CN108732874A - 一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶基材的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；超声清洗的超声波电流为0～0.5A。该清洗方法采用的清洗剂清洗易操作、安全环保，能提高清洗安全性和清洗效率，且满足清洗后产品的性能和洁净度；该工艺易量产化，易于实现工业化。该方法清洗后的基材外观洁净度良率为90.3～97.2％；外观干涉检测良率为75～78.85％；透光率为95.02～95.48％。

Description

一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法
技术领域
本发明涉及纳米压印清洗技术领域，尤其涉及一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法。
背景技术
纳米压印技术是一种全新的纳米结构制备技术，具有分辨率高、效率高、成本低的优点，它为半导体器件制作提供了一个新的解决方案。随着半导体业朝着不断缩小特征尺寸方向发展，随之而来的技术进步导致了设备的成本以指数增长。由于成本的增长，人们对纳米压印光刻这一低成本图形转移技术的关注越来越多。
纳米压印原理是通过紫外线光固化UV胶转印将软膜上的纳米级蛾眼结构转印到玻璃视窗区，达到增加视窗区透光率的效果，代替传统AR镀膜技术。
目前市面上针对纳米技术未固化的UV残胶主要采用醇类溶剂进行清洗，例如正丁醇、乙醇等。但是用醇类溶剂闪点低，易燃、易爆，清洗危险系数高，无法安全生产，不能用清洗机清洗，造成清洗效率低，无法批量生产。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法，该方法能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度。
本发明提供了一种纳米压印后残留紫外固化胶的清洗方法，包括以下步骤：
将附着有纳米压印后残留未固化的UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；
所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；
所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；
所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。
优选地，所述晃洗的温度为40～50℃；晃洗的时间为4～5min。
优选地，所述浸洗的温度为40～50℃；所述浸洗的时间为60～160s。
优选地，所述pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的体积比为1：2～3。
优选地，所述晃洗的温度为45℃；晃洗的时间为4.5min。
优选地，所述浸洗的温度为50℃；所述浸洗的时间为80s。
优选地，所述超声清洗的温度为40～50℃；所述超声清洗的时间为60～360s；超声清洗时超声波频率为27～29KHz。
优选地，所述超声清洗后还包括烘烤。
优选地，所述烘烤的温度为90～110℃；
所述烘烤的时间为80～300s。
优选地，所述附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材由以下方法制得：
将基材采用定位膜定位，定位膜和基材的非纳米压印面接触，然后对基材的待纳米压印面进行等离子清洗，待纳米压印；
将所述压印面的视窗区点UV胶，覆盖纳米压印软膜和掩模板后曝光，得到曝光后的具有纳米结构和残留未固化UV胶的基材；
将曝光后的基材从定位膜上分离，得到附着有纳米压印后残留未固化UV胶基材。
本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。本发明提供的清洗方法采用的清洗剂清洗易操作、安全环保，能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度；该工艺易量产化，易于实现工业化。实验结果表明：该清洗方法得到的具有纳米压印结构的基材外观洁净度良率为90.3～97.2％；外观干涉检测良率为75～78.85％；透光率为95.02～95.48％。
具体实施方式
本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：
将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；
所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；
所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；
所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。
本发明提供的清洗方法能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度，易于实现工业化。
本发明将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材。
在本发明中，所述附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材优选由以下方法制得：将基材采用定位膜定位，定位膜和基材的非纳米压印面接触，然后对基材的待纳米压印面进行等离子清洗，待纳米压印；将所述压印面的视窗区点UV胶，覆盖纳米压印软膜和掩模板后曝光，曝光后得到具有纳米压印结构和未固化UV胶的基材；将该基材从定位膜上分离，得到附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材。
本发明优选采用本领域技术人员熟知的带有前后晃动功能的单槽清洗机进行晃洗，可以使得插有附着纳米压印后残留未固化的UV胶的基材的清洗架在清洗机中前后晃动，提高清洗效率和清洗能力。本发明在晃洗时，采用pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物作为清洗剂；在本发明的具体实施例中，优选采用型号为D01-010280的pH值为9.5的清洗剂和型号为D01-030528的pH值为6.0的清洗剂的混合物。所述pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的体积比优选为1：2～3。在本发明中，所述晃洗的温度优选为40～50℃，更优选为45～50℃；在本发明的具体实施例中，所述晃洗的温度为45℃或50℃。所述晃洗的时间优选为4～5min，更优选为4.5min。在本发明的一个实施例中，晃洗的温度为45℃，晃洗的时间为4.5min；在本发明的另一个具体实施例中，晃洗的温度为50℃，晃洗的时间为4.5min。
本发明优选采用本领域技术人员熟知的超声波八槽清洗机进行浸洗和超声清洗。本发明优选采用八槽中的前两槽进行浸洗，后六槽进行超声清洗。在本发明中，所述浸洗的清洗剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；在本发明的具体实施例中，所述pH值为6～8的水基清洗剂具体为型号为D01-030528的pH值为6～8的水基清洗剂。所述浸洗的温度优选为40～50℃，更优选为50℃；所述浸洗的时间优选为60～160s，每个槽浸洗的时间优选为60～80s。
在本发明中，所述超声清洗即为漂洗；本发明优选采用水作为清洗剂进行超声清洗。所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A，更优选为0.3～0.5A；在本发明的具体实施例中，所述超声波电流为0A、0.3A或0.5A。所述超声清洗的温度为40～50℃；所述超声清洗的时间为60～360s，每个槽中超声清洗的时间优选为60s；超声清洗时超声波频率为27～29KHz，更优选为28KHz。
在本发明中，所述超声清洗后优选还包括烘烤，烘烤的目的是使得清洗后的基材干燥。所述烘烤的温度优选为90～110℃；所述烘烤的时间优选为80～300s；所述烘烤优选在隧道烘烤炉中进行；优选分三段进行烘烤，每段烘烤的时间优选为80～100s。
本发明采用南京英特飞光电技术有限公司生产的干涉仪检测仪进行纳米结构峰谷值检测；所述清洗后的基材的外观洁净度检测标准：在黑底板上用三波灯检测无白点、无气泡、无残胶等异物；外观干涉检测标准：用干涉仪检测峰谷值＜2.0；性能测试标准为透光率≥95.0％、发生率≤0.30％。
本发明采用型号为GZ902的透光率检测仪检测清洗后的基材的透光率；
本发明采用型号为GZ390M0的微区反射率仪进行反射率的检测。
本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化紫外固化胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。本发明提供的清洗方法采用的清洗剂清洗易操作、安全环保，能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度；该工艺易量产化，易于实现工业化。实验结果表明：该清洗方法得到的清洗后的基材外观洁净度良率为90.3～97.2％；外观干涉检测良率为75～78.85％；透光率为95.02～95.48％。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法进行详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
实施例1
将玻璃基材表面清洗，采用PET定位膜定位，定位膜和基材的非纳米压印面接触，然后对基材的待纳米压印面进行等离子清洗，待纳米压印；将所述压印面的视窗区点UV胶，覆盖纳米压印软膜和掩模板后曝光，曝光后得到具有纳米压印结构的基材；将曝光后的基材从定位膜上分离，得到附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材；
将附着有纳米压印后残留未曝光UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，所述浸洗和超声清洗在八槽清洗机中进行，前2槽进行浸洗，后6槽进行超声清洗，然后在100℃下烘烤80s/段，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；
晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，见表1，表1为本发明实施例1～9的实验条件：
表1本发明实施例1～9的实验条件
本发明实施例1制备的清洗后的基材的性能测试结果见表2，表2为本发明实施例1～9制备的清洗后的基材的性能测试结果：
表2本发明实施例1～9制备的清洗后的基材的性能测试结果
实施例2
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例3
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例4
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例5
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例6
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例7
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例8
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实施例9
参见实施例1，与实施例1不同之处是晃洗、浸洗和超声清洗采用的实验条件，实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
实验条件见表1，及清洗后的基材的测试结果见表2。
由以上实施例可知，本发明提供了一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。本发明提供的清洗方法采用的清洗剂清洗易操作、安全环保，能提高清洗安全性，清洗效率较高，且满足清洗后产品的性能和洁净度；该方法易量产化，易于实现工业化。实验结果表明：该清洗方法得到的清洗后的具有纳米压印结构的基材外观洁净度良率为90.3～97.2％；外观干涉检测良率为75～78.85％；透光率为95.02～95.48％。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种纳米压印后残留未固化UV胶的清洗方法，包括以下步骤：
将附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材依次进行晃洗、浸洗和超声清洗，得到清洗后的具有纳米压印结构的基材；
所述晃洗采用的清洗剂为pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的混合物；
所述浸洗采用的药剂为水或pH值为6～8的水基清洗剂；
所述超声清洗的超声波电流为0～0.5A。
2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述晃洗的温度为40～50℃；晃洗的时间为4～5min。
3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述浸洗的温度为40～50℃；所述浸洗的时间为60～160s。
4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述pH值为9.5的清洗剂和pH值为6.0的清洗剂的体积比为1：2～3。
5.根据权利要求4所述的清洗方法，其特征在于，所述晃洗的温度为45℃；晃洗的时间为4.5min。
6.根据权利要求5所述的清洗方法，其特征在于，所述浸洗的温度为50℃；所述浸洗的时间为80s。
7.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗的温度为40～50℃；所述超声清洗的时间为60～360s；超声清洗时超声波频率为27～29KHz。
8.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述超声清洗后还包括烘烤。
9.根据权利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述烘烤的温度为90～110℃；
所述烘烤的时间为80～300s。
10.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材由以下方法制得：
将基材采用定位膜定位，定位膜和基材的非纳米压印面接触，然后对基材的待纳米压印面进行等离子清洗，待纳米压印；
将所述压印面的视窗区点UV胶，覆盖纳米压印软膜和掩模板后转印曝光，得到曝光后的具有纳米压印结构和残留未固化UV胶的基材；
将曝光后的基材从定位膜上分离，得到附着有纳米压印后残留未固化UV胶的基材。
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