材料没有严格限制，包括无机半导体量子点纳米晶，其中，所述无机半导体量子点纳米晶包括II族元素与VI族元素组成的二元、三元或四元化合物，III族元素与V族元素组成的二元、三元或四元化合物，II族元素与V族元素组成的二元、三元或四元化合物，III族元素与VI族元素组成的二元、三元或四元化合物，IV族元素与VI族元素组成的二元、三元或四元化合物，I族元素、III族元素与VI族元素组成的三元或四元化合物，II族元素、IV族元素与VI族元素组成的三元或四元化合物、IV族单质，其中，II族元素与VI族元素组成的II-VI半导体的纳米晶包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、PbS、PbSe、PbTe；III族元素与V族元素组成的III-V族半导体的纳米晶包括GaP、GaAs、InP、InAs。
所述量子点发光层墨水中，所述墨水溶剂包括甲苯(20℃时表面张力28.4mN/m)、氯苯(20℃时表面张力33.6mN/m)、二氯苯、氯仿中的至少一种。所述溶剂蒸汽形式添加的溶剂的表面张力须要小于所述墨水溶剂的表面张力，优选的，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷(20℃时表面张力18.4mN/m)、辛烷(20℃时表面张力21.6mN/m)、庚烷(20℃时表面张力20.4mN/m)、乙醇(20℃时表面张力22.6mN/m)、甲醇(20℃时表面张力22.7mN/m)、异丙醇(20℃时表面张力23mN/m)中的至少一种。
作为再一种具体实施情形，所述功能层为电子传输层，所述功能层墨水为电子传输层墨水，所述基底为电子注入层基底、量子点发光层基底、底电极基底中的一种。
所述QLED器件量子点层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装电子传输层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴电子传输层墨滴，然后通过另一个喷头在所述电子传输层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备电子传输层。
具体的，所述电子传输材料没有严格的限制，包括宽带隙氧化物及其纳米材料、宽带隙硫化物及其纳米材料和有机材料，其中，所述宽带隙氧化物及其纳米材料包括ZnO、ZnS、TiO2，所述宽带隙硫化物及其纳米材料包括ZnS，所述有机材料比如BPHEN、Alq3。
所述电子传输层墨水中，所述墨水溶剂包括乙醇、甲苯(20℃时表面张力28.4mN/m)、氯苯(20℃时表面张力33.6mN/m)、二氯苯、氯仿中的至少一种。所述溶剂蒸汽形式添加的溶剂的表面张力须要小于所述墨水溶剂的表面张力，优选的，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷(20℃时表面张力18.4mN/m)、辛烷(20℃时表面张力21.6mN/m)、庚烷(20℃时表面张力20.4mN/m)、乙醇(20℃时表面张力22.6mN/m)、甲醇(20℃时表面张力22.7mN/m)、丙醇(25℃时表面张力20.9mN/m)、异丙醇(20℃时表面张力23mN/m)中的至少一种。
本发明实施例还可以制备除上述功能层以外的其他QLED器件功能层。
作为又一种具体实施情形，所述功能层为空穴注入层，所述功能层墨水为空穴注入层墨水，所述基底为电子传输层基底、量子点发光层基底、底电极基底中的一种。
所述QLED器件量子点层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装空穴注入层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴空穴注入层墨滴，然后通过另一个喷头在所述空穴注入层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备电子传输层。
具体的，本发明实施例所述空穴注入材料的选择没有严格的规定，包括具有较高导电率的聚合物等。其中，所述具有较高导电率的聚合物指聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸)等导电率高于1Scm-1的相应衍生材料。
所述空穴注入层墨水中，所述墨水溶剂包括水(20℃时表面张力72.80mN/m)。所述溶剂蒸汽形式添加的溶剂的表面张力须要小于所述墨水溶剂的表面张力，优选的，所述溶剂蒸汽的溶剂为甲醇(20℃时表面张力22.7mN/m)、乙醇(20℃时表面张力22.6mN/m)、丙醇(25℃时表面张力20.9mN/m)、异丙醇(20℃时表面张力23mN/m)中的至少一种。
本发明实施例提供的QLED器件功能层的制备方法，喷墨打印制备功能层时，通过在打印墨水的上方通入比墨水溶剂表面张力更低的溶剂蒸汽，利用墨滴边缘对所述溶剂蒸汽吸收更多的原理创造表面张力梯度(表面张力从墨滴边缘到中央逐渐增加)，从而加速所述功能层墨水中功能层材料从边缘向中央的回流(即Marangoni流)，进一步减弱消除咖啡环效应，提高成膜均匀性，进而提高打印QLED器件的性能稳定性。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种QLED器件功能层的制备方法，包括以下步骤：
提供预先图案化处理后的像素槽；
提供设置有两个喷嘴的喷墨打印设备，分别用于盛装功能层墨水和溶剂蒸汽，先通过一个喷头在所述像素槽的基底层上喷滴功能层墨滴，然后通过另一个喷头在所述功能层墨滴表面喷所述溶剂蒸汽，经干燥成膜制备功能层，
其中，所述功能层包括空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层、电子注入层，所述功能层墨水包括功能层材料和用于溶解所述功能层材料的墨水溶剂，
所述溶剂蒸汽的流量满足：局部偏压大于对应温度下的蒸气压；所述溶剂蒸汽使用的溶剂满足：所述溶剂的液相表面张力小于所述墨水溶剂的液相表面张力，所述溶剂蒸汽与所述墨水溶剂互溶，且能够溶解所述功能层材料。
2.如权利要求1所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述功能层为空穴传输层，所述功能层墨水为空穴传输层墨水，所述基底为底电极基底或空穴注入层基底或量子点发光层基底。
3.如权利要求2所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层墨水中，所述墨水溶剂包括甲苯、氯苯、二氯苯、氯仿中的至少一种，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷、辛烷、庚烷、乙醇、甲醇、异丙醇中的至少一种。
4.如权利要求2所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述空穴传输材料包括有机材料和氧化物，其中，所述有机材料包括聚[双(4-苯基)(4-丁基苯基)胺]、4-丁基-N,N-二苯基苯胺均聚物、苯胺、4-丁基-N,N-二苯基-均聚合物、聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)、聚(9-乙烯咔唑)、TPD、Spiro-TPD、LG101、HAT-CN、PEDOT:PSS、TAPC、α-NPB、m-MTDATA；所述氧化物包括NixO、MoOx、VOx、WOx。
5.如权利要求1所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述功能层为量子点层，所述功能层墨水为量子点发光层墨水，所述基底为底电极基底、空穴注入层基底、空穴传输层基底、电子注入层基底、电子传输层基底中的一种。
6.如权利要求5所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述量子点发光层墨水中，所述墨水溶剂包括甲苯、氯苯、二氯苯、氯仿中的至少一种，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷、辛烷、庚烷、乙醇、甲醇、异丙醇中的至少一种。
7.如权利要求1所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述功能层为电子传输层，所述功能层墨水为电子传输层墨水，所述基底为电子注入层基底、量子点发光层基底、底电极基底中的一种。
8.如权利要求7所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述电子传输层墨水中，所述墨水溶剂包括乙醇、甲苯、氯苯、二氯苯、氯仿中的至少一种，所述溶剂蒸汽的溶剂为正己烷、辛烷、庚烷、乙醇、甲醇、丙醇、异丙醇中的至少一种。
9.如权利要求1所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述功能层为空穴注入层，所述功能层墨水为空穴注入墨水，所述基底为空穴传输层基底、量子点发光层基底、底电极基底中的一种。
10.如权利要求9所述的QLED器件功能层的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层墨水中，所述墨水溶剂包括水，所述溶剂蒸汽的溶剂为甲醇、乙醇、丙醇、异丙醇中的至少一种。
CN201710244597.8A 2017-04-14 2017-04-14 Qled器件功能层的制备方法 Active CN108735900B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710244597.8A CN108735900B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 Qled器件功能层的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710244597.8A CN108735900B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 Qled器件功能层的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN108735900A true CN108735900A (zh) 2018-11-02
CN108735900B CN108735900B (zh) 2020-03-24

Family

ID=63924871

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710244597.8A Active CN108735900B (zh) 2017-04-14 2017-04-14 Qled器件功能层的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN108735900B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111509144A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 合肥京东方卓印科技有限公司 Oled器件的制备方法及显示面板的制备方法
CN112652651A (zh) * 2020-12-22 2021-04-13 北京维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN116218283A (zh) * 2023-04-13 2023-06-06 义乌清越光电技术研究院有限公司 一种用于tfb空穴传输层的量子点墨水及其应用

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103069555A (zh) * 2010-08-18 2013-04-24 独立行政法人产业技术综合研究所 有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN105774279A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法
CN106189515A (zh) * 2016-07-26 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 一种喷墨打印用的量子点油墨及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103069555A (zh) * 2010-08-18 2013-04-24 独立行政法人产业技术综合研究所 有机半导体薄膜以及有机半导体单晶薄膜的制造方法
CN105428546A (zh) * 2016-01-20 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 一种qled及其制备方法、显示装置及其制备方法
CN105774279A (zh) * 2016-03-23 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种喷墨打印方法及oled显示装置的制作方法
CN106189515A (zh) * 2016-07-26 2016-12-07 Tcl集团股份有限公司 一种喷墨打印用的量子点油墨及其制备方法

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111509144A (zh) * 2020-04-24 2020-08-07 合肥京东方卓印科技有限公司 Oled器件的制备方法及显示面板的制备方法
CN111509144B (zh) * 2020-04-24 2022-09-30 合肥京东方卓印科技有限公司 Oled器件的制备方法及显示面板的制备方法
CN112652651A (zh) * 2020-12-22 2021-04-13 北京维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN112652651B (zh) * 2020-12-22 2023-10-27 北京维信诺科技有限公司 一种显示面板及其制造方法、显示装置
CN116218283A (zh) * 2023-04-13 2023-06-06 义乌清越光电技术研究院有限公司 一种用于tfb空穴传输层的量子点墨水及其应用
CN116218283B (zh) * 2023-04-13 2024-04-05 义乌清越光电技术研究院有限公司 一种用于tfb空穴传输层的量子点墨水及其应用

Also Published As

Publication number Publication date
CN108735900B (zh) 2020-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10862036B2 (en) Method for high resolution patterning of organic layers
US9028715B2 (en) Compositions and methods for manufacturing light-emissive devices
US9515282B2 (en) Method for manufacturing a light-emitting electrochemical cell
Chen et al. High performance inkjet-printed QLEDs with 18.3% EQE: improving interfacial contact by novel halogen-free binary solvent system
CN105098075A (zh) 一种量子点发光层排布致密的发光器件及其制备方法
CN108735900A (zh) Qled器件功能层的制备方法
KR102420787B1 (ko) 이방성 나노 로드가 적용된 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
KR20100110332A (ko) 전자 디바이스 및 이것의 제조 방법
WO2009109738A1 (en) Solvent for a printing composition
TW200541385A (en) Printing of organic electronic devices
KR20190067220A (ko) 광전자 부품을 위한 유도적으로 도핑된 혼합층
DE112011104040T5 (de) Lochinjektionsschichten
CN108137969A (zh) 用于印刷电子的组合物及其在电子器件中的应用
KR102583620B1 (ko) 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
US8586209B2 (en) Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
DE112009002004T5 (de) Verfahren zur Herstellung eines Displays
CN110600619B (zh) 量子点发光二极管及其制备方法
CN109962133B (zh) 一种qled器件及其制备方法
Wang et al. High efficiency fully inkjet printed multilayer OLEDs using a printable organic electronic transport layer
US8906735B2 (en) Donor substrates, methods of manufacturing donor substrates, organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
CN109244252B (zh) Qled器件及其制备方法
CN112300631A (zh) 喷墨打印墨水及其制备方法与发光器件
Yang et al. Optimized TFB-based perovskite quantum dot light emitting diode
CN115433486B (zh) 印刷油墨、发光器件及显示器件
WO2023202150A1 (zh) 薄膜、光电器件及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant