CN108715592B - 含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 - Google Patents
含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN108715592B CN108715592B CN201810525321.1A CN201810525321A CN108715592B CN 108715592 B CN108715592 B CN 108715592B CN 201810525321 A CN201810525321 A CN 201810525321A CN 108715592 B CN108715592 B CN 108715592B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- formula
- compound
- organic electroluminescent
- electroluminescent device
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 100
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 28
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 9
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims description 8
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 8
- -1 dibenzofuranyl Chemical group 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 6
- 125000004988 dibenzothienyl group Chemical group C1(=CC=CC=2SC3=C(C21)C=CC=C3)* 0.000 claims description 4
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 19
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 32
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 30
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 29
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 29
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 25
- 238000005160 1H NMR spectroscopy Methods 0.000 description 21
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 19
- MTBRQOGPXZHFAH-UHFFFAOYSA-N 3-anilino-2-pyridin-4-yl-1,5,6,7-tetrahydropyrrolo[3,2-c]pyridin-4-one Chemical compound C1(=CC=CC=C1)NC1=C(NC2=C1C(NCC2)=O)C1=CC=NC=C1 MTBRQOGPXZHFAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 3
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQHHKYXPFKHLBF-UHFFFAOYSA-N 1-bromo-4-iodonaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(Br)=CC=C(I)C2=C1 HQHHKYXPFKHLBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 description 2
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012074 organic phase Substances 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UDZSLJULKCKKPX-UHFFFAOYSA-N (4-bromophenyl)-triphenylsilane Chemical compound C1=CC(Br)=CC=C1[Si](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UDZSLJULKCKKPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004191 (C1-C6) alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 4,4,5,5-tetramethyl-1,3,2$l^{2}-dioxaborolane Chemical compound CC1(C)O[B]OC1(C)C LZPWAYBEOJRFAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical group C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical class [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N chloro(triphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](C=1C=CC=CC=1)(Cl)C1=CC=CC=C1 MNKYQPOFRKPUAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N ferrocene Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C=1C=C[CH-]C=1 KTWOOEGAPBSYNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- GJVRUUHMZUPZBQ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 3-anilino-4-oxo-2-pyridin-4-yl-6,7-dihydro-1H-pyrrolo[3,2-c]pyridine-5-carboxylate Chemical compound O=C1N(CCC2=C1C(=C(N2)C1=CC=NC=C1)NC1=CC=CC=C1)C(=O)OC(C)(C)C GJVRUUHMZUPZBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/10—Compounds having one or more C—Si linkages containing nitrogen having a Si-N linkage
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/18—Carrier blocking layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/40—Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及有机电致发光器件领域，公开了一种含三嗪基团的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构。该含三嗪基团的化合物能够应用于有机电致发光器件中。本发明的发明人发现，同时含有硅基团、萘基团和三嗪基团的化合物能够比现有技术提供的化合物具有更高的三线态能级，而且能够使含有本发明的新化合物的材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。
Description
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，具体地，涉及一种含三嗪基团的化合物和该含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用，以及含有该含三嗪基团的化合物的有机电致发光器件。
背景技术
有机电致发光(OLED)技术相比于传统的液晶技术来说，其无需背光源照射和滤色器，像素可自身发光呈现在彩色显示板上，并且，拥有超高对比度、超广可视角度、曲面、薄型等特点。
OLED的性能不仅受到发光体的影响，特别是，形成OLED的各个层的材料都对OLED的性能具有非常重要的影响，例如基底材料、空穴阻挡材料、电子传输材料、空穴传输材料和电子或激子阻挡材料等。目前采用的形成OLED的各个层的材料仍然存在驱动电压高、使用寿命短、电流效率和亮度均低的缺陷，致使无法获得性能较好的有机电致发光器件。
发明内容
本发明的目的是提供一种具有更低的驱动电压的由硅基团、萘基团和三嗪基团相互连接构成的新化合物。
本发明的发明人在研究中发现，同时含有硅基团、萘基团和三嗪基团的化合物能够比现有技术提供的化合物具有更高的三线态能级，而且能够使含有本发明的新化合物的材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。据此，发明人完成了本发明的技术方案。
为了实现上述目的，本发明第一方面提供一种含三嗪基团的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构，
其中，在式(I)中，
L1和L2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或L1和L2各自独立地不存在；
R1和R2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基；
R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基；
其中的取代基各自独立地选自C1-6的烷基、C1-6的烷氧基。
第二方面，本发明提供第一方面所述的含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用。
第三方面，本发明提供含有第一方面所述的含三嗪基团的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。
本发明提供的新化合物能够提高材料的三线态能级，而且能够使材料同时具备较高的空穴迁移率和电子迁移率。
特别优选情况下，将本发明的化合物作为电子传输层材料时，能够有效降低驱动电压，提高电流效率、亮度和寿命。
具体实施方式
在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值，这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说，各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间，以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围，这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
如前所述，本发明的第一方面提供了一种含三嗪基团的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构，
其中，在式(I)中，
L1和L2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基或L1和L2各自独立地不存在；
R1和R2各自独立地选自取代或未取代的苯基、取代或未取代的联苯基、取代或未取代的芴基、取代或未取代的二苯并噻吩基、取代或未取代的二苯并呋喃基；
R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基；
其中的取代基各自独立地选自C1-6的烷基、C1-6的烷氧基。
本发明中，在式(I)中，L1和L2可以连接在萘基的任意位置上。若L1和L2不存在时，左侧的三苯基硅基和右侧的三嗪基液可以连接在萘基的任意位置上。
“C1-12的烷基”为总共含有1-12个碳原子的烷基基团，可以为直链的或支链的烷基基团。
“C1-12的烷氧基”为总共含有1-12个碳原子的烷氧基基团，可以为直链的或支链的烷氧基基团。
对“C1-6的烷基”、“C1-6的烷氧基”、“C1-3的烷基”、“C1-3的烷氧基”也有与前述“C1-12的烷基”和“C1-12的烷氧基”相似的定义，仅是碳原子数不同而已。
根据第一种优选的具体实施方式，在式(I)中，
L1和L2各自独立地选自苯基、联苯基或L1和L2各自独立地不存在；
R1和R2各自独立地选自苯基、联苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代或未取代的芴基；
R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基；
其中的取代基各自独立地选自C1-3的烷基、C1-3的烷氧基。
根据第一种优选的具体实施方式提供本发明的第二种优选的具体实施方式，所述式(I)所示的化合物为以下式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中的至少一种：
其中，式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与前述第一种优选的具体实施方式中的定义相同。
根据第二种优选的具体实施方式提供本发明的第三种优选的具体实施方式，所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的至少一种：
根据第一种优选的具体实施方式提供本发明的第四种优选的具体实施方式，所述式(I)所示的化合物为式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中的至少一种，且在式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与本发明的第一种优选的具体实施方式中的定义相同：
根据第四种优选的具体实施方式提供本发明的第五种优选的具体实施方式，所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的至少一种：
本发明的发明人发现，本发明第五种优选的具体实施方式提供的具体化合物形成的有机电致发光器件具有明显比现有技术提供的化合物形成的有机电致发光器件更低的驱动电压。
本发明对提供的含三嗪基团的化合物的合成方法没有特别的限定，本领域技术人员可以根据本发明提供的含三嗪基团的化合物的结构式结合制备例的制备方法确定合适的合成方法。并且，本发明的制备例中示例性地给出了一些含三嗪基团的化合物的制备方法，本领域技术人员可以根据这些示例性的制备例的制备方法得到本发明提供的所有含三嗪基团的化合物。本发明在此不再详述制备本发明的各种化合物的具体制备方法，本领域技术人员不应理解为对本发明的限制。
如前所述，本发明的第二方面提供了前述第一方面所述的含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用。
如前所述，本发明的第三方面提供了含有前述第一方面所述的含三嗪基团的化合物的有机电致发光器件。
优选情况下，所述含三嗪基团的化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层、发光层和空穴阻挡层中的至少一种中。
优选情况下，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、任选的电子阻挡层、发光层(EML)、任选的空穴阻挡层、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和阴极。
优选地，形成所述阳极的阳极材料选自氧化铟锡、氧化铟锌和二氧化锡中的一种或多种。其中，该阳极材料形成的阳极活性层的厚度例如可以为1000-1700埃。
优选地，所述空穴注入层含有的空穴注入材料选自以下式TDATA、式2-TNATA和TCTA中的一种或多种：
优选地，所述空穴注入层的厚度为100-800埃，更优选为200-600埃。
优选地，所述空穴传输层含有的空穴传输材料选自以下式NPB、式TPD和式HT-1中的至少一种：
优选地，所述空穴传输层的厚度为100-600埃，优选为200-400埃。
优选地，所述发光层含有的掺杂剂选自以下式DPAVBi、式Ir(ppy)3、式TBPe和式BD1所述的化合物中的一种或多种，所述发光层任选含有选自以下式CBP、式ADN和式1,2-AND所示的发光主体材料：
优选地，所述发光层的厚度为100-600埃，优选为200-400埃。
优选地，所述电子传输层中除了含有本发明前述的新化合物之外还任选含有选自以下式BPhen、式Alq3、式TPBi和式ET-1中的一种或多种发光主体材料：
优选地，所述电子传输层的厚度为100-600埃。
优选地，所述空穴阻挡材料为式BCP所示的空穴阻挡材料。
优选地，所述空穴阻挡层的厚度为10-100埃。
优选地，所述电子注入层材料为LiF、Al2O3、MnO等中的一种或多种。
优选地，所述电子注入层的厚度为1-50埃，优选为1-10埃。
优选地，所述阴极材料为Al、Mg和Ag中的一种或多种。
优选地，所述阴极层的厚度为800-1500埃。
以下将通过实施例对本发明进行详细描述。
评价：有机发光器件的特性评价
使用电流-电压源计(Keithley 2400)和Minolta CS-1000A分光辐射谱仪测量实施例和对比实施例中的有机发光器件的驱动电压、发射效率和寿命。结果示于下表1中。
(1)相对于电压变化的电流密度变化的测量
通过使用电流-电压源计(Keithley 2400)在使电压从0伏(V)增加到约10V的同时测量流动通过所述有机发光器件的每一个的电流值，然后将其除以相应发光器件的面积以获得电流密度。
(2)相对于电压变化的亮度变化的测量
通过使用Minolta CS-1000A分光辐射谱仪在使电压从约0V增加到约10V的同时测量所述有机发光器件的亮度。
(3)发射效率的测量
基于由以上描述的测量(1)和(2)获得的电流密度、电压和亮度计算所述有机发光器件在10毫安/平方厘米(mA/cm2)或50毫安/平方厘米(mA/cm2)的一定电流密度下的电流效率。
(4)寿命的测量
保持5000cd/m2的亮度(cd/m2)，并测量电流效率(cd/A)减小至50％的时间。
制备例1：制备式(1-1)所示的化合物
中间体1-1-1的合成：将0.0482mol的4-溴-四苯基硅烷溶于200ml的1,4-二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.0482mol的联硼酸频哪醇酯、0.1205mol乙酸钾、0.00048mol二茂铁二氯化钯，升温至回流反应，4h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，将残余物通过柱层析得到中间体1-1-1(收率:81％)。
计算值C30H31BO2Si：462.46±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝1.24～1.24(12H，s)，7.34～7.46(14H，m)，7.55～7.56(3H，m)，7.85～7.86(2H，m)。
中间体1-1-2的合成：将0.043mol中间体1-1-1溶于200ml的1,4-二氧六环溶剂中，通氮气下搅拌，依次加入0.043mol的1-溴-4-碘萘、0.129mol的K2CO3、0.00043mol四(三苯基膦)钯，升温至回流反应，5h后HPLC检测原料基本反应完毕，将反应液减压旋干，将残余物通过柱层析得到中间体1-1-2(收率:65％)。
计算值C34H25BrSi：541.55±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.37～7.55(17H，m)，7.66～7.74(2H，m)，7.86～7.89(3H，m)，8.03～8.04(1H，m)，8.59～8.60(2H，m)。
中间体1-1-3的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成，得到中间体1-1-3(收率79％)。
计算值C40H37BO2Si：588.62±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝1.24～1.24(12H，s)，7.34～7.55(19H，m)，7.66～7.67(1H，m)，7.89～7.95(3H，m)，8.08～8.09(1H，m)，8.55～8.56(1H，m)。
化合物(1-1)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(1-1)(收率58％)。计算值C49H35N3Si：693.91±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.37～7.55(25H，m)，7.86～7.89(2H，d)，8.01～8.01(2H，s)，8.28～8.30(4H，m)，8.55～8.57(2H，m)。
制备例2：制备式(1-5)所示的化合物
化合物(1-5)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(1-5)(收率56％)。
计算值C61H43N3Si：846.10±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.27(4H，m)，7.37～7.55(29H，m)，7.85～7.89(6H，m)，8.01～8.01(2H，s)，8.55～8.57(2H，m)。
制备例3：制备式(1-20)所示的化合物
化合物(1-20)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物1-20(收率61％)。
计算值C55H39N3Si：770.00±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.27(2H，m)，7.37～7.55(25H，m)，7.85～7.89(4H，m)，8.01～8.01(2H，s)，8.28～8.30(4H，m)，8.55～8.55(2H，m)。
制备例4：制备式(1-22)所示的化合物
中间体1-22-1的合成：制备格式试剂，将0.01mol的1-溴-4-碘萘、镁(0.4mol)加入到20ml四氢呋喃中，升温至回流反应引发，缓慢滴入剩余的0.09mol的1-溴-4-碘萘四氢呋喃饱和溶液保温回流1h左右，氮气保护备用。于另一三口瓶中加入0.1mol的三苯基氯硅烷、四氢呋喃搅拌均匀，氮气保护，降温至-5℃，将制备好的格式试剂转移到滴液漏斗中，缓慢滴加，保持体系温度不超过10℃，滴加完毕后搅拌30min然后缓慢升至25℃，5h后检测原料反应完毕，向反应液中滴加饱和氯化铵水溶液，搅拌5min加二氯甲烷萃取，取有机相减压旋干，将残余物通过柱层析得到中间体1-22-1(收率52％)。
计算值C28H21BrSi：465.46±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.37～7.55(16H，m)，7.66～7.74(2H，m)，8.07～8.13(2H，m)，8.59～8.59(1H，m)。
中间体1-22-2的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成，得到中间体1-22-2(收率76％)。
计算值C34H33BO2Si：512.52±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝1.24～1.24(12H，s)，7.37～7.55(17H，m)，7.70～7.71(1H，m)，7.89～7.90(1H，m)，8.08～8.09(1H，m)，8.08～8.9(2H，m)。
化合物(1-22)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(1-22)(收率49％)。
计算值C49H35N3Si：693.91±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.27(2H，m)，7.37～7.46(23H，m)，7.68～7.70(1H，s)，7.85～7.87(2H，m)，8.05～8.08(2H，m)，8.28～8.30(4H，m)，8.55～8.57(1H，m)。
制备例5：制备式(2-2)所示的化合物
中间体2-2-1的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成，得到中间体2-2-1(收率75％)。
计算值C30H31BO2Si：462.46±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝1.24～1.24(12H，s)，7.34～7.37(6H，m)，7.46～7.55(11H，m)，7.72～7.73(1H，m)，7.85～7.86(1H，m)。
中间体2-2-2的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到中间体2-2-2(收率54％)。
计算值C34H25BrSi：541.55±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.37～7.74(21H，m)，7.86～7.87(1H，m)，8.03～8.04(1H，m)，8.59～8.60(2H，m)。
中间体2-2-3的合成：合成方法同中间体1-1-1的合成，得到中间体2-2-3(收率77％)。
计算值C40H37BO2Si：588.62±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝1.24～1.24(12H，s)，7.34～7.66(21H，m)，7.76～7.76(1H，s)，7.95～7.96(1H，m)，8.08～8.09(1H，m)，8.55～8.56(1H，m)。
化合物(2-2)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(2-2)(收率57％)。
计算值C55H39N3Si：770.00±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.27(2H，m)，7.37～7.55(28H，m)，7.78～7.78(1H，s)，7.85～7.85(2H，m)，8.01～8.01(2H，s)，8.28～8.28(2H，m)，8.55～8.56(2H，m)。
制备例6：制备式(2-13)所示的化合物
中间体2-13-1的合成：合成方法同中间体1-21-1的合成，得到中间体2-13-1(收率41％)。
计算值C27H14ClN3O2：447.87±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.32～7.38(4H，m)，7.64～7.68(4H，m)，7.75～7.76(2H，m)，7.89～7.95(4H，m)。
化合物(2-13)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(2-13)(收率58％)。
计算值C61H39N3O2Si：874.07±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.32～7.66(28H，m)，7.75～7.95(3H，m)，7.89～8.01(6H，m)，8.55～8.57(2H，m)。
制备例7：制备式(3-1)所示的化合物
中间体3-1-1的合成：合成方法同中间体1-21-1的合成，得到中间体3-1-1(收率48％)。
计算值C25H16BrN3：438.32±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.41～7.62(8H，m)，7.97～7.97(1H，s)，8.09～8.15(2H，m)，8.28～8.30(4H，m)，8.47～8.48(1H，m)。
化合物(3-1)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(3-1)(收率62％)。
计算值C49H35N3Si：693.91±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.35～7.55(25H，m)，7.76～7.76(1H，s)，7.85～7.89(3H，m)，8.08～8.10(1H，m)，8.28～8.30(4H，m)，8.55～8.57(1H，m)。
制备例8：制备式(4-2)所示的化合物
中间体4-2-1的合成：合成方法同中间体1-21-1的合成，得到中间体4-2-1(收率45％)。
计算值C31H20BrN3：514.41±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.26(2H，m)，7.41～7.51(9H，m)，7.85～7.93(4H，m)，8.21～8.30(3H，m)，8.56～8.57(1H，m)，9.01～9.02(1H，m)。
化合物(4-2)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(4-2)(收率60％)。
计算值C55H39N3Si：770.00±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.25～7.27(2H，m)，7.37～7.61(26H，m)，7.73～7.74(1H，m)，7.85～7.92(6H，m)，8.28～8.30(2H，m)，8.49～8.50(1H，m)，9.09～9.10(1H，m)。
制备例9：制备式(4-9)所示的化合物
中间体4-9-1的合成：合成方法同中间体1-21-1的合成，得到中间体4-9-1(收率42％)。
计算值C37H24BrN3：590.51±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.41～7.51(11H，m)，7.85～7.93(10H，m)，8.21～8.30(1H，m)，8.56～8.57(1H，m)，9.01～9.02(1H，m)。
化合物(4-9)的合成：合成方法同中间体1-1-2的合成，得到化合物(4-9)(收率71％)。
计算值C61H43N3Si：846.10±1。1H-NMR(400MHz，CDCl3)(ppm)δ＝7.37～7.55(28H，m)，7.79～7.92(13H，m)，8.49～8.50(1H，m)，9.09～9.09(1H，s)。
实施例1：制备有机发光器件
依次用蒸馏水和甲醇超声洗涤具有约1500埃厚度的氧化铟锡(ITO)电极(第一电极，阳极)的玻璃衬底之后，将经洗涤的玻璃衬底干燥，移到等离子体清洁系统，然后使用氧等离子体清洁约5分钟。然后将所述玻璃衬底装载到真空沉积设备中。
将式2-TNATA所示的化合物真空沉积到所述玻璃衬底的ITO电极上以形成具有约1000埃厚度的HIL，将式NPB所示的化合物真空沉积到空穴注入层上形成具有约200埃厚度的HTL。
将化合物1,2-ADN和BD1(掺杂剂)以98:2的质量比共沉积在所述空穴传输区域上以形成具有约300埃厚度的EML。
随后，将式(1-1)所示的化合物真空沉积在所述EML上以形成具有约250埃厚度的ETL。然后，将LiF沉积在ETL上以形成具有约5埃厚度的EIL，并将Al沉积在所述EIL上至约1000的厚度以形成第二电极(阴极)，由此完成有机发光器件的制造。
并且采用与实施例1相似的方法制备含有本发明的其它含三嗪基团的化合物的有机发光器件，所不同的是，采用本发明的其它含三嗪基团的化合物替换实施例1中的式(1-1)所示的化合物，其余均与实施例1中相同，分别得到不同的有机发光器件，具体化合物列于表1中。
对比例1
采用与实施例1中相似的方法制备有机发光器件，所不同的是，采用式ET-1所示的化合物替换实施例1中的式(1-1)所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
对比例2
采用与实施例1中相似的方法制备有机发光器件，所不同的是，采用以下式(D1)所示的化合物替换实施例1中的式(1-1)所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
对比例3
采用与实施例1中相似的方法制备有机发光器件，所不同的是，采用以下式(D2)所示的化合物替换实施例1中的式(1-1)所示的化合物，其余均与实施例1中相同。
表1
通过表1中的数据可以看出，由本发明的新化合物形成的有机电致发光器件具有低的驱动电压和明显较现有技术高的寿命、电流效率及亮度。
特别地，本发明提供的化合物形成的有机电致发光器件具有明显比现有技术提供的化合物形成的有机电致发光器件更低的驱动电压。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于此。在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，包括各个技术特征以任何其它的合适方式进行组合，这些简单变型和组合同样应当视为本发明所公开的内容，均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种含三嗪基团的化合物，该化合物具有式(I)所示的结构，
其中，在式(I)中，
L1和L2各自独立地选自苯基、联苯基或L1和L2各自独立地不存在；
R1和R2各自独立地选自苯基、联苯基、二苯并噻吩基、二苯并呋喃基、取代或未取代的芴基；
R3、R4和R5各自独立地选自H、C1-12的烷基、C1-12的烷氧基；
其中的取代基各自独立地选自C1-3的烷基、C1-3的烷氧基。
2.根据权利要求1所述的化合物，其中，所述式(I)所示的化合物为以下式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中的一种：
其中，式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)、式(I-4)、式(I-5)和式(I-6)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与权利要求1中相同。
3.根据权利要求2所述的化合物，其中，所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的一种：
4.根据权利要求2所述的化合物，其中，所述式(I)所示的化合物为式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中的一种，且在式(I-1)、式(I-2)、式(I-3)和(I-4)中涉及的L1、L2、R1、R2、R3、R4和R5的定义分别与权利要求2中相同。
5.根据权利要求2所述的化合物，其中，所述式(I)所示的化合物为以下具体化合物中的一种：
6.权利要求1-5中任意一项所述的含三嗪基团的化合物在有机电致发光器件中的应用。
7.一种含有权利要求1-5中任意一项所述的含三嗪基团的化合物中的一种或两种以上的化合物的有机电致发光器件。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其中，所述含三嗪基团的化合物存在于该有机电致发光器件的电子传输层、发光层和空穴阻挡层中的至少一种中。
9.根据权利要求7或8所述的有机电致发光器件，其中，所述有机电致发光器件包括依次层叠设置的基板、阳极、空穴注入层、空穴传输层、任选的电子阻挡层、发光层、任选的空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710773941 | 2017-08-31 | ||
| CN2017107739412 | 2017-08-31 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN108715592A CN108715592A (zh) | 2018-10-30 |
| CN108715592B true CN108715592B (zh) | 2021-04-13 |
Family
ID=63911589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201810525321.1A Active CN108715592B (zh) | 2017-08-31 | 2018-05-28 | 含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN108715592B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108409774B (zh) * | 2017-12-19 | 2021-01-05 | 北京绿人科技有限责任公司 | 有机电致发光化合物及其应用和有机电致发光器件 |
| CN111943829B (zh) * | 2020-07-27 | 2022-04-15 | 清华大学 | 一种激基复合物及其应用及采用该激基复合物的有机电致发光器件 |
| KR20220063558A (ko) * | 2020-11-10 | 2022-05-17 | 솔루스첨단소재 주식회사 | 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101255172A (zh) * | 2008-04-08 | 2008-09-03 | 淮海工学院 | 1,3,5-三嗪取代四苯基硅烷化合物及其制备方法 |
| CN107531650B (zh) * | 2015-08-21 | 2020-10-09 | 株式会社Lg化学 | 化合物和包含其的有机电子元件 |
-
2018
- 2018-05-28 CN CN201810525321.1A patent/CN108715592B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN108715592A (zh) | 2018-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP7026405B2 (ja) | 有機化合物及びこれを含む有機電界発光素子 | |
| JP6584058B2 (ja) | 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子 | |
| KR101738607B1 (ko) | 유기전계발광소자 | |
| CN102212066B (zh) | 缩合环化合物和包括该缩合环化合物的有机发光装置 | |
| KR101017945B1 (ko) | 비대칭 안트라센 유도체 및 이를 포함하는유기전계발광소자 | |
| CN107011248B (zh) | 化合物及其有机电子装置 | |
| Yoo et al. | A new electron transporting material for effective hole-blocking and improved charge balance in highly efficient phosphorescent organic light emitting diodes | |
| KR20160143627A (ko) | 유기전계발광소자용 유기화합물 및 상기 유기화합물을 포함하는 유기전계발광소자 | |
| Cui et al. | A simple systematic design of phenylcarbazole derivatives for host materials to high-efficiency phosphorescent organic light-emitting diodes | |
| TWI662013B (zh) | 化合物及其有機電子裝置 | |
| JP2006028175A (ja) | アントラセン化合物及びこれを用いた有機エレクトロルミネセントデバイス | |
| CN106810569B (zh) | 一种咔啉三取代衍生物及其应用 | |
| CN108715592B (zh) | 含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 | |
| CN108727424B (zh) | 有机化合物及其应用和有机电致发光器件 | |
| JP6976251B2 (ja) | 新規な有機化合物および前記有機化合物を含む有機電界発光素子 | |
| CN112079841B (zh) | 一种有机化合物、电致发光材料及其应用 | |
| CN108409773B (zh) | 含三嗪基团的化合物及其应用和一种有机电致发光器件 | |
| JP2016012675A (ja) | 有機電界発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子 | |
| CN108424420B (zh) | 含有硅原子的三嗪化合物及其应用和一种有机电致发光器件 | |
| CN110790756B (zh) | 有机化合物及其应用和一种有机电致发光器件 | |
| US9938287B1 (en) | Blue fluorescence dopant compound and organic electroluminescent device using the same | |
| TWI653218B (zh) | 化合物及其有機電子裝置 | |
| CN107880055B (zh) | 一种蓝色荧光掺杂物质以及包含此物质的有机电致发光器件 | |
| JP6539821B2 (ja) | 化合物およびこれを用いた有機電子デバイス | |
| KR101837006B1 (ko) | 적색 인광 호스트 물질 및 이를 이용한 유기전계발광소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |